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OUMNAD
Electronique Fondamentale
A. Oumnad
aoumnad@menara.ma
SOMMAIRE
I.
Notions gnrales...................................................................................................................4 I.1 Loi d'Ohm ............................................................................................................................4 I.2 Puissance..............................................................................................................................4 I.3 Les rsistances ..................................................................................................................5 I.3.1 Code de couleur 4 bandes ..........................................................................................5 I.3.2 Code de couleur 5 bandes ..........................................................................................5 I.4 Association de rsistances..............................................................................................6 I.5 La masse...............................................................................................................................6 I.6 Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs .............................................................7 I.7 Diviseur de tension............................................................................................................7 I.8 Les condensateurs.............................................................................................................8 I.8.1 Charge et dcharge d'un condensateur.....................................................................8 I.8.2 Association de Condensateur .......................................................................................9 II. Les Conducteurs et les semi-conducteurs...................................................................... 10 II.1 Les semi-conducteurs ..................................................................................................... 10 II.2 Agitation thermique .........................................................................................................11 II.3 Bande de Valence..............................................................................................................11 II.4 Bande de conduction ........................................................................................................11 II.5 Les conducteurs ................................................................................................................11 II.6 Les Isolants .......................................................................................................................11 II.7 Les semi-conducteurs intrinsques ............................................................................. 12 II.8 semi-conducteurs extrinsques ................................................................................... 12 II.8.1 Semi-conducteurs extrinsques de type N............................................................. 12 II.8.2 Semi-conducteurs extrinsques de type P.............................................................. 13 III. La jonction PN ....................................................................................................................... 13 III.1 Polarisation de la jonction PN ....................................................................................... 14 III.2 Caractristique de la diode ........................................................................................... 14 III.3 Diode Zener ...................................................................................................................... 15 III.3.1 Stabilisation par diode Zener ............................................................................ 16 III.4 Redressement des tensions (courants) alternatifs................................................. 17 III.4.1 Redressement simple (mono) alternance ......................................................... 17 III.4.2 Redressement double alternance ...................................................................... 18 III.4.3 Filtrage par condensateur en tte.................................................................... 19 IV. Transistor jonction ou transistor bipolaire ............................................................... 22 IV.1 Principe de fonctionnement : effet transistor........................................................ 22 IV.2 Rseau de caractristique du transistor .................................................................. 23 IV.3 Polarisation du transistor ............................................................................................. 24 IV.3.1 Polarisation par une rsistance de base ................................................................. 24
IV.3.2 Polarisation par pont.................................................................................................... 25 IV.4 L'opration d'amplification .......................................................................................... 27 IV.4.1 Grandeurs caractristiques d'un amplificateur.................................................... 27 IV.5 Transistor bipolaire en amplification......................................................................... 28 IV.5.1 Schma quivalent du transistor pour les petits signaux................................... 29 IV.5.2 Schma quivalent simplifi ...................................................................................... 30 IV.6 Montage metteur commun (EC) ..................................................................................31 IV.6.2 Impdance d'entre .................................................................................................... 33 IV.6.3 Impdance de sortie.................................................................................................... 33 IV.7 Montage collecteur commun (CC)................................................................................ 33 IV.7.1 Gain en tension.............................................................................................................. 33 IV.7.2 Impdance d'entre .................................................................................................... 34 IV.7.3 Impdance de sortie.................................................................................................... 34 V. LAmplificateur Oprationnel ........................................................................................... 36 V.1 Dfinition.......................................................................................................................... 36 V.2 Approximation ................................................................................................................. 36 V.3 Montage INVERSUR ...................................................................................................... 37 V.4 Montage NON-INVERSUR........................................................................................... 37 V.5 Montage SUIVEUR......................................................................................................... 37 V.6 Montage SOMMATEUR - INVERSUR ....................................................................... 38 V.7 Montage SOMMATEUR NON-INVERSUR.............................................................. 38 V.8 Amplificateur diffrentiel ........................................................................................... 38 V.9 Montage intgrateur...................................................................................................... 39 V.10 Montage drivateur........................................................................................................ 39 V.11 Convertisseur courant tension..................................................................................... 39
I.
