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Electronique Numrique par A.

OUMNAD

Electronique Fondamentale
A. Oumnad
aoumnad@menara.ma

Electronique Numrique par A. OUMNAD

SOMMAIRE

I.

Notions gnrales...................................................................................................................4 I.1 Loi d'Ohm ............................................................................................................................4 I.2 Puissance..............................................................................................................................4 I.3 Les rsistances ..................................................................................................................5 I.3.1 Code de couleur 4 bandes ..........................................................................................5 I.3.2 Code de couleur 5 bandes ..........................................................................................5 I.4 Association de rsistances..............................................................................................6 I.5 La masse...............................................................................................................................6 I.6 Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs .............................................................7 I.7 Diviseur de tension............................................................................................................7 I.8 Les condensateurs.............................................................................................................8 I.8.1 Charge et dcharge d'un condensateur.....................................................................8 I.8.2 Association de Condensateur .......................................................................................9 II. Les Conducteurs et les semi-conducteurs...................................................................... 10 II.1 Les semi-conducteurs ..................................................................................................... 10 II.2 Agitation thermique .........................................................................................................11 II.3 Bande de Valence..............................................................................................................11 II.4 Bande de conduction ........................................................................................................11 II.5 Les conducteurs ................................................................................................................11 II.6 Les Isolants .......................................................................................................................11 II.7 Les semi-conducteurs intrinsques ............................................................................. 12 II.8 semi-conducteurs extrinsques ................................................................................... 12 II.8.1 Semi-conducteurs extrinsques de type N............................................................. 12 II.8.2 Semi-conducteurs extrinsques de type P.............................................................. 13 III. La jonction PN ....................................................................................................................... 13 III.1 Polarisation de la jonction PN ....................................................................................... 14 III.2 Caractristique de la diode ........................................................................................... 14 III.3 Diode Zener ...................................................................................................................... 15 III.3.1 Stabilisation par diode Zener ............................................................................ 16 III.4 Redressement des tensions (courants) alternatifs................................................. 17 III.4.1 Redressement simple (mono) alternance ......................................................... 17 III.4.2 Redressement double alternance ...................................................................... 18 III.4.3 Filtrage par condensateur en tte.................................................................... 19 IV. Transistor jonction ou transistor bipolaire ............................................................... 22 IV.1 Principe de fonctionnement : effet transistor........................................................ 22 IV.2 Rseau de caractristique du transistor .................................................................. 23 IV.3 Polarisation du transistor ............................................................................................. 24 IV.3.1 Polarisation par une rsistance de base ................................................................. 24

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IV.3.2 Polarisation par pont.................................................................................................... 25 IV.4 L'opration d'amplification .......................................................................................... 27 IV.4.1 Grandeurs caractristiques d'un amplificateur.................................................... 27 IV.5 Transistor bipolaire en amplification......................................................................... 28 IV.5.1 Schma quivalent du transistor pour les petits signaux................................... 29 IV.5.2 Schma quivalent simplifi ...................................................................................... 30 IV.6 Montage metteur commun (EC) ..................................................................................31 IV.6.2 Impdance d'entre .................................................................................................... 33 IV.6.3 Impdance de sortie.................................................................................................... 33 IV.7 Montage collecteur commun (CC)................................................................................ 33 IV.7.1 Gain en tension.............................................................................................................. 33 IV.7.2 Impdance d'entre .................................................................................................... 34 IV.7.3 Impdance de sortie.................................................................................................... 34 V. LAmplificateur Oprationnel ........................................................................................... 36 V.1 Dfinition.......................................................................................................................... 36 V.2 Approximation ................................................................................................................. 36 V.3 Montage INVERSUR ...................................................................................................... 37 V.4 Montage NON-INVERSUR........................................................................................... 37 V.5 Montage SUIVEUR......................................................................................................... 37 V.6 Montage SOMMATEUR - INVERSUR ....................................................................... 38 V.7 Montage SOMMATEUR NON-INVERSUR.............................................................. 38 V.8 Amplificateur diffrentiel ........................................................................................... 38 V.9 Montage intgrateur...................................................................................................... 39 V.10 Montage drivateur........................................................................................................ 39 V.11 Convertisseur courant tension..................................................................................... 39

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I.

NOTIONS GENERALES

I.1 Loi d'Ohm Si on applique une tension (pression) U aux bornes d'une rsistance R, il en rsulte la circulation d'un courant I li aux deux grandeurs prcdentes par la relation :

U = R I .
U : en Volt (V) R : en Ohm () I : en Ampre (A)
I U = Va - Vb + U Fig. I-1 : convention de dessin

I.2 Puissance Un composant ayant une tension U ses bornes et qui est travers par un courant I dissipe une puissance P (en gnral par effet joule = chauffement) telle que :

P = U I .
P est la quantit d'nergie dissipe pendant l'unit de temps (joule/seconde), elle est exprime en Watt (W) Dans le cas d'une rsistance, si on applique la loi d'ohm on obtient :

P = UI = RI 2 = U R

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I.3 Les rsistances Les rsistances sont les lments les plus utiliss en lectronique. Leur fonction est de s'opposer au passage du courant, la loi d'ohm donne la relation entre la tension, la rsistance du circuit et le courant. L'unit de mesure des rsistances est l'Ohm. Les rsistances vendues dans le commerce sont marques avec un code de couleur qui permet de reconnatre leurs valeurs. Les systmes les plus utiliss sont le systme 4 anneaux et le systme 5 annaux.
I.3.1 Code de couleur 4 bandes

Noir
nombre de zros tolrance

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Maron Rouge Orange

chiffres significatifs
Fig. I-2 : code de couleur 4 anneaux

jaune Vert Bleu Violet Gris Blanc


tab. I-1 : code de couleurs

La lecture se fait de gauche droite partir de l'extrmit ou sont groups les anneaux. Les deux premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le troisime anneau indique le nombre de zros. Le quatrime anneau indique la tolrance : Or = 5%, Argent = 10 %

Ainsi une rsistance marque : V B R Or a une valeur de : 56 00 5% = 5.6 k


I.3.2 Code de couleur 5 bandes

nombre de zros tolrance

chiffres significatifs
Fig. I-3 : code de couleur 5 bandes

Les trois premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le quatrime anneau indique le nombre de zros. Le cinquime anneau indique la tolrance : Rouge = 2%, Or = 5%, Argent = 10 % Ainsi une rsistance marque : J Vi Ve R Or a une valeur de : 47500 5%

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I.4 Association de rsistances Les rsistances peuvent tre associes soit en srie soit en parallle
Srie R1 R2 R = R1 + R2

R1 Parallle R= R2
Fig. I-4 : association de rsistances

R1 R2 R1 + R2

I.5 La masse Quand on parle de tension, il s'agit d'une diffrence de potentiel entre deux points d'un circuit. Ainsi, dans la figure ci-dessous, on a : V1 = VA - VB V2 = VB VC V3 = VC - VD U = VA - VD En lectronique, on a l'habitude de considrer un point du circuit comme rfrence de tension (tension zro) qu'on apple la masse. Les tensions aux diffrent point du circuit seront calcules par rapport ce point. En gnral, on prend pour masse la borne ngative de l'alimentation. Ainsi sur la figure ci-dessous, c'est le point D qui constitue la masse, on a donc VD = 0 zt on a : - Tension au point A = VA VD = VA - Tension au point B = VB VD = VB - Tension au point C = VC VD = VC -...
V1 A B V2

+ U masse D
Fig. I-5 : rpartition des tensions dans un circuit

V2

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I.6 Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs Le schma de la figure (Fig. I-5) peut tre redessin comme suit et on constate d'une manire visuelle simple que U = V1 + V2 + V3 Or : V1 = R1 I1 V2 = R2 I1 V3 = R3 I2 = R4 I3 Il en rsulte que : U = R1 I1 + R2 I1 + R3 I2 ou U = R1 I1 + R2 I1 + R4 I3
A I1 R1 V1 B + U V2 C I2 V3 R3 masse R4 I3 R2

Fig. I-6 : rpartition des tensions

I.7 Diviseur de tension Il est toujours possible de calculer la tension en un point d'un circuit en utilisant correctement la loi d'Ohm et les rgles d'association des rsistances. Mais l'utilisation de quelques rgle simples peut faciliter les calculs.
R1 R1 R2 R1 V R3 U1 U2 + U3 R2

