Cours Electronique Et Systeme (AStito)

Electronique II – Licence EEA Semestre 5 Par Abdelali ASTITO Electronique II – Licence EEA Semestre 5 Par Abdelali ASTITO
ROYAUME DU MAROC ‫اﳌﻤﻠﻜﺔ اﳌﻐﺮﺑﻴﺔ‬

UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
‫ﺟﺎﻣﻌﺔ ﻋﺒﺪ اﳌﺎﻟﻚ اﻟﺴﻌﺪي‬ CHAPITRE - 1
‫ﻛﻠﻴﺔ اﻟﻌﻠﻮم و اﻟﺘﻘﻨﻴﺎت‬
TANGER ‫ﻃﻨﺠﺔ‬ Transistor à effet de champ (Rappels)
I - Structure - symbole - fonctionnement

1) Structure
Grille
Le transistor à effet de champs
(ou FET ou JFET) est
Cours P constitué d'un barreau de semi-
conducteur faiblement dopé
Electronique II Source N Drain
(ici N) et de deux zones
fortement dopées (dans ce cas
Licence EEA – S5 P P). Les deux zones P sont
reliées entre elles, et reliées à
2014/2015 l'extérieur par une électrode
appelée grille (ou gate). Les extrémités du barreau N sont reliées à deux
électrodes : Drain et source, on appelle canal la zone N entre le drain et la
source. Le FET représenté ici est dit à canal N. Si on inverse le dopage on
obtient un transistor à effet de champ à canal P.
2) symbole
A. ASTITO D
D
www.astito.net ID
ID
G
VDS G
VDS
VGS
VGS
S
S
1) Fonctionnement
En fonctionnement normal, la jonction G-S est polarisée en inverse. Dans notre
cas, nous choisissons le fonctionnement d'un TEC à canal N (VGS est donc
inférieure à 0, VGS < 0)
Page 1 sur 60 FST Tanger 2015 / 2016 Page 2 sur 60 FST Tanger 2015 / 2016
II – Fonctionnement en statique
2) circuits de polarisation
Polarisation automatique
Malgré que la grille et le drain doivent être polarisés avec des signes de tension
différents par rapport à la source, on peut polariser le FET à l'aide d'une seule
source de tension VDD en réalisant le montage ci dessous. Aucun courant ne
pénètre dans la grille, le courant ID qui traverse la résistance RS. se trouve donc
intégralement dans la résistance RS.
On peut donc écrire : VDD = VDS + RDID + RSID

VDD = V DS +( RD +RS )ID
V DS V DD
Ou ID = - 
RD  R S RD  RS
Qui est l'équation de la droite de charge statique
La grille se trouve automatiquement à un potentiel négatif par rapport à la
source VGS = -RSID.
Le point de repos est déterminé par le système d'équation suivant:
VGS = -RSID
2 A partir de ce schéma équivalent on peut calculer les caractéristiques de
 VGS 
ID = IDSS 1   l'amplificateur :
 VP 
V DD  V DS Exercicie : Calculer :
ID =
R D  RS
ID0,VDS0,VGS0 Le gain en tension AV = Vs/ve
L'impédance d'entrée Ze ) Ve/ie

III - Fonctionnement en dynamique.
Et l'impédance de sortie
1) Montage source commune.
Reprenons le montage du paragraphe (polarisation automatique) que nous

complétons par:
- les condensateurs de liaison ce et cs.
- Le condensateur CS en parallèle avec RS. il a a pour but de mettre la source à
la masse pour le fonctionnement en dynamique
Ce schéma peut être simplifier pour l'étude de fonctionnement en dynamique
En dynamique le schéma équivalent du TEC est :
VCE = VCC
CHAPITRE II
Amplificateur de puissance
En général un amplificateur est composé de plusieurs étages amplificateur, les premiers étages
servent pour amplifier un signal en tension. Le dernier étage est un amplificateur de
puissance, il est conçu de telle manière à obtenir un maximum de puissance à la sortie. Le
transistor destiné à un amplificateur de puissance est en général appelé transistor de
puissance, il est reconnu par sa taille plus grande pour supporter une grande puissance. Les
amplificateurs de puissance audio sont souvent utilisés pour fournir une grande puissance à Le montage émetteur commun et le graphe de la droite de charge statique.
des résistances de charges de faibles valeurs. (Un haut parleur possède par exemple une
résistance de l'ordre de 8 ohms; une antenne de transmission présente une charge de 300 Droite de charge dynamique
ohms). Ces ordre de grandeurs montrent qu'un amplificateur de puissance doit apporter une
puissance assez grande (par exemple 1 watt ou plus)
Schéma d'un amplificateur Audio.
Soit le montage émetteur commun suivant : Schéma équivalent en dynamique Droite de charge dynamique (AC load line)
Avec rc = RC//RL :
L'equation de la droite de charge dynamique s'écrit :

vce
ic = 
rC
ic et vce étant les variations du courant et de la tension collecteur lorsque le
montage est attaqué par un signal alternatif à l'entrée.
iC = ICO + ic  ic = ic-Ico
Au repos Ic et VCE sont égaux à ICO et VCEO c'est à dire le courant et la tension vCE = VCEO + vce vce = vCE - VCEO
du collecteur quand il n'y a pas de signal d'entrée. Remplaçons ic et vce dans l'équation de la droite de charge dynamique
Si le transistor est saturé toute la tension d'alimentation VCC se trouve entre les vCE VCEO
iC - ICO=  
V rC rC
bornes de RC et RE  ICsat = CC
RE  RC vCE VCEO
iC = ICO - 
Si le transistor est bloqué toute la tension VCC se trouve aux bornes C et E rC rC
A chaque instant t le point P est quelque part sur la droite de charge dynamique.
I - Amplificateur classe A Signal maximum sans saturation

