Circuit Anal MIP2

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
Cours
Par
Mr. AZANGUE Brice Arthur
Doctorant en Electronique
Tel : 675860634/695501610
Email : azangue.bricearthur@gmail.com
Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 1

Préambule
Le cours d’électronique analogique est une discipline assez importante et dont les applications sont
assez diversifiées. Dans les domaines comme l’électronique, la mécatronique et la mécanique,
l’électronique analogique est une partie intégrante impossible de le dissocier de ces disciplines. Pour
l’électronicien elle est fondamentale et secondaire dans pour les autres. L’agencement de la mécanique
et de l’électronique a donné naissance à la mécatronique dans cette discipline tous mouvements
mécaniques est directement lié à l’électronique (exemple de robot mécanique). La mécanique pure par
contre utile très faiblement l’électronique (exemple de certains véhicules). Il est de ce fait important que
nous apprenions les bases de cette discipline.
Azangue B. A
Objectif général : ce cours a pour objectif principal de comprendre les bases de
l’électronique analogique.
Objectifs Spécifiques : A la fin de ce cours, l’étudiant dois être capable de :
 Comprendre la technologie des composants analogiques et leurs applications
(résistance, condensateur, inductance, diode, transistor, amplificateur opérationnel).
 Effectuer des montages électroniques en utilisant les composants analogiques.

CHAPITRE 1 : Généralités sur les circuits électriques

Objectif General : Le but de cette partie est d’introduire quelques notions de base de
l’électricité dans son ensemble
1.1 Le circuit électrique

Un circuit électrique est un ensemble de composants électriques interconnectés d’une
manière quelconque par des conducteurs.
Un composant électrique est :
– dans le cas le plus simple un élément à deux bornes (on dit aussi un dipôle), que l’on
représente sous la forme suivante :
Figure 1.1 : Dipôle électrique a deux bornes

Les bornes a et b servent à la connexion avec d’autres composants. Dans cette catégorie on
trouve par exemple les résistors, condensateurs, bobines, piles, etc.) ;
– dans certains cas un élément à plus de deux bornes. Par exemple, un transistor possède 3
bornes, un transformateur peut en avoir 4 voire 6. Un composant à quatre bornes est appelé
quadripôle.
– Un conducteur est constitué d’un matériau transportant bien le courant électrique. Pour
des raisons physiques, un bon conducteur électrique est également un bon conducteur
thermique. On en trouve ainsi réalisé en métal, et surtout en cuivre. Mais il est également
possible d’utiliser un liquide conducteur, appelé électrolyte : l’exemple le plus classique est
l’eau salée.
1.1.1 Courant, tension, puissance

1.1.1.1 Courant électrique
Un courant électrique est un déplacement d’ensemble ordonné de charges électriques
dans un conducteur. On le caractérise par une grandeur, l’intensité, définie comme étant le
débit de charges électriques dans le conducteur. Cette grandeur est souvent notée I. Quand,
pendant un temps dt, il passe dq Coulombs, l’intensité vaut
(1.1)
L’unité légale dans laquelle s’exprime l’intensité du courant électrique est l’ampère (symbole
A).

1.1.1.2 Différence de potentiel

La valeur de la différence de potentiel est appelée la tension, et son unité est le Volt
(symbole V). Le Volt est défini de telle manière qu’une charge d’un Coulomb accélérée sous
une tension de 1V acquiert une énergie de 1J : 1V=1J/C. On représente une différence de
potentiel par une flèche à côté du composant, comme sur le schéma suivant :
Figure 1.2 : Différence de potentiel d’un Dipôle
Dans le bas de ce schéma, les symboles rayés indiquent la référence de potentiel nulle, appelée la
masse, par rapport à laquelle sont définis les potentiels V1 et V2. On peut aussi noter la
tension entre les deux bornes comme suit :
(1.2)
1.1.1.3 Energie, puissance

En se ramenant à une unité de temps, on peut introduire une puissance électrique
définie comme étant le produit de la tension par le flux de charges par unité de temps dans le
conducteur, autrement dit par l’intensité.
(1.3) (1.4)
1.1.1.4 Conventions générateur/récepteur

Il est possible de raffiner cette notion de puissance électrique en distinguant les
composants « générateurs » de puissance de ceux qui se contentent de la recevoir.
– Convention récepteur : considérons un dipôle que l’on qualifiera de « passif » ,

uniquement capable de recevoir de l’énergie électrique. On impose aux bornes de ce dipôle
une ddp V2 - V1, avec V2 > V1. Les électrons, de charges négatives, vont se diriger vers le
pôle de potentiel le plus élevé. Par conséquent, le courant sera positif dans le sens contraire.
Il s’ensuit que l’on peut définir une convention réceptrice pour les sens positifs des courant et
tensions, comme suit :

Figure 1.3 : Convention récepteur

On notera que la flèche de la tension et celle du courant sont de sens opposés.
– Convention générateur : cette convention est la « duale » de la précédente. Il s’agit cette

fois-ci pour le dipôle d’imposer la tension à ses bornes et l’intensité du courant qui le
traverse. En fait, on définit la convention génératrice d’après la convention réceptrice. Si l’on
veut pouvoir brancher l’un en face l’autre un récepteur et un générateur, il faut
nécessairement que les conventions de signe pour ce dernier soient les suivantes, pour qu’il
n’y ait pas d’incompatibilité entre les définitions :
Figure 1.4 : Convention générateur

On notera que cette fois-ci, les deux flèches sont dans le même sens.
1.1.2 Les lois de Kirchhoff

1.1.2.1 Loi des nœuds
Cette loi se déduit facilement de la notion de courant électrique. Les électrons venant
de la « gauche » partiront soit dans la première, soit dans la deuxième branche. Mais le
nombre total d’électrons par seconde restera le même que celui qui arrive en permanence par
la gauche, et donc i0 = i1 + i2 (avec les sens des courants définis suivant la figure
précédente).
Figure 1.5 : Illustration des nœuds

Dans la théorie des réseaux de Kirchhoff, un nœud est un point de convergence de plusieurs
conducteurs. Plus généralement, si on considère n conducteurs arrivant au même point O,
avec les sens positifs des courants in définis comme suit, vers O...

