Lecture 5-1

Electronique
5. Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor (MOSFET)
Dr. Abdessattar Bouzid
Institut Supérieur d'Informatique et de Multimédia de

Sfax (ISIMS)
Institut Supérieur d'Informatique et de

Multimédia de Sfax (ISIMS) Electronique – Dr. Abdessattar Bouzid 1
Contenu
• Le MOSFET.
• Caractéristiques et paramètres du MOSFET.
• Polarisation du MOSFET.

Objectifs du chapitre
• Expliquer le fonctionnement des MOSFETs.

• Discutez les caractéristiques et les paramètres du
MOSFET.
• Décrire et analyser la polarisation du MOSFET.

MOSFET
• Le MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect

transistor) est une autre catégorie du transistor à effect de champ
(TEC).
• Le MOSFET, différent du JFET, n'a pas de jonction pn dans sa

structure; au lieu de cela, la grille du MOSFET est isolé du canal
par une couche de dioxyde de silicium (SiO2).
• Les deux types de base du MOSFETs sont D-

MOSFET~Depletion MOSFET (déplétion) et E-
MOSFET~Enhancement MOSFET (renforcement).

Enhancement MOSFET (E-MOSFET)
• Le E-MOSFET n'a pas de canal dans sa structure.
• Pour un dispositif à canal n, une tension de grille positive
supérieure à la tension de seuil induit un canal en créant une fine
couche de charges négatives dans la région du substrat adjacente
à la couche de SiO2.

E-MOSFET - Symboles

Caractéristiques de transfert du E-MOSFET
• Le E-MOSFET utilise uniquement le renforcement
(enhancement) du canal. Par conséquent, un dispositif à canal n
nécessite une tension grille-source positive, et un dispositif à
canal p nécessite une tension grille-source négative.
• Idéalement, il n'y a pas de courant de drain jusqu'à ce que VGS
atteigne une certaine valeur non nulle appelée tension de seuil,
VGS(th).

Caractéristiques de transfert du E-MOSFET
• L'équation du caractéristiques de transfert du E-MOSFET est:
I D K (VGS − VGS(th) )
2
=
• La constante K dépend du MOSFET et peut être déterminée à

partir de la fiche technique (datasheet) en prenant la valeur
spécifiée de ID, appelée ID(on), à la valeur donnée de VGS et en
remplaçant les valeurs dans l'équation du caractéristique de
transfert.

Enhancement MOSFET (E-MOSFET)
La fiche technique (datasheet) pour le 2N7002 E-MOSFET

donne ID(on) = 500 mA (le minimum) à VGS = 10V et VGS(th) =
1V. Déterminer le courant de drain pour VGS = 5 V.

Polarisation du E-MOSFET
• Parce que le E-MOSFETs doit avoir un VGS supérieure à la

tension de seuil, VGS(th), la polarisation automatique (zero bias) ne
peut pas être utilisé.
• Deux manières pour polariser un E-MOSFET: la polarisation

par diviseur de tension et la polarisation par rétroaction du drain
(drain-feedback bias).
• Pour les deux méthodes, le but est de rendre la tension de grille

plus positive que la tension de source d'une quantité supérieure à
VGS(th).

Polarisation avec diviseur de tension :
• Les équations pour l'analyse de la

polarisation du diviseur de tension
sont les suivantes :

Polarisation avec rétroaction du drain (Drain-feedback bias) :
• Pour la polarisation drain-

feedback, il y a un courant de grille
négligeable et, par conséquent,
aucune chute de tension aux bornes
de la résistance RG.

Déterminer VGS et VDS pour le circuit E-MOSFET dans la

figure ci-dessous. Supposons ce particulier MOSFET a des
valeurs minimales de ID(on) = 200 mA à VGS = 4 V et VGS(th) =
2 V.

Déterminer la quantité de courant de drain dans la figure

ci-dessous. Le MOSFET a un VGS(th) = 3 V.

Dépletion MOSFET (D-MOSFET)
• Le drain et la source sont diffusés dans le matériau du substrat
puis reliés par un canal d’épaisseur faible adjacent à la grille
isolée.
• Le D-MOSFET peut fonctionné dans les deux modes, le mode
de dépletion ou le mode de renforcement.
• Puisque la grille est isolée du canal, une tension de grille
positive ou négative peut être appliquée.

Mode de Dépletion :
• Avec une tension de grille négative,
les charges négatives sur la grille
repoussent les électrons de
conduction du canal, laissant les ions
positifs à leur place.
• Ainsi, le canal n est appauvri de
certains de ses électrons, diminuant
ainsi la conductivité du canal.
• Plus la tension négative sur la grille
est grande, plus la dépletion des
électrons du canal n est important.

Mode de renforcement :
• Avec une tension de grille positive,

plus d'électrons de conduction sont
attirés dans le canal, augmentant
ainsi la conductivité du canal.

D-MOSFET - Symboles

Caractéristiques de transfert du D-MOSFET
• Le D-MOSFET peut fonctionner avec des tensions de grille
positives ou négatives.
• Le point sur les courbes où VGS = 0 correspond à IDSS.
• Le point où ID = 0 correspond à VGS(off).
2
 VGS 
I D ≅ I DSS 1 − 
 V
 GS(off) 

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Pour un certain D-MOSFET, IDSS = 10 mA et VGS(off) = -8 V.
(a) Est-ce que c’est un D-MOSFET à canal-n ou à canal-p?

(b) Calculer ID à VGS = -3V.
(c) Calculer ID à VGS = 3 V.

Polarisation du D-MOSFET
• D-MOSFETs peut fonctionner avec des valeurs positives ou

négatives de VGS. Une méthode de polarisation simple consiste à
fixé VGS = 0 de sorte qu'un signal alternatif à la grille fait varier la
tension grille-source au-dessus et au-dessous de ce point de
polarisation 0 V .

Polarisation du D-MOSFET
Déterminer la tension drain-source dans le circuit de la

figure ci-dessous. Le datasheet du MOSFET donne VGS(off)
= -8 V et IDSS = 12 mA.


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• L'équation du caractéristiques de transfert du E-MOSFET est:

• La constante K dépend du MOSFET et peut être déterminée à

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La fiche technique (datasheet) pour le 2N7002 E-MOSFET

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• Parce que le E-MOSFETs doit avoir un VGS supérieure à la

• Deux manières pour polariser un E-MOSFET: la polarisation

• Pour les deux méthodes, le but est de rendre la tension de grille

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Polarisation avec diviseur de tension :

• Les équations pour l'analyse de la

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Polarisation avec rétroaction du drain (Drain-feedback bias) :

• Pour la polarisation drain-

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Déterminer VGS et VDS pour le circuit E-MOSFET dans la

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Déterminer la quantité de courant de drain dans la figure

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• Avec une tension de grille positive,

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Pour un certain D-MOSFET, IDSS = 10 mA et VGS(off) = -8 V.

(a) Est-ce que c’est un D-MOSFET à canal-n ou à canal-p?

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• D-MOSFETs peut fonctionner avec des valeurs positives ou

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