Exercice I :00000 Réalisation d'un JFET

On désire concevoir un transistor à effet de champ à jonction canal 'N' en silicium.

Pour cela on dispose d'une plaquette de silicium de type P et de résistivité 1.4 10 -3
.cm. On prendra la température ambiante T telle que :
kBT = 25 meV., µn (T) = 1.4 103 cm2.V-1.s-1. , µp (T) = 4.5 102 cm2.V-1.s-1. , ni2 = 1031 m-6 ; 
= 10-10 F/m, q = 1.6 10-19 C.

1°) Calculer le dopage de la plaquette. 1.0 1019 cm-3.

2°) On prévoit de réaliser une couche "N" épitaxiale de 2.0 µm d'épaisseur et de
résistivité 0.9 . cm. Calculer le dopage de la couche. 5.0 1015 cm-3.
3°) On décide que la longueur des contacts du composant sera 0.1 cm et que la
distance entre le contact de source et le contact de drain sera de 40 µm (figure ci-
contre). Calculer la résistance entre ces deux contacts quand la grille n'est pas encore
réalisée. 0.24 k
4°) Pour réaliser la grille, on effectue une couche superficielle (épaisseur négligeable) de
type P (dopage NA = 1.0 1019 cm-3. ) uniforme sur une largeur de 30 µm entre la source
et le drain. Calculer la résistance drain-source pour une tension grille-source nulle.
0.31 k
5°) Quelle doit être la tension de la barrière pour que le canal soit fermé. En déduire la
tension nécessaire à appliquer sur la grille quand la source et le drain sont au
potentiel zéro. 4.0 V.
6°) Quelle doit être la tension entre la grille et la source pour avoir une variation d'une
décade de la résistance drain-source. - 2.8 V.
Exercice II :

Sur la figure 1, on considère la structure simplifiée d’un transistor JFET à canal N

ayant les propriétés suivantes : NA=1019 cm-3, ND=2 .1017 cm-3 et a=0,1 m. La longueur
et la largeur de la grille sont respectivement L et Z.

1) Comment doit être polarisée la jonction grille-canal dans un JFET à canal N ?

Préciser le sens de circulation des électrons puis celui du courant dans la structure.
2) Calculer la tension de diffusion Vd de la jonction grille-canal.
3) Calculer l’extension de la zone de charge d’espace W0, à l’équilibre
thermodynamique, de cette jonction. En déduire la hauteur du canal en nm.
4) Calculer la tension de pincement Vp0.
5) On polarise négativement la grille avec une tension VGS=VG (VS=0) et on applique une
tension VDS entre la grille et la source :
a. Exprimer l'épaisseur W de la ZCE de chaque jonction en l'absence de tension grille.
En déduire son expression lorsque la tension VG est appliquée sur la grille.
b. Exprimer la résistance dR présentée par une tranche de canal située à l'abscisse x
et d'épaisseur dx.
c. En posant que : est la conductivité du canal , la

conductance du canal sans zone désertée , la tension interne de

pincement, et en intégrant de x = 0 à x = L, en déduire l’expression du courant I D.

Données :
* Permittivité du silicium : Si=10-12 F/cm,
* Densité de porteurs intrinsèque ni²=2,5 ×1020 cm-6 ,
* Charge élémentaire de l’électron q=1,6 ×10-19 C