Chapitre 4 Circuits Actifs

Hyperfréquences 2
Chapitre IV : Circuits actifs
Satellites ENSA-Fès 1
Plan
1. Configurations de base des transistors à effet de champ
2. Polarisation des composants actifs
3. Topologies générales d’amplificateur petit signal
4. Circuits actifs non linéaires
Plan
1) Modèle petit signal d’un transistor a effet de champ
La figure ci-dessous représente le modèle petit signal d’un transistor à effet de
champ :
2) Montage source commune
C’est la topologie de base la plus utilisée pour la conception d’amplificateurs, elle
permet d’obtenir un gain en tension élevé. L’admittance d’entrée est dominée par la
capacité Cgs. Cette dernière influence la fréquence de coupure haute. L’impédance
d’entrée varie avec la fréquence, rendant difficile l’adaptation très large bande.
La capacité Cgd est directement responsable de la dégradation de l’isolation
entrée/sortie.
3) Montage grille commune
Le signal d’entrée est appliqué sur la source et le signal de sortie est récupéré sur le
drain. Le gain en courant est égal à l’unité. Son admittance d’entrée étant élevée,
les bandes passantes sont plus grandes que celles obtenues avec le montage source
commune. Néanmoins, ce montage est le moins utilisé car l’isolation entre la sortie
et l’entrée est bien plus faible, entraînant un risque d’instabilité.
4) Montage cascode
C’est une combinaison des 2 précédents montages,
associant les avantages et les inconvénients de
chacun : la bande passante est plus large, l’isolation
entre la sortie et l’entrée est plus grande. En
revanche, l’encombrement est plus grand.
4) Montage drain commun (ou source suiveur)
Le signal d’entrée est appliqué sur la grille et le signal de sortie est prélevé sur la
source. Le gain en tension est égal à l’unité. L’admittance d’entrée se réduit à la
capacité Cgd qui est plus faible que la capacité Cgs du transistor en source
commune.
Ce montage est souvent utilisé comme adaptateur d’impédance (adaptation active).
Plan
1) Introduction
La polarisation des composants actifs est extrêmement importante pour le bon
fonctionnement des circuits. A très hautes fréquences, cette polarisation doit être
effectuée avec précaution. En effet, l’impédance ramenée par le générateur n’est
jamais infinie et il faut placer un système de découplage entre le générateur continu
et le signal microondes qui se propage à travers le circuit, sous peine de présenter
des conditions suffisantes à l’oscillation du composant par exemple.
2) Schéma de base de polarisation
La figure ci-dessous représente un schéma de base pour polariser un transistor FET
monté en source commune
Les inductances LC, connectées sur la grille et le drain, ont pour rôle de présenter
au signal alternatif une impédance suffisamment élevée pour ne pas le perturber.
Ces inductances sont appelées des selfs de choc. Les capacités de découplage Cd
ont pour rôle de court-circuiter à la masse les fuites du signal alternatif. Les
capacités de liaison Cl sont là pour isoler les différentes tensions appliquées aux
transistors suivants ou précédents.
3) Polarisation par des résistances
Une autre méthode de polarisation consiste à remplacer les inductances de choc LC
de la figure précédente par des résistances R. Cette technique est surtout utilisée
pour polariser les grilles des transistors à effet de champ, car le courant inverse de
la jonction métal semi-conducteur est très faible et la chute de tension est donc
négligeable. La figure ci-dessous schématise cette méthode :
4) Polarisation par des circuits d’adaptation
Un autre moyen de polarisation des transistors consiste à utiliser les circuits
d’adaptation en entrée et en sortie avec une légère modification qui consiste à
ajouter des capacités de découplage Cd comme le montre le schéma de la figure ci-
dessous, où C1 et L1 constituent le circuit d’adaptation en entrée, et C2 et L2
constituent le circuit d’adaptation en sortie :
Ainsi la polarisation continue pourra être appliquée à travers les deux circuits
d’adaptation.
5) Source de courant
Les sources de courant, qui sont construites à partir des transistors, sont souvent
utilisées dans les circuits intégrés monolithiques. Elles présentent un grand nombre
d’avantages par rapport à la méthode de polarisation classique. Ainsi, elles
permettent surtout d’avoir une meilleure stabilité du point de polarisation, mais
aussi d’obtenir un courant drain constant lorsque la tension VDS varie.
5-1) Miroir de courant
Le circuit dit "miroir de courant" est la
configuration typique des sources de
courant. Il est conçu surtout pour
maintenir le courant du drain à une
valeur constante. Ce circuit est illustré
sur le schéma de la figure ci-contre :
C’est une structure simple qui est constituée de deux transistors et une résistance.
Les grilles des deux transistors sont au même potentiel de sorte que le courant de
drain est identique pour chacun des deux transistors. Ce courant s’écrit sous la
forme suivante :
Vdd  Vgs
Id 2  Iref 
R
Comme nous pouvons le remarquer sur cette expression, le courant de sortie est
commandé en tension. Ainsi, pour obtenir l’intensité que nous cherchons. Il suffit
de bien choisir les valeurs des tensions Vdd, Vgs et de la résistance R.
Il faut signaler que cette configuration permet d’obtenir des intensités de courant de
l’ordre d’une dizaine de milliampères.
5-2) Miroir de courant de Widlar
La source de courant de Widlar est souvent utilisée pour obtenir une source de
faible intensité. Cette source est présentée sur le schéma de la figure ci-dessous.
Sur ce schéma, la résistance RS est utilisée pour rendre les tensions Vgs1 et Vgs2
différentes, de telle manière que la tension Vgs1 soit inférieur à Vgs2 et par
conséquent, ID1 soit plus petit que ID2 :
Cette structure convient pour obtenir des intensités de courant de l’ordre de
quelques milliampères.
D’autres sources de courant, inspirées du montage de base du miroir de courant,
sont aussi utilisées dans les circuits intégrés monolithiques. Comme par exemple : la
source de courant à gain ou la source de Wilson.
Plan
1) Introduction
Différentes configurations sont possibles pour concevoir des amplificateurs petit
signal dans le domaine des microondes. Nous ne donnerons ici que des structures
très générales en différenciant principalement la largeur de bande.
2) Faible bande passante, structure à un seul étage