NOTIONS GENERALES
I.1 Loi d'Ohm Si on applique une tension (pression) U aux bornes d'une rsistance R, il en rsulte la circulation d'un courant I li aux deux grandeurs prcdentes par la relation :
U = R I .
U : en Volt (V) R : en Ohm () I : en Ampre (A)
I U = Va - Vb + U Fig. I-1 : convention de dessin
I.2 Puissance Un composant ayant une tension U ses bornes et qui est travers par un courant I dissipe une puissance P (en gnral par effet joule = chauffement) telle que :
P = U I .
P est la quantit d'nergie dissipe pendant l'unit de temps (joule/seconde), elle est exprime en Watt (W) Dans le cas d'une rsistance, si on applique la loi d'ohm on obtient :
P = UI = RI 2 = U R
I.3 Les rsistances Les rsistances sont les lments les plus utiliss en lectronique. Leur fonction est de s'opposer au passage du courant, la loi d'ohm donne la relation entre la tension, la rsistance du circuit et le courant. L'unit de mesure des rsistances est l'Ohm. Les rsistances vendues dans le commerce sont marques avec un code de couleur qui permet de reconnatre leurs valeurs. Les systmes les plus utiliss sont le systme 4 anneaux et le systme 5 annaux.
I.3.1 Code de couleur 4 bandes
Noir
nombre de zros tolrance
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
chiffres significatifs
Fig. I-2 : code de couleur 4 anneaux
La lecture se fait de gauche droite partir de l'extrmit ou sont groups les anneaux. Les deux premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le troisime anneau indique le nombre de zros. Le quatrime anneau indique la tolrance : Or = 5%, Argent = 10 %
chiffres significatifs
Fig. I-3 : code de couleur 5 bandes
Les trois premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le quatrime anneau indique le nombre de zros. Le cinquime anneau indique la tolrance : Rouge = 2%, Or = 5%, Argent = 10 % Ainsi une rsistance marque : J Vi Ve R Or a une valeur de : 47500 5%
I.4 Association de rsistances Les rsistances peuvent tre associes soit en srie soit en parallle
Srie R1 R2 R = R1 + R2
R1 Parallle R= R2
Fig. I-4 : association de rsistances
R1 R2 R1 + R2
I.5 La masse Quand on parle de tension, il s'agit d'une diffrence de potentiel entre deux points d'un circuit. Ainsi, dans la figure ci-dessous, on a : V1 = VA - VB V2 = VB VC V3 = VC - VD U = VA - VD En lectronique, on a l'habitude de considrer un point du circuit comme rfrence de tension (tension zro) qu'on apple la masse. Les tensions aux diffrent point du circuit seront calcules par rapport ce point. En gnral, on prend pour masse la borne ngative de l'alimentation. Ainsi sur la figure ci-dessous, c'est le point D qui constitue la masse, on a donc VD = 0 zt on a : - Tension au point A = VA VD = VA - Tension au point B = VB VD = VB - Tension au point C = VC VD = VC -...
V1 A B V2
+ U masse D
Fig. I-5 : rpartition des tensions dans un circuit
V2
I.6 Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs Le schma de la figure (Fig. I-5) peut tre redessin comme suit et on constate d'une manire visuelle simple que U = V1 + V2 + V3 Or : V1 = R1 I1 V2 = R2 I1 V3 = R3 I2 = R4 I3 Il en rsulte que : U = R1 I1 + R2 I1 + R3 I2 ou U = R1 I1 + R2 I1 + R4 I3
A I1 R1 V1 B + U V2 C I2 V3 R3 masse R4 I3 R2
I.7 Diviseur de tension Il est toujours possible de calculer la tension en un point d'un circuit en utilisant correctement la loi d'Ohm et les rgles d'association des rsistances. Mais l'utilisation de quelques rgle simples peut faciliter les calculs.
