EXERCICE 1 CORRECTION

Question 1

Dans un conducteur, il y a un seul type de porteurs, ce sont les électrons.

Question 2

Les électrons se déplacent en sens contraire du sens conventionnel du courant donc ils partent
de B pour arriver à A.

Question 3

Densité de courant par unité de surface :

AN : vd = 8 10-3 /(0.1 10-6 * 1.6 10-19 * 8.0 1028) = 1.0/1.6 10-5 m/s donc vd 6.2 10-6 m/s.

Question 4

t = 2 L / vd donc t = 2.0 1.6 105 = 3.2 105 s. soit 3.7 jours (3 jours 17 h)

La date d’arrivée est : aux environs du 22 Décembre à 01 h.

Remarque : Donner une date plus précise (minutes, secondes) exige une trop grande précision pour les
données.

Question 5

Résistivité du conducteur :  = 1.6 10-8 .m ;

Résistance d’un cable : R =  L/S = 1.6 10-8 * 1.0/0.1 10-6 = 0.16 

La résistance de la liaison ( 2*0.16 = 0.32  < 1 % de la résistance R) sera donc négligée.

VAB = R * I = 47 * 8.0 10-3 = 0.376 V VAB 0.38 V.

Question 6

Mobilité porteurs positifs : 4.5 10-2 m2.V-1.s-1., résistivité : p = 47 * 1.0 10-6/2.0 10-3 .m.

Si NA2 >> 4 ni2 alors p = 1/p = donc : NA = 1.0/(q p µp) ;

A.N. : NA = 2.0 10-3 /(1.6 10-19 * 47 * 1.0 10-6 * 4.5 10-2) = 5.9 1021 m-3 .

ni2 = 1.0 1032 m-6 donc NA2 >> 4 ni2 alors NA = 5.9 1015 cm-3
 Question 7

VAB est une petite variation de VAB créée par une petite variation T de T0. Le circuit est
alimenté à courant constant donc I = 0 et µp(T) = k T-3/2 alors :

VAB/VAB  R/R = - p/p = - µp/µp = 1.5 T/T0 donc : VAB/T = 1.5 VAB /T0

A.N. VAB/T = 1.5 * 0.38/300 = 1.9 10-3 V/° C et : VAB/T = 1.9 mV/°C.

Question 8

Du côté N de la jonction le niveau de Fermi se trouve à

En de minimum de la BdC :

Du côté P de la jonction le niveau de Fermi se trouve à

Ep du maximum de la BdV :

Lorsque la jonction est à l’équilibre thermodynamique

et non polarisée l’alignement des niveaux de Fermi
entraîne :

Eg = qVb + En + Ep 

mais NcNv = ni2 exp(Eg/kBT) ; en remplaçant NcNv dans l’expression de qVb on trouve :

Question 9
Dans on fait NA = 100 ND = 100 N ; on obtient :

que l’on met sous la forme : (cm-3 )

A.N. N = 1.0 1015 exp(0.65 *20) = 4.4 1020 m-3 donc ND = 4.4 1014 cm-3 , NA = 4.4 1016 cm-3

Question 10

On suppose que la zone désertée commence du côté P à x = - xp et se termine du côté N à x =

+ xn, son épaisseur est :

W = xp + xn (1)

On applique la loi de GAUSS du côté P :

dEp(x)/dx = v(x)/= - qNA/ou est la permittivité du semiconducteur. En intégrant et en

tenant compte de la condition aux limites : Ep(-xp) = 0 on trouve :

le champ décroît linéairement d’une valeur nulle à la valeur la plus négative : Ep(0).
 On applique la loi de GAUSS du côté N :

dEn(x)/dx = v(x)/= qND/

En intégrant et en tenant compte de la

condition aux limites : En(xn) = 0 on trouve :

;
Le champ croît linéairement de la valeur la plus
négative : En(0) à 0.

Pour x = à on a : En(0) = Ep(0) = EM on en

déduit :

ND xn = NA xp (2)

Vb : la tension de la barrière de potentiel

en remplaçant Ep et En par leurs expressions; en

intégrant on trouve :

en tenant compte que : xn = NA xp/ ND on trouve :

en tenant compte que : xp = ND xn/ NA on trouve :

en conséquences :

comme NA = 100 ND = 100 N

A.N. W  1.4 µm

Dans le cas de la jonction abrupte, la forme du champ électrique est triangulaire et :

EM= - 2 Vb/W A.N. EM= - 2 *0.65/1.4 10-6  - 9.6 105 V/m EM  - 9.6 kV/cm.