+ U -

R2

+ U1

+ U2

R2 V= U R1 + R2

R2 R1 V= U + U R1 + R2 1 R1 + R2 2
Fig. I-7 : Diviseurs de potentiel

1U + 1U + 1U R1 1 R2 2 R3 3 V= 1 + 1 + 1 R1 R2 R3

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I.8 Les condensateurs Un condensateur est un composant constitu de deux armatures mtalliques spares par un isolant appel dilectrique. Pour C simplifier, on peut considrer le condensateur comme un rservoir qui peut emmagasiner des lectrons. Comme tout rservoir, il a un volume Fig. I-8 : condensateur d'emmagasinage qu'on appelle CAPACITE qu'on dsigne par la lettre C et qui se mesure en Farad. Les valeurs qu'on trouve dans le commerce vont de quelques picofarads (pF : pico = 10-12) quelques milliers de + microfarad (F : micro = 10-6). A partir de quelques F, la technologie de fabrication devient lectrochimique, les condensateurs sont alors polariss, ils ont une borne (+) et une Fig. I-9 : condensateurs polariss borne (-) et se comporte un peur comme une pile rechargeable qu'il ne faut surtout pas charger dans le sens inverse. Les condensateurs jouent des rles trs divers dans les montages lectroniques. Une configuration trs souvent rencontre est la charge et dcharge travers une rsistance sous l'effet d'un gnrateur de tension constante.
I.8.1 Charge et dcharge d'un condensateur
K1 Considrons le R montage de Fig. I-10, ds qu'on ferme K2 Vc C l'interrupteur K1, la E capacit commence se charger. Le courant de Fig. I-10 : charge et dcharge d'un condensateur charge est d'abord trs fort, puis il dcrot rapidement, en mme temps la tension Vc aux bornes du E condensateur croit rapidement au dbut et Vc ralentit ensuite. Quand la tension Vc est gale la tension E du gnrateur, la charge I s'arrte, Vc n'augmente plus et le courant de t charge s'annule, on obtient les variations Fig. I-11 : charge d'un condensateur illustres sur Fig. I-11. L'expression de la tension aux bornes du condensateur est donne par : - t VC = E 1 - e RC On ouvre maintenant l'interrupteur K1, Le condensateur conserve sa charge et la tension ses bornes reste constante. Si maintenant on ferme l'interrupteur K2, Le condensateur se dcharge travers R d'une faon similaire sa charge, au dbut la dcharge est rapide, ensuite elle ralentit jusqu' ce que le condensateur soit compltement dcharg

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c..d Vc = 0. L'allure de la tension Vc est illustre sur Fig. I-12. L'quation de sa variation E est donne par :

VC = E e RC
D'une manire gnrale, l'quation d'une charge ou d'une dcharge d'une capacit C travers une rsistance R est donne par l'expression :
- t

- t

Vc t
Fig. I-12 : dcharge d'un condensateur

V(t) = V - (V - V0 ) e RC
I.8.2 Association de Condensateur

Les Condensateurs peuvent tre associes soit en srie soit en parallle

C1 Parallle C = C1 + C2 C2

Srie C1 C2
Fig. I-13 : association de condensateurs

C=

C1 C2 C1 + C2

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II.

LES CONDUCTEURS ET LES SEMI-CONDUCTEURS

Il n'est pas ncessaire de connatre en dtail le principe de fonctionnement (interne) des composants comme la diode et le transistor pour savoir s'en servir correctement. Nous allons quand mme donner (pour ceux qui dsirent en savoir un peu plus) quelques principes sans nous aventurer aligner les quations trop complexes de la physique du solide. II.1 Les semi-conducteurs Les semi-conducteurs doivent leur nom au fait que leur conductivit (rsistivit) est intermdiaire entre celle des conducteurs comme les mtaux et celle des isolants. En fait, la diffrence la plus caractristique rside dans le sens de la variation de la conductivit avec la temprature. Alors que la rsistance d'un fil mtallique augmente avec la temprature, Fig. II-1 : structure d'un SC celle d'un semi-conducteur diminue. Les semi-conducteurs les plus utiliss sont le silicium et le germanium qui sont des lments tetravalents qui appartiennent la quatrime colonne de la classification priodique des lments. Leurs atomes comportent quatre lectrons (de valence) sur la couche priphrique (couche de valence). Ces lments cristallisent dans un systme cubique, avec sur chaque cube lmentaire, un atome chaque sommet, un atome au centre de chaque face et 6 atomes l'intrieur. Avec cette structure, chaque Fig. II-2 : reprsentation des liaisons de valence dans un cristal de SC atome se trouve au centre d'un ttradre rgulier dans les quatre atomes voisins occupent les sommets (Fig. II-1). On sait qu'une couche lectronique est particulirement stable quand elle a 8 lectrons; les semi-conducteurs ralisent cette situation en mettant en commun chaque lectron de la couche de valence par deux atomes voisins, la figure Fig. II-2 illustre un exemple simplifi de ce cette situation. Cette figure n'est qu'une reprsentation commode, car, en ralit, un atome et ses 4 voisins ne sont pas situs sur le mme plan. Cette reprsentation n'est d'ailleurs pas trs bonne bien qu'elle soit largement utilise. En effet, les lectrons gravitent autour du noyau atomique comme les satellites gravitent autour de la terre. La stabilit de leur orbite rsulte de l'quilibre entre la force d'attraction lectrostatique exerce par le noyau la force centrifuge due leur rotation. Quand on dit que deux atomes voisins mettent en commun un lectron chacun, cela signifie que ces deux lectrons gravitent sur une orbite qui entoure les deux noyaux (Fig. II-3). Fig. II-3 : reprsentation des orbites
des lectrons de valences

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II.2 Agitation thermique Les particules qui constituent la matire sont en perptuel mouvement. Les lectrons tournent autour des noyaux, et ceux-ci, bien que figs dans le cristal, vibrent autour de leurs positions moyennes. Ces mouvements s'appellent l'agitation thermique dont l'ampleur augmente avec la temprature, et sarrette compltement au zro absolu (-273 C). II.3 Bande de Valence Nous avons vu comment les lectrons de la dernire couche taient coups assurer la liaison de valence avec les atomes voisins, c'est pour a qu'on les appelle les lectrons de valence. Leur niveau d'nergie se situe entre des limites qui constituent une bande d'nergie dite bande de Valence. II.4 Bande de conduction Si un lectron reoit une nergie suffisante par chauffement ou par rayonnement, il peut quitter son orbite et devenir libre dans le rseau cristallin d'une faon analogue un satellite auquel on communique une nergie suffisante pour le librer de l'attraction terrestre. Les lectrons libres ont leur nergie qui se situe dans une bande d'nergie dite bande de conduction, car, tants libres, ils peuvent participer la conduction d'un courant lectrique si un champ est appliqu au semi-conducteur.

II.5 Les conducteurs Dans les conducteurs, la bande de valence et la bande de conduction se chevauchent, il n'a pas de gap entre les deux. Un lectron n'a aucun mal de quitter son atome pour aller "vagabonder" dans le rseau cristallin, on dit qu'il passe dans la bande de conduction. L'nergie d'agitation thermique la temprature ambiante fait que chaque atome libre au moins un lectron qui voyage librement dans le cristal et on se retrouve avec un nombre extrmement de porteurs libres qui, ds qu'on cre un champ lectrique au sein du conducteur l'aide d'un gnrateur, vont tre attirs par la borne positive de ce dernier crant un courant lectrique important. II.6 Les Isolants Les isolant sont caractriss par une bande interdite trs importante sparant la bande de valence de la bande de conduction. Ce qui veut dire qu'il faut beaucoup trop d'nergie pour arracher un lectron de sa liaison de valence. Le rsultat est qu'on ne trouve aucun lectron libre dans le cristal et mme si on applique un champ lectrique, aucun courant n'en rsulte.