Lorsque le point de fonctionnement est situé au milieu de la droite de charge
dynamique on a VCE0 et aussi IC0 rc, c'est l'amplitude maximale que peut atteindre
Si on surexcite un amplificateur, le signal de sortie sera tronqué à l'une ou l'autre le signal de sortie sans se déformer.
de ses crêtes;
Ecrêtage du au bloquage.
Lorsque le point Q est au dessous du milieu de la droite de charge dynamique le
signal atteint le point de blocage et l'amplitude maximale qu'il peut atteindre
sans distorsion du signal est IC0 rC.
1) définition de l'amplificateur classe A

Le fonctionnement classe A signifie que le signal ne présente pas d'écrêtage ni à
une extrémité ni à l'autre.
On obtient le plus grand signal non écrêté lorsque le point de fonctionnement P
est situé au milieu de la droite de charge dynamique.
Si P est au milieu de cette droite, cela signifie que Icsat = 2Ico et
VCE(blocage) = 2VCEO
D'après la droite de charge dynamique on a VCE (blocage) = VCEO + Ico rC
C'est à dire 2VCEO = VCE + ICO rC
VCEO
rC = (P centré)
Ecrêtage du à la saturation du signal I CO
Lorsque le point Q est au dessus du milieu de la droite de charge dynamique le Cette équation est très utile pour la conception des amplificateurs de puissance.
maximum du signal de sortie est VCE0.
1) Puissance maximum de sortie:
Ic a pour amplitude ICO
VCE a pour amplitude VCEO
La puissance de sortie maximum en régime dynamique:
Etude d'un exemple amplificateur classe A.
VCEO I CO
PS(max) = Veff.Ieff = .
2 2
VCEO I CO
PS(max) = : Puissance maximale fournie à la charge
2
3) Le rendement de l'amplificateur
La puissance fournie par l'alimentation continue s'écrit :

PCC = VCC . ICO
Le rendement de l'amplificateur est son aptitude à convertir la puissance continue de
l'alimentation en puissance de sortie en régime dynamique. Il est intéressant de chercher un
rendement élevé (sur tout dans le cas d'utilisation des piles)
Psortie Psortie
h= (ou circuits alimentés par deux sources)
VCC I CO VCC  VEE I CO
Exemple :
R1=600Ω, R2 = 300 Ω, RC = 100 Ω, RE = 100 Ω, RL = 100 Ω

VB = 5V VE 5 volts
V 5
I CO = IE = E   50 mA
R E 100
VCEO = VC-VE = 5 volts, (on a 5 V aux bornes de RE et donc 5 V aussi aux bornes de RC car
les 2 résistances sont parcouruees par le même courant et donc il reste 5 volts entre le
collecteur et l'émetteur)
V I 5  0,05
La puissance de sortie maximum et PS max = CEO CO   0,125w .
2 2
La puissance PCC = VCC ICO = 15 x 0,05 = 0,75 w
Le rendement h = 16,7 On peut remarquer que le point de fonctionnement est situé au milieu de la droite de charge
Ce montage convertit donc 16,7  de la puissance d'alimentation en puissance de sortie en statique.
régime dynamique. La valeur maximale que peut atteindre l'amplitude du signal à la sortie est VCC/2 = 7,5 V.
Un amplificateur classe A peut être amélioré pour avoir un rendement de 25. Le point de repos est situé à VCE0 = 7,5 volts et peut osciller à une amplitude allant jusqu'à
De même si on utilise un couplage à transformateur on arrive à h de 50  (utilisation en radio 7,5 V sans avoir distorsion du signal.
fréquence) Au repose (sans application du signal sinusoïdal) La puissance continue dissipée par le
transistor est PDC = VCE0 IC0, cette puissance ne doit pas être supérieure à la puissance
maximale que supporte le transistor (PDmax).
II - Amplificateur classe B:
Cette puissance e 56,25mW est la puissance maximale dissipée dans le transistor, lorsque le L'utilisation de l'amplificateur classe A conduit aux circuits de polarisation les plus simples et
signal sinusoïdal est appliqué, la puissance dissipée dans le transistor d'un amplificateur classe les plus stables, mais son rendement reste faible;
A, diminue. L'amplificateur classe B est un circuit à deux transistors (push pull ) qui présente un
rendement meilleur;
Puissance du signal alternatif dissipé dans la charge.
1) La droite de charge dynamique (classe B)
La puissance du au signal alternatif dissipée dans la charge (ici la résistance RC) est donnée
par : Dans un amplificateur classe B le transistor est polarisé de telle sorte que le point de
P L = Veff. Ieff fonctionnement soit situé sur le point de blocage (P0 dans la figure).
.
= = Vmax étant la valeur maximale que peut atteindre le signal c'est-à-dire
√ .√ .
VCC/2
= = 28,25 mW
Puissance fournie par la source continue.
La source continue fournit à l'amplificateur classe A une puissance PCC = VCC. IC0
PCC (mW) = 15 x 7,5 (mA)
PCC = 112,5 mW
Le rendement
Le rendement d'un amplificateur représente le pourcentage de la puissance fournie par la