Figure 1.6 : Loi des nœuds

La loi des nœuds stipule alors que la somme algébrique des courants arrivant à un nœud est
constamment nulle :
∑ (5)
1.1.2.2 Loi des mailles

Cette loi découle de la remarque selon laquelle entre deux points quelconques, la différence
de potentiel est bien définie. Considérons par exemple trois points A, B et C. On mesure
entre A et B la tension VAB = VB - VA, entre A et C la tension V1 et entre C et B la tension V2
:
Figure 1.7 : Loi de maille

Par définition de V1, on a V1 = VC - VA et de même pour V2, V2 = VB - VC. Il s’ensuit que V1 +
V2 = (VC - VA) + (VB - VC) = VB -V
A = VAB. Cela s’apparente à une relation vectorielle.
Dans la théorie des réseaux de Kirchhoff, une maille est une « chaîne » de conducteurs et de
composants électriques, partant d’un point, et arrivant à ce même point.
La loi des mailles stipule que la somme algébrique des tensions le long de la maille est
constamment nulle :
∑ (1.6)
Exemple application
1.1.2.3 Associations de résistors

Considérons deux résistances R1 et R2. On peut les associer de deux manières : soit elles
sont parcourues par
le même courant (association en série), soit elles sont soumises à la même différence de
potentiel (association en
parallèle). On cherche dans chaque cas la résistance R équivalente à l’ensemble de R1 et R2.
1. Association en série ; les deux résistances sont associées ainsi :
Figure 1.8 : Association en série
R = R1 + R2 (1.7)
NB : La résistance équivalente à deux résistances mises en série est égale à la somme
des résistances.
2. Association en parallèle ; les deux résistances sont associées ainsi :
Figure 1.9 : Association en parallèle

On note leurs conductances respectives G1, G2 et la conductance équivalente G.
G = G1 + G2 (1.8)
NB : La conductance équivalente à deux conductances mises en parallèle est égale à la
somme des conductances. Autrement dit, l’inverse de la résistance équivalente est égale à
la somme des inverses des résistances.
1.2.3 La bobine
1.2.3.1 Les effets inductif et auto-inductif
Considérons deux conducteurs. On fait circuler dans l’un de ces conducteurs un
courant électrique :

Figure 1.10 : Effet inductif de la

bobine
1.2.3.2 Caractéristique tension/courant d’une bobine

On définit le coefficient d’induction magnétique de la bobine par le rapport entre le
flux d’induction magnétique à travers le circuit, et le courant qui lui donne naissance ; on le
note L :
(1.9)
Or la différence de potentiel u apparaissant grâce à l’effet auto-inductif aux bornes de la

bobine est égale à u (1.10). Il vient donc u où L est appelée
l’inductance de la bobine et s’exprime en Henri (H). Dans un circuit électrique, on représente
une bobine sous la forme suivante :
Figure 1.11 : Symbole d’une bobine
1.2.3.3 Aspect énergétique

Le phénomène physique correspond au stockage d’énergie sous forme magnétique. Le
stockage est momentané et l’énergie est restituée au circuit en courant. L’énergie accumulée
par la bobine vaut :
1.2.4 Le condensateur
1.2.4.1 L’effet capacitif
Lorsqu’on applique une différence de potentiel à deux conducteurs isolés, on assiste à
une accumulation de charges par effet électrostatique. C’est l’effet capacitif. Il peut être
recherché et dans ce cas on fabrique des composants spécialisés qui lui font appel, les
condensateurs, ou bien n’être qu’un parasite. Il tend à retarder les signaux.
1.2.4.2 Caractéristique tension/courant d’un condensateur

Pour un circuit donné, on définit sa capacité C comme le rapport de la charge
accumulée sur la tension appliquée à ses bornes :
L’unité de C est le Farad (F)

Or le courant est la dérivée de la charge par unité de temps : i(t) = donc il vient :
On représente un condensateur sous la forme suivante :
Figure 1.12 : Symbole d’un condensateur
1.2.4.3 Aspect énergétique

Le phénomène physique correspond au stockage d’énergie sous forme électrostatique.
Le stockage est momentané et cette énergie est restituée au circuit sous forme de tension.
L’énergie accumulée par le condensateur vaut :
1.2.5 Impédances
1.2.5.1 Rappel : caractéristiques tension/courant
On considère un dipôle, parcouru par un courant i, et aux bornes duquel on mesure la
tension u :
TAbleau.1 – Relations entre u et i en réel
1.2.5.2 Impédance complexe

