ÉCOLE NATIONALE POLYTECHNIQUE

 Département de Cycle Préparatoire

Année universitaire 2020/2021

Électronique Générale

10, Avenue Hacène - Badi BP182 El-Harrach 16200 ALGER

 Sommaire
Partie I : Électronique

TP No 1 : Diodes et redressement

TP No 2 : Transistor bipolaire en régime statique

TP No 3 : Amplificateur Linéaire à Transistor

Bipolaire

Annexe : Comment tracer un graphe

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TP N° 1  DIODES ET REDRESSEMENT

II-1 BUT DE LA MANIPULATION

Le but de la manipulation est l’étude des caractéristiques de la diode et son utilisation

dans le redressement.

II-2 MATÉRIEL UTILISÉ

 01 Alimentation stabilisée  02 Résistances: RP= 200 , RL = 1 k

 01 Oscilloscope bi courbe  01 Capacité : C = 47 µF
 01 Plaquette d’essais  01 Câbles BNC/banane
 01 Ampèremètre  01 Transformateur
 02 Diodes ; DA en Silicium, DB en Germanium  Fils de connexion
 04 Diodes : 1N4003

II-3 PARTIE THÉORIQUE

II-3-1 Définition : Les diodes sont des composants électroniques non linéaires très utilisés dans
le redressement de tensions électriques sinusoïdales (transformation de tension sinusoïdales en
tensions continues, détection, …)
Les matériaux de base des diodes sont des matériaux semi-conducteurs (silicium et germanium)
de valence 4 contenant des impuretés (dopés) de valence 3 ou 5. La diode consiste en un barreau
de Si (ou Ge) dont une partie est dopée p (impuretés de valence 3) et l’autre dopée n (impuretés
de valence 5. Le barreau ainsi obtenu constitue une jonction « pn »

Symbole de la diode :

II-3-2 Caractéristique statique de la diode : La propriété fondamentale de la diode ‘idéale’ est

qu’elle permet le passage du courant dans un sens uniquement (de l’anode A vers la cathode K).
La figure (III-1-a) représente la caractéristique en fonction de d’une diode. Si on
applique une tension V0 appelée tension de seuil. On dit alors que la diode est polarisée dans le
sens ‘passant’ ou ‘direct’ (montage de la figure (III-1-b). Si on applique une tension négative à la
diode, un très faible courant la traverse tant que cette tension est inférieure à une tension appelée
tension ‘Zener’ ou d’avalanche. On dit qu’elle est polarisée dans le sens ‘inverse’ ou ‘bloquant’
(montage de la figure (III-1-c). Lorsque la diode est polarisée dans le sens direct, on définit la
résistance dynamique de la diode par : , pour

(a) (b) (c)

Figure II-1

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Pour une diode idéale, la résistance dynamique est nulle pour : celle-ci se comporte
donc comme un court-circuit si la diode est polarisée dans le sens direct avec une tension
supérieure à V0 et comme un circuit ouvert (pas de passage de courant) si elle est polarisée dans
le sens inverse.

II-3-3 Utilisation de la diode dans le redressement

a) Redressement simple alternance

Considérons le montage de la figure (II-2-a). La source de tension sinusoïdale à redresser, est

une tension provenant du secteur (220 V, 50 Hz) via un transformateur qui délivre une basse
tension de quelques volts e(t). La résistance Rp est une résistance de protection en cas de
court-circuit.
Lors de l’alternance positive de e(t), la diode est conductrice et un courant traverse la
résistance de charge RL. Lors de l’alternance négative, la diode est polarisée en inverse et ne
permet pas le passage de courant. La figure (II-2-b) représente l’allure de e(t) et la
courbe (II-2-c)) celle de VRL (t).

(dans l’intervalle T/2 à T, )

Si Rp et  sont faibles devant RL, alors, Vm  E

(a)
(b)

(c) (d)
Figure II-2

La tension aux bornes de RL ne présente plus d’alternance négative mais n’est pas pour autant
continue. Pour se rapprocher d’une tension continue, on branche aux bornes de R L un
condensateur : ce condensateur se charge lorsque la tension VRL augmente puis se décharge
lentement. La constante de temps RLC doit être très grande devant T. La tension VRL aura
alors l’allure de la figure (II-2-d)

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Le taux d’ondulation dans ce cas de la tension aux bornes de RL vaut :

b) Redressement double alternance

L’inconvénient du montage précédent (simple alternance) est que l’alternance négative n’est
pas exploitée et pour ainsi dire perdue. Il est possible de récupérer cette alternance en
utilisant un montage à 4 diodes (pont de diodes). On parle alors de redressement double
alternance. Le montage utilisé est représenté par la figure (II-3-a)

(a) (b)
Figure II-3
Lors de l’alternance positive, D1 et D3 sont passantes et D2 et D4 sont bloquantes. Le courant
passe dans le sens AD(RL)CB. Lors de l’alternance positive, D2 et D4 sont passantes et D1 et
D3 sont bloquantes. Le courant passe dans le sens BD(R L)CA. Le courant dans RL a le même
sens dans les deux cas. VL(t) a alors l’allure de la figure (II-3-b).

