Ecole Supérieure en Génie Electrique et Energétique d'Oran

EXAMEN FINAL : MATERIAUX DU GENIE ELECTRIQUE (MGE). DATE: 25/03/2021

3EME ANNÉE: 1ER SEMESTRE DUREE: 01H30

QUESTIONS DE COURS
1- Définir les termes suivants : conducteur, diélectrique, Alliage, semiconducteur
intrinsèque, semiconducteur extrinsèque et dopage.
2- Définir le niveau de Fermi. Donner sa position pour un semiconducteur intrinsèque, type
N et type P.
3- Classer les différents matériaux du point de vu énergétique (bande d’énergie).
4- Décrire brièvement le phénomène de l’effet de peau.
5- De quel type de charges dépend les vecteur polarisation 𝑷⃗, déplacement 𝑫⃗ et champ
électrique 𝑬⃗? Donner la relation entre ces trois vecteurs.

EXERCICE 01
Considérons un échantillon de silicium dopé avec l’Arsenic (donneur). La résistivité 𝜌
de cet échantillon dopé à la température ambiante T= 300 K est 5 Ω.cm.
a- Faire un schéma expliquant le mécanisme de dopage de cet échantillon.
b- Calculer la conductivité et la densité de courant si le champ est égal 10V/cm.
c- Calculer la vitesse de dérive vd d’un électron dans la bande de conduction.
d- Calculer la concentration de l’Arsenic (donneur).
Données : 𝜇 = 1350 𝑐𝑚 /𝑉. 𝑠, 𝑞 = 1,6. 10 𝐶

EXERCICE 02
Un fer à repasser a une puissance de 1500 W et fonctionne sous 220 V et 200 ºC.
1- Déterminer l’intensité de courant et la résistance à chaud 200 ºC?
2- Le fil chauffant est en nichrome (𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑡𝑒 𝜌 = 150 ∗ 10 𝛺𝑚 et le coefficient de
température 𝛼 = 0.4 ∗ 10 𝐾 ). Quel doit être alors le diamètre de ce fil, pour une
longueur de 8 m ?
3- Calculer la résistance à froid (20 ºC) de ce fil.

EXERCICE 03 (INTERROGATION ECRITE)

1. Rappeler la loi de Fourier.
2. Exprimer le flux de chaleur Φ émis dans chacun des cas suivants :
a- Conduction monodimensionnelle suivant l’axe Ox;
b- Conduction radiale à travers un cylindre;
c- Conduction le long d’un cylindre;
d- Conduction radiale à travers une sphère.
Bon courage !
 Examen /20:

Questions de cours : 10/20

1-
0.5 Conducteur : Un conducteur est un corps dans lequel il existe un grand nombre de charges électriques
qui sont susceptibles de se déplacer librement.
0.5 Diélectrique : est un milieu isolant neutre où il n’y a pas des charges électriques libres et mobiles. Il
est formé d’atomes et de molécules.
0.5 Alliage : Produits métalliques obtenus par incorporation d'un ou plusieurs éléments à un métal.
0.5 Semiconducteur intrinsèque : Semiconducteur pur, sans impuretés (non-dopé).
0.5 Semiconducteur extrinsèque : Il s’obtient par dopage, c’est-à-dire adjonction d’un très petit nombre
d’atomes de dopage dans un semiconducteur intrinsèque.
0.5 Dopage : Le dopage consiste à l’introduction d’impuretés dans un matériau (exemple de silicium).
0.5 2- Le niveau de Fermi : EF correspond au niveau statistique moyen occupé à l’équilibre
thermodynamique par l’ensemble des porteurs.
Position pour un semiconducteur intrinsèque, type N et type P :

0.5
0.5 0.5

3- Classer les différents matériaux du point de vu énergétique (bande d’énergie)

0.5 0.5 0.5

1.0 4- Effet de peau : est un phénomène électromagnétique qui fait que, à fréquence élevée, le courant a
tendance à ne circuler qu'en surface des conducteurs. Ce phénomène d'origine électromagnétique
existe pour tous les conducteurs massifs parcourus par des courants alternatifs. Il provoque la
décroissance de la densité de courant à mesure que l'on s'éloigne de la périphérie du conducteur. Il
en résulte une augmentation de la résistance du conducteur.
L’effet de peau traduit l’aptitude d’un conducteur à s’opposer à la pénétration d’un champ
électromagnétique en son sein.
5- Le vecteur polarisation 𝑷⃗ : dépend des charges liées (polarisées) 0.5
Vecteur éplacement 𝑫⃗ : dépend des charges libres 0.5

Champ électrique 𝑬⃗: dépend des charges liées (polarisées) et libres. 0.5
La relation entre ces trois vecteurs : 𝐷⃗ = 𝜀 𝐸⃗ + 𝑃⃗ 1.0
Exercice 01 : 5.50/20

La conductivité : 𝜎 = = = 0.2(Ω. c𝑚) 0.5

2.0
La densité de courant : 𝑱 = 𝜎. 𝑬
1 1.0
𝐽 = . 10 = 2𝐴/𝑐𝑚
5
La vitesse: 𝒗 = 𝜇 . 𝑬 = 1350.10 = 13500𝑐𝑚/𝑆 1.0
1
𝜌=5= ⟹ 𝑁 = 9.26. 10 𝑐𝑚 1.0
𝑒𝜇 𝑁

Schéma : Semi-conducteur dopé N

Exercice 02: 4.50/20

1- La tension et lapuissance sont données par les relations:

𝑽 = 𝑹𝑰 et 𝑷 = 𝑹𝑰𝟐 . 0.5
𝑷 𝟏𝟓𝟎𝟎𝑾
Nous en déduisons que : 𝑰 = 𝑽 = = 𝟔. 𝟖𝟐 𝑨 0.5
𝟐𝟐𝟎𝑽
𝑽𝟐 (𝟐𝟐𝟎𝑽)𝟐
𝑹= = = 𝟑𝟐. 𝟑 𝛀 0.5
𝑷 𝟏𝟓𝟎𝟎𝑾
2- La résistance du fil est donnée par la relation :
𝝆𝑳 𝝆𝑳 𝝆𝑳
𝑹= 𝑺
= 𝟒 𝝅𝒓𝟐 ⟹ 𝒓 = 𝟒 𝝅𝑹 = 𝟎. 𝟔𝟗 𝒎𝒎. Le diamètre : d = 2r = 1.38 mm

0.5 0.5
0.5

3- La résistance varie avec la température comme la résistivité, selon la relation :

𝑹
𝑹 = 𝑹𝟎 (𝟏 + 𝜶𝚫𝑻) ⟹ 𝑹𝟎 = = 𝟑𝟐. 𝟑𝛀/(𝟏 + 𝟎. 𝟒. 𝟏𝟎 𝟑 𝑲 𝟏 . 𝟏𝟖𝟎𝑲) = 𝟑𝟎. 𝟏𝛀
(𝟏 + 𝜶𝚫𝑻)
1.0 0.5