Pour un dipôle D, parcouru par le courant i et aux bornes duquel on mesure la
tension u, l’impédance complexe est définie comme étant le rapport de la représentation
complexe de u par celle de i :
Figure 1.13 : Dipôle complexe
Dans le cas général, un dipôle quelconque n’a pas une impédance « purement » réelle ou
imaginaire. De plus, a priori, cette impédance dépend de la fréquence, comme on peut le

remarquer par exemple pour une bobine ou un condensateur. Une impédance peut également
avoir une partie imaginaire négative (comme un condensateur, par exemple) et on dit alors
qu’elle est de type capacitif, ou une partie imaginaire positive (par exemple une bobine) : elle
est alors de type inductif. En revanche, pour des composants passifs, la partie réelle, qui
correspond à une résistance, est dite résistive et est toujours positive.
TAbleau.2 – Relations u et i en complexe
1.2.5.3 Associations d’impédances

Il est facile de vérifier que :
– L’impédance équivalente à deux impédances mises en série est égale à la somme des deux
impédances :
Figure 1.14 : Association série d’impédances

– L’impédance équivalente à deux impédances mises en parallèle est égale à l’inverse de la
somme des inverses des impédances (autrement dit, les admittances s’ajoutent) :
Figure 1.15 : Association parallèle d’impédances
1.2.5 Diviseur de tension – Diviseur de courant

a) Diviseur de tension
Soit le montage suivant
Figure 1.15 : Diviseur de tension

Il permet de prendre une fraction de la tension d’alimentation. En fait c’est la combinaison de

la loi d’Ohm et de la loi de Pouillet.
Rappel
La loi de Pouillet utilisé dans un circuit à un maille nous dit que le courant est égal à :
Exemple
b) Diviseur de courant
Soit à déterminer le courant de sortie dans le montage ci – dessous.
Par récurrence on obtient

1.2.5 Théorème de Thevenin

* Énoncé
« Tout circuit électrique ne comportant que des dipôles actifs et passifs linéaires est équivalent à un
générateur de tension de f.e.m Eth et de résistance interne Rth .»
Figure 1.16 : Modèle équivalent de Thévenin

Eth et Rth sont les caractéristiques du générateur de THEVENIN
* Eth est le F.e.m de THEVENIN, elle se détermine lorsque l’intensité du courant débitée
est nulle (I=0).
* Rth est la résistance équivalent vu des bornes AB lorsque les sources de tension sont court-
circuitées (sources de courant ouvertes).
En résumé : La détermination du générateur de Thévenin passe par les étapes suivantes :
- On isole la partie du circuit à laquelle sera raccordé le générateur de Thévenin ;
- On repère les deux bornes du circuit résiduel ;
- On détermine Eth : c'est la tension en circuit ouvert aux bornes repérées ;
- On détermine Rth. pour cela, on met en court - circuit toutes les sources de tension et on
ouvre toutes les sources de courant. On calcule ensuit la résistance équivalente aux bornes
repérées.
Exemple d’application
Calculer le courant qui traverse la résistance de 5Ω dans le circuit suivant, en utilisant la

méthode de Thévenin :

Correction
Calcul de Eth :
Calcul de Rth :
1.2.6 Théorème de Norton

* Enoncé
« Tout dipôle actif est équivalent d’après Norton à deux dipôles élémentaires en parallèle. »
Figure 1.17 : Modèle équivalent de Norton

Le modele equivalent presente dont :
- Une source de courant de cour-circuit
- Une résistance interne élémentaire obtenue de la même manière que la résistance de

Thévenin
En résumé : La détermination du générateur de Norton passe par les étapes suivantes :
- On isole la partie du circuit à laquelle sera raccordé le générateur de Norton ; - On repère

les deux bornes du circuit résiduel ;

- On détermine IN : c'est le courant de court – circuit à travers les bornes repérées ;
- On détermine RN par le même procédé que Rth.
Déterminer le courant qui traverse la résistance de 4Ω dans le circuit suivant, en utilisant la

méthode de Norton.
Correction
Calcul de IN :
Calcul de RN :
Calcul de I :
1.2.7 Théorème de Millman

Soit le montage.

Figure 1.18 : Modèle équivalent de Millman
De façon général ce théorème s’énonce comme suit :
« Le potentiel qui est à un nœud est égale au rapport de la somme des potentiels sur les résistances de
chaque branche sur la somme des inverses de toutes les résistances dans le circuit. »
On a dont :
Calculer la tension u dans le circuit suivant :
1.2.8 Méthode par superposition

Enoncé
« Tout circuit électrique est équivalent à la somme de plusieurs circuits électriques alimentés à chaque
fois par un seul générateur. »

Figure 1.19 : Modèle d’application du théorème de superposition

Le résultat de la figure ci-dessus est tel que on a
Exemple application
Soit à trouver le courant qui traverse la résistance de 3Ω dans le réseau suivant :
Solution
Etape 1 :
Etape 2 :
Calcul de I

1.2.9 Théorème de Kennely

Ce théorème permet de passé de la transformation étoile pour triangle vice versa.
a)-Triangle – étoile
Figure 1.20 : Passage triangle-étoile

On a les formules de passage suivante :
b)- Etoile – Triangle
Figure 1.21 : Passage étoile-triangle

On a les formules de passage suivante :
1.2.10 Transfert Maximal de puissance

Soit le circuit suivant :
Dont cette puissance est maximal si R = r. Pour que la puissance soit Maximale dans la
charge, il faut que la résistance interne du générateur soit égale à la résistance de charge.