Question 11

L’expression du courant de saturation dans le cas de la jonction abrupte idéale est :

; en utilisant et

et en tenant compte de la loi d’Einstein : et de l’égalité des

durées de vie, on trouve :

A.N. =
3.5 10-6 A/m2. = 3.5 10-10 A/cm2

Question 12
Calcul de la tension aux bornes du générateur :

Avec la jonction on trouve la résistance série (3.0 ) et la résistance de l’échantillon de

silicium P (47 ), on peut donc considérer une résistance série totale Rt = 50 .

VAB = Vj + Rt ID et Vj = kBT/q Log(ID/Is)

A.N. VAB = 0.025 Log(8.0 10-3/3.0 10-13) = 0.60 V. + 50 *0.008 = 1.0 V VAB = 1.0 V.

Calcul du coefficient de température :

La résistance série de D et la résistance R étant en silicium, elles ont la même évolution en

fonction de température on a donc :

VAB(T) = Vj(T) + Rt(T) ID(T) (A);

(B) et

Is(T) = A T3 exp-(Eg/kBT) (C) :

une petite variation T de la température donne :

VAB(T) = Vj(T) + Rt(T) ID(T) + Rt(T) ID(T) ;

alimentation à courant constant  ID(T) = 0 et Rt(T)/Rt(T) = 1.5 T/T donc :

VAB(T) = Vj(T) + 1.5 T/T Rt(T) ID(T) (D) ;

à partir de la relation B on trouve :

ID(T)/ ID(T) = 0 = Is(T)/ Is(T) + q/kBT Vj(T) - q/kBT Vj(T) T/T

l’évolution du courant de saturation en fonction de la température permet d’écrire :

Is(T)/ Is(T) = (3 + Eg/kBT) T/T

en reportant dans l’expression précédente on trouve :

Vj(T) = (Vj(T) - Eg/q – 3 kBT/q) T/T ;

l’expression de Vj(T) est reportée dans l’équation D :

VAB(T) = [Vj(T) - Eg/q – 3 kBT/q + 1.5 Rt(T) ID(T)]T/T

mais VAB = Vj + Rt ID. Ce qui donne pour une petite variation T autour de T0 :
 VAB(T0)/T = [VAB(T0) + 0.5 Rt(T0) ID(T0) - Eg/q – 3 kBT0/q]/T0

A.N. : VAB(T0)/T = [1.0 + 0.5 50 8.0 10-3- 1.12 – 3 0.025]/300 = 1.7 10-5 V/°C.

VAB(T0)/T = 1.7 10-2 mV/°C.

Le coefficient de température est très faible cela signifie que la tension varie très peu en
fonction de la température.

EXERCICE 2 CORRECTION

Question 1

Niveau du vide : énergie de l'électron isolé, au repos, dans le vide.

Travail de sortie : énergie qui sépare le niveau de Fermi du niveau du vide.

Affinité électronique : énergie qui sépare le minimum de la bande de conduction du niveau du

vide.

Question 2

Pour que le contact métal-semiconducteur de type N présente une barrière il faut que le travail
de sortie du métal soit supérieur au travail de sortie du semiconducteur ‘N’.

Question 3

La relation entre le travail de sortie du métal et les caractéristiques du semiconducteur N

sont :
A.N.

ND = 1025 exp-40(4.7-4.0-0.53) = 1.1 1022 m-3 : ND = 1.1 1016 cm-3

Question 4

Hypothèse de SHOCKLEY : zone désertée d'épaisseur W. A partir de la loi de GAUSS :

A.N.

ND = 1.0 1022 m-3; s = 1.0 10-10 F/m; Vb = 0.53 V  W = 0.26 µm et Cj/S = 3.9 104 pF.cm-2

Question 5

Pour polariser une barrière métal-semiconducteur 'N', il faut porter, à l'aide d'une source
extérieure, le métal à un potentiel positif par rapport au semiconducteur.