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II.7 Les semi-conducteurs intrinsques Dans ces semi-conducteurs idalement purs, il y a autant de trous que d'lectrons libres car les premiers apparaissent lors de la formation des seconds, on dit qu'il y a cration d'une paire lectron-trou. Le nombre d'lectrons est not ni. Si on applique un champ au sein du semi-conducteur en connectant un gnrateur de tension ses bornes, il circule un courant qui rsulte du dplacement des deux type de conducteurs, les lectrons libre vers le ple (+) du gnrateur et les trous vers le ple (-) du gnrateur. L'expression de la conductivit est : i = ni e (n + p). n est la mobilit des lectrons libres et p est la mobilit des trous. Pour le silicium n = 0.13 m2/Vs et p = 0.05 m2/Vs ce qui donne une conductivit i = 1.6 1016 1.6

1019(0.13 + 0.05) = 0.46 10-3 (m)-1 soit une rsistivit i= 1/i = 2200m. Quand la temprature augmente, la croissance de ni est trs importante ce qui

provoque une augmentation importante de la conductivit et donc du courant lectrique. II.8 semi-conducteurs extrinsques Ce sont des semi-conducteurs intrinsques dans lesquels on a introduit des atomes trangers qu'on appelle impurets ce qui va modifier compltement leurs caractristiques lectriques. Cette opration d'injections d'impurets s'appelle dopage d'un semi-conducteur.

II.8.1 Semi-conducteurs extrinsques de type N

C'est le cas o les atomes trangers sont lectron pentavalents (antimoines, phosphore, arsenic) c.a.d. qu'il libre Si ont 5 lectrons sur la couche priphrique (de valence). Parmi ces 5 lectrons, 4 vont tre mis en commun avec les atomes voisins pour assurer les liaisons de valence, le Si P Si me 5 , rest libre, peut ce dplacer et participer la conduction. On dit que les impurets utiliss sont des donneurs (d'lectrons). Bien que l'lectron devenu libre Si laisse un ion positif derrire lui, celui ci (constitu de l'atome donneur) a 8 lectrons sur sa couche de Fig. II-4 : dopage par atome donneur valence, il n'a pas tendance capter l'lectron d'un atome voisin, ce n'est donc pas un trou (porteur) car il ne participera pas au courant de trous (par le mcanisme de dplacement de trou qui lieu chaque fois qu'un atome ionis comportant un trou capte un lectron de l'atome voisin pour complter sa dernire couche). Le dopage par des atomes donneurs va donc favoriser la conduction par lectrons libres au dtriment de la conduction par trous. On dit que les lectrons constituent les porteurs majoritaires. Comme il sont porteurs de charge ngatives, le semi-conducteur extrinsque est dit de type N.

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II.8.2 Semi-conducteurs extrinsques de type P

Ici, les atomes d'impuret sont des accepteurs (bore, aluminium, gallium, indium), ils ont seulement trois manque un Si lectron lectrons sur la couche de valence. Si on les introduit dans un cristal intrinsque, ils mettent en commun leurs 3 lectrons avec les 4 atomes du semi-conducteur qui les In Si Si entourent pour former les liaisons de valence. Ils se trouvent la fin avec 7 (3+4) lectrons sur la couche de valence, cette configuration est instable et aura Si tendance capter un lectron d'un atome voisin pour Fig. II-5 : dopage par atome complter sa couche 8 lectrons. Ds que cet lectron accepteur est capt, l'atome Accepteur devient un ion ngatif et introduit un trou dans le cristal qui va participer la conduction par trou. Aucun lectron libre n'a t cre lors de la formation du trou, les trous sont donc beaucoup plus nombreux que les lectrons, ils constituent les porteurs majoritaires et le semi-conducteur est de type P. III. LA JONCTION PN

P N Si on place l'un contre l'autre deux cristaux semi-conducteurs, un de type P et l'autre de type N, au voisinage de la jonction ainsi effectue, le lectrons majoritaire du cot N vont diffuser vers le cot P et trous majoritaires du ct P vont P N diffuser vers le ct N. Les lectrons passs du cot P vont se recombiner avec Ei les trous abondants de ce ct, et les trous passs du ct N vont se recombiner avec Fig. III-1 : Jonction PN les lectrons abondants de ce cot. Il se cre alors une rgion sans porteurs o il n'y a plus que des ions positifs du cot N et des ions ngatifs du cot P. Cette rgion dite, zone de charge d'espace ou zone dpeuple n'est plus neutre lectriquement. De part et d'autre de la jonction, il existe une double rpartition des charges assez semblable celle que l'on trouve sur les armatures d'un condensateur, les charges positifs d'un ct, les ngatifs de l'autre. Il se cre alors un champ lectrique interne Ei orient de N vers P qui va s'opposer la diffusion des porteurs de part et d'autre de la jonction. En effet, si un lectron arrive dans la zone dpeuple, il sera rappel par le champ vers la zone d'o il vient. De la mme faon, les trous qui arrivent dans cette zone sont renvoys par le champ dans la zone P d'o ils sont venus. Si on reprend le phnomne depuis le dbut, au fur et mesure que les porteurs diffusent de part et d'autre de la jonction, les charges d'espace (+) et (-) augmentent et le champ augmente avec elles. Plus le champ augmente, plus la diffusion des porteurs est freine, on dit qu'il y a cration d'une barrire de potentiel qui empche les

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porteurs de traverser la jonction. Il arrive un moment o il s'tablit un quilibre statistique, tout se passe comme si aucun lectron n'arrive diffuser du cot P et aucun trou n'arrive diffuser du cot N, les charge (+) et (-) de chaque ct de la jonction cessent d'augmenter et le champ aussi. III.1 Polarisation de la jonction PN On dit qu'une jonction PN est polarise en directe P Ei N lorsqu'on relie l'extrmit P au ple (+) et l'extrmit N au Eext ple (-) d'un gnrateur de tension (Fig. III-2). Le champs U externe Eext cre par ce gnrateur au sein de la jonction s'oppose au champ interne Ei. Tant que la tension U du Fig. III-2 : jonction PN gnrateur reste infrieure un certain seuil, Eext reste polarise en directe infrieur Ei, et les porteur ne peuvent toujours pas traverser la jonction, il n'y a donc pas de courant. Si la tension du gnrateur devient suprieure au seuil, Eext devient suprieur Ei, le champ rsultant dans la jonction est maintenant orient de P cers N et va donc favoriser la diffusion des lectron de N vers P et des trous de P vers N. Il se cre alors un courant lectrique important de P vers N au sein de la jonction (de N vers P dans le circuit extrieur). On dit que la diode est passante. Le seuil de tension partir duquel la diode devient passante est d'environ 0.2V pour le germanium et 0.65V pour le silicium. P Ei N On dit qu'une jonction est polarise en sens inverse Lorsque le potentiel de son extrmit N est suprieur celui Eext de son extrmit P (Fig. III-3). L'action du champ Eext crs U par le gnrateur externe d'ajoute celle de champ interne Ei , les porteurs majoritaire sont repousss encore un peu Fig. III-3 : jonction PN polarise en inverse plus loin de la jonction ce qui augmente la largeur de la zone dpeuple. Aucun courant important ne circule dans la jonction, on dit qu'elle est bloque. Le seul courant qui arrive a passer est celui cr par les porteur minoritaires dont la diffusion est encourage par le champ. Ce courant reste cependant trs faible, si bien qu'on peut considrer qu'une jonction PN polarise en inverse correspond une rsistance trs leve ou mme un circuit ouvert. III.2 Caractristique de la diode Une diode est un composant lectronique obtenu en recouvrant une jonction PN par une couche protectrice en plastique afin d'en faciliter sa manipulation. (Fig. III-4) Quand la diode est polarise en direct, si on note VD la tension applique ses bornes, alors elle est traverse par un courant ID t.q:
P N

Anode

Cathode
Fig. III-4 : diode

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D V ID = I o e 1

avec =

kT q

I D (mA) 80 70

60 charge de l'lectron. A la temprature 50 ambiante (T=300 K), = 26 mV. 40 Io est le courant inverse de la diode, 30 il ne dpend pas de la tension de 20 10 polarisation, mais dpend fortement de VD (V) la temprature. A la temprature 0.2 0.4 0.6 0.8 25 C ambiante (25 C), sa valeur ne dpasse gure le nA, 125 C, sa valeur est 125C Fig. III-5 : caractristique de la diode multiplie par 16000. Sur la figure (Fig. III-5) lchelle de la tension et du courant nest pas la mme dans le sens directe et le sens inverse.