D’où
Taf : Démontrer ce résultat final.
Circuits en régime sinusoïdal

Rappels sur les nombres complexes
1) Définition
On appelle nombre complexe tout nombre qui s’écrit de la forme z = a + jb ou z = a + ib,

où a et b sont des nombres réels. a est appelé partie réelle du nombre z et b est sa partie
imaginaire.
On note : R(z) = a et Im(z) = b.
Si a = 0, alors z = jb. On dit que z est un imaginaire pur. Exemple : z = - 4j
Si b = 0, alors z = a. On dit que z est un réel pur. Exemple : z = 5
Exemple : z = 5 +2j : Dont R(z) = 5 et Im(z) = 2
2) Opérations sur les nombres complexes

Il est important de savoir que pour un nombre complexe on a : j2 = j x j = -1
b) Somme de deux nombres complexes

Soient z = a + jb et z’ = a’ + jb’ deux nombres complexes :
z + z’ = a + jb + a’ + jb’ = (a +a’) + j(b + b’)
c) produit de deux nombres complexes

z x z’ = (a + jb) (a’ + jb’) aa’ + ab’j + a’bj + bb’ = (aa’ + bb’) + j(ab’ + a’b)
d) Conjugué d’un nombre complexe

Soit z = a + jb un nombre complexe. On appelle conjugué de z le nombre complexe ̅ = a –
jb.
3) Module d’un nombre complexe

Soit le nombre complexe z = a + jb. On appelle module de z le réel positif │z│ tel que
| | √
4) Forme trigonométrique d’un nombre complexe

La notation z = a + jb est appelée la forme algébrique du nombre complexe z. La forme

trigonométrique de z est notée : Z = ρ(cosθ + jsinθ), dans laquelle ρ est le module de z et θ
son argument.
Ainsi et . On note aussi z = [ ρ ; θ], ou encore z = ρ /θ
II – LOI D’OHM EN ALTERNATIF
1) Impédance et admittance d’un dipôle passif linéaire
Considérons un dipôle linéaire AB placé dans un circuit fonctionnant en régime sinusoïdal

permanant.
La tension uAB appliquée aux bornes du dipôle AB est : √ . Il est traversé par un
courant d’intensité i tel que √ . Lorsque le dipôle AB est alimenté, on peut
mesurer directement les valeurs efficaces U de la tension et I du courant.
L’impédance du dipôle est donnée par : . Avec : U en volt ; I en A et Z en Ω.
L’impédance Z du dipôle dépend de la nature du dipôle, mais elle est indépendante des
valeurs efficaces U et I. Pour la plupart des dipôles, l’impédance dépend de la pulsation du
courant, c’est – à – dire de la fréquence f, car on a = 2πf.
L’admittance du dipôle, notée Y, est l’inverse de l’impédance : . En siémens (S).
a) Le résistor ou dipôle résistif
U et I sont les notations complexes de U

et I.
Soit I = [ I ; 0°] d'où √ .
L'impédance du dipôle est ZR = R et le déphasage est θ = 0

Remarque : Aux bornes d'un résistor, le courant et la tension sont en phase.
b) Bobine parfaite
Module de I est , . Et son argument Arg I = arg U – arg (jL )
dont .
On peut alors écrire * + d’où √ .
Remarque : Aux bornes d'une bobine pure, le courant est en retard de sur la tension. On dit
que la tension est en quadrature avance sur le courant. L'impédance du dipôle est donnée par
ZL = Lw. Le déphasage de la tension par rapport au courant est :
c) Condensateur parfait
Ainsi I = [ UC ; ], d'où √ .
L'impédance du dipôle est : . Le déphasage du courant sur la tension est
Remarque : Aux bornes d'un condensateur parfait, le courant est en avance de sur la
tension. On dit que la tension est en quadrature retard sur le courant.
3) Groupements en série
a) Circuits R – L série
Le module de Z est : √ . Le déphasage est et on a .
b) Circuit R – C série

Le module de Z est √ ( ) . Le déphasage est et on a .
c)circuit R – L – C série
Le module de Z est √ ( ) . Le déphasage est et on a .
Remarque :
 Si le circuit est dit inductif,
 Si le circuit est dit capacitif,
 Si le circuit est dit résonant/résistif.
Ce dernier cas nous permet d’obtenir la condition de resonance . Ce qui nous

permet d’obtenir la fequence de rsonance .
√
Pour un circuit résonant, on peut définir un facteur de qualité ou facteur de surtension :
Conséquences de la résonance : A la résonance extérieure, le dipôle se comporte comme un

résistor parfait. Mais à l'intérieur, des surtensions peuvent exister car, la tension UL = Uc peut
être très grande. C'est pourquoi la résonance doit être évitée dans les circuits industriels. Ces
tensions élevées pourraient être dangereuses à la fois pour l'utilisateur et pour le matériel.
III – PUISSANCE EN COURANT ALTERNATIF
1) Définition
a) Puissance active
Elle est donnée par :
P = UI cos𝛗, en monophasé
P = UI √ cos𝛗, en triphasé