R1 R1 R2 R1 V R3 U1 U2 + U3 R2
+ U -
R2
+ U1
+ U2
R2 V= U R1 + R2
R2 R1 V= U + U R1 + R2 1 R1 + R2 2
Fig. I-7 : Diviseurs de potentiel
1U + 1U + 1U R1 1 R2 2 R3 3 V= 1 + 1 + 1 R1 R2 R3
I.8 Les condensateurs Un condensateur est un composant constitu de deux armatures mtalliques spares par un isolant appel dilectrique. Pour C simplifier, on peut considrer le condensateur comme un rservoir qui peut emmagasiner des lectrons. Comme tout rservoir, il a un volume Fig. I-8 : condensateur d'emmagasinage qu'on appelle CAPACITE qu'on dsigne par la lettre C et qui se mesure en Farad. Les valeurs qu'on trouve dans le commerce vont de quelques picofarads (pF : pico = 10-12) quelques milliers de + microfarad (F : micro = 10-6). A partir de quelques F, la technologie de fabrication devient lectrochimique, les condensateurs sont alors polariss, ils ont une borne (+) et une Fig. I-9 : condensateurs polariss borne (-) et se comporte un peur comme une pile rechargeable qu'il ne faut surtout pas charger dans le sens inverse. Les condensateurs jouent des rles trs divers dans les montages lectroniques. Une configuration trs souvent rencontre est la charge et dcharge travers une rsistance sous l'effet d'un gnrateur de tension constante.
I.8.1 Charge et dcharge d'un condensateur
K1 Considrons le R montage de Fig. I-10, ds qu'on ferme K2 Vc C l'interrupteur K1, la E capacit commence se charger. Le courant de Fig. I-10 : charge et dcharge d'un condensateur charge est d'abord trs fort, puis il dcrot rapidement, en mme temps la tension Vc aux bornes du E condensateur croit rapidement au dbut et Vc ralentit ensuite. Quand la tension Vc est gale la tension E du gnrateur, la charge I s'arrte, Vc n'augmente plus et le courant de t charge s'annule, on obtient les variations Fig. I-11 : charge d'un condensateur illustres sur Fig. I-11. L'expression de la tension aux bornes du condensateur est donne par : - t VC = E 1 - e RC On ouvre maintenant l'interrupteur K1, Le condensateur conserve sa charge et la tension ses bornes reste constante. Si maintenant on ferme l'interrupteur K2, Le condensateur se dcharge travers R d'une faon similaire sa charge, au dbut la dcharge est rapide, ensuite elle ralentit jusqu' ce que le condensateur soit compltement dcharg
c..d Vc = 0. L'allure de la tension Vc est illustre sur Fig. I-12. L'quation de sa variation E est donne par :
VC = E e RC
D'une manire gnrale, l'quation d'une charge ou d'une dcharge d'une capacit C travers une rsistance R est donne par l'expression :
- t
- t
Vc t
Fig. I-12 : dcharge d'un condensateur
V(t) = V - (V - V0 ) e RC
I.8.2 Association de Condensateur
C1 Parallle C = C1 + C2 C2
Srie C1 C2
Fig. I-13 : association de condensateurs
C=
C1 C2 C1 + C2
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II.
Il n'est pas ncessaire de connatre en dtail le principe de fonctionnement (interne) des composants comme la diode et le transistor pour savoir s'en servir correctement. Nous allons quand mme donner (pour ceux qui dsirent en savoir un peu plus) quelques principes sans nous aventurer aligner les quations trop complexes de la physique du solide. II.1 Les semi-conducteurs Les semi-conducteurs doivent leur nom au fait que leur conductivit (rsistivit) est intermdiaire entre celle des conducteurs comme les mtaux et celle des isolants. En fait, la diffrence la plus caractristique rside dans le sens de la variation de la conductivit avec la temprature. Alors que la rsistance d'un fil mtallique augmente avec la temprature, Fig. II-1 : structure d'un SC celle d'un semi-conducteur diminue. Les semi-conducteurs les plus utiliss sont le silicium et le germanium qui sont des lments tetravalents qui appartiennent la quatrime colonne de la classification priodique des lments. Leurs atomes comportent quatre lectrons (de valence) sur la couche priphrique (couche de valence). Ces lments cristallisent dans un systme cubique, avec sur chaque cube lmentaire, un atome chaque sommet, un atome au centre de chaque face et 6 atomes l'intrieur. Avec cette structure, chaque Fig. II-2 : reprsentation des liaisons de valence dans un cristal de SC atome se trouve au centre d'un ttradre rgulier dans les quatre atomes voisins occupent les sommets (Fig. II-1). On sait qu'une couche lectronique est particulirement stable quand elle a 8 lectrons; les semi-conducteurs ralisent cette situation en mettant en commun chaque lectron de la couche de valence