M2 ESET 05/02/2019

Université Paul Sabatier

Composants de Puissance
(documents non autorisés) – 1h

Soit une diode P+IN+ de puissance dont la technique de garde de la jonction cylindrique est
une terminaison implantée (JTE). La surface active (S) est de 1cm2. Les couples de longueurs et de
dopage des régions « affirmées » P+, I et N+ sont respectivement ; (WP+=10µm ; NA=1019cm-3),
(WI=100µm ; ND=5.1014cm-3) et (WN+=50µm ; ND+=1019cm-3).

1) Calculer les résistances RP+, RI et RN+ des régions P+, I et N+ respectivement. L’expression de la
conductivité σ est donnée par la formule 1.
2) En déduire la résistance totale RT de la diode PIN. Que pouvez-vous conclure ?
3) En polarisation directe, le courant passant ION est de 100A et la chute de tension VON est de
0,833V. Calculer alors la résistance apparente RON et la puissance dissipée PON.
4) Comment expliquez-vous la différence qui existe entre les résistances RT et RON ?
5) L’extension de la Zone de Charge d’Espace (ZCE) est négligeable côté P+. L’origine des abscisses
est prise à la jonction P+I. L’expression du module du champ électrique E(x) dans la région I est
donnée par la formule 2. Le champ critique Ecrit à la jonction plane P+I au moment du claquage par
avalanche est de 6.105 V.cm. Calculer l’extension WZCE de la zone de charge d’espace au moment du
claquage par avalanche.
6) Indiquer si la diode est de type NPT (Non Punch Trought) ou PT (Punch trought).
7) Tracer l’allure du champ E(x) et en déduire la tension d’avalanche BV de la jonction plane.
8) Expliquer le principe de la terminaison de jonction JTE (Junction Termination Extension).
Sachant que l’efficacité de cette dernière est de 75%, calculer la valeur réelle BVrél de la tenue en
tension de la jonction P+I réelle.
9) Sachant que, pour une application donnée, la puissance dissipée à l’état bloqué POFF est de 5W et
que le courant de fuite IOFF est de 5mA, calculer la tension de blocage VOFF.
10) Expliquer pour quelle raison la diode est bloquée à une tension VOFF différente de la tension
BVrél.
11) La charge branchée sur le système est une bobine de 1mH. Déterminer la vitesse maximum de
variation du courant (dI/dt) permettant de ne pas atteindre la tension BVrel au moment du blocage.

On donne :
q
σ = q(µn n + µ p p) (1) E ( x ) = N D (Wzsc − x ) (2)
ε
µn= 1500 cm2/v.s - µp=500 cm2/v.s – q=1,6.10-19 C – ε= 1,33.10-12 F/cm

€ €
 Corrections
WP +
1) Pour la région P+ : σ P + = qµ p N A = 800 cm.Ω-1 ⇒ RP + = ρ P + = 1,25 µΩ
S
WI
Pour la région I : σ I = qµn N D = 0,12 cm.Ω-1 ⇒ RI = ρ I = 83,3 mΩ
S
W +
€ N+ :
Pour la région σ N + = qµn N D+ = 2400 cm.Ω-1 ⇒ RN + = ρ N + N = 2,08 µΩ
S
2) La résistance totale est la somme des résistances de chaque région, d’où :
€
RT = RP + + RI + RN + ≅ RI = 83,3 mΩ
C’est la région I qui
€ supporte donc la quasi-totalité de la résistance de la diode PIN et c’est donc
dans cette région qu’il faut optimiser les phénomènes électriques afin de réduire la résistance à
l’état passant RON.
€
VON 0,833
3) De manière simple on a : RON == = 8,33 mΩ
ION 100
La puissance dissipée est donnée par : PON = VON .ION = 83,3 W
4) L’écart qui existe entre RT et RON provient du fait que en polarisation directe (état passant), les
jonctions P+I et IN+€injectent des porteurs libres (trous et électrons respectivement). La
conséquence est d’augmenter€la conductivité de la région I. Nous avons donc RON < RT.
5) En polarisation inverse, le champ électrique EMAX est situé à la jonction P+I (x=0). Quand la
valeur du champ maximum atteint la valeur du champ critique Ecrit alors il y a avalanche. D’après la
formule 2 on a alors :
ε.E crit 1,33.10−12.6.10 5
W ZCE = = −19 14
= 99,75.10−4 cm ≈ 100µm
qN D 1,6.10 .5.10
La longueur WI de la région I est de 100µm et l’extension de la zone de charge d’espace WZCE est
aussi de 100µm. Il n’y a donc pas de perçage du champ électrique E(x) dans la région N+. La diode
PIN est donc € de type NPT.
6) Le champ est donc une droite qui forme un triangle. La tenue en tension BV est donnée par
l’intégrale du triangle soit :
E crit .Wzce 6.105 ⋅100.10−4
BV = = = 3000V
2 2
7) Une jonction réelle fait apparaître une jonction plane, une jonction cylindrique et une jonction
sphérique. Les deux dernières dégradent de manière très importante la tenue en tension de la
jonction plane. Afin de diminuer l’influence de la jonction sphérique on réalise des ouvertures de
diffusion arrondies. Pour diminuer les effets de la jonction cylindrique on utilise des techniques de
garde de jonction. La JTE est une implantation de type P- réaliser contre la jonction cylindrique qui
a pour but de diminuer le champ électrique en étalant les lignes de potentiels. Cela correspond à un
étirement de la zone de charge d’espace latérale. Si la JTE a une efficacité de 75% alors on a :

BVrél = 0,75BV = 2250V

8) De manière simple on a :
POFF
VOFF = = 1000V
IOFF
9) Dessiner le chronogramme.
10) E ON = PON .t on = 83,3.0,5.10−3 = 41,64mJ et E OFF = POFF .t oFF = 20.0,5.10−3 = 10mJ

€
11) La tension VOFF est choisie à environ la moitié de la tension de claquage par avalanche BV afin
d’assurer la protection de la diode dans le cas où des surtension apparaissent lors des
commutations sur des charges inductives.
dI
12) La tension crée par une bobine est donnée par : V = L
dt
La surtension Vsur possible dans la structure correspond à la différence entre la tenue en tension
BVrél et la tension VOFF soit : Vsur = BVrél − VOFF = 2250 −1000 = 1150V
On en déduit alors : €

dI Vsur 1150
= = −3 = 1150 kA / s
dt L 10