Avec U = tension entre phases ; Cos𝛗 = Facteur de puissance.
L'unité de la puissance active est le Watt (W)
b) Puissance réactive
Q = UI sin𝛗, en monophasé
Q = UI √ sin𝛗, en triphasé .
Avec U = tension entre phases ; Cos𝛗 = Facteur de puissance
L'unité de la puissance réactive est le Volt Ampère réactif (Var)
c) Puissance apparente
S = UI , en monophasé
S = UI √ , en triphasé
Avec U = tension entre phases ; Cos𝛗 = Facteur de puissance L'unité de la puissance

apparente est le Volt Ampère (VA)
d) Diagramme des puissances
D'après Pythagore, . Le facteur de puissance est donné par
2) Théorème de Boucherot
- La puissance active consommée par plusieurs récepteurs est égale à la somme des
puissances actives consommée par chaque récepteur : PT = P1 + P2 + … + Pn
- La puissance réactive consommée par plusieurs récepteurs est égale à la somme des
puissances réactives consommée par chaque récepteur : QT = Q1 + Q2 + … + Qn
- Les puissances apparentes ne doivent jamais être additionnées. La puissance apparente totale
est donnée par :
Travaux dirigés sur les circuits électriques

Exercice 1
Soit le circuit électrique (figure 1) suivant
Figure 1
Trouver le potentiel VA, VB et VA - VB. Déduire le sens de propagation du courant entre A et
B.
Indication : VA - VB = 11 V
Exercice 2
Figure 2.a Figure 2.b
Figure 2.c
Utiliser le théorème de Thevenin pour calculer le courant dans la résistance de 10 Ω (Figure
2.a), 0.8Ω (Figure 2.b) et 32Ω(Figure 2.c). Déduire la puissance dissipée par ces résistances.
Indication : I = 0.482 A , I = 1.5 A et I = 1 A
Exercice 3
Soit le montage suivant
1) Calcul Us
2) En déduire Is

3) Déterminer I = f(Is, R, Rp, et Rs)
4) Déterminer I1 f (I, R, Rp, et Rs)
Exercice 4
Exercice 5
La figure suivante montre une cellule avec un f.e.m de 6 V et de résistances interne 2.5Ω. Si
la résistance de charge RL varie entre 0 et 5Ω sur un pas de 0.5Ω.
a. Calculer la puissance dissipée par la charge dans chaque cas.

b. Représenter sur un graphe la courbe de l’évolution de la puissance en fonction de la
charge.
c. Déterminer la valeur de la charge pour laquelle la puissance est maximal.
Exercice 6
A l’aide du théorème de Millman déterminer les tensions dans les montages suivants.
Exercice 7
Calculer la tension u en utilisant le théorème de Millman dans le circuit suivant :

Indication : u = 8.33 V
Exercice 8
On donne le groupement suivant :
1) Calculer l'impédance équivalente complexe du groupement, si f = 50Hz

2) Trouver le courant i si la tension aux bornes du circuit est u =
220√2sin100πt
Indication : 1) ZT = 65,54 / 52,38° Ω ; 2) i = 3,35√
Exercice 9 :
Calculer l'impédance équivalente des circuits suivants :
a b
R1 =2Ω ; R2 = 5Ω ; ZL = j3Ω ; Zc = - j4Ω
Indication : a) ZAB = 3,25 /25,88° Ω ; b) ZAB = 2, 43/ 49,84° Ω

CHAPITRE 2 : Semi-Conducteur et Transistors
2.1 Les semi-conducteurs

Cette partie va présenter quelques modèles simples de semi-conducteurs, en vue
d’expliquer rapidement le fonctionnement des dispositifs les utilisant, tels que diode,
transistor à effet de champ, transistor bipolaire, etc.
2.1.1.1 Réseau cristallin

Un cristal de semi-conducteur intrinsèque est un solide dont les noyaux atomiques
sont disposés aux nœuds d’un réseau géométrique régulier. La cohésion de cet édifice est
assurée par les liens de valence qui résultent de la mise en commun de deux électrons
appartenant chacun à deux atomes voisins de la maille cristalline. Les atomes de
semiconducteur sont tétravalents 3.1 et le cristal peut être représenté par le réseau de la
figure suivante :
Figure 2.1 : Réseau cristallin
2.1.1.2 Définitions
L’électron qui possède une énergie suffisante peut quitter la liaison de valence pour
devenir un électron libre. Il laisse derrière lui un trou qui peut être assimilé à une charge libre
positive ; en effet, l’électron quittant la liaison de valence à laquelle il appartenait démasque
une charge positive du noyau correspondant. Le trou peut être occupé par un autre électron
de valence qui laisse, à son tour, un trou derrière lui : tout se passe comme si le trou s’était
déplacé, ce qui lui vaut la qualification de charge libre. La création d’une paire électron libre-
trou est appelée génération alors qu’on donne le nom de recombinaison au mécanisme inverse.
La température étant une mesure de l’énergie cinétique moyenne des électrons dans le
solide, la concentration en électrons libres et en trous en dépend très fortement.
2.1.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type n

2.1.2.2 Définitions
Le dopage est l’action qui consiste à rendre un semiconducteur extrinsèque. Par
extension, ce terme qualifie également l’existence d’une concentration d’atomes étrangers :
on parle de dopage de type n. On donne le nom d’impuretés aux atomes étrangers introduits

dans la maille cristalline. Dans le cas d’un semiconducteur extrinsèque de type n, les
impuretés sont appelées donneurs car chacune d’entre elles donne un électron libre.
2.1.2.3 Modèle
On peut admettre que le nombre volumique des électrons libres est égal au nombre
volumique des impuretés et que le nombre volumique des trous (charges libres positives) est
négligeable. Etant données ces considérations, on établit le modèle de semiconducteur
représenté ci-dessous dans lequel n’apparaissent que les charges essentielles, à savoir les
électrons libres et les donneurs ionisés. Les charges fixes sont entourées d’un cercle.
Figure 2.2 : Semi-conducteurs de type n
2.1.3 Semi-conducteurs extrinsèques de type p

2.1.3.1 Définition
Les impuretés, dans un semi-conducteur extrinsèque de type p, sont appelées
accepteurs au vu de leur propriété d’accepter un électron situé dans un lien de valence.
2.1.3.2 Modèle
On peut faire les mêmes considérations qu’au paragraphe précèdent concernant le
nombre volumique des trous : il est approximativement égal au nombre volumique des
impuretés. Le nombre volumique des électrons libres est alors considéré comme négligeable.
Il s’ensuit un modèle, représenté à la figure ci-dessous, dans lequel n’apparaissent que les
charges prépondérantes : les trous et les accepteurs ionisés.
Figure 2.3 : Semi-conducteurs de type p

Remarque : il faut remarquer que le semiconducteur extrinsèque, type p ou type n, est
globalement neutre.