source continue qui est convertie en puissance utile consommée par la charge sous forme de
signal.
,
h = . x 100 : Dans notre exemple h = 100 = 25%
,
Le point de repos P0 coïncide avec le point de blocage, ses coordonnées sont : Ico = 0 et VCE0
= VCE(blocage). Le transistor conduit donc pendant une demi alternanc et est bloqué pendant
l'autre demi alternance.
On utilise donc deux transistor l'un pour amplifier les alternances positives du signal l'autre
pour les alternances négatives (push pull) ainsi on obtient un signal sinusoïdal complet à
amplitude élevée,
VCEo
On a vu que IC(sat) = ICO+
Rc  R E
VCEO
Or ici on a ICO = 0 donc IC(sat) = (classe B )
RC  R E
VCEO
Icsat = équation très importante car elle permet de calculer le courant ICO, la
RC  R E
puissance de charge et la puissance dissipée.
2) fonctionnement du Push Pull
Soient les deux montages représentés en régime dynamique Le montage Push Pull s'obtient par l'association de ces deux montage npn et pnp
on obtient :
Transistor NPN
Pendant l'alternance positive de Ve la diode Emetteur conduit et le point de
fonctionnement passe du point de blocage au point de saturation. Pendant la
demi - période négative le transistor est bloqué diode Emetteur polarisée en
inverse aucun courant ne circule.
Le signal de sortie a la forme suivante :
Le transistor npn amplifie la partie positive du signal d'entrée ve et le transistor
pnp amplifie la partie négative, on obtient donc à la sortie un signal sinusoïdal
complet.
Transistor PNP
On a les même conditions c'est à dire P0 sur le point de blocage
Pendant la demi période positive de ve la diode Emetteur et polarisée en inverse et aucun
courant collecteur ne circule, mais pendant la demi période négative le courant collecteur
circule (diode Emetteur polarisée en direct ) le point de fonctionnement passe donc vers le
point de saturation.
V CE 0 10
IC(sat) = ici RC = 0 donc IC(sat) =  1,25A
RC  R E 8
3)Distorsion:
Un inconvénient de l'amplificateur classe B réside dans le fait que le point P0

n'est pas situé parfaitement sur le point de blocage, mais il est légèrement au
dessus de ce point.
En effet si aucune polarisation n'est appliquée aux diodes Emetteurs le signal

d'entrée doit dépasser un seuil de 0,7 pour rendre la diode E passante dans le npn
de même pour le pnp la demi période négative doit descendre au dessous de -0,7
V pour que la diode Emetteur de ce transistor devienne passante;
La tension de sortie obtient donc la forme :
Le signal de sortie est contient une distorsion :

Le signal de sortie n'est plus donc sinusoïdal puisqu'il est tronqué entre les deux demi -
périodes. Cet effet se produit entre le blocage d'un transistor et la conduction de l'autre, il
s'appelle donc distorsion de recouvrement.
Exemple numérique Pour corriger ce problème, il faut appliquer une légère polarisation directe à chaque diode
Emetteur, afin de rapprocher le point P0 du point de blocage. Cette légère polarisation est
Prenons le même montage, on suppose que chaque transistor à une tension de appelée polarisation d'entretien.
repos : En général on utilise le montage suivant :
VCE0 = 10 V et RE = 8
VCE0 I csa t
PS(max) =
2
La puissance fournie par l'alimentation est
PCC = VCC Imoy
Imoy = courant moyen fourni aux transistors pendant une période
T
1 T
Imoy =  Icdt on a Ic = ICsat sin ωt dans 0, 
T 0
2
  T
IC = 0 dans  , T  donc
2 
T
12
Imoy =  ICsat sin tdt
T0
T
Icsat 2
Imoy = sin tdt
T 0
Imoy = Icsat  cos t  2

T
T   0
3) Calcul des puissances:
Imoy = Icsat (  cos 2 T  cos 0)
T . 
T2

Puissance de sortie: 2
Icsat  2
Imoy =
2
La tension de sortie est donc un signal sinusoïdal d'amplitude VCE0, le courant IC à une T
amplitude de ICsat T
Icsat
Imoy =

VccIcsat
Donc la puissance continue P CC est égale à

Dans un circuit à une seule alimentation comme celui du schéma précédent on a : VCEO =
Vcc
2
VccIcsat
Donc PS(max) =
4
 le rendement maximum d'un amplificateur Push pull classe est :
VccIcsat
4 
h=   0,785
VccIcsat 4

Donc un montage pushpull classe B présente un rendement maximal.
On peut conclure que l'amplificateur typique push pull classe B est bien plus efficace que
VCE 0 I Csat l'amplificateur classe A.
Donc PS(max) = Veff Ieff = .
2 2
Le NPN amplifie la partie positive de ve et pnp la partie négative de ve, on obtient donc à la
sortie un signal sinusoïdal complet.
Exercice
L'amplificateur classe A avec charge sur transformateur.

Soit le montage suivant: Ru : résistance de charge.
v2 i
 m  1 ; m est le rapport de transformation
v1 i2
v
Déterminons RC = 1 : résistance d'entrée vue par le primaire
i1
On a v2 = Rui2
i
remplaçons V2 par mV1 et i2 par 1 , il vient :
m
i1 v1 Ru
v1.m = Ru soit 
m i1 m 2
Ru
on a donc RC = 2 , c'est la résistance équivalente vue entre les deux bornes du primaire.
m
On suppose que le transformateur est parfait c'est à dire on a Droites de charge

