Université Hassan II de Casablanca

Faculté des sciences et techniques de Mohammedia Y. SAYOUTI

2020/2021

TP1 : Caractéristiques de commutation du MOSFET et de la diode

Objectif:

Ce TP a pour objectif de montrer les formes d'onde de commutation, les temps de commutation et
les pertes de puissance associées aux MOSFET et les diodes.

1) étude du MOSFET (charge inductive)

Dans le schéma ci-dessus, le circuit de la figure 1-a se compose d'un MOSFET IRF150 et d'une diode
dans la bibliothèque PSpice MBR2530. Tracer le circuit sur l’éditeur Capture.

R1 M1

50 IRF150
40Vdc V1 = 0 V2
V1 V2 = 12
TD = 50n
TR = 10n
TF = 10n
Vpulse PW = 1.5u
Idc PER = 3u I1
Vdc D2 10Adc
r MBR2530
0
IRF150
MBR2530

(a) (b) (c)

Figure 1 : Commutation d’un MOSFET

1- En utilisant le logiciel Pspice, obtenez les caractéristiques de commutation à l’amorçage

comme indiqué sur la Fig. 1-b,
2- Mesurez , et dans les caractéristiques de commutation à l’amorçage,
3- Mesurez et . Comparez-les avec la fiche technique de l'IRF150,
4- Estimez la perte de commutation moyenne pendant l’amorçage,
5- Obtenir les caractéristiques de commutation de blocage comme indiqué sur la Fig. 1-c.
6- Mesurez , et dans les caractéristiques de commutation d'activation,
7- Calculer la perte de puissance de commutation moyenne pendant le blocage,
8- Comparer les résultats avec le calcul théorique et conclure ;

Travaux pratiques d’électronique de puissance – LST GEII

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2) étude du MOSFET (charge résistive)

Remplacer la source de courant par une résistance R = 4 Ω.

1. Obtenez les caractéristiques de commutation à l’amorçage et au blocage du MOSFET,

2. Obtenez la puissance instantanée du MOSFET,
3. Estimez la perte de commutation moyenne ( ,
4. Comparer les résultats avec le calcul théorique,

3) étude du circuit de commande (driver)

1. Changer la résistance de la gâchette par une valeur de 25 , obtenez la puissance

instantanée du MOSFET et comparez les résultats obtenus avec les précédents,
2. Changer la tension de par 5 , représenter le changement et interpréter les
résultats,
3. Conclure sur les drivers des MOSFET.

4) étude de la diode

1- Tracer le courant de la diode,

2- Calculer le , en déduire les pertes par commutation de la diode,
3- Changer la diode par une autre référence MUR2505, comparer les résultats obtenus
4- Conclure ;

Figure 2 : commutation au blocage d’une diode

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