par deux atomes voisins, la figure Fig. II-2 illustre un exemple simplifi de ce cette situation. Cette figure n'est qu'une reprsentation commode, car, en ralit, un atome et ses 4 voisins ne sont pas situs sur le mme plan. Cette reprsentation n'est d'ailleurs pas trs bonne bien qu'elle soit largement utilise. En effet, les lectrons gravitent autour du noyau atomique comme les satellites gravitent autour de la terre. La stabilit de leur orbite rsulte de l'quilibre entre la force d'attraction lectrostatique exerce par le noyau la force centrifuge due leur rotation. Quand on dit que deux atomes voisins mettent en commun un lectron chacun, cela signifie que ces deux lectrons gravitent sur une orbite qui entoure les deux noyaux (Fig. II-3). Fig. II-3 : reprsentation des orbites
des lectrons de valences
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II.2 Agitation thermique Les particules qui constituent la matire sont en perptuel mouvement. Les lectrons tournent autour des noyaux, et ceux-ci, bien que figs dans le cristal, vibrent autour de leurs positions moyennes. Ces mouvements s'appellent l'agitation thermique dont l'ampleur augmente avec la temprature, et sarrette compltement au zro absolu (-273 C). II.3 Bande de Valence Nous avons vu comment les lectrons de la dernire couche taient coups assurer la liaison de valence avec les atomes voisins, c'est pour a qu'on les appelle les lectrons de valence. Leur niveau d'nergie se situe entre des limites qui constituent une bande d'nergie dite bande de Valence. II.4 Bande de conduction Si un lectron reoit une nergie suffisante par chauffement ou par rayonnement, il peut quitter son orbite et devenir libre dans le rseau cristallin d'une faon analogue un satellite auquel on communique une nergie suffisante pour le librer de l'attraction terrestre. Les lectrons libres ont leur nergie qui se situe dans une bande d'nergie dite bande de conduction, car, tants libres, ils peuvent participer la conduction d'un courant lectrique si un champ est appliqu au semi-conducteur.
II.5 Les conducteurs Dans les conducteurs, la bande de valence et la bande de conduction se chevauchent, il n'a pas de gap entre les deux. Un lectron n'a aucun mal de quitter son atome pour aller "vagabonder" dans le rseau cristallin, on dit qu'il passe dans la bande de conduction. L'nergie d'agitation thermique la temprature ambiante fait que chaque atome libre au moins un lectron qui voyage librement dans le cristal et on se retrouve avec un nombre extrmement de porteurs libres qui, ds qu'on cre un champ lectrique au sein du conducteur l'aide d'un gnrateur, vont tre attirs par la borne positive de ce dernier crant un courant lectrique important. II.6 Les Isolants Les isolant sont caractriss par une bande interdite trs importante sparant la bande de valence de la bande de conduction. Ce qui veut dire qu'il faut beaucoup trop d'nergie pour arracher un lectron de sa liaison de valence. Le rsultat est qu'on ne trouve aucun lectron libre dans le cristal et mme si on applique un champ lectrique, aucun courant n'en rsulte.
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II.7 Les semi-conducteurs intrinsques Dans ces semi-conducteurs idalement purs, il y a autant de trous que d'lectrons libres car les premiers apparaissent lors de la formation des seconds, on dit qu'il y a cration d'une paire lectron-trou. Le nombre d'lectrons est not ni. Si on applique un champ au sein du semi-conducteur en connectant un gnrateur de tension ses bornes, il circule un courant qui rsulte du dplacement des deux type de conducteurs, les lectrons libre vers le ple (+) du gnrateur et les trous vers le ple (-) du gnrateur. L'expression de la conductivit est : i = ni e (n + p). n est la mobilit des lectrons libres et p est la mobilit des trous. Pour le silicium n = 0.13 m2/Vs et p = 0.05 m2/Vs ce qui donne une conductivit i = 1.6 1016 1.6
1019(0.13 + 0.05) = 0.46 10-3 (m)-1 soit une rsistivit i= 1/i = 2200m. Quand la temprature augmente, la croissance de ni est trs importante ce qui
provoque une augmentation importante de la conductivit et donc du courant lectrique. II.8 semi-conducteurs extrinsques Ce sont des semi-conducteurs intrinsques dans lesquels on a introduit des atomes trangers qu'on appelle impurets ce qui va modifier compltement leurs caractristiques lectriques. Cette opration d'injections d'impurets s'appelle dopage d'un semi-conducteur.