V 2 i1
  m : rapport de transformation
V1 i 2
1) déterminez la Rc la résistance d'entrée vue par le primaire en fonction de Ru et m En continu l'enroulement primaire du transformateur supposé parfait se comporte comme un
2) a) représentez la droite de charge statique court - circuit, dans ce cas on a VCE = VCC.
b) représentez la droite de charge dynamique sur le même graphique sachant que P0 est au La droite de charge statique et donc parallèle à l'axe des ordonnées.
milieu de cette droite. P0 a pour coordonnés VCEO = VCC = 10 V et I CO = 10 mA }
c) déterminez la pente de cette droite.
3) calculez RC et m
4) calculez le rendement
Réponse :
Soit le transformateur parfait suivant :
Exercice
On considère l'étage amplificateur de la figure, comprenant deux transistors complémentaires.
I CO I
Pente de la Droite de charge dynamique :    CO  10 3
VCEO VCC
En dynamique on a:
E(t) = Esin(ωt)
V0 = 10 V
R= 20 Ω
1
vce = -RC. ic soit ic = - vce
RC 1) Déduire le fonctionnement de l'étage pour chacune des alternances de e(t) dans les deux cas
1 suivants :
-  pente = - 10 3 Rc = 1 k E≤ 0,5 V ; E > 0,5 V
RC
Quelle est la classe de fonctionnement de chacun des transistors.
Ru
d'où m = =1
Rc 2) Tracer la droite de charge statique du transistor T1 (npn), y placer le point de
fonctionnement P0. Quelles sont les coordonnées I'C0, V'CE0 du point de fonctionnement P'0 du
Calcul du rendement transistor T2 (pnp).
- Puissance fournie pour l'alimentation en continue : 3) Calculer le rendement

Pcc = Vcc.Ico = 10 .10 . 10 3 = 0,1watts
Réponse :
- Puissance de sortie maximale.
V I Vcc.Ico 1) Si E≤ 0,5 V les transistors T1 et T2 sont tous les deux bloqués puisque l'amplitude de e(t)
PS(max) = Veff.Ieff = CEO CO   0,05watts
2 2 2 n'atteint jamais leurs seuils de conduction. Dans ce cas is et vs sont nuls.
0,05
h=  50 
Si E > 0,5 V
0,1
e(t) dépasse le seuil de conduction des transistors :
Pendant l'alternance positive :
e(t) < 0,5 V alors les 2 tr sont bloqués vs = 0

e(t) > 0,5, T1 conduit alors que T2 est bloqué, on a donc :
2) Droite de charge
Vs = e(t) – vbe1 et is = ic1 = vs/R
V0 = VCE1 + RIC1
Pendant l'alternance négative Lorsque VCE1 = 0, IC1 = V/R = 0,5 A
e(t) > - 0,5 V alors les 2 tr sont bloqués vs = 0 Lorsque IC1 = 0, VCE = 10 V
e(t) < - 0,5, T2 conduit alors que T1 est bloqué, on a donc :
Vs = e(t) – vbe2 et is = ic2 = vs/R
Au repos T1 et T2 sont bloqués.

Les points de repos ont pour coordonnées :
2) Calcul du rendement (on négligera la distorsion)

Chaque transistor conduit pendant une ½ période donc la puissance fournie pour le NPN est :
/ /
1
= =
/
/
cos (
= sin( ) = −
Le signal de sortie présente une distorsion = −cos ( + cos (0)

2
2
= =
2
Pour les deux transistors la puissance est : =
La puissance en sortie est : = = = .

√
=
Il s'agit d'un fonctionnement classe B. Le rendement sera donc :
= . = III - Amplificateur classe C

2 2 4
Pour Vsmax = E, on a = = 78,5%

Un amplificateur classe C peut fournir à la charge plus de puissance qu'un amplificateur
classe B.
Principe
Dans un amplificateur classe C, le courant collecteur circule pendant un intervalle de temps

bien inferieur qu'une demi-période, le signal devient sous forme d'impulsions de courtes
durées.
Soit le montage suivant :
Amplificateur classe C non raccordé.
En l'absence d'une tension ve, il n'ya aucun courant qui circule dans le transistor, car la diode
base – émetteur n'est pas polarisée. Le point de fonctionnement P0 se trouve donc confondu
avec le point de blocage.
Lorsque Ve est appliquée à l'entrée de l'amplificateur, le condensateur de couplage se charge On peut remarquer que l'amplitude maximale que peut atteindre le signal est VCC.
lorsque ve > 0 jusqu'à presque +Vp, le circuit d'entrée devient
Fonctionnement d'un circuit classe c accordé.

On ajoute au même montage un circuit résonnant :
Comme T << RC (temps de décharge du condensateur), lorsque Ve < 0, le condensateur ne

perd qu'une petite quantité de sa charge, donc à ses bornes la tension est Vp, ceci donne la
forme du signal représenté sur la figure ci-dessus. La légère perte du condensateur ( quand
Ve < 0)se compense par la légère oscillation de VB au dessus de zéro, ce qui polarise la diode
émetteur en sens direct d'où la forme la formes de brèves impulsions de iC.
Lorsque ces impulsions de courant passent dans la résistance du collecteur, elles produisent
des impulsions négatives de la tension collecteur:
Quand ces impulsions de courant attaquent un circuit résonnant, on

peut produire un signal sinusoidal presque parfait. Pour obtenir ce signal sinusoïdal, il faut
donc accorder le circuit résonnant à la même fréquence des impulsions du courant iC.
Exemple :
Si f(ve) = 1Mhz, et donc iC aussi a la même fréquence. Alors il faut choisir L et C de telle
sorte que fc soit égale à = =1 ℎ .
√
Il faut que le coefficient de qualité du circuit résonnant soit supérieur à 10, (Q > 10)
Sur la droite de charge dynamique, chaque impulsion positive de vb rend la diode Emetteur
passante, et le point de fonctionnement se déplace vers la saturation, on a donc : = = ; XL : reactance de la bobine ; Q : coefficient
Le circuit de sortie équivalent en dynamique est :
D'après la théorie des circuits RLC