Ces structures à faible bande passante, de l’ordre de 5 à 10% sont souvent utilisées
pour la conception d’amplificateurs faible bruit (LNA : Low Noise Amplifier). La
largeur de bande de l’amplificateur dépend principalement des circuits d’adaptation
en entrée et en sortie du composant. On utilise en général des filtres pour réaliser
ces adaptations.
3) Bande passante, structure à plusieurs étages
Ces topologies sont de type passe-bande et permettent d’obtenir un gain plat sur
une bande de fréquences de 1 à 2 octaves, typiquement fmax < 3.fmin. On
distingue principalement deux structures différentes :
3-1) Structure non équilibrée : étage cascadée
Le problème de cette configuration est qu’il faut faire attention à la saturation des
transistors qui risque d’intervenir assez rapidement, d’autant plus que les transistors
sont des transistors faibles signaux. On est amené à limiter le nombre d’étages à 4
voir 3.
3-2) Structure équilibrée
On divise le signal d’entrée en deux, ou plus selon les configurations, afin de
limiter le phénomène de saturation des transistors. En sortie, les signaux sont
sommés.
4) Très large bande passante de type passe bas
En général la fréquence minimale est inférieure au GHz et le rapport entre la
fréquence supérieure et la fréquence inférieure de la bande passante est supérieur à
5. On distingue principalement la configuration d’amplificateur distribué :
Amplificateurs distribués
Dans un amplificateur conventionnel, le produit gain-bande ne peut être augmenté
qu'en faisant croître le gain et en plaçant plusieurs étages en cascade. Une mise en
parallèle de transistors, correspondant à une addition des transconductances, ne
résout pas le problème car les capacités d'entrée et de sortie augmentent. Des
problèmes d'adaptation apparaissent alors et le produit gain-bande reste à peu près
constant.
Pour pallier ceci, et réaliser des amplificateurs très large bande, on réalise un
amplificateur distribué ou progressif qui utilise une suite d'étages identiques
"distribués" le long de deux lignes de transmission, les lignes de grille et de drain.
Ces deux lignes de transmission peuvent être réalisées avec des éléments localisées
ou distribués (figure ci-dessous). Le principe de fonctionnement est le suivant :
chaque étage peut être considéré comme un générateur de tension commandé à
haute impédance d'entrée et de sortie. Le générateur situé à l'entrée de la ligne de
grille crée une onde qui se propage le long de cette ligne, chargée en bout par une
résistance Rg. Cette onde excite chaque générateur commandé, qui à leur tour, crée
une onde dans la ligne de drain.
Amplificateur distribué 4 cellules
Vs1 Vs2 Vs3 Vs4