C'est le cas o les atomes trangers sont lectron pentavalents (antimoines, phosphore, arsenic) c.a.d. qu'il libre Si ont 5 lectrons sur la couche priphrique (de valence). Parmi ces 5 lectrons, 4 vont tre mis en commun avec les atomes voisins pour assurer les liaisons de valence, le Si P Si me 5 , rest libre, peut ce dplacer et participer la conduction. On dit que les impurets utiliss sont des donneurs (d'lectrons). Bien que l'lectron devenu libre Si laisse un ion positif derrire lui, celui ci (constitu de l'atome donneur) a 8 lectrons sur sa couche de Fig. II-4 : dopage par atome donneur valence, il n'a pas tendance capter l'lectron d'un atome voisin, ce n'est donc pas un trou (porteur) car il ne participera pas au courant de trous (par le mcanisme de dplacement de trou qui lieu chaque fois qu'un atome ionis comportant un trou capte un lectron de l'atome voisin pour complter sa dernire couche). Le dopage par des atomes donneurs va donc favoriser la conduction par lectrons libres au dtriment de la conduction par trous. On dit que les lectrons constituent les porteurs majoritaires. Comme il sont porteurs de charge ngatives, le semi-conducteur extrinsque est dit de type N.
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Ici, les atomes d'impuret sont des accepteurs (bore, aluminium, gallium, indium), ils ont seulement trois manque un Si lectron lectrons sur la couche de valence. Si on les introduit dans un cristal intrinsque, ils mettent en commun leurs 3 lectrons avec les 4 atomes du semi-conducteur qui les In Si Si entourent pour former les liaisons de valence. Ils se trouvent la fin avec 7 (3+4) lectrons sur la couche de valence, cette configuration est instable et aura Si tendance capter un lectron d'un atome voisin pour Fig. II-5 : dopage par atome complter sa couche 8 lectrons. Ds que cet lectron accepteur est capt, l'atome Accepteur devient un ion ngatif et introduit un trou dans le cristal qui va participer la conduction par trou. Aucun lectron libre n'a t cre lors de la formation du trou, les trous sont donc beaucoup plus nombreux que les lectrons, ils constituent les porteurs majoritaires et le semi-conducteur est de type P. III. LA JONCTION PN
P N Si on place l'un contre l'autre deux cristaux semi-conducteurs, un de type P et l'autre de type N, au voisinage de la jonction ainsi effectue, le lectrons majoritaire du cot N vont diffuser vers le cot P et trous majoritaires du ct P vont P N diffuser vers le ct N. Les lectrons passs du cot P vont se recombiner avec Ei les trous abondants de ce ct, et les trous passs du ct N vont se recombiner avec Fig. III-1 : Jonction PN les lectrons abondants de ce cot. Il se cre alors une rgion sans porteurs o il n'y a plus que des ions positifs du cot N et des ions ngatifs du cot P. Cette rgion dite, zone de charge d'espace ou zone dpeuple n'est plus neutre lectriquement. De part et d'autre de la jonction, il existe une double rpartition des charges assez semblable celle que l'on trouve sur les armatures d'un condensateur, les charges positifs d'un ct, les ngatifs de l'autre. Il se cre alors un champ lectrique interne Ei orient de N vers P qui va s'opposer la diffusion des porteurs de part et d'autre de la jonction. En effet, si un lectron arrive dans la zone dpeuple, il sera rappel par le champ vers la zone d'o il vient. De la mme faon, les trous qui arrivent dans cette zone sont renvoys par le champ dans la zone P d'o ils sont venus. Si on reprend le phnomne depuis le dbut, au fur et mesure que les porteurs diffusent de part et d'autre de la jonction, les charges d'espace (+) et (-) augmentent et le champ augmente avec elles. Plus le champ augmente, plus la diffusion des porteurs est freine, on dit qu'il y a cration d'une barrire de potentiel qui empche les