Si une seule impulsion attaque le circuit, le condensateur se charge et se décharge
continuellement, la tension maximum décroît légèrement jusqu'à disparition des impulsions.
Par contre, si le circuit est attaqué par un train d'impulsions brèves, chacune de ces impulsions
va recharger le condensateur jusqu'à la pleine tension et on obtient donc un signal sinusoïdal.
Signal de sortie de l'amplificateur classe C accordé.
Le schéma équivalent est :
La puissance de sortie maximum en régime dynamique est :
( ) = = .
Puissance de sortie ( ) =
2
Dans un amplificateur classe C, le point de repos est situé au point de blocage (VCE0 = VCC). Puissance dissipée
Lorsqu'un signal d'entrée est appliqué, la tension au collecteur oscille autour de VCC, mais
elle ne peut pas descendre au dessous de VCEsat. On obtient donc une tension de sortie La puissance moyenne dissipée dans le transistor varie en fonction de l'amplitude du signal et
maximum de la forme suivante : du taux d'utilisation.
Si on a une tension de sortie crête à crête de 2VCC, on peut écrire :
.
≈
2
Le taux d'utilisation est = .100
L'expression de la puissance PD utilisée ci-dessus, correspond à un signal de sortie maximum,

c'est-à-dire l'amplitude s'étale sur toute la droite de charge et lorsque le taux d'utilisation est
inférieur à 10%.
La puissance fournie par le générateur continu est :

Supposons par exemple que la résistance série de la bobine rS est égale à 10 ohms à une
fréquence f0 de 1 Mhz.
PCC = PS(max) + PD
Le circuit résonnant doit être accordé à la fréquence du signal d'entrée f0 = 1 Mhz. Cela
Le rendement est donc : signifie qu'on doit prendre L = 50,7 H puis que
1
=
( ) 2 √
=
( ) +
Le circuit de sortie équivalent en dynamique est :
=
+
Puisque VCEsat >> VCC , h s'approche de 100%
Exemple numérique : Si VCC = 30V, VCEsat = 1V alors h =30/(30+1) = 0,968 soit 96,8%
Résumé :
La réactance de la bobine XL = ω.L = 2f.L = 318 Ω
On peut résumer les différentes classes des amplificateurs qu'on a étudié ainsi :
Classe A : rendement maximal 25 % ( 50% si on utilise le transformateur) Le coefficient Qbobine est : = = = 31,8
é
Classe B 78,5% La résistance R// de la bobine R//  XL.Qbobine ( théorie des circuits, valable lorsque Q > 10
Classe C s'approche de 100%. R // = 10 kΩ.
L'amplificateur classe C convient bien pour les applications de la résonnance aux RF. Par Le circuit équivalent de sortie est donc :
contre pour les fréquences audio (20 à 20 000 Hz), ce sont les amplificateurs classe A et
classe B qui sont préférés.
Exemple :
CHAPITRE III
Réaction et contre réaction
Définition
Dans un montage à réaction, une partie du signal est prélevée de la sortie et réinjectée à
l'entrée, où elle se combine avec le signal d'entrée. Cette action permet de modifier les
performances du montage (un amplificateur par exemple).
I - Propriétés générales
Un montage à réaction se compose de 3 éléments :

- La chaine directe appelée aussi chaine d'action (Amplificateur de gain H)
- La chaine de retour ou chaine de réaction qui effectue un prélèvement d'une partie du
signal de sortie (généralement c'est un circuit passif de fonction de transfert K)
- Un comparateur qui permet de réinjecter le signal de réaction (KVS) à l'entrée su système.
Fonction de transfert en boucle fermée :
( )
( )= ; Fonction de transfert de la chaine directe
( )
( )
Dans le cas de chaine ouverte Ve(jω) = ε(jω) donc ( )= .
( )
On désigne par K(jω) la fonction de transfert de la chaine de réaction, K(jω) = VR/VS.
On notera H' la fonction de transfert du système en boucle fermée. H

H '
 H
= avec Vs = Hε = H(Ve – KVS) H' 1  KH
VS(1+KH) = HVe H ' H

Dans le cas de la contre réaction 1  KH  1, On a 
H' H
= = : fonction de transfert en boucle fermée. C'est la formule de Black.
La variation relative de la Fonction de transfert en boucle fermée est égale à
celle de H divisée par (1+KH)
En module
| |
| |= = Cas limité:
|1 + |
- Si |1 + | < 1alors |H'| > |H|, on dit que le montage est à réaction positive. Lorsqu'on a H très grand et K réel
- Si |1 + | > 1alors |H'| <|H, on dit alors que le montage est à réaction négative ou bien H 1 1
le montage est à contre réaction.
H' =   
1  KH 1 K
- Si on a le cas particulier KH = -1 donc |H'| tend vers l'infini alors Ve = 0 (car H'= Vs/Ve), K
H
Le système fonctionne alors en oscillateur (il oscille sans avoir besoin d'un signal d'entrée)
La Fonction de transfert en boucle fermée est indépendante des variations de H
donc indépendante de la chaîne d'action
II – Propriétés des amplificateurs à réaction
Exemple: Application des Amplificateurs Opérationnels.
1) Influence sur le gain R2 R
Le gain est égal  pour le montage inverseur ou 1  2 pour le montage non
R R1
La fonction de transfert d'un amplificateur (chaine directe) peut subir des variations et des
fluctuations en fonction de la fréquence (cela peut être du aux variations de la température ou inverseur
bien aux variations des caractéristiques des transistors).
2) Influence sur la bande passante
La variation relative du module de la fonction de transfert est :
Dans le domaine des basses fréquences la fonction de transfert de la chaîne
Dans la cas d'un montage à réaction on : H0
d'action (Amplificateur ) peut s'exprimer sous la forme H 
fb
1 j
= f
1+
H0 étant la valeur de fonction de transfert maximale (dans la bande passante)
′ (1)(1 + )− 1 1
= =
(1 + ) 1+ 1+ La fonction de transfert de système bouclé s'écrit alors:
( )
H
dH H' = soit
dH ' H ' 1 dH ' 1  KH
 .   H ( )
dH H 1  KH H ' 1  KH
Ce qui permet d'écrire