Ld/2 Ld/2 Ld/2 Ld/2 Ld/2 Ld/2 Ld/2 Ld/2
Zcd g.vg Rds g.vg Rds g.vg Rds g.vg Rds RL

Cds Cds Cds Cds
Lg/2 Lg/2 Lg/2 Lg/2 Lg/2 Lg/2 Lg/2 Lg/2
Cgs Cgs Cgs Cgs

vg vg vg vg
Ve1 Ri Ri Ri Ri Zcg
Amplificateur distribué à éléments localisés et distribués
Les lignes de grille et de drain constituent les éléments d'adaptation de
l'amplificateur en compensant les capacités internes d'entrée et de sortie du
transistor par les inductances :
La fréquence basse de coupure est limitée par les éléments de polarisation. Cette
configuration est utilisée pour les récepteurs optiques de communications à très
haut débit (12, 40 et 80 Gbits/s).
5) Très large bande passante et forte sensibilité : amplificateur
transimpédance
Les systèmes de télécommunications par fibre optique nécessitent des récepteurs
très sensibles afin de maximiser leur portée de transmission. L’amplificateur
transimpédance est un des éléments clés : il forme une interface entre le courant
faible issu de la photodiode et l’entrée de l’amplificateur qui attaque le circuit de
décision. Cet amplificateur (dit d’extrémité) joue un rôle primordial dans la
détermination des performances du récepteur : les gain, sensibilité et bande
passante de ce circuit dominent les performances de la chaîne de réception optique.
En général, un compromis doit être réalisé entre bande passante et sensibilité.
L’amplificateur transimpédance utilise une contre-réaction, fournissant ainsi un bon
compromis entre bruit et largeur de bande. L’inconvénient de cette structure est de
présenter des instabilités.
C’est un étage inverseur de gain, contre-réactionné. L’impédance d’entrée est faible
pour un gain élevé et sa gamme dynamique est importante. Le bruit thermique de la
résistance de contre-réaction apparaît comme une source de bruit additionnelle en
parallèle avec le courant de bruit de l’amplificateur. Le bruit est minimisé en
prenant une résistance de contre-réaction élevée, mais en revanche, la bande
passante est alors réduite.
5) Immunité au bruit: amplificateur différentiel
L’utilisation de signaux différentiels sont très utiles dans les applications faible
signal, en effet, si le niveau du signal est très faible et/ou le rapport signal sur bruit
est faible, la différence entre 2 signaux permet de doubler le niveau du signal.
Les circuits utilisant des signaux différentiels sont ainsi plus performants que les
circuits à signal simple dans des environnements à fort niveau de bruit.
En revanche, le produit gain-bande est plus limité que la structure distribuée, la
consommation et l’encombrement sont augmentés de part l’utilisation d’une paire
de transistors qui doit être en général associée à des étages suiveurs
supplémentaires.
L’association amplificateur transimpédance + amplificateur différentiel permet

d’augmenter le gain en bénéficiant des performances de la structure
transimpédance en entrée.
Plan
1) Amplificateur: phénomène de distorsion
1-1) Compression de gain
La tension de sortie d’un circuit non linéaire peut être développée en série de
Taylor de la tension d’entrée :
Les coefficients de la série de Taylor s’écrivent :
a0 représente la composante DC de la tension de sortie, utilisée en redresseur, a1 le

terme linéaire, utilisé en fonction atténuation ou amplification et a2 le terme
quadratique, utilisé en mélange, les termes suivants sont utilisés en multiplieur.
Si à l’entrée du circuit, on applique un signal sinusoïdal (ve = V0cos(ω0t)),alors le
signal de sortie se décompose en série de termes harmoniques :
Ainsi le gain en tension, si on considère le fonctionnement petit signal, est la

somme des coefficients a1 et a3 :
Dans la plupart des cas, le coefficient a3 est négatif et lorsque l’amplitude du signal
d’entrée (V0) augmente, le gain diminue en V02, c’est le phénomène de
compression de gain.
Ces termes harmoniques en nω0 se retrouvent en général en dehors de la bande
passante d’un amplificateur et sont ainsi peu influents.
1-2) Produits d’intermodulation
Lorsqu’à l’entrée du circuit, deux signaux, de fréquences proches, sont appliqués,
le signal de sortie est différent (ve = V0(cos(ω1t)+ cos(ω2t))) :
On obtient la somme des produits d’intermodulation d’ordre |m+n| en (m.ω1+n.ω2),