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porteurs de traverser la jonction. Il arrive un moment o il s'tablit un quilibre statistique, tout se passe comme si aucun lectron n'arrive diffuser du cot P et aucun trou n'arrive diffuser du cot N, les charge (+) et (-) de chaque ct de la jonction cessent d'augmenter et le champ aussi. III.1 Polarisation de la jonction PN On dit qu'une jonction PN est polarise en directe P Ei N lorsqu'on relie l'extrmit P au ple (+) et l'extrmit N au Eext ple (-) d'un gnrateur de tension (Fig. III-2). Le champs U externe Eext cre par ce gnrateur au sein de la jonction s'oppose au champ interne Ei. Tant que la tension U du Fig. III-2 : jonction PN gnrateur reste infrieure un certain seuil, Eext reste polarise en directe infrieur Ei, et les porteur ne peuvent toujours pas traverser la jonction, il n'y a donc pas de courant. Si la tension du gnrateur devient suprieure au seuil, Eext devient suprieur Ei, le champ rsultant dans la jonction est maintenant orient de P cers N et va donc favoriser la diffusion des lectron de N vers P et des trous de P vers N. Il se cre alors un courant lectrique important de P vers N au sein de la jonction (de N vers P dans le circuit extrieur). On dit que la diode est passante. Le seuil de tension partir duquel la diode devient passante est d'environ 0.2V pour le germanium et 0.65V pour le silicium. P Ei N On dit qu'une jonction est polarise en sens inverse Lorsque le potentiel de son extrmit N est suprieur celui Eext de son extrmit P (Fig. III-3). L'action du champ Eext crs U par le gnrateur externe d'ajoute celle de champ interne Ei , les porteurs majoritaire sont repousss encore un peu Fig. III-3 : jonction PN polarise en inverse plus loin de la jonction ce qui augmente la largeur de la zone dpeuple. Aucun courant important ne circule dans la jonction, on dit qu'elle est bloque. Le seul courant qui arrive a passer est celui cr par les porteur minoritaires dont la diffusion est encourage par le champ. Ce courant reste cependant trs faible, si bien qu'on peut considrer qu'une jonction PN polarise en inverse correspond une rsistance trs leve ou mme un circuit ouvert. III.2 Caractristique de la diode Une diode est un composant lectronique obtenu en recouvrant une jonction PN par une couche protectrice en plastique afin d'en faciliter sa manipulation. (Fig. III-4) Quand la diode est polarise en direct, si on note VD la tension applique ses bornes, alors elle est traverse par un courant ID t.q:
P N
Anode
Cathode
Fig. III-4 : diode
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D V ID = I o e 1
avec =
kT q
I D (mA) 80 70
60 charge de l'lectron. A la temprature 50 ambiante (T=300 K), = 26 mV. 40 Io est le courant inverse de la diode, 30 il ne dpend pas de la tension de 20 10 polarisation, mais dpend fortement de VD (V) la temprature. A la temprature 0.2 0.4 0.6 0.8 25 C ambiante (25 C), sa valeur ne dpasse gure le nA, 125 C, sa valeur est 125C Fig. III-5 : caractristique de la diode multiplie par 16000. Sur la figure (Fig. III-5) lchelle de la tension et du courant nest pas la mme dans le sens directe et le sens inverse.