k est la constante de Boltzmann, T est la temprature absolue et q est la

III.3 Diode Zener Lorsque la diode est polarise 80 en inverse, le courant inverse qui 70 la traverse est quasiment nul. On Vz 60 ne peut cependant pas augmenter 50 Iz indfiniment la tension inverse aux 40 30 bornes dune diode. Lorsque cette 20 tension atteint une certaine 10 Vz valeur, le champ lectrique qui VD (V) rgne dans la jonction devient 0.2 0.4 0.6 0.8 10 suffisamment lev pour ioniser 20 les atomes en leur arrachant les 30 40 lectrons de valence qui 50 deviennent libres et gnrent un 60 courant inverse trs important. On 70 dit quil y a un effet davalanche ou 80 quil y a claquage de la diode. La tension aux bornes de la diode I z (mA) reste constante quel que soit le Fig. III-6 : caractristique de la diode Zener courant inverse qui circule dans la diode. Cette tension dite tension de claquage VB (breakdown voltage) reste importante pour les diodes usage gnral (quelques 100ne de Volts), sa valeur est prcise par les constructeurs pour chaque type de diode. La diode Zener est une diode pour laquelle on a utilis des semi-conducteurs N et P trs fortement dops ce qui a comme effet de rduire la tension de claquage
I D (mA)

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VB qui sera appele tension Zener VZ . Durant la fabrication, on sait contrler avec prcision la valeur de VZ. Les diodes Zener sont fabriqu pour tre utiliss en

inverse dans la zone davalanche. Dans ce cas, la tension ses bornes reste gale VZ quelque soit le courant Iz qui la traverse. On lappelle diode stabilisatrice de tension. Evidemment, une Zener polarise en directe fonctionne comme une diode normale.
III.3.1 Stabilisation par diode Zener
R=100 I Avec le montage de la figure Fig. III-7, on va essayer de stabiliser la tension aux bornes la charge RL IZ IL E laide dune diode Zener (VZ=5V). RL Pour les faibles valeurs de E, la Zener reste Vz=5V 200 bloque, la tension VL aux bornes de RL sera calcule comme si la Zener tait absente. Ds que VL dpasse Fig. III-7 : stabilisation par zener VZ, la Zener conduit et VL reste gale VZ .

a) E = 3V

On suppose que la Zener est bloque, Iz = 0,

VL =

RL + R VL < VZ , donc la Zener est bien bloque, tout le courant I passe de la charge, E 3V IL = I = = = 10 mA R L + R 0 .3 K VL = 2 V , I L = 10 mA
b) E = 6V

RL

E =

200 3 =2 V 300

On suppose que la Zener est bloque, Iz = 0,

VL =

RL + R VL < VZ , donc la Zener est encore bloque, tout le courant I passe de la charge, E 6V IL = I = = = 20 mA R L + R 0 .3 K VL = 4 V , I L = 20 mA
c) E = 9V

RL

E =

200 6 =4 V 300

On suppose que la Zener est bloque, Iz = 0,

VL =

RL + R VL > VZ , donc la Zener conduit et impose VL = VZ = 5 V, le courant I se partage entre Iz et IL V E V Z 9V 5V 5V IL = L = = 25 mA , I = = = 40 mA , I Z = I I L = 15 mA R L 0 .2 K R 0 .1K VL = 5 V , I L = 25 mA

RL

E =

200 9 =6 V 300

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d) E = 12V

Il est vident que la Zener va conduire ici aussi et imposer VL = VZ = 5 V V E V Z 12V 5V 5V IL = L = = 25 mA I = = = 70 mA , ,

IZ

R L 0 .2 K = I I L = 35 mA

0 .1 K

V L = 5 V , I L = 25 mA

En conclusion, on remarque que tant que la Zener est bloque, la tension VL aux bornes de la charge nest pas stabilise. Tout se passe comme si la Zener ntait pas l. Ds que la Zener conduit, la tension aux bornes de la charge est stabilise la valeur VZ, le courant dans la charge RL reste gal VZ/RL , et cest le courant Iz qui circule dans la Zener qui varie pour compenser les variations de I.

III.4 Redressement des tensions (courants) alternatifs Le but du redressement est la transformation des tensions alternatives en tensions continues pour alimenter les charges qui doivent tre alimentes toujours dans le mme sens.
III.4.1 Redressement simple (mono) alternance

IL Pour simplifier on va considrer la diode comme un interrupteur parfait (Vi = 0 et ri = 0) : Ve > 0 Diode passante interrupteur ferm Secteur RL V V e L VL = Ve Ve < 0 Diode bloque interrupteur ouvert VL = 0 Fig. III-8 : redressement mono-alternance
On constate sur Fig. III-9 que la tension redresse est toujours positive mais elle est encore loin dtre continue. Calculons sa composante continue qui nest rient dautre que sa valeur moyenne :

VL =

1 1 VL ( t ) dt = 2 0 2

2 0

E sin( ) d

Ve

III.4.1.1 Tension inverse maximale

E 2 0 = sin( ) dt = [cos( ) ] 0 E VL =

A linstant = 3/2, la tension inverse aux bornes de la diode atteint sa valeur maximale : VD = Ve - VL = -E - 0 = -E

VL

Fig. III-9 : signaux dun redresseur mono-alternance

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18

III.4.2 Redressement double alternance

Pour que VL sapproche un peu plus dune tension continue, on va redresser les deux alternances.
III.4.2.1 Montage base de transformateur point milieu

Si on prend le point milieu du transformateur comme rfrence, les tensions de sortie du transformateur V1 et V2 sont en opposition de phase (Fig. III-10). Pendant lalternance positive de V1, (ngative de V2), la diode D1 conduit et alimente la charge alors que la diode D2 est bloque (Fig. III-12) VL = V1. Pendant lalternance ngative de V1, (positive de V2), la diode D1 est bloque alors que la diode D2 conductrice, alimente la charge (Fig. III-12) VL = V2. La charge se trouve ainsi alimente pendant les deux alternances. La tension VL est reprsente sur Fig. III-10.
D1
V1

v1 RL
Secteur

IL

v2

vL
D2

Fig. III-11 : redresseur double alternance point milieu

V2

D1

v1 RL
Secteur

IL

vL
VL

D
RL Secteur

Fig. III-10 : signaux dun redresseur double alternance

IL

v2

vL
D2

Fig. III-12 : premire alternance

Fig. III-13 : deuxime alternance

III.4.2.2 Montage pont

Le redressement double alternance est obtenu D1 D4 laide dun pont redresseur 4 diodes (Fig. R L IL Secteur Ve III-14). vL D2 D3 Pendant lalternance positive de Ve , les diodes D1 et D2 sont conductrice et alimentent la charge Fig. III-14 : redresseur double alternance pont (VL = Ve), les diodes D3 et D4 sont bloque (Fig. III-15). Pendant lalternance ngative de Ve, les diodes D3 et D4 sont conductrice et alimentent la charge, (VL = -Ve) les diodes D1 et D2 sont bloque (Fig. III-15). Le

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19

rsultat est que la charge est alimente toujours dans le mme sens, la tension VL est la mme que celle de Fig. III-10.
D1 Secteur RL D4 Secteur

Ve
D2

IL

Ve

RL

IL D3

vL

vL
Fig. III-16 : alternance ngative

Fig. III-15 : alternance positive

La composante continue de la tension VL a doubl par rapport au redressement simple alternance :

VL =
III.4.2.3 Tension inverse maximale

2E

Montage point milieu : Pendant la premire alternance, la diode D2 est bloque, la tension inverse ses bornes atteint sa valeur max linstant = /2, VD = V2 - V1 = -E - E = -2E. Pour la diode D1, cette valeur est atteinte linstant Montage pont : Pendant lalternance positive de Ve, les diodes D3 et D4 sont bloques, la tension inverse leurs bornes atteint sa valeur max linstant = /2, VD3 = VD4 = 0 - Ve = 0 - E = -E.
III.4.3 Filtrage par condensateur en tte
IL

= 3/2.