m et n étant des nombres entiers. Ainsi obtient-on 4 produits d’intermodulation
d’ordre 2 et 6 produits d’intermodulation d’ordre 3.
Si on regarde le spectre fréquentiel, on s’aperçoit que seuls les produits
d’intermodulation d’ordre 3 (2ω1-ω2) et (2ω2-ω2) sont proches de ω1 et ω2 et se
retrouvent ainsi dans la bande passante du circuit et sont difficilement éliminés par
filtrage.
1-3) Point d’interception d’ordre 3
Les produits d’intermodulation d’ordre 3 qui se trouvent dans la bande passante du
circuit sont susceptibles de perturber le plus le signal, en effet, ces deux produits
ont une amplitude qui croit rapidement (en V03) lorsque la tension du signal
d’entrée V0 augmente .
Ainsi, si on trace la puissance de

sortie, en dBm, en fonction de la
puissance d’entrée, en dBm, on
obtient une droite de pente 1 pour
la réponse linéaire et une droite
de pente 3 pour la réponse
cubique (Figure ci-contre).
Lorsque la tension d’entrée
augmente, ces deux réponses sont
soumises au phénomène de
compression.
Le point d’interception d’ordre 3 est défini comme étant la puissance
correspondante à l’intersection entre les réponses linéaire et cubique sans tenir
compte de la compression, cette intersection se situe en général à des puissances
situées dans la zone de compression, à savoir IP3 est supérieur de plus de 10dB de
P1dB.
La puissance IP3 de sortie peut être calculée en considérant l’égalité des puissances
des réponses linéaire et cubique , elle est de l’ordre :
1-4) Dynamique
Pour un amplificateur de puissance, c’est la zone de fonctionnement linéaire qui
s’étend du niveau de bruit au point de compression (DRa). Pour un amplificateur
faible bruit ou un mélangeur cette zone s’étant du niveau de bruit à la puissance
pour laquelle les produits d’intermodulation engendrent une trop forte distorsion
(DRm).
1-5) Amplificateur de puissance
La dynamique doit être grande pour des niveaux de puissance importants. Les
structures équilibrées permettent de limiter les phénomènes de saturation sur les
derniers étages.
2) Mélangeur
Pour réaliser un mélangeur, il faut disposer de composants qui présentent des
caractéristiques courant-tension non linéaires. La plupart des mélangeurs, dans le
domaine des microondes, est réalisée à base de diodes, transistors à effet de champ
ou bipolaire. La caractéristique non-linéaire des transistors étant réalisée par la
diode qui les constitue.
Si on considère un quadripôle quelconque, et si on applique une tension ve à
l’entrée, en sortie on récupère une tension vs=f(ve). Si l’amplitude de l’entrée est
faible autour du point de polarisation, le quadripôle est considéré comme linéaire et
la tension de sortie est égale à G.vs. Si l’amplitude du signal est suffisamment
grande pour que le fonctionnement du système devienne non linéaire, la tension de
sortie s’écrit :
G1 représente le terme linéaire et G2, le terme quadratique. Plus l’amplitude du

signal est élevé, plus le nombre d’harmoniques est grand.
Si en entrée, deux signaux sont appliqués, la tension de sortie s’écrit :
Si on développe, cette équation devient :
Comme les deux signaux d’entrée sont sinusoïdaux, chaque terme en vRFm génère
l’harmonique mfRF. Chaque terme vRFm .vLOn, génère deux fréquences : la fréquence
somme mfRF+nfLO et la fréquence différence mfRF-nfLO. Un système non linéaire
génère donc une multitude de fréquences qui sont les harmoniques et les produits
d’intermodulation, dont les amplitudes diminuent lorsque m et n croissent.
Le mélange permet de transférer les caractéristiques d’une onde de fréquence fRF à
une onde de fréquence fIF plus basse. En injectant deux signaux à l’entrée, toutes
les fréquences harmoniques sont obtenues et un filtre en sortie permet de
sélectionner le signal à la fréquence désirée, soit la fréquence différence, somme ou
bien encore une harmonique.
L’un des deux signaux est d’amplitude beaucoup plus élevée que l’autre de manière
à fonctionner en régime non linéaire : c’est le signal local (ou de pompe). En sortie,
on récupère le signal de fréquence intermédiaire qui contient les caractéristiques du
signal RF en phase et en amplitude.
Une des notions fondamentales du mélangeur est la fréquence image qui est égale à :
Cette fréquence image correspond à la fréquence RF qui donne une fréquence IF
négative (figure ci-dessous) et si on applique un signal d’entrée à la fréquence RF,
ou bien un signal d’entrée à la fréquence IM, en sortie, il est impossible de
distinguer de quelle fréquence RF ou IM est issue la fréquence IF.
Cette fréquence peut être gênante dans les récepteurs et certaines architectures
permettent de s’en affranchir.
A partir de ces considérations générales, nous allons voir comment générer un