1
= =
1+
1− + 1−
(1 + )
= avec = et =
Dans le cas de la contre réaction |1+KH0| > 1 on fb ' < fb
Donc on peut déduire que la fréquence de coupure basse se trouve diminuée. De

même pour les hautes fréquences on montre que la contre réaction augmente la
fréquence de coupure haute.
Donc, en résumé on peut dire :

La contre-réaction élargit la bande passante d'un amplificateur.
Avec une contre réaction on gagne en bande passante mais on perd en gain.
En hautes fréquences on a :
En génaral, f.Gmax est constant, c'est égal au facteur de mérite.
3) Influence sur le bruit

H0
H  avec fh c'est la fréquence de coupure haute
f
1 j
fh
H
H ' =
1  KH
1 1
= = = =
1+ 1
+ 1+ ( ) 1+ +
+
(1 + )
= =
1+ 1+ Vs = [H1(Ve-KVs)+Vb]H2
(1 + )
Avec = et fh' = fh (1+KH0 )
Vs(1+H1H2 K)= H1H2Ve+VbH2
Lorsqu'on a une contre réaction |1+KH0| > 1 la fréquence de coupure fh '
augmente
= +
1+ 1+
On a la contre réaction si |1+H1H2 K| > 1 donc la contre réaction diminue

l'amplitude du terme du signal de sortie qui provient du bruit
Remarque :
La contre réaction diminue aussi le terme du signal de sortie provenant du signal

d'entrée.
Nous verrons aussi que la contre réaction augmente l'impédance d'entrée et

diminue l'impédance de sortie.
III – Classification des montages à contre réaction

Le prélèvement du signal de sortie peut se faire de deux manières :
1) Prélèvement parallèle = = > le signal prélevé est la tension de sortie
2) Prélèvement en série = = > le signal prélevé est le courant de sortie
En cobinant ces différents modes d'injections et de prélèvement, on obtient

quatre montages à réactions fondamentaux.
De même, la réinjection à l'entrée se fait de deux manières : 1) Réaction tension – tension
1) en parallèle, dans ce cas le signal injecté est un courant

2) en série, dans ce cas le signal injecté est une tension
On prélève le courant et on injecte une tension
4) Réaction courant tension
2) Réaction tension – courant
On prélève le courant et on injecte un courant.
Ce sont les trois premiers montages qui sont les plus utilisés en électronique.
On supposera que le réseau de réaction (K) ne change pas l'amplificateur, c'est-
à-dire on supposera i0 << is dans les deux premiers et V0<<Vs dans les
deux derniers montages.
On prélève une tension et on injecte un courant
IV – Applications de la contre réaction
3) Réaction courant – tension
1) Contre réaction tension – tension
Considérons le montage amplificateur suivant :
V1 =Ze I1 =
V2 = A0V1 + ZsIs Donc on a :
Si on ajoute une chaine de réaction de type tension – tension le

montage devient : = 1+
1+
Z'e : Impédance d'entrée du montage avec contre réaction.
La contre réaction tension- tension augmente l'impédance d'entrée
Exprimons Vs en fonction de Ve et is
Vs = A0V1 + Zsis
Ve = Vr+V1 = V1 + KVs
Vs = A0(Ve - KVs) + Zsis
Vs(1+A0K) = A0Ve + Zsi
Vs(1+A0K) = A0Ve + Zsis
Avec i0<< is par hypothèse et K ne charge pas H. Vs = A' 0 V e  Z s is
1  A0 K 1  A0 K
On peut écrire : Vs = A'0 Ve + Z'sis
VS = A0V1 + ZS(iS – i0)  A0V1 +ZSiS
et on a aussi VS = - ZLiS A'0 =
A0
1  A0 K
VS = A0V1 –(ZS/ZL)VS Zs
Z's =
1 A0 K
VS(1+ZS/ZL) = A0V1 A'0 est le gain en tension à vide (is = 0)
Z's est l'impédance de sortie lorsque l'entrée est en cours circuit (Ve = 0)
Donc La contre-réaction tension - tension diminue le gain en tension à vide et
= l'impédance de sortie en CC
1+
Le schéma équivalent du système bouclé devient alors
D'autre part on Ve = V1 +VR = V1 + KVS
Ve = V1[1+(KVS/V)]
= 1+ = 1+
1+ 1+
Exemple:
C'est à dire on a :
- Paramètres sans contre réaction :

Ze = h11
h 21
A0 = Rs
h11
Zs = Rs
K=1
En régime dynamique ce montage devient: - Paramètre avec contre réaction.

R s h 21
A0 h11
A'0 = 
1  KA 0 R h
1  s 21
h11
Rs
Z's =
h21
1 Rs
h11
h
Z'e = 1 21 Rs
h11
h 21V1  h21 
Le générateur de courant h21ie =  Rs 
h11 h
Z'e = h11 1  11 

1 R
On pose Rs =  RE  1  s 
h22  Rl 
La transformation générateur Norton en Générateur Théverin conduit à ce
schéma: 2) Contre réaction courant - tension:
On prélève le courant de sortie et on injecte une tension

a) schéma équivalent sans contre-réaction
V1 = Zei1 Z'e = Ze(1+

KY 0
) donc Z'e > Ze
i2 = YoV1 + YsV2 Y
1 S
b) schéma avec réaction: YL
La contre réaction courant - tension augmente l'impédance d'entrée
Exprimons Is en fonction de ve et vs
Is = Y0v1 + Y svs
or ve = vr + v1 = Kis + v1
donc is = Y0(Ve-Kis )+ Ysvs
is(1+KY0) = Y0ve + Ysvs
is = Y've + Y'svs
VO<<VS On déduit donc :
Y0 YS
Y'0 = Y's =
1  KY0 1 Y0 K
is = Y0 V1 + Ys(Vs -V0)Y0 V1+YsVs ; is = -YlVs
Rappel : Y'0 : admittance de transfert (vs = 0) en CC
Ve = Vr + Vl = Kis + Vl = V1(1+(KiS/V1)) Y's : admittance de sortie à vide.
La contre réaction courant - tension diminue l'admittance de transfert et