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II-4 MANIPULATION

II-4-1 Caractéristique statique de la diode

Réaliser le montage de la figure ci-contre. On

choisira RP = 200 . Faire varier la tension
d’alimentation E et relever à chaque fois la valeur
de l’intensité ID qui traverse la diode (Présentez vos
résultats sous forme de tableau)

Figure II-4
Diode A (DA)

VD (V) 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55 0.60 0.65 0.70
ID (mA)
Diode B (DB)
VD (V) 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50
ID (mA)

a- Tracer la courbe ID = f(VD) pour les deux diodes disponibles au laboratoire.

b- Déterminer, graphiquement, pour chaque cas, la tension de seuil V 0 ainsi que la valeur de
la résistance dynamique .
c- Comparer les différentes valeurs obtenues pour les deux diodes. Que pouvez vous
conclure ?

II-4-2 Redressement

a- Redressement simple alternance

Réaliser le montage de la figure (II-2-a) en choisissant R P = 200  et RL = 1 k. Observer

l’allure de la tension aux bornes de la résistance RL (VRL) au moyen d’un oscilloscope.
Reproduire l’allure de cette courbe sur du papier millimétré. Branchez ensuite une capacité
en parallèle avec RL. Observer et relevez la nouvelle allure de la tension V RL. Comparez et
commentez les deux courbes.

b- Redressement double alternance

Réaliser le montage de la figure (II-3-a) en choisissant R P = 200  et RL = 1 k. Observer

l’allure de la tension aux bornes de la résistance RL (VRL) au moyen d’un oscilloscope.
Reproduire l’allure de cette courbe sur du papier millimétré. Branchez ensuite une capacité
en parallèle avec RL. Observer et relevez la nouvelle allure de la tension V RL. Comparez et
commentez les deux courbes.

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TP N° 2  TRANSISTOR BIPOLAIRE EN RÉGIME STATIQUE

III-1 BUT DE LA MANIPULATION

Le but de la manipulation est l’étude des caractéristiques statiques du transistor bipolaire.

III-2 MATERIEL UTILISE

 01 Alimentation stabilisée (double)  01 Transistor NPN : 2N1711

 01 Oscilloscope bi courbe  02 câbles BNC/banane
 02 Ampèremètres  02 Résistances RB = 4.7 k, RC = 470 
 01 Plaquette d’essais

III-3 PARTIE THEORIQUE

III-3-1 Le Transistor bipolaire

Le transistor bipolaire est constitué de deux diodes montées en opposition, soit NP et PN, soit
PN et NP. Il existe, donc, deux types de transistors NPN et PNP. Il est accessible par trois
bornes : E (l’émetteur) ; B (la base)  et C (le collecteur). (figure III-1)

Transistor NPN Transistor PNP

Figure III-1

III-3-1 Les caractéristiques statiques

Sur le montage de la figure III-2, la jonction émetteur–base est polarisée en direct ; alors que, la
jonction collecteur–base est polarisée en inverse. Sur la figure III-3, les différentes
caractéristiques du transistor bipolaire sont représentées.

a/ La caractéristique d’entrée

Elle représente les variations du courant de base IB en fonction de la tension base–émetteur VBE,
IB = f1(VBE). Cette caractéristique est indépendante de la sortie du transistor

b/ La caractéristique de transfert

Elle donne les variations du courant collecteur IC en fonction du courant IB, IC = f2(IB). Cette
caractéristique est une droite de pente . Elle caractérise l’amplification en courant du transistor.

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c/ La caractéristique de sortie

Elle représente les variations du courant collecteur IC en fonction de la tension collecteur–

émetteur VCE, IC = f3(VCE). Cette caractéristique est relevée à une valeur de IB constante.
Le fonctionnement du transistor est limité par un courant collecteur maximal (I C)max, une tension
collecteur émetteur maximal (VCE)max et une puissance maximale dissipée P max. Ces trois limites
définissent une surface de travail dans le plan {IC ; VCE} nommée aire de sécurité

IC (mA) Caractéristique de sortie

Caractéristique de transfert (Montage Émetteur Commun)
(IC)max IC = f (VCE) à IB constante

Pmax
IC = f (IB) à VCE constante

IB (µA) VCE (V)

(VCE)max

VBE = f (IB) à VCE constante

VBE = f (VCE) à IB constante

Figure III-2 Caractéristique d’entrée VBE (mV)

Figure III-3 Diagramme des caractéristiques d’un

transistor NPN monté en émetteur commun

III-4 MANIPULATION

III-4-1 Caractéristique d’entrée : réaliser le montage de la figure III-4. Fixer la valeur de la

tension, VCE = 5 V = constante, à l’aide de l’alimentation E2. Relever la caractéristique d’entrée
IB = f1(VBE) en faisant varier la valeur de l’alimentation de E1.