signal de mélange à partir de composants actifs.
2-1) Diode
L’équation caractéristique d’une diode est donnée par :
La réponse de la diode (Figure ci-dessous) montre bien la zone non linéaire qui est
exploitée pour le fonctionnement de ces circuits.
Si on reste dans l’approximation petit signal, le courant de la diode peut se
développer en série de Taylor :
Avec :
Où Gd est la conductance dynamique de la diode. Lorsque deux tensions de

fréquence différente sont appliquées aux bornes de la diode, on obtient des produits
d’intermodulation et la fonction mélange est réalisée.
Remarque : si on applique un seul signal, on obtient la fonction multiplieur.
Les deux signaux d’entrée sont appliqués aux entrées d’un coupleur 3dB et on
récupère le signal IF avec un filtre. Ce mélangeur a des pertes de conversion, il
permet néanmoins de réaliser des mélangeurs jusqu’à des fréquences sub-
millimétriques
2-2) transistors
Les mélangeurs à transistors permettent d’obtenir un gain de conversion
essentiellement à travers la conductance qui est proportionnelle au gain de
conversion pour le cas du transistor à effet de champ. Le mélange est effectué à
travers la diode schottky, pour le transistor à effet de champ, ou la diode PN pour le
transistor bipolaire.
2-3) Architectures de mélangeurs
Il existe différentes architectures de mélangeurs. Plus la topologie est complexe,
plus les performances sont élevées. Ces architectures peuvent être réalisées à base
de transistors ou de diodes. Nous allons détailler, ici, les principales topologies
existantes.
2-3-1) Mélangeur simple à transistor
Un seul transistor est utilisé (figure ci-dessous). Les signaux RF et LO sont
introduits sur la grille du transistor par l’intermédiaire d’un quadripôle d’adaptation
qui fait office de duplexeur ou combineur. Les circuits de polarisation sont
standards, ils utilisent en général une self de choc. En sortie, un filtre passe-bas
d’adaptation permet de sélectionner le signal IF et une capacité parallèle permet de
filtrer la fréquence LO qui est amplifiée à travers le transistor, du fait de la
puissance élevée de ce signal en entrée.
La non linéarité est introduite par la transconductance (figure ci-dessous). Lorsque
Vgs est proche de 0V, gm est linéaire et le transistor peut être utilisé en
amplificateur. Au contraire, lorsque Vgs est très proche de la tension de pincement
Vp, gm devient fortement non linéaire et cette polarisation peut être utilisée pour la
conception de circuits non linéaires. En introduisant les signaux RF et LO sur deux
pattes différentes du transistor, on améliore l’isolation entre ces deux signaux.
2-3-2) Mélangeur simple à transistor double grille
Les transistors à double grille permettent une utilisation plus aisée en mélangeur.
Dans ce cas, l’isolation entre les signaux RF et LO est bien plus grande que dans la
configuration précédente.
Des montages différentiels améliorent également l’isolation entre signaux. Des

structures plus sophistiquées à base de montage différentiel, comme la cellule de
Gilbert, est utilisée dans les téléphones portables. La symétrie d’une telle cellule
permet de minimiser les produits d’intermodulation, en les annulant, et de favoriser
les fréquences somme et différence.
2-3-3) Mélangeur simple à transistor double grille
L’inconvénient majeur des mélangeurs simples réside dans la faible isolation des
signaux RF et LO en sortie et leur mauvaise adaptation. Une structure équilibrée
permet d’augmenter cette isolation, d’améliorer l’adaptation et de rejeter les
produits d’intermodulation. Cette structure consiste en deux mélangeurs simples
combinés par un coupleur 3dB à déphasage égal à 90 ou 180°.
Le signal RF attaque chacune des entrées du transistor (ou de la diode) avec une
phase de 0° et 90°, dans le cas du coupleur 90°, ou bien une phase de -90° et +90°,
dans le cas du coupleur 180°.
Ces phases sont communiquées au signal IF de sortie, si bien qu’ils doivent être
remis en phase afin de se sommer en sortie. Ceci est effectué à l’aide du filtre
passe-bas de sortie, qui fait également office de déphaseur dans le cas du transistor.
Dans le cas de la diode, les diodes sont inversées.
En effet, si on calcule les tensions à la sortie du coupleur 90° :
Elles se simplifient :
Le mélange est effectué à travers le terme quadratique de la réponse en courant de
la diode. Le courant dans chaque diode s’écrit alors :
La somme des deux courants donne le résultat suivant :
On retrouve en sortie les harmoniques 2 de RF et LO et le signal à la fréquence