RL Le filtrage est ralis laide dun V V e L condensateur de forte valeur plac en parallle de Secteur C la charge RL comme cela est indiqu sur Fig. III-17. Lallure de la tension VL obtenue est Fig. III-17 : redressement et filtrage illustre sur Fig. III-18 pour C=2200 F et sur Fig. III-19 pour diffrentes valeurs de C. La diode conduit pendant lintervalle [a, b b b], la tension VC = VL suit b alors la valeur de Ve. A a a a linstant b, Ve diminue VL VL rapidement, la capacit ne peut se dcharger dans le transformateur cause de la diode, elle va donc se dcharger (alimenter) dans la 10 20 30 40 50 60 ms charge RL avec la constante 0 Fig. III-18 : Tension VL avec R=100 et C=2200 F de temps =RL C. Si la valeur de C est importante, cette dcharge est lente et Ve devient trs vite infrieure VL ce qui provoque le blocage de la diode. On constate donc que pendant la quasi

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20

4700F totalit du temps, la charge RL 2200F 1000F est alimente par le 470F condensateur qui est recharg chaque priode pendant lintervalle de temps [a,b]. La tension VL aux bornes de 100F la charge nest pas tout fait continue, mais comporte une ondulation damplitude V qui R =100 est dautant plus faible que la 0 20 ms 10 Fig. III-19 : Tension V avec R=100 et diffrentes valeurs de C L valeur de C est leve (Fig. III-19). Essayons de dterminer lexpression de londulation V et de la valeur moyenne VL .

linstant t = a, on aura 2V = E - E. Si la valeur de C est importante, la dcharge dure quasiment toute la priode T et on aura : T T 2 V = E E' = E Ee R LC = E 1 e RLC Le terme

Lquation de VL pendant la dcharge est V L = Ee

t R LC

. Si on note E la valeur de VL

T R LC

est faible devant lunit, on peut donc faire un dveloppement au

premier ordre de lexponentielle et utiliser lapproximation e x = 1 + x , ce qui donne : T ET E 2 V = E 1 1 soit V = = R LC 2 R LC 2 R LCf


1 La valeur moyenne de la tension obtenue est : V L = E V = E 1 2 R LCf

En gnral la rsistance RL nest pas connue et cest plutt le courant moyen IL fourni par lalimentation ainsi obtenue qui permet de la caractriser. Sachant que V L est voisine de E, on peut crire E = RL IL la place de V L = RL IL ce qui donne RL = E / IL do : Application numrique :

V =

IL 2 Cf

et VL = E

IL 2 Cf

E = 9V, f = 50 Hz , C = 4700 F IL V VL 50 mA 0.106 V 8.89 V 100 mA 0.21 V 8.79 V

V = IL / 0.47
1A 2.13 V 6.87 V

500 mA 1.06 V 7.94 V

Dans le cas du redressement double alternance, lamplitude de londulation est divise par 2, en effet,

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21

D1

IL
RL C

v1
Secteur

v2
D2
~ D4 Secteur D1

Ve

D2 ~ D3

IL
RL C

Fig. III-20 : redresseurs double alternance avec filtrage

T/2

Fig. III-21 : redressement double alternance et filtrage

La dcharge se fait pendant une demi-priode de Ve (ou de V1 ) do : T T 2 R LC 2 R LC 2 V = E E' = E Ee = E 1 e En utilisant la mme approximation pour lexponentielle, on obtient :

V =

I E = L 4 R LCf 4 Cf

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IV.

TRANSISTOR A JONCTION OU TRANSISTOR BIPOLAIRE


NPN C N B P N E C B B B PNP C P N P E C

Il est constitu de trois couches de semiconducteurs extrinsques (Fig. IV-1). On distingue deux types de transistors bipolaires, les transistors NPN et les transistors PNP. Le transistor NPN est constitu par : Une couche N fortement dope constituant lmetteur. Une couche P trs mince et faiblement dope constituant la base. Une couche N faiblement dope constituant le collecteur.

E
Fig. IV-1 : transistors bipolaires

Le transistor PNP est constitu par : Une couche P fortement dope constituant lmetteur. Une couche N trs mince et faiblement dope constituant la base. Une couche P faiblement dope constituant le collecteur. IV.1 Principe de fonctionnement : effet transistor. En labsence de polarisation (Fig. IV-2), les porteurs majoritaires diffusent de part et dautres E des deux jonctions PN, provoquant la cration de deux zones dpeuples (de dpltion) o rgnent deux champs Ei qui sopposent la diffusion et engendrent une situation dquilibre..
N P Ei Ei N

C B

Fig. IV-2 : NPN non polaris

Si on applique un gnrateur externe entre le C collecteur et lmetteur (Fig. IV-3), la jonction N collecteur-base est polarise en inverse, sa zone dpeuple devient plus large, aucun courant ne Vcc circule entre le collecteur et lmetteur. Ei P B Ei Si on applique un deuxime gnrateur entre la base et lmetteur (Erreur ! Source du renvoi N introuvable.), la jonction base - metteur se trouve polarise en direct, la zone de dpltion qui E lentourait disparat et un courant directe circule Fig. IV-3 : alimentation du collecteur entre la base et lmetteur, on lappelle le courant de base IB . La polarisation de la jonction B-E en direct va tre lorigine dun deuxime courant dans le transistor, en effet, lmetteur fortement dop N injecte un grand nombre dlectrons dans la base (diffusion des porteurs majoritaires), ces

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23

lectrons ne vont pas tous tre rcuprs par le Ic N circuit extrieur, car, comme la base est trs mince, un grand nombre dentre eux va se trouver au Vcc IB Ei P voisinage de la jonction base - collecteur. Pour cette B jonction, les lectrons du ct de la base constituent VBB les porteurs minoritaires dont le passage ct N collecteur est fortement encourag par le champ IE important qui rgne autour de cette jonction. Il en E rsulte la circulation dun courant important entre le fig. IV-1 : NPN polaris collecteur et lmetteur travers la base (Fig. IV-4), ce phnomne est appel effet transistor. Le courant le lmetteur est not IE , celui de la base est not IB et celui du collecteur est not IC . Ces trois courants obissent aux relations suivantes :
C
N P lectrons Ei N

IE = IB + IC I C = I E I C = I B
est voisin de lunit (0.95 0.99) ce qui permet

B
Fig. IV-4 : effet transistor

souvent de considrer IC = IE, par contre, le rapport entre le courant du collecteur et celui de la base est important, il varie entre quelques dizaines quelques centaines, cest le gain en courant du transistor. Dans les ouvrages anglophones, est souvent not h21 ou hfe En rsum, le transistor est un composant lectronique gr par la relation IC = IB . Cette relation traduit la possibilit de contrler un courant important (IC) laide dun courant beaucoup plus faible (IB) do son utilisation grande chelle en amplification. En ralit, le fonctionnement du transistor est lgrement plus complexe, il faut tenir compte des courants inverses des jonctions. Si la base nest pas polarise (Fig. IV-3), le courant entre le collecteur et lmetteur nest pas tout fait nul mais il a une faible valeur, on le note ICEO. De la mme faon si on laisse lmetteur ouvert et on polarise la jonction C-B en inverse, elle est traverse par un courant inverse qui sera not ICBO. La relation IC = IB devient IC = IB + ICEO , avec ICEO =

ICBO.

IV.2 Rseau de caractristique du transistor Cest un rseau de courbes qui dcrit lvolution du courant du collecteur IC en fonction de la tension VCE et ceci pour diffrentes valeurs du courant de base IB. I C = f (VCE ) I =C te
B

En observant le rseau de caractristiques de Fig. IV-5, on peut faire deux observations :

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24

pour les mmes variations du courant IB, Ic (mA) Les courbes sont plus espaces pour les 140A 16 valeur importante de IC, ce qui veut dire 14 120A que nest pas rellement une constante 12 mais augmente avec IC. La variation de 100A avec le courant IC nest pas trs 10 80A 8 importante, dans la suite de ce cours nous 60A considrerons que est une Constante qui 6 40A ne dpend que du type du transistor. 4 1) Pour les valeurs importantes de IC, les I B =20A 2 courbes ne sont plus tout fait Vce horizontales mais lgrement inclines. Fig. IV-5 : caractristiques dun transistor bipolaire Dans ce cas la relation IC + IB devrait tre remplace par IC = IB + 1/ VCE . est la rsistance interne de sortie du transistor, elle varie dun transistor lautre. Dune manire gnrale sa valeur est suffisamment importante pour puisse ngliger le terme 1/ VCE devant IB . Dans les ouvrages anglophones, 1/ est souvent not h22 ou hoe IV.3 Polarisation du transistor Pour fonctionner correctement, le transistor doit avoir sa jonction basemetteur polarise en direct ce qui engendre un courant IB dans la base et un courant IC = IB dans le collecteur. Ltat du transistor est caractris par ce quon appelle le point de fonctionnement correspondant au couple (VCE , IC ) qui sont la tension entre le collecteur et lmetteur ainsi que le courant du collecteur IC.
IV.3.1 Polarisation par une rsistance de base