2.2 La jonction PN
2.2.1 Introduction
Le dopage non uniforme d’un semiconducteur, qui met en présence une région de type
n et une région de type p, donne naissance à une jonction pn. Une telle jonction est aussi
appelée diode. Dans la présente section, on étudie, qualitativement, les phénomènes qui ont
pour siège la jonction pn. On donne également la relation exponentielle qui lie courant et
tension dans une telle jonction.
La région dans laquelle la neutralité n’est pas satisfaite est appelée zone de déplétion ou zone de
charge spatiale alors que les autres régions sont dites régions neutres.
Remarque : généralement, la concentration des charges mobiles dans la zone de charge

spatiale est négligeable vis-à-vis du nombre volumique des charges fixes.
Figure 2.4 : Jonction PN
2.2.2 Caractéristique électrique

2.2.2.1 Caractéristique et définitions
Si l’on applique une tension U à la jonction, cette tension se reporte presque
entièrement à la zone de déplétion qui présente une résistivité très grande due à la quasi-
absence de charges mobiles. Une tension U négative renforce le champ de rétention de la
diffusion et augmente, par conséquent, la hauteur de la barrière de potentiel, de telle sorte
qu’aucune charge libre ne traverse la zone de charge spatiale. Au contraire, si l’on applique
une tension U positive, le champ électrique de rétention de la diffusion est diminué et les
charges mobiles qui ont une énergie supérieure à celle que représente la hauteur de la
barrière de potentiel peuvent traverser la zone de charge spatiale.
Une polarisation directe permet le passage d’un courant électrique dans la jonction alors
qu’une polarisation inverse l’empêche. Simultanément, un « courant de trous » et un
« courant d’électrons » se superposent. Le résultat en est un courant unique, et l’on peut
montrer qu’il peut s’exprimer sous la forme :

* ( ) + (2.1)
où
– le courant Is est appelé courant inverse de saturation . C’est la valeur asymptotique du
courant traversant la
jonction en polarisation inverse ;
– n est le coefficient d’émission. Il dépend du matériau, voisin de 1 dans les jonctions de

transistors au silicium et dans les diodes au germanium, et compris entre 1 et 2 dans les
diodes au silicium.
– UT est la tension thermodynamique qui vaut , où k est la constante de Boltzmann, T

la température absolue en k et e la charge électrique élémentaire. A 25 dégrée C, UT =
25mV
On obtient donc la caractéristique suivante :
Figure 2.5 : Caractéristique direct de la jonction PN
2.3 La Diode a jonction

2.3.1 Définition
Une diode à jonction est un composant électronique constitué de deux électrodes :
l’Anode (A) et la Cathode (K).
Symbole :
Figure 2.5 : Symbole d’une diode à jonction
2.3.2 Polarisation de la diode

La polarisation d’une diode se fait de deux façons : la polarisation directe et la polarisation
inverse.

(a) (b)
Figure 2.6 : Polarisations directe (a) et inverse (b) de la diode à jonction

En polarisation directe, la tension appliquée (VAK > 0) permet le passage d’un courant
électrique de l’anode vers la cathode appelé courant direct.
En polarisation inverse, la tension appliquée (VAK < 0) empêche le passage du courant.

Le courant inverse est pratiquement nul.
2.3.3 Caractéristique statique courant-tension de la diode

Cette caractéristique décrit l’évolution du courant traversant la diode en fonction de la
tension à ses bornes en courant continu.
Figure 2.7 : Caractéristique statique courant-tension de la diode
2.3.4 Schémas équivalents de la diode

2.3.4.1- Caractéristique linéarisée de la diode
La caractéristique de la diode peut se rapprocher par deux portions de droites :
Figure 2.8 : Caractéristique linéarisée de la diode

Uo et Rd : tension de seuil et résistance dynamique de la diode.

- En polarisation directe et pour I > 0, la diode est équivalente à un récepteur de f.c.é.m Uo

et de résistance interne (Rd = VAK/I ).
Figure 2.7 : Schéma équivalent de la diode polarisée en direct

- En polarisation inverse : pour VAK < 0, I = 0, la diode est équivalente à un interrupteur
ouvert.
Figure 2.8 : Schéma équivalent de la diode polarisée en inverse
2.3.4.2- Caractéristique idéalisée de la diode

En polarisation directe : La diode est passante (I > 0 et VAK = 0 ).
En polarisation inverse : La diode est bloquée (I = 0 et VAK < 0 ).
Figure 2.9 : Caractéristique idéalisée de la diode
2.3.4.3 Etude du point de repos

Soit le montage suivant :
Figure 2.10 : Etude du point de repos de la diode

On donne E, R et la caractéristique de la diode (D).