intermédiaire.
2-3-4) Mélangeur double équilibré
Cette structure améliore encore d’avantage l’isolation entre les 3 ports ainsi que la
réjection des harmoniques d’ordre pair des fréquences RF et LO. Ceci lui confère
un gain de conversion bien meilleur que les précédentes structures ainsi qu’un
point d’interception d’ordre 3 bien plus élevé.
Pour les circuits intégrés basse fréquence utilisant des transistors bipolaires, le
mélangeur doublement équilibré à cellule de Gilbert (Gilbert-Cell mixer) est très
utilisé. Il s'agit d'un multiplieur réalisé à partir de 3 paires différentielles. Le coeur
du mélangeur est représenté sur la figure ci-dessous où la paire RF fournit du gain
alors que les 2 paires OL fonctionnent en commutation.
Ses excellentes performances comme un gain de conversion élevé, une bonne
isolation entre les ports et une intégration compacte ont permis à cette topologie
d’être très utilisée (téléphonie portable) et d’être étendue à des domaines de
fréquences plus élevées. Le fonctionnement de ce mélangeur est également assuré
avec des transistors à effet de champ.
2-3-5) Mélangeur à réjection d’image
Si à l’entrée du mélangeur, deux fréquences RF égales à fLO±fIF sont présentes,
ces deux fréquences vont donner un signal à la fréquence IF après mélange avec
LO. C’est la fréquence image. Ces deux fréquences sont appelées USB (Upper
Sideband : fLO-fIF) et LSB (Lower Sideband : fLO+fIF), ou bandes latérales haute
et basse dans un signal à double bande latérale (double sideband).
Le mélangeur à réjection d’image permet de séparer ces deux signaux sur 2 sorties
distinctes (Figure ci-dessous) :
Le signal RF en entrée du mélangeur contient les 2 signaux :
En sortie du coupleur, chaque mélangeur est attaqué par le signal RF ayant une
phase différente :
Après le mélange (K est la constante du terme quadratique), on retrouve sur les

voies IF :
Sur les 2 voies de sortie du mélangeur, à l’issue du coupleur, on obtient :
On différencie bien ainsi les 2 signaux sur chacune des 2 voies.

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2. Polarisation des composants actifs

3. Topologies générales d’amplificateur petit signal

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2) Faible bande passante, structure à un seul étage

Vs1 Vs2 Vs3 Vs4

Zcd g.vg Rds g.vg Rds g.vg Rds g.vg Rds RL

Lg/2 Lg/2 Lg/2 Lg/2 Lg/2 Lg/2 Lg/2 Lg/2

Cgs Cgs Cgs Cgs

L’association amplificateur transimpédance + amplificateur différentiel permet

1. Configurations de base des transistors à effet de champ

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3. Topologies générales d’amplificateur petit signal

4. Circuits actifs non linéaires

Les coefficients de la série de Taylor s’écrivent :

a0 représente la composante DC de la tension de sortie, utilisée en redresseur, a1 le

Ainsi le gain en tension, si on considère le fonctionnement petit signal, est la

On obtient la somme des produits d’intermodulation d’ordre |m+n| en (m.ω1+n.ω2),

Ainsi, si on trace la puissance de

G1 représente le terme linéaire et G2, le terme quadratique. Plus l’amplitude du

Si on développe, cette équation devient :

A partir de ces considérations générales, nous allons voir comment générer un

Où Gd est la conductance dynamique de la diode. Lorsque deux tensions de

Des montages différentiels améliorent également l’isolation entre signaux. Des

La somme des deux courants donne le résultat suivant :

On retrouve en sortie les harmoniques 2 de RF et LO et le signal à la fréquence

Après le mélange (K est la constante du terme quadratique), on retrouve sur les

On différencie bien ainsi les 2 signaux sur chacune des 2 voies.

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