III.3 Diode Zener Lorsque la diode est polarise 80 en inverse, le courant inverse qui 70 la traverse est quasiment nul. On Vz 60 ne peut cependant pas augmenter 50 Iz indfiniment la tension inverse aux 40 30 bornes dune diode. Lorsque cette 20 tension atteint une certaine 10 Vz valeur, le champ lectrique qui VD (V) rgne dans la jonction devient 0.2 0.4 0.6 0.8 10 suffisamment lev pour ioniser 20 les atomes en leur arrachant les 30 40 lectrons de valence qui 50 deviennent libres et gnrent un 60 courant inverse trs important. On 70 dit quil y a un effet davalanche ou 80 quil y a claquage de la diode. La tension aux bornes de la diode I z (mA) reste constante quel que soit le Fig. III-6 : caractristique de la diode Zener courant inverse qui circule dans la diode. Cette tension dite tension de claquage VB (breakdown voltage) reste importante pour les diodes usage gnral (quelques 100ne de Volts), sa valeur est prcise par les constructeurs pour chaque type de diode. La diode Zener est une diode pour laquelle on a utilis des semi-conducteurs N et P trs fortement dops ce qui a comme effet de rduire la tension de claquage
I D (mA)
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VB qui sera appele tension Zener VZ . Durant la fabrication, on sait contrler avec prcision la valeur de VZ. Les diodes Zener sont fabriqu pour tre utiliss en
inverse dans la zone davalanche. Dans ce cas, la tension ses bornes reste gale VZ quelque soit le courant Iz qui la traverse. On lappelle diode stabilisatrice de tension. Evidemment, une Zener polarise en directe fonctionne comme une diode normale.
III.3.1 Stabilisation par diode Zener
R=100 I Avec le montage de la figure Fig. III-7, on va essayer de stabiliser la tension aux bornes la charge RL IZ IL E laide dune diode Zener (VZ=5V). RL Pour les faibles valeurs de E, la Zener reste Vz=5V 200 bloque, la tension VL aux bornes de RL sera calcule comme si la Zener tait absente. Ds que VL dpasse Fig. III-7 : stabilisation par zener VZ, la Zener conduit et VL reste gale VZ .
a) E = 3V
VL =
RL + R VL < VZ , donc la Zener est bien bloque, tout le courant I passe de la charge, E 3V IL = I = = = 10 mA R L + R 0 .3 K VL = 2 V , I L = 10 mA
b) E = 6V
RL
E =
200 3 =2 V 300
VL =
RL + R VL < VZ , donc la Zener est encore bloque, tout le courant I passe de la charge, E 6V IL = I = = = 20 mA R L + R 0 .3 K VL = 4 V , I L = 20 mA
c) E = 9V
RL
E =
200 6 =4 V 300
VL =
RL
E =
200 9 =6 V 300
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d) E = 12V
IZ
R L 0 .2 K = I I L = 35 mA
0 .1 K
V L = 5 V , I L = 25 mA
En conclusion, on remarque que tant que la Zener est bloque, la tension VL aux bornes de la charge nest pas stabilise. Tout se passe comme si la Zener ntait pas l. Ds que la Zener conduit, la tension aux bornes de la charge est stabilise la valeur VZ, le courant dans la charge RL reste gal VZ/RL , et cest le courant Iz qui circule dans la Zener qui varie pour compenser les variations de I.
III.4 Redressement des tensions (courants) alternatifs Le but du redressement est la transformation des tensions alternatives en tensions continues pour alimenter les charges qui doivent tre alimentes toujours dans le mme sens.
III.4.1 Redressement simple (mono) alternance
IL Pour simplifier on va considrer la diode comme un interrupteur parfait (Vi = 0 et ri = 0) : Ve > 0 Diode passante interrupteur ferm Secteur RL V V e L VL = Ve Ve < 0 Diode bloque interrupteur ouvert VL = 0 Fig. III-8 : redressement mono-alternance
On constate sur Fig. III-9 que la tension redresse est toujours positive mais elle est encore loin dtre continue. Calculons sa composante continue qui nest rient dautre que sa valeur moyenne :
VL =
1 1 VL ( t ) dt = 2 0 2
2 0
E sin( ) d
Ve
E 2 0 = sin( ) dt = [cos( ) ] 0 E VL =
A linstant = 3/2, la tension inverse aux bornes de la diode atteint sa valeur maximale : VD = Ve - VL = -E - 0 = -E
VL
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Pour que VL sapproche un peu plus dune tension continue, on va redresser les deux alternances.