Problème : déterminer I et U
Résolution : On cherche l’équation de la droite de charge et le résultat est
 On trace l’équation de la droite de charge sur le même repère que la caractéristique.

 Le point de rencontre de l’équation de la droite de charge et de la caractéristique
direct est le point de fonctionnement (point de repos) Po.
 Le prolongement de Po sur l’axe des abscisses nous donne U.
 Le prolongement de Po sur l’axe des ordonnés nous donne I.
Soit le schéma suivant. Vs = 2V et Rp = 100Ω.
1. Déterminer la droite de charge.

2. Que vaut I si Vs = 0 V ! et que vaut V si I =0 A !
Le point de coordonnées (I = 20mA ; V = 0) appartient à l'axe vertical. On l'appelle point de

saturation parce qu'il représente le courant maximal.
Le point de coordonnées (I = 0A ; V = 2V) appartient à l'axe horizontale. On l'appelle point

de blocage ou encore point de coupure parce qu'il représente la tension maximale.
Le point d'intersection entre la droite de charge et la caractéristique de la diode (point Q) est

appelé point de fonctionnement de la diode. Les coordonnées de ce point représentent le
courant et la tension de la diode pour une tension de source de 2V et une résistance de
protection de 100Ω. Ce point peut aussi se déterminer graphiquement par lecture directe sur
papier millimétré.

2.3.5 Groupement des diodes en parallèle

a. Diodes en anode commune
Lorsqu' on groupe plusieurs diodes par leurs anodes (a), la diode qui conduit est celle qui a la
plus petite tension de cathode.
Dans ce cas, la diode qui conduit est D3. Dans ce cas, on suppose que E > 2V.
b. Diodes en cathodes communes
Lorsqu' on groupe plusieurs diodes par leurs cathodes (b), la diode qui conduit est celle qui a
la plus grande tension d'anode.
Dans ce cas, la diode qui conduit est D1. Dans ce cas, on suppose que E < 10V.
(a) (b)
Figure 2.11 : (a) Diodes en anode commune, (b) Diodes en cathodes communes
2.3.6 Différents types de diodes

On rencontre différents types de diodes :
- Diodes de redressement.
- Diodes schottky.
- Diodes varicap.
- Diodes électroluminescentes.
- Photodiodes.
2.3.6 Applications
Les applications de la jonction PN (Diode à jonction) sont nombreuses.
 Le redressement de tension : Dans les alimentations en général le

redressement de tension est une étape capitale ou la conversion de la tension
alternative en tension continu est nécessaire. Elle peut être un redressement
simple alternance ou double alternance.

 Les doubleurs de tension : c’est un montage électronique qui permet

d’augmenter la tension de sortie.
 Excréteur de tension
 Protection : on utilise la diode a jonction pour aussi protéger certain s
composants électroniques. Par exemple les diodes de roue libre.
 La régulation / stabilisation : Certaines diodes spéciales sont conçues pour
réguler la tension. C’est le cas de la diode zener.
2.4 Le transistor
2.4.1 Définition
Le transistor est un composant analogique à semi-conducteur comprenant trois
électrodes dont la fonction est d’amplifier un signal électrique (courant ou tension). Les
trois électrodes sont le Collecteur (notée C ) , l’Emetteur (notée E ) et la Base (notée B ).
On distingue deux types de transistor : le transistor de type PNP et de type NPN.
Figure 2.12 : Symboles des transistors PNP et NPN
2.4.2 Le transistor bipolaire en régime statique

Le régime du transistor consiste à polariser le transistor, c’est-à-dire à utiliser des
résistances que l’on connecte au transistor pour le préparer à recevoir des tensions variables
et les amplifiés.
2.4.3 Equation du transistor
Figure 2.13 : Transistor NPN et ses grandeurs électriques

Effet transistor

C’est le fait de véhiculer un fort courant collecteur à partir d’un faible courant de base ( IC >>
IB ). On définit l’amplification statique en courant par la relation (2.2).
(2.2)
Réseaux des caractéristiques statiques d’un transistor monté en Emetteur commun
Soit le schéma du transistor et de ses grandeurs électriques principales.
Figure 2.14 : Schéma du transistor et de ses grandeurs électriques principales

En fonction des grandeurs électriques principales du transistor, on peut établir les
caractéristiques statiques suivantes :
Figure 2.15: Caractéristiques statiques du transistor
2.4.4 Polarisation du transistor

2.4.4.1 - Définition
La polarisation consiste à définir le point de fonctionnement statique (point de repos)
du transistor caractérisé par les valeurs VBEo, IBo, ICo et VCEo. Il existe différents procédés de
polarisation.
2.4.4.2 - Polarisation par deux sources de tension

a. Schéma de montage

Figure 2.16: Polarisation du transistor par deux sources de tension

b. Droite d’attaque statique
C’est l’équation définie par: VBE = VBB – RBIB d’où (2.3)
Figure 2.17: Droite de commande ou droite d'attaque

L’intersection de cette droite avec la caractéristique d’entrée du transistor donne le point (I Bo
, VBEo ).
c. Droite de charge statique
C’est l’équation définie par: (2.4)
Figure 2.18: Droite de charge

L’intersection de cette droite avec la caractéristique de sortie du transistor donne le point
(VCEo , ICo ).