On dtermine le courant IB en crivant la loi dOhm dans la maille dentr : Vcc = R B I B + 0 .7 + R E ( I B + I C )


En remplaant IC par IB , on obtient : VCC 0 .7 IB = RB + ( + 1 ) RE

Rc Rb Ib B E RE Ic C Vcc

Le courant du collecteur est I C = I B


Fig. IV-6 : polarisation par une rsistance

La tension VCE est obtenue en crivant la loi dOhm dans la maille de sortie :

Vcc = R C I C +VCE + R E ( I B + I C )
soit

VCE = VCC ( R C + R E ) I C R E I B

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25

Application numrique : Vcc=12V, =100, RB =750K, RE =1K, RC =4K. Calculer le point de fonctionnement. 12 0 .7 IB = = 13 .3 A 750 K + 101 k

I C = 100 13 .3 A = 1.33 mA

VCE = 12 ( 4 K + 1 K ) 1 .33 m 1 k 13 .3 A = 5 .35V


Il arrive que le problme soit pos lenvers, cest dire quon se donne un point de fonctionnement et quon cherche les valeur des rsistances qui permettent dobtenir ce point de fonctionnement. Exemple : Soit un transistor de gain =100, polaris laide dune alimentation Vcc=12V, Calculer RB, RE, et RC pour obtenir le point de fonctionnement {VCE =5V, IC=1mA} Si on crit la loi dOhm dans les deux mailles dentre et de sortie, on saperoit que nous navons pas suffisamment de donne pour calculer les trois rsistances. Il faut fixer une donne supplmentaire, fixons la tension de lmetteur Ve = 2V. IB= IC / = 1mA / 100 = 0.01 mA

VB =Ve+0.7=2.7V
RB = VCC VB 12 2 .7 = = 930 K 0 .01 mA IB RE = VE VE 2 = = = 1 .98 K IE I C + I B 1 .01 mA

RC =

VCC VCE VE 12 5 2 = = 5 K IC 1 mA

IV.3.2 Polarisation par pont

La base est polarise par un "pont" constitu de deux rsistance RB1 et RB2 (Fig. IV-7). Pour faciliter la calcul, on applique le thorme de Thvenin au circuit d'entre et on obtient le schma de Fig. IV-8 ce qui permet de ramener le problme une polarisation par une rsistance de base.

Rc Rb1 Ip Ib B E RE
Fig. IV-7 : polarisation par pont

Ic C

Vcc

Rb2

V eq =

RB2 V R B 1 + R B 2 CC

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R eq = R B 1 / / R B 2 =

Le courant IB est dtermin partir de : Veq = R eq I B + 0 .7 + R E ( I B + I C )


En remplaant IC par IB , on obtient : Veq 0 .7 IB = R eq + ( + 1 ) R E
Req Eeq Ib B

RB 1RB2 RB 1 + RB2

Rc Ic C Vcc

E RE
Fig. IV-8

Le courant du collecteur est I C = I B

La tension VCE est obtenue en crivant la loi dOhm dans la maille de sortie : Vcc = R C I C +VCE + R E ( I B + I C )
soit

VCE = VCC ( R C + R E ) I C R E I B

Application numrique : Vcc=12V, =100, RB1 =56K, RB2 =10K,RE =2K, RC =10K. Calculer le point de fonctionnement. On touve : Veq = 1.82 V, Req = 8 K d'o 1 .82 0 .7 IB = = 5 .3 A 8 K + 101 2 k I C = 100 5 .3 A = 0 .53 mA VCE = 12 ( 10 K + 2 K ) 0 .53 mA 2 k 5 .3 A = 5 .6V *********************

Ces donnes ne suffisent pas pour calculer les deux rsistances du pont, elle permettent seulement de calculer Req . Pour lever cette indtermination, on se donne une des deux rsistances et on calcule l'autre. Une deuxime solution consiste se donner le rapport entre le courant du pont IP et le courant de base IB . Si on note I1 le courant dans R1 et I2 le courant dans R2 , on a I1 = IB + I2 , si I2 est grand devant IB , on peut ngliger IB et on obtient I1 = I2 = IP = courant du pont. Prenons IP = 30 IB. IB = IC / = 1mA / 100 = 0.01 mA VB =Ve+0.7=1.7V V VB V 12 1.7 1.7 R B 1 = CC = RB2 = B = 5 .9 K = 34 .3 K I1 I 2 29 0 .01 mA 30 0 .01 mA V VCE VE 12 5 .5 1 V VE 1 RE = E = = 1 K R C = CC = = 5 .5 K IE I C + I B 1.01 mA IC 1 mA

Vcc=12V, =100, Calculer RB1, RB2, RE, et RC pour obtenir le point de fonctionnement : {VCE = 5.5V, IC = 1mA, Ve = 1V}.

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IV.4 L'opration d'amplification Un amplificateur est un montage qui fournit sa sortie une tension gale la tension dentre multiplie par une constante suprieure lunit. Cette constante sappelle le gain en tension de lamplificateur, on la note souvent AV.
Ve Av Vs = Av . Ve
Fig. IV-9

IV.4.1 Grandeurs caractristiques d'un amplificateur

Un amplificateur peut tre reprsent par le schma de Fig. IV-10.

Impdance d'entre : Z e = Gain en tension Impdance


: Av =
vs ve sortie

ve ie

ie

Zs Ze

is
Vs

Zs =

v s ) co i s ) cc

de

Ve

A v ve

Fig. IV-10 : reprsentation de Thvenin d'un amplificateur

Vu de l'entre, l'ampli se comporte comme une rsistance qu'on appelle rsistance ou impdance d'entre. Vu de la sortie, il se comporte comme un gnrateur de tension interne vi = AV ve et de rsistance de sortie Rs ou Zs.
IV.4.1.1 Mesure des grandeurs caractristiques d'an amplificateur

Pour mesurer Ze, on peut utiliser deux mthodes : a) On branche un gnrateur l'entre, on mesure ve et ie et on en dduit Ze = ve / ie b) On branche un gnrateur travers une rsistance connue R (Fig. IV-11), on mesure vg et ve et on en dduit Ze l'aide de l'expression du diviseur de potentiel :

R Vg Ve Ze

ve =

Ze +R

Ze

vg

Ze =

v g v e

ve

Fig. IV-11 : mesure de Ze

Pour mesurer AV, on branche un gnrateur l'entre, et on mesure ve et la tension de sortie a vide vs . Le gain en tension est AV = vs / ve . Pour mesurer l'impdance de sortie Zs, on procde en deux temps : a) on mesure la tension de sortie vide vs)co ce qui permet de dterminer la tension interne vi car, vide, le courant de sortie is est nul, donc vi = vs)co maintenant que vi est connue, on court-circuite la sortie et on mesure le courant de sortie is)cc . La loi d'ohm vi = Zs is)cc donne Zs = vi / is)cc

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IV.5 Transistor bipolaire en amplification Nous avons vu comment on calcule la polarisation c.a.d le point de fonctionnement continu (statique) du montage de Fig. IV-7. En utilisera un indice 'o' pour dsigner les tensions et les courants correspondant au point de fonctionnement statique qu'on dsigne aussi par position de repos. Nous allons voir maintenant ce qui se passe si ( partir d'un instant to) on fait varier lgrement le courant IB autour de sa position de repos IB0 . Si IB augmente IC = IB augmente aussi ( fois plus vite). Si IB diminue IC = IB diminue aussi ( fois plus vite). Si IB varie sinusodalement autour de IB0 (Fig. IV-12) avec une amplitude IB , alors IC varie sinusodalement autour de IC0 avec une amplitude IC = IB , en effet :

IB = IB0 + IB sin(wt) = IB0 + ib sin(wt) = Ic + ic

Ic = IB = IB0 + IB sin(wt) = IC0 + IC

Regardons maintenant comment varie la tension VCE. VCE = VCC - (RC + RE) IC , donc, si IC augmente, VCE va diminuer, et si IC diminue, VCE va augmenter, on dit que VCE varie en opposition de phase avec IC. (Fig. IV-12)
IB IB0
IB

IC
I C= IB

IC0 = IB0

to

t V CE

to

V CE = (Rc+RE ) I C

VCE0

to
Fig. IV-12 : Variation de IB, IC ,et VC

Fig. IV-13 illustre graphiquement la relation entre les variations de IB, IC et VCE. En effet, les courants et les tensions dans un montage transistor sont gres par la loi d'Ohm et la relation IC = IB. La loi d'Ohm dans la maille de sortie {VCC = RC IC + VCE + RE IC } s'appelle la droite de charge, on l'crit de sorte ce qu'elle exprime

