TD sur la Jonction PN (M1 SME S7 Partie II)

Exercice 1 (application directe du cours)

La jonction Emetteur Base d’un transistor bipolaire de type NPN est une diode N+ P dont les régions
N et P sont courtes et présentent les caractéristiques suivantes :
19 –3
Région N+ : Dopage uniforme : ND = 10 cm

Etendue : W N = 10 – 4 cm ( soit 1 µm )

Constante de diffusion des porteurs minoritaires : D p = 2 cm 2 / s

17
Région P : Dopage uniforme : NA = 10 cm – 3

Etendue : W P = 0,5.1O – 4 cm ( soit 0,5 µm )

Constante de diffusion des porteurs minoritaires : D n = 20 cm 2 / s

Autres données : q = 1,6 . 10 – 19 C

U T = kT / q = 26 mV
10
Concentration intrinsèque du Si : n i = 10 cm – 3
12 3
Permittivité du Si :   10 cm

I ) On se place à l’ équilibre thermodynamique.

I.1) Tracer le schéma des bandes d’énergie.

I .2) Calculer la tension de diffusion de cette jonction et l’étendue de la zone de transition W T0.
I.3) Calculer la valeur du champ électrique E 0 à la jonction ( en x = 0) et donner sa représentation.
2
II) La jonction est polarisée en direct et sa surface active vaut 1 cm
On néglige la résistance série, le Coefficient de non idéalité vaut 1 et on note V a la tension appliquée à
ses bornes. L’étendue de la zone de transition est négligée.

II.1) Calculer les densités de courants de saturations J sn et J sp relatives aux courants d’électrons et de
trou
J sn
s respectivement, calculer le coefficient d’injection   et la valeur de Js.
J sp
II.2) On impose une densité de courant J de 50A / cm 2.
2 .a) Calculer la tension Va nécessaire.
2.b) Calculer les concentrations de porteurs minoritaires à la jonction et donner leur
représentation, calculer la charge stockée Qs.

III ) Fonctionnement en régime de petits signaux .

III.1) La densité de courant est toujours de 50A / cm 2. Calculer la conductance dynamique g n associée
aux électrons dans la région P . Que peut on dire de la valeur g de la conductance de cette jonction ?

III.2) Calculer les temps de transit  ( N ) et  ( P ) dans les régions N et P respectivement.

III.3) Calculer dans ces conditions la capacité de stockage C s de cette diode. En déduire la fréquence
de coupure F c.

IV) La jonction est polarisée en inverse.

Le claquage se produit lorsque le champ électrique à la jonction vaut, Ec r = 5 . 10 5 V / cm

IV.1) Calculer l’étendue W Tc de la zone de transition.
IV.2) calculer la tension de claquage BV de la diode.

Exercice 2 : exploitation d’un tracé GUMMEL PLOT

Soit une diode à jonction de type NP dont les caractéristiques directes courant tension I( V a) relatives,
aux électrons dans la région N et aux trous dans la région P sont reportées sur la figure jointe, en
coordonnées semilogarithmiques. Les coefficients d’idéalité n sont de 1 pour les deux caractéristiques.
–4 2
Caractéristiques de la structure  : Aire de la jonction : A = 10 cm
Région N :
–4
Epaisseur : W N = 0,75.10 cm ( 0,75 µm)
Constante de diffusion des trous : D p(N) = 1,5 cm / s
Dopage en atomes donneurs N D à déterminer
Région P :
–4
Epaisseur : W P = 0,75.10 cm ( 0,75 µm)
Constante de diffusion des électrons ((D = .UT)) : D n ( P ) = 20 cm / s
Dopage en atomes accepteurs : N A à déterminer

Autres données :
Charge élémentaire : q = 1,6 . 10 – 19 C
Unité thermodynamique à 300K : U T = kT / q = 26 mV
Concentration intrinsèque du Si à 300K : n i = 10 10 cm – 3
1) la tension V a de polarisation est fixée à 0,6 V.

1.a) Sachant que le courant d’électrons est supérieur au courant de trous, déduire du graphe I n et Ip.
1.b) En déduire la valeur de l’efficacité d’injection  = I n / I p. Que peut on dire de la nature du courant
principal I dans la diode.

2)Donner les expressions des courants de saturation théoriques I sn (P) et I sp (N) et calculer leurs
valeurs. En déduire les valeurs des dopages N A et N D.

3) Calculer les concentrations en excès de porteurs minoritaires au voisinage de la jonction (x = 0),

p̂(0) n̂ (0)
c’est à dire côté N et côté P. tracer cette répartition. Que représente l’aire délimitée par
p̂( x ) n̂ ( x )
les répartitions dans N et dans P.

4) Calculer la charge stockée Qs, et en déduire les temps de transit dans les régions N et P.
Les comparer avec le calcul direct.
 -4
10

-5
10
Intensités In et Ip ( Ampères)

-6
10

-7
10

-8
10

-9
10

-10
10
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Tension V A(Volts)

figure 1 : Caractéristique I ( Va) en semilogarithmique

 Exercice 3  : Etude d’une diode de puissance au Silicium.

Soit une diode de puissance au Silicium de surface A = 0,04 cm 2 dont le profil de dopage est donné
sur la figure 1.

19 Dopage ( cm -3)
10

18
10

P+
N+

10 14

N-

-30 0 100
x ( µm)

Figure 1 : Profil de dopage

KT = 26 m eV q = 1,6 10 -19 C = 10 -12 F / cm (permittivité du Silicium) ni = 10 10 cm-3

1) On se place à l’équilibre thermodynamique (

2)
3) hors polarisation).

1.a) Calculer dans chacune des trois régions l’écart d’énergie E F - E Fi et en déduire les potentiels
correspondants V P+.V N- , et V N+.
1.b) Calculer la tension = V N+ - V P+ supportée par la structure.
1.c) Calculer l’étendue W T0 de la zone dépeuplée et en déduire la valeur de la capacité de transition C
T 0.
2) La diode est polarisée en inverse.
2.a) Calculer la tension de polarisation V R1 impliquant le dépeuplement total de la région N-.
2.b) Dessiner l’ allure du profil du champ électrique dans ces conditions et calculer le champ
électrique maximum EM (0) à la jonction P+N-.
3) On accentue la polarisation inverse au delà de VR1. Le profil du champ électrique est alors celui de
4) la figure 2.
3.a) En résolvant l’équation de Poisson, calculer la variation du champ électrique E1 −E 2 à travers
la région N-.
3.b) Sachant que le champ maximum admissible à la jonction P +N- ( champ critique de claquage) vaut
E 1 (0)max = 2 . 10 5 V/cm, calculer la tension de claquage correspondante
 P+
E(V/ cm) N- N+

E2
E1

V R max.
Figure 2 : Profil de dopage pour