Figure 2.19: Détermination du point de fonctionnement statique
2.4.4.3 - Polarisation directe par résistance de base

Figure 2.19: Polarisation directe par résistance de base

Dans ce cas de polarisation, VBE = VCE - RBIB (2.3) et VCE = VCC – RCIC (2.4)
avec IC =  IB,
il vient : VBE = VCC – (RB + RC ) IB (2.5): c’est l’équation de la droite d’attaque statique.
C’est l’équation définie par: (2.6)
2.4.4.4 Polarisation par pont de résistances de base


Figure 2.20: Polarisation par pont de résistances de base

Dans ce cas de polarisation, on peut écrire :
avec
D’où l’équation de la droite d’attaque statique :
C’est l’équation définie par : (2.9)
2.4.3 Le transistor bipolaire en régime dynamique

a - Introduction
En régime dynamique, les grandeurs d’entrée et de sortie résultent de la
superposition de grandeurs continues ou statiques (VBEo, IBo, ICo et VCEo) et de grandeurs
alternatives qui sont l’effet de source alternative.
Figure 2.21: Le transistor et ses grandeurs dynamiques principales

Grandeur variable = Grandeur continue + Grandeur alternative
Exemples : vBE = VBEo + vbe
iC = ICo + ic
b- Schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux

Le point de repos étant défini par les valeurs VBEo, IBo, ICo et VCEo qui correspondent à
4 points fixes sur le réseau des caractéristiques statiques.
Lorsque les petites variations alternatives autour du point de repos sont respectivement vbe,
ib, ic et vce ; on peut écrire :

{ (2.10)
Les sont appelés paramètres hybrides du transistor monté en émetteur commun. Ces
paramètres sont déterminés graphiquement sur le réseau des caractéristiques du transistor
autour du point de repos.
Figure 2.22: Détermination des paramètres hybrides du transistor
* h11e = r = (vBE /iB) : r est la résistance d’entrée du transistor.
* h12e =  = (vBE /vCE) : -1 est l’amplification en tension du transistor.
* h21e =  = (iC /iB) :  représente l’amplification en courant du transistor
* h22e = -1 = (iC /vCE) :  représente la résistance de sortie du transistor.
Connaissant ces paramètres, on peut tracer le schéma équivalent du transistor en régime

dynamique petits signaux basses fréquences.
ou
Figure 2.23: Schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux

Remarque : En pratique µ est de très faible valeur donc la source de tension µ.vce est
souvent négligée.
Pour simplifier le schéma, on peut noter VBE = Ve et VCE = Vs.
Dans la plupart des applications, h12 = 0
Le schéma devient :

Figure 2.24: Schéma équivalent simplifier(a) du transistor en régime dynamique petits signaux
Si en plus h22 est très grand, alors on aura : et . Le schéma devient :
Figure 2.25: Schéma équivalent simplifier(b) du transistor en régime dynamique petits signaux
2.4.4 - Amplificateur à transistor monté en Emetteur commun

a- Schéma du montage
Figure 2.26: Amplificateur à transistor monté en émetteur commun

C1 et C2 sont des condensateurs de liaison. Ils se comportent comme des courts circuits aux
fréquences des signaux à amplifier.
b- Schéma équivalent du montage en régime dynamique petits signaux

On remplace le transistor par son schéma équivalent et on suppose court-circuitée la
source de tension continue Vcc, on obtient ainsi :
Figure 2.27: Schéma équivalent du montage amplificateur EC en régime dynamique

c- Paramètres caractéristiques du montage amplificateur

Résistance d’entrée : Re = v1/i1 = RB//r avec RB = R1//R2
Résistance de sortie: Rs = v2/i2 = RC // ρ
Amplification en tension: Av = v2/v1 = - β Req/r avec Req = RL//RC// ρ.
Amplification en courant: Ai = i2/i1 = -(v2/RL) / (v1/Re) = -Av Re/RL.
2.4.5- Montage collecteur commun

a. Schéma
Figure 2.28: Amplificateur collecteur commun
b. Schéma équivalent en régime de petits signaux
RB = R1 // R2
 Résistance d'entrée
Pour trouver la résistance d'entrée, on déconnecte l'entrée, on ouvre la source de courant et on

calcule la résistance équivalente du circuit.
 Résistance de sortie
Pour trouver la résistance de sortie, on ouvre la source de courant, on met en court – circuit la
source de tension et on calcule la résistance équivalente du circuit.

 Amplification en tension
 Amplification en courant
Amplificateur à transistor monté en base commune
Figure 2.30: Amplificateur à transistor monté en base commune

Le schéma équivalent du transistor en base commune est le suivant :
Avec h22 = h12 = 0
Ainsi le schéma équivalent de notre montage est le suivant :
 Impédance d’entrée

On déconnecte le générateur de commande et on déterminer la résistance équivalente à

l’entrée.
 Impédance de sortie
On débranche la charge et on met en court – circuit la source de tension eg. On détermine

enfin la résistance de Thévenin vue des bornes A et B.
2.4.6 Transistors spéciaux

1) Transistor parallèle ou DARLINGTON
Il est constitué de deux transistors connectés de manière à ce que l'ensemble se comporte
comme un transistor unique, tel que :
- La base est celle de T1 ;
- Le collecteur est celui de T1 et T2 réunis
- L'émetteur est celui de T2
Figure 2.31: Transistor parallèle ou DARLINGTON
On démontre que le gain final vaut β = β1 + β2 + β1 β2
2) Les photo - transistors

Un photo – transistor est un transistor bipolaire qui se polarise lorsque sa base est
éclairée par une lumière convenable. Ainsi, l'éclairement remