Université Hassan II de TD °1 Y.

SAYOUTI
Casablanca Electronique de puissance
- FSTM - 2015/2016

Exercice 1
Une diode dont la caractéristique est sur la figure 1 est
traversée par un courant périodique :
50 0
2
0
2
Calculer les pertes par conduction dans la diode.

Exercice 2
Le courant d’accrochage du thyristor du circuit de la figure est
de 50mA. La durée d’impulsion de la commande est de 50µs.
1- Est-ce que le thyristor sera amorcé ?

2- Quelle est la durée minimale pour amorcer le thyristor ?

Exercice 3
Un BJT de puissance alimente une charge inductive chargé à 20 A. La tension d'alimentation
est de 200V, la fréquence de commutation et le rapport cyclique sont 1 kHz et 0,5
respectivement. Les temps de commutation sont les suivantes.
td = 12µs, tr = 8 µs, ts = 12 µs, tf=8 µs. VCEsat = 1.0V à i = 20 A
Calculer les pertes par commutation et de conduction du transistor.

Exercice 4
Pour le circuit de la figure 4 déterminer :
1- les pertes par conduction
2- les pertes lors de la commutation à l’état passant ( ).
Les paramètres du MOSFET sont :
2μ , 0.2 , 0.7, 30"#$

Exercice 5
Calculer les pertes totales dans un MOSFET ayant les paramètres suivants :
% 120%, 4 , 80) , ** 120) , 2+ , 0.2Ω
50%, . 45"#$
Dans ces conditions le MOSFET a-t-il besoin d’un radiateur ? On donne /0 12 40°4/6,
2 40°4 7 892: 150°4

Exercice 6
L’IGBT utilisé dans la figure 6 a les paramètres suivants:
3μ , ;<< 1.2μ , 0.7, %=>?@2/A 2%, 1"#$
Déterminer :
1- le courant moyen de la charge
2- les pertes par conduction
3- les pertes par commutation