Figure III-4

VBE (V) 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55 0.60 0.65 0.70
IB (µA)

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III-4-2 Caractéristique de sortie

a/ Fixer le courant IB = 20 µA = constante, à l’aide de l’alimentation E 1. Relever la

caractéristique de sortie IC = f2 (VCE) en faisant varier la valeur de l’alimentation E2.

IB = 20 µA = constante
VCE (V) 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
IC (mA)

b/ Procéder de la même manière que b/, pour I B = 30 µA = constante et pour I B = 40 µA =

constante

IB = 30 µA = constante
VCE (V) 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
IC (mA)

IB = 40 µA = constante
VCE (V) 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
IC (mA)

III-4-3 Caractéristique de transfert : Fixer la valeur de la tension, VCE = 5 V = constante, à

l’aide de l’alimentation E2. Relever la caractéristique de transfert IC = f3(IB) en faisant varier la
valeur de l’alimentation de E1.

IB (µA)
IC (mA)

Représenter l’ensemble de ces caractéristiques sur du papier millimétré selon le format suivant :

Brochage du 2N1711

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TP N° 3 TRANSISTOR BIPOLAIRE EN RÉGIME DYNAMIQUE

Le but de la manipulation est l’étude des caractéristiques dynamiques d’un amplificateur

à base d’un transistor bipolaire.

Réaliser le montage de la figure 1.

+VCC

R1 RC
C2
+ -
C1
- +
Ru Vs
Ve +
R2 RE C
- E

Figure 1

1)-ÉTUDE STATIQUE (Ve=0) :

a) Alimenter le circuit par une tension continue VCC=12 V.
 Vérifier le point de repos du transistor (VCE0, IC0, IB0, VBE0).
 Mesurer le gain en courant  du transistor fourni.
 Commenter vos résultats.
2)-ÉTUDE DYNAMIQUE (Ve0) :
b) Étude à vide (sans la résistance de sortie):
 Injecter à l’entrée un signal sinusoïdal (pour une fréquence de 1kHz), vérifier que les
capacités se comportent comme des court-circuit , augmenter la tension d’entrée et
mesurer la tension de sortie max sans écrêtage.
 Mesurer la tension d’entrée max quand la tension de sortie est maximale (Vsmax) . déduire
la valeur de l’amplification en tension AV1max= Vsmax/ Vemax.
 Mesurer Ze et Zs. (utiliser la méthode de méthode de la demi-tension).
 Tracer les variations du gain en tension AV en fonction de la fréquence.
 En déduire la bande passante à-3dB.
c) Étude en charge (avec la résistance de sortie):
 Injecter à l’entrée un signal sinusoïdal (pour une fréquence de 1kHz), augmenter la
tension d’entrée et mesurer la tension de sortie max sans écrêtage ( distorsion)
 Déduire la tension d’entrée max quand la tension de sortie est maximale (Vsmax) . Déduire
la valeur de l’amplification en tension AV2max= Vsmax/ Vemax.
 Mesurer Ze et Zs (utiliser la méthode de méthode de la demi-tension).
 Tracer les variations du gain en tension AV en fonction de la fréquence sur le même
graphe que celui de l’étude à vide.
 Déduire la bande passante à-3dB.
 Conclusions et commentaires
Les valeurs des composants sont :
Vcc=12V, Ve=100mV,f=1KHz,C2=C1=4.7F,CE=10F,RC=2.7 k ,RE=270  ,R1=100 k ,
et R2=12 k .

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 Annexe : Comment tracer un graphe
1. On choisit une échelle de telle sorte que les plus grandes valeurs des variables x et y puissent
être représentés.
2. On gradue régulièrement les axes.
3. On indique les grandeurs représentées et leurs unités sur chaque axe (un graphe pour lequel
les unités des grandeurs ne sont pas précisées n’a aucune utilité)
4. On représente les différents points par des croix (incertitudes de mesure)
5. On trace la courbe expérimentale la plus régulière passant par (ou au voisinage) des points de
mesure. (On ne joint pas les points)
6. On nomme le graphe.
a) Avec rectangles d’incertitudes

b) Sans rectangles d’incertitudes

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