III.4.2.1 Montage base de transformateur point milieu
Si on prend le point milieu du transformateur comme rfrence, les tensions de sortie du transformateur V1 et V2 sont en opposition de phase (Fig. III-10). Pendant lalternance positive de V1, (ngative de V2), la diode D1 conduit et alimente la charge alors que la diode D2 est bloque (Fig. III-12) VL = V1. Pendant lalternance ngative de V1, (positive de V2), la diode D1 est bloque alors que la diode D2 conductrice, alimente la charge (Fig. III-12) VL = V2. La charge se trouve ainsi alimente pendant les deux alternances. La tension VL est reprsente sur Fig. III-10.
D1
V1
v1 RL
Secteur
IL
v2
vL
D2
V2
D1
v1 RL
Secteur
IL
vL
VL
D
RL Secteur
IL
v2
vL
D2
Le redressement double alternance est obtenu D1 D4 laide dun pont redresseur 4 diodes (Fig. R L IL Secteur Ve III-14). vL D2 D3 Pendant lalternance positive de Ve , les diodes D1 et D2 sont conductrice et alimentent la charge Fig. III-14 : redresseur double alternance pont (VL = Ve), les diodes D3 et D4 sont bloque (Fig. III-15). Pendant lalternance ngative de Ve, les diodes D3 et D4 sont conductrice et alimentent la charge, (VL = -Ve) les diodes D1 et D2 sont bloque (Fig. III-15). Le
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rsultat est que la charge est alimente toujours dans le mme sens, la tension VL est la mme que celle de Fig. III-10.
D1 Secteur RL D4 Secteur
Ve
D2
IL
Ve
RL
IL D3
vL
vL
Fig. III-16 : alternance ngative
VL =
III.4.2.3 Tension inverse maximale
2E
Montage point milieu : Pendant la premire alternance, la diode D2 est bloque, la tension inverse ses bornes atteint sa valeur max linstant = /2, VD = V2 - V1 = -E - E = -2E. Pour la diode D1, cette valeur est atteinte linstant Montage pont : Pendant lalternance positive de Ve, les diodes D3 et D4 sont bloques, la tension inverse leurs bornes atteint sa valeur max linstant = /2, VD3 = VD4 = 0 - Ve = 0 - E = -E.
III.4.3 Filtrage par condensateur en tte
IL
= 3/2.
RL Le filtrage est ralis laide dun V V e L condensateur de forte valeur plac en parallle de Secteur C la charge RL comme cela est indiqu sur Fig. III-17. Lallure de la tension VL obtenue est Fig. III-17 : redressement et filtrage illustre sur Fig. III-18 pour C=2200 F et sur Fig. III-19 pour diffrentes valeurs de C. La diode conduit pendant lintervalle [a, b b b], la tension VC = VL suit b alors la valeur de Ve. A a a a linstant b, Ve diminue VL VL rapidement, la capacit ne peut se dcharger dans le transformateur cause de la diode, elle va donc se dcharger (alimenter) dans la 10 20 30 40 50 60 ms charge RL avec la constante 0 Fig. III-18 : Tension VL avec R=100 et C=2200 F de temps =RL C. Si la valeur de C est importante, cette dcharge est lente et Ve devient trs vite infrieure VL ce qui provoque le blocage de la diode. On constate donc que pendant la quasi
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4700F totalit du temps, la charge RL 2200F 1000F est alimente par le 470F condensateur qui est recharg chaque priode pendant lintervalle de temps [a,b]. La tension VL aux bornes de 100F la charge nest pas tout fait continue, mais comporte une ondulation damplitude V qui R =100 est dautant plus faible que la 0 20 ms 10 Fig. III-19 : Tension V avec R=100 et diffrentes valeurs de C L valeur de C est leve (Fig. III-19). Essayons de dterminer lexpression de londulation V et de la valeur moyenne VL .
linstant t = a, on aura 2V = E - E. Si la valeur de C est importante, la dcharge dure quasiment toute la priode T et on aura : T T 2 V = E E' = E Ee R LC = E 1 e RLC Le terme
t R LC
. Si on note E la valeur de VL
T R LC
En gnral la rsistance RL nest pas connue et cest plutt le courant moyen IL fourni par lalimentation ainsi obtenue qui permet de la caractriser. Sachant que V L est voisine de E, on peut crire E = RL IL la place de V L = RL IL ce qui donne RL = E / IL do : Application numrique :
V =
IL 2 Cf
et VL = E