IC en fonction de VCE : I c =

RC + RE

VCE +

RC + RE

VCC

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Sur Fig. IV-13, la droite IC = IB dtermine les variations de IC partir des variations de IB, et la droite de charge permet de dterminer graphiquement les variations de VCE partir des variations de IC.
I c (mA)
2

IB

(A) 20 10 2 4 6 8 10 12

Vce

(V)

Fig. IV-13 : Amplification par transistor

Pour injecter la tension alternative ve sans Vcc que cela n'altre la polarisation du transistor Rc en modifiant le point de fonctionnement Rb1 statique, on utilise des capacit de liaison (Fig. C IV-14) qui seront considres comme des B courts-circuits parfaits pour les signaux vs alternatifs et comme des circuits ouverts E Rb 2 pour les courants et les tensions continus. La ve RE tension sur la base du transistor est la somme de la tension continue VB et de la tension Fig. IV-14 : Amplificateur avec les capacits de d'entre (variable) ve. La variation de VB liaison provoque la variation du courant IB, et par consquent celle de IC , VCE et vs. . Pour calculer la relation entre la varions de VB (=ve) et la variation de VC (=vs), on utilise un modle du transistor plus adapt pour le calcul des signaux variable.
IV.5.1 Schma quivalent du transistor pour les petits signaux

Autour d'un point de polarisation, les relation entre les faibles variations sont dcrites par : VBE = h11i B + h12v CE i C = h21 i B + h22v CE

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Ces relations dcrivent les lois lectriques du schma ci dessous (Fig. IV-15) qu'on appelle schma quivalent pour les variation ou schma quivalent en dynamique du transistor.

iB
h11 h12 v CE E + iB

iC C

v BE

h22

v CE
E

Fig. IV-15 : Schma quivalent en dynamique du transistor

h11 est l'impdance d'entre du transistor : h11 =

VBE I B

VCE =C te

Sa valeur dpend du transistor ( ) et du point de fonctionnement statique ( IE )

h11 =

26 I E mA

h21 est le gain du transistor : h21 = =

I C I B

V CE =C te

h12 est un terme de raction interne, il donne la variation de VBE en fonction de


celle de VCE : h12 =

VBE VCE

, sa valeur est trs faible, il sera le plus souvent


I B =C te

nglig. h22 est l'impdance de sortie du transistor, c'est la pente de la caractristique

IC = f(VCE)

IB = Cte.: h22 =

I C VCE

. La caractristique tant quasiment


I B =C
te

horizontale, h22 est faible et sera le plus souvent nglig.


IV.5.2 Schma quivalent simplifi

Les termes h12 et h22 tant trs faibles, on les nglige pour obtenir le schma quivalent simplifi ci-dessous (Fig. IV-16).

iB
h11

iC

vBE
E

iB E

vCE

Fig. IV-16 : Schma quivalent simplifi

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IV.6 Montage metteur commun (EC)


Vcc Rc Rb1 C B

RB = RB1 // RB2

B
vs

iB
RB

iC
h11 E iB

ve

Rb2

E
E

ve

iC
Rc

vS

Fig. IV-17 : Montage metteur commun

Fig. IV-18 : Schma quivalent de l'metteur commun

C'est le montage illustr sur Fig. IV-17. Son nom vient du fait que l'metteur est reli la masse (commun). C'est le montage amplificateur le plus utilis. Le schma quivalent global (Fig. IV-17) est obtenu comme suit : Le transistor est remplac par son schma quivalent en dynamique simplifi. Les condensateurs de liaisons sont remplacs par des courts-circuits? L'alimentation VCC est remplace par la masse, car ce montage est celui des variations et les variations de VCC sont nulles car c'est une tension constante.
IV.6.1.1 Gain en tension

D'aprs le schma de Fig. IV-17 on peut crire : v e = h 11 i b v s = R c i c = R c i b d'o l'expression du gain en tension du montage metteur commun :

Av =

vs R c = ve h11

AN: Avec VCC=12V et = 100 Calculer la rsistance RC pour avoir { VCE = 6V, IC = 1 mA } puis calculer le gain en tension AV

RC = 6V / 1 mA = 6 K ,
230

h11 = 26 * 100 / 1 = 2600 ,

AV = - 100 * 6000 / 2600 =

Le montage tel qu'il est prsent sur Fig. IV-17 prsente l'inconvnient suivant: Sous l'effet du courant IC qui traverse le transistor, la temprature de celui-ci augmente lgrement cause la puissance dissipe par effet joule. Cette augmentation de temprature augmente le nombre de porteurs par le mcanisme de cration de paires lectrons trou. La consquence directe de l'augmentation du nombre de porteur est l'augmentation du courant IB qui engendre une augmentation du courant IC qui son tour va engendrer une augmentation supplmentaire de la temprature du transistor et provoquer ce qu'on appelle un emballement thermique.

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32

Pour remdier ce problme, on ajoute une rsistance sur l'metteur du transistor (Fig. IV-19). Cette rsistance joue un rle de stabilisation de la temprature car, si IC augmente, alors la tension VE = RE IE augmente donc la tension VBE diminue provoquant la diminution de IB et donc de IC.
Vcc Rc Rb1 C B

vs ve
Rb2 E RE
Fig. IV-19 : montage avec rsistance de stabilisation de temprature RE

iB
RB

iC

h11 E
RE

ve

iB

iC
Rc

vS

Fig. IV-20 : Schma quivalent du montage avec rsistance de stabilisation thermique

Le schma quivalent en dynamique devient celui de Fig. IV-20. le gain en tension est donn par :

AN: Avec le point de fonctionnement { VCE = 5V, VE = 1V, IC = 1 mA }, on obtient RC = 6 K, (mme valeur que prcdemment), et RE = 1 K, ce qui donne un gain en tension de seulement : AV = - 6 K / 1 K = -6 On constate que la rsistance d'metteur RE joue un rle important pour la stabilisation de la temprature, mais elle a une influence nfaste sur le gain en tension AV. Pour

v e = h11 i b + R E ( + 1 ) i b = h11 + ( + 1 ) R E i b v s = R c i c = R c i b R v R c Av = s = C ve h11 + ( + 1 ) R E RE

car ( + 1) >> h11


Vcc Rc

Rb1 C B

vs ve
Rb2 E RE

Fig. IV-21 : EC avec rsistance d'metteur dcouple

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33

remdier ce problme, on place un condensateur (de dcouplage) en parallle sur RE (Fig. IV-21). Ce condensateur n'intervient pas en continue, donc la rsistance RE joue pleinement son rle de stabilisation thermique, alors qu'en alternatif, le condensateur est remplac par un court-circuit ce qui nous ramne au schma quivalent de Fig. IV-17 qui, comme nous l'avons vu, procure un gain en tension important.
IV.6.2 Impdance d'entre

Il parat vident d'aprs le schma quivalent (Fig. IV-17) que :

Z e = R B / / h11 =

R B h11 R B + h11

Pour s'en assurer il suffit d'crire la loi d'Ohm dans la maille d'entre, ve = Ze ie = (RB // h11 ) ie
IV.6.3 Impdance de sortie

L aussi, on voit bien sur le schma quivalent que Pour s'en assurer, vs)co = - RC ib , is )cc = - ib IV.7 Montage collecteur commun (CC)
Vcc

ZS = vs)co / is )cc = RC

Z S = RC

iB
RB

iC
h11
iB

Rb1 B

ve
E RE

ve

Rb2

vs

RE

ie

vS ie
iB E RE

Fig. IV-23 : montage collecteur commun

ii
RB

ib h11 ip

Ce montage (Fig. IV-23) doit son nom au fait que le collecteur est reli VCC (commun pour les variation). Le signal de sortie est pris sur l'metteur.Le schma quivalent est illustr (sous deux version) sur Fig. IV-22.
IV.7.1 Gain en tension

ve

vs

Fig. IV-22 : schma quivalent du collecteur commun

v e = h11 i b + R E ( + 1 ) i b v s = RE ( + 1 ) i b

Av =

( + 1 ) RE vs = h11 + ( + 1 ) R E ve

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34

On remarque que le montage collecteur commun a un gain en tension voisin de l'unit, pour cette raison, on l'appelle aussi, montage metteur suiveur car la tension sur l'metteur suit celle de la base. Si le gain en tension est gal 1, on peut se demander qu'elle est l'utilit de ce montage, c'est ce que nous verrons un peu plus loin dans ce cours.
IV.7.2 Impdance d'entre

Ze =

ve ve = ie i p + ib

or

v e = R B i p v e = h11i b + R E ( + 1 ) i b = h11 + R E ( + 1 ) i b = Z' e i b

Z'e est l'impdance d'entre sans la rsistance RB (vue droite de RB)

R Z' v Z e = v e v = B e = RB / / Z'e R B + Z' e e + e R B Z' e

Z e = R B / / Z'e = RB / / h11 + ( + 1 ) R E
AN: RB1 = 47 K, RB2 = 64 K, RE = 6 K ==> Veq 6.919 V, Req 27.1 K, IE 1.014 mA RB 27 K, et h11 5.13 K
IV.7.3 Impdance de sortie

Ze 26.5 K

Le courant d'entre sera not ii et le courant dans RB sera not ip .