Si ID est le courant traversant la barrière et I0 le courant d'émission des électrons du métal vers
le semiconducteur et Vj la tension appliquée par le source extérieure sur la barrière on a :

ID = I0 [exp(qVj/kBT) - 1] ; en polarisation directe Vj > 0 : ID = I0 exp(qVj/kBT)

Donc :

Vj = kBT/q Log(ID/I0)

A.N.

ID/I0 = 1.0 106 ; Vj = 0.025 Log 106 = 0.345 V.; donc Vj = 0.35 V.

Question 6

Sans polarisation extérieure, le champ maximum dans la barrière se situe sur l'interface métal-
semiconducteur et sa valeur est : EM = - 2 Vb/W.

Quand une tension inverse est appliquée (métal à un potentiel négatif par rapport au
semiconducteur), le champ maximum va augmenter et il atteindra la valeur du champ
d'avalanche Eav pour une valeur de la tension extérieure appelée Vz : tension de claquage
inverse.

La relation donnant la valeur de la tension de claquage est :

Vz = - Vb[(Eav/EM)2 – 1]

A.N.

Vz = -0.53[(1.0 107/4.12 106)2 – 1] = -2.5 V donc Vz = - 2.5 V.

Question 7

Pour réaliser un contact ohmique métal-semiconducteur 'N' deux cas sont possibles :

1°) on dispose d'un métal dont le travail de sortie est inférieur au travail de sortie du
semiconducteur dopé N. Dans ce cas, le dépôt de métal sur le semiconducteur réalise un
contact ohmique.

2°) le métal utilisé ne répond pas à la condition précédente. Dans ce cas, par diffusion
d'impuretés donneuses on réalise une couche très dopée (couche tampon) et la barrière métal-
semiconducteur obtenue est tellement mince qu'elle peut être traversée par les porteurs grâce à
l'effet tunnel.

Correction de l'exercice.

Question 1

A.N. ni2 = (2.5 1025)2 (0.023 * 0.4)3/2 exp- 0.36/0.0253 = 3.641041 m-6 ; ni = 6.04 1020 m-3 donc :

ni = 6.04 1014 cm-3

Question 2 .

La résistivité intrinsèque est l'inverse de la conductivité intrinsèque et :

A.N.

i = 1.6 10-19 6.04 1020 (3.3 + 0.046) = 3.23 102

 i = 1/ i = 3.1 10-3 ohm.m donc résistivité intrinsèque = 0.31 ohm.cm

A partir de maintenant on considère l'InAs dopé N avec ni = 2.0 1020 m-3 et la densité des
porteurs négatifs dix mille fois plus grande que la densité des porteurs positifs donc n = 104 p

Question 3

n p = ni2 donc p * p 104 = ni2 ce qui donne p = ni/100 et n = 104 p = 100 ni

A.N.

p = 2.0 1012 cm-3 et n = 2.0 1016 cm-3

Question 4

A la température ambiante, la densité des porteurs majoritaires négatifs est donc dix mille fois
plus grande que la densité des porteurs minoritaires positifs donc :

N = q n µn = q ND µn = 1/ N

A.N.

N = 1.6 10-19 2.0 1022 3.3 = 10.6 103 (.m)-1 donc : N = 9.5 10-3 .cm

Question 5

La diode réalisée à une surface S = (1.0 10-4)2 = 10-8 m2, le dopage de la partie N est ND = 2.0
1022 m-3. La durée de vie des trous du côté N et la durée de vie des électrons du côté P valent
toutes les deux 1.0 10-5 s.

qVb = kBT0 LogNAND/ ni2 donc : NA = 1/ND * exp(qVb/ kBT0)

A.N.

NA = (2.0 1020)2/2.0 1022 * exp(0.045/0.0253) = 1.06 1026 m-3 donc : NA = 1.0 1020 cm-3

Remarque le dopage de la partie P de la jonction est beaucoup plus fort que le dopage de la
partie N, on a affaire à une diode P+N.

Question 6

La jonction est supposée abrupte donc l'épaisseur de la zone désertée peut se mettre sous la
forme :

W = (2 Vb/qND)1/2 car NA >> ND

La capacité de la jonction est alors : Cj = S/W

A.N.
 = 0r = 8.84 10-12 * 14.6 F/m, W = 0.19 µm; Cj = 6.8 pF

Question 7

L'expression du courant de saturation théorique d'une jonction est :

Comme NA>> ND, l'expression précédente se simplifie et on trouve : Is = 0.34 nA