= 1+
l'admittance de sortie.
Le schéma équivalent du montage avec contre réaction :
is = Y0 V1- Ys is
Yl
is( 1  Y s ) = Y0V1
Yl
Y 0V1
is =
Y
1 s
Yl
 
 KY  Exemple:
Ve = V1  0 
 Ys 
1 
 Y 
 l 
On considère le montage suivant:
 
 KY 0 
Ve = Zeie 1  
 Ys 
 1 Y 
 l 
Ve = Z'ie
En régime petit signaux (dynamique) le montage devient :

On a vR = RE(is + ie) ie<<is car ib<<ic
Donc VR  REiS  K = RE
La maille de sortie 
v S  v0
is = Sv1 +
0
V0 = vR = Kis = REiS
On obtient donc :
vS RE is
iS = Sv1 + 
0 0
1+ = +  = +
h 21 h
H21ie = v1  Sv1 avec S = 21
h11 h11 Ze = h11
S
Y0 =
Soit : RE
1
0
1
YS =
 0  RE
SRE
Z'e = (1  )h
RE RC 11
1 
0 0
S
Y'0 =
R
1  E  SR E
0
1
Y's =
 0  R E  S 0  R E
3) Contre réaction tension - courant
Grandeurs essentielles : tension de sortie et le courant d'entrée.
a) schéma équivalent sans réaction
I1=Y0V1
V2 = Z0i1+Zsi2
Admittance d'entrée du montage:
La sortie se comporte comme un générateur de Thévenin commandé par le
VS = Z0i1 + Zs(is-i0) Z0i1+Zsis
courant d'entrée.
Vs = -ZLis
Vs = Z0i1- ZZ S
vs ; vs(1+ ZZ S
)  Z 0 i1
L L
Ie = i1+iR = i1(1+ ii ) ; vs = R Z 0 i1
Z
1
1 S
i1 = Y0v1 ZL
V2 = Z0i1+Zsi2 IR = KvS
Sortie  géné thverin commandé par le courant d'entrée  
b) schéma avec réaction  
 KV S   KZ 0 
Ie = Ye V e  1  
i1 
= Y 0V e 1  Z  = Y'eVe
  1  S 
 ZL 
 
 
 KZ 0 
Y'e = Ye 1  Z 
 1  S 
 ZL 
Exprimons Vs en fonction de ie et is (par impédance de sortie et impédance de
transfert)
Vs = Z0i0 + Zsis et I1 = ie-KVs
Vs = Z0(ie-Kvs) + Zsis
Vs (1+KZ0) = Z0ie + Zsis
Vs = Z ie  Z is 0 S
1  KZ 0 1  KZ 0
Vs = Z'0ie + Z'sis
L'impédance de transfert à vide
Z0
Z'0 =
1  KZ 0
L'impédance de sortie à vide Les équations du quadripôle
ZS i1 = YeV1
Z's = i2 = A0i1 + Ysv2
1  KZ 0
On en conclut le schéma équivalent:
Avec la contre réaction, le schéma équivalent devient:
La Contre réaction tension courant diminue l'impédance de transfert à vide et La chaîne de retour ne charge pas l'amplificateur la tension V0 aux bornes de [K]
l'impédance de sortie à vide est donc négligeable devant la tension de sortie 
Dans le cas particulier Z0 K est très grand devant 1 on a
Ie
Z'0 
1
K
et Z's est négligeable  Vs 
K
is = A0i1 + Ys(VS-V0)  A0i0+YsVs
C'est donc un générateur de tension commandé par un courant d'entrée, où un

is = -YLVS
convertisseur courant - tension.
 is = A0i1 - Ys Yi s
4) contre réaction courant – courant L
On prélève le courant de sortie et on réinjecte un courant à l'entrée
A0i1
 Y 
is 1  Ys  =A0i1  is = 1
Ys
 L 
YL
iR = KiS (K : fonction de transfert de la chaîne de retour)

KA0i1
La contre-réaction courant-courant diminue l'amplification en courant en court
soit iR = 1  Ys circuit et l'admittance de sortie à vide.
YL La contre-réaction augmente l'admittance d'entrée.
A l'entrée du circuit on a :
 