Zs =

v s ) co i s ) cc

v s ) co = R E ( + 1 ) i b ,

or

v e = h11 i b + R E ( + 1 ) i b ,
B

d'o

v s ) co =
i s ) cc

( + 1 ) RE v h11 + ( + 1 ) R E e = ( + 1 ) i' b or
+1

h11 i' b
RB

v e = h11 i' b

d'o

i s ) cc =

h11

ve Zs = h11 R E h11 + ( + 1 ) R E

ve

ip

i' B

i s)cc

h11

Fig. IV-24

Cette expression de ZS ne correspond pas au cas le plus gnral car elle suppose que ve est issue d'un gnrateur Rg ie ib h11 B ii parfait de rsistance interne Rg = 0. E Si le signal d'entre ve est issu d'un + ip gnrateur rel (Fig. IV-25), on va RE v iB vg ve RB s vrifier que l'impdance d'entre du montage CC dpend aussi de la rsistance interne Rg du gnrateur
Fig. IV-25

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d'attaque. On peut simplifier le montage de Fig. IV-25 en utilisant le thorme de Thvenin au point B, on obtient le schma de Fig. IV-26. Rgb = Rg // Rb ,

Rgb

ib h11

ie
iB

E RE

+ -

v =
' g

Rb + R g

Rb

vg

v' g
Fig. IV-26

vs

( + 1 ) RE ' v s ) co = R + h + ( + 1 ) R v g E 11 gb ( 1 ) + i v 'g s ) cc = R h + 11 gb ZS = R E R gb + h11

R gb + h11 + ( + 1 ) R E

= RE

//

R g + h11 R g + h11 +1

AN : Zs 28 On remarque d'aprs ce qui prcde que le montage collecteur commun n'est pas un bon amplificateur car il a un gain voisin de l'unit mais il a une impdance d'entre leve et une faible impdance de sortie. On s'en sert comme adaptateur d'impdance.

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V.

LAMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

V.1 Dfinition

Lamplificateur oprationnel caractristiques suivantes :


est

un

amplificateur

diffrentiel

qui

les

Son gain en boucle ouverte Abo est trs lev, au moins 105 et couramment 106. Limpdance dentre sur chacune de ces entre est trs leve. Le plus souvent on la considre comme infinie, ce qui implique que les courants dentres sont nuls. Limpdance de sortie est quasiment nulle.
+

ve1

A bo

ve2
Fig. V-1 : Amplificateur oprationnel

vs

vS = Abo . = Abo .(ve1 ve 2 )

V.2 Approximation

Lamplificateur oprationnel est en gnral aliment par une alimentation symtrique {VCC,Vee} ne dpassant pas {+15V, -15V} . Dans la suite de ce cours, on prendra le plus souvent VCC = +12V et Vee=-12V. Sachant que la tension de sortie dun amplificateur ne peut jamais dpasser sa tension dalimentation, VS ne peut pas dpasser +12V pour les valeur positives et 12V pour les valeur ngatives. La valeur max. quon peut donner la tension diffrentielle dentre sans quil y est distorsion de la tension de sortie est max telle que Abo max = 12V ce qui donne :
Vs
+12V

+12

Vs

max
-12V

Ve

max =

On saperoit donc que les tensions sur lentre inverseuse (-) et sur lentre non inverseuse (+) restent toujours trs voisines puisque la diffrence entre les deux ne dpasse gure quelques microvolts. Dans la pratique pour faciliter les calculs, on prendra :

12V = 12 V 10 6

-12

Fig. V-2 : tension de sortie et caractristique de transfert dun ampli-op

=o

v+ = v

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V.3 Montage INVERSUR

Cest le montage amplificateur oprationnel le plus utilis. Lentre + est relie la masse, V+ = 0

R2 R1 I I

ve

vs

Comme V+ = V- , on a aussi V- = 0 , on dit quon a une masse virtuelle sur lentre -, ce qui permet dcrire : Ve = R1 I , VS = - R2 I Do
vs R = 2 ve R1 vs = R2 v R1 e

masse virtuelle
Fig. V-3 : Amplificateur inverseur

Av =

V.4 Montage NON-INVERSUR

R2 R1 I I

Cette fois, lentre + est relie la tension dentre, V+ = V


Comme V+ = V- , on a aussi V- = Ve, ce qui permet dcrire :
e

vs

ve
Fig. V-4 : Amplificateur non-inverseur

Ve = R1 I VS Ve = R2 I Do
v s v e = R2

Cette fois, le gain est positif, il est toujours suprieur 1, on ne peut donc pas utiliser ce montage comme attnuateur.

ve R R v s = ve + 2 ve = ve 1+ 2 R1 R1 R1

Av = 1 +

R2 R1

V.5 Montage SUIVEUR

VS = Ve .

ve

+
Fig. V-5 : Amplificateur suiveur

vs

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V.6 Montage SOMMATEUR - INVERSUR

V1 = R1 I1 I1 = V1 / R1 V2 = R2 I2 I2 = V2 / R2 VS = -R I = -R(I1 + I2) = -R(V1/R1 + V2/R2)


V1 V 2 Vs = RB R + R 2 1 = R2 = RA

RB R1 I1 I

ve1 ve2

vs

R2

I2

Si

R1

Fig. V-6 : Sommateur inverseur

Vs =

RB ( V1 + V 2 ) RA

V.7 Montage SOMMATEUR NON-INVERSUR

RB
v+ = R 2 v 1 + R 1v 2 R1 + R 2

, v =

RA v RA + RB s

RA

R 2 v1 + R 1v 2 RA = v R1 + R 2 RA + RB s

ve1
R1

vs

ve2
vs = R A (R 1 + R 2 ) RA + RB

(R v

2 1

+ R 1v 2 )
vs =

R2
Fig. V-7 : Sommateur inverseur

Si R1 = R2 , L'expression devient : Si en plus RA = RB on obtient :

RA + RB (v1 + v 2 ) 2RA

v s = v1 + v 2

V.8 Amplificateur diffrentiel


v+ = R2 v R1 + R 2 2

RB RA

, v =

R B v1 + R A v S RA + RB

R2 R B v1 R A vS + v2 = R1 + R 2 RA + RB RA + RB R + RB vs = A RA
R2 RB v2 v1 RA + RB R1 + R 2

ve1 ve2

vs

R1 R2

Fig. V-8 : amplificateur diffrentiel

ou encore :

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R A + R B v2 v1 vs = R1 R RA 1+ A 1 + R2 RB

Si

RB RA R (v v1 ) = 1 , L'expression devient : v s = RA 2 RB R2 v s = v 2 v1

Si en plus RA = RB on obtient :

vC
V.9 Montage intgrateur

ve = R i i = Q = CV C Vc =
1 C

ve R d VC dQ =C =i dt dt
S

ve

i
+

vs

i ( t )d t = v

masse virtuelle
Fig. V-9 : montage intgrateur

1 v s = CR v e ( t )d t

V.10 Montage drivateur


dv d VC =C e dt dt vs = R i

i =C

vC ve
C masse virtuelle

i
+

dv vs = R C e dt

vs

Fig. V-10 : montage drivateur

V.11 Convertisseur courant tension

v S = R i

vx

i
+

vs

Fig. V-11 : convertisseur courant tension