 
 A0 K 
ie = i1+iR = i1 1 
YS 
 1  Y 
 L 
 
 
AK
i1 = YeVe  Ie = Ye 1  0 Y Ve =Y' V
e e
 s 
 1 Y 
 L 
 
 
AK
donc Y'e = Ye1  0  est l'admittance d'entrée du montage on a i = i - Ki
1 e s
 Ys 
 1 Y 
 L 
 is = A0(ie-K is)+YsVs
A0 Ys
is = ie  Vs
1  A0 K 1  A0 K
is = A'0ie + Y'sVs
A0
A'0 = amplification en courant (Vs = 0)
1  A0 K
Ys
Y's = admittance de sortie à vide.
1 A0 K
On en conclut le schéma équivalent:
= ; =
CHAPITRE IV 1− 1−
1
Fonctionnement du transistor On applique donc ce théorème au schéma de Giacolletto, dans lequel le condensateur CB'C qui
est située entre l'entrée et la sortie de l'amplificateur, son impédance correspond dons à Z dans
en Hautes fréquences. le théorème de Miller et donc on calcule az1 et Z1 et Z2 et on obtient un schéma dynamique
simulable à ceux que nous avons travaillée en basses fréquence.
Les études qu'on a vues jusqu'à présent sur le fonctionnement dynamique du transistor, sont Exercice :
valable uniquement des le domaine des basses fréquences (quelques dizaines de kiloherzs, 1) dessiner le montage de Giacolleto après application du théorème de Miller
voie, quelques centaines. Calculer dans ce nouveau montage le gain en tension
En hautes fréquences le comportement des transistors est différent, certaines capacités
présentes dans la structure interne du transistor qui possèdent des impédances très grandes en
basses fréquences doivent être prises en considération en hautes fréquences car leurs
impédances ne sont plus infinies.
De ce fait, le schéma équivalent doit être modifié. En hautes fréquences on utilisera le schéma
équivalent dit schéma de Giacoletto qui est le suivant :
B' est la base virtuelle et interne au transistor. Au lieu de h11 on deux résistance rBB' et rB'C . rBB' sera
faible (inférieur à 100 en général), inférieure à rB'E.
La capacité base-émetteur CB'E qui viendra shunter rB'E en haute fréquence. Pour certains transistors
elle est de l'ordre de 30pF.
La résistance r B'C (très grande et souvent négligée) en parallèle avec CB'C appelée capacité Miller,
entre l'entrée et la sortie. CB'C est de l'ordre de 10pF.
La résistance rCE au lieu du terme 1/h22e qu'on avait en basses fréquences.
A la place du gain en courant, on utilise plutôt la pente gm du transistor.
Ce schéma de Gicoletto est plus difficile à étudier, si on le compare avec les schémas qu'on a déjà vus
en basses fréquences. Pour le simplifier on utilise en général le théorème de Miller
Théorème de Miller :
Le schéma à gauche peut être remplacé par celui de droit si on effectue les transformations
suivantes :

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Electronique II – Licence EEA Semestre 5 Par Abdelali ASTITO Electronique II – Licence EEA Semestre 5 Par Abdelali ASTITO

ROYAUME DU MAROC ‫اﳌﻤﻠﻜﺔ اﳌﻐﺮﺑﻴﺔ‬

I - Structure - symbole - fonctionnement

On peut donc écrire : VDD = VDS + RDID + RSID

Le point de repos est déterminé par le système d'équation suivant:

L'impédance d'entrée Ze ) Ve/ie

1) Montage source commune.

Reprenons le montage du paragraphe (polarisation automatique) que nous

Ce schéma peut être simplifier pour l'étude de fonctionnement en dynamique

En dynamique le schéma équivalent du TEC est :

Schéma d'un amplificateur Audio.

L'equation de la droite de charge dynamique s'écrit :

I - Amplificateur classe A Signal maximum sans saturation

1) définition de l'amplificateur classe A

Etude d'un exemple amplificateur classe A.

La puissance fournie par l'alimentation continue s'écrit :

R1=600Ω, R2 = 300 Ω, RC = 100 Ω, RE = 100 Ω, RL = 100 Ω

Puissance fournie par la source continue.

Le rendement d'un amplificateur représente le pourcentage de la puissance fournie par la

2) fonctionnement du Push Pull

Un inconvénient de l'amplificateur classe B réside dans le fait que le point P0

En effet si aucune polarisation n'est appliquée aux diodes Emetteurs le signal

Le signal de sortie est contient une distorsion :

Imoy = Icsat  cos t  2

L'amplificateur classe A avec charge sur transformateur.

On suppose que le transformateur est parfait c'est à dire on a Droites de charge

Soit le transformateur parfait suivant :

- Puissance fournie pour l'alimentation en continue : 3) Calculer le rendement

Pendant l'alternance positive :

e(t) < 0,5 V alors les 2 tr sont bloqués vs = 0

Au repos T1 et T2 sont bloqués.

2) Calcul du rendement (on négligera la distorsion)

Le signal de sortie présente une distorsion = −cos ( + cos (0)

Pour les deux transistors la puissance est : =

La puissance en sortie est : = = = .

Il s'agit d'un fonctionnement classe B. Le rendement sera donc :

= . = III - Amplificateur classe C

Pour Vsmax = E, on a = = 78,5%

Dans un amplificateur classe C, le courant collecteur circule pendant un intervalle de temps

Soit le montage suivant :

Amplificateur classe C non raccordé.

Fonctionnement d'un circuit classe c accordé.

Comme T << RC (temps de décharge du condensateur), lorsque Ve < 0, le condensateur ne

Quand ces impulsions de courant attaquent un circuit résonnant, on

Le circuit de sortie équivalent en dynamique est :

D'après la théorie des circuits RLC

Signal de sortie de l'amplificateur classe C accordé.

Le schéma équivalent est :

La puissance de sortie maximum en régime dynamique est :

Le taux d'utilisation est = .100

L'expression de la puissance PD utilisée ci-dessus, correspond à un signal de sortie maximum,

La puissance fournie par le générateur continu est :

Puisque VCEsat >> VCC , h s'approche de 100%

Un montage à réaction se compose de 3 éléments :

Fonction de transfert en boucle fermée :

On désigne par K(jω) la fonction de transfert de la chaine de réaction, K(jω) = VR/VS.

On notera H' la fonction de transfert du système en boucle fermée. H

VS(1+KH) = HVe H ' H

Ce qui permet d'écrire

Dans le cas de la contre réaction |1+KH0| > 1 on fb ' < fb

Donc on peut déduire que la fréquence de coupure basse se trouve diminuée. De

Donc, en résumé on peut dire :

3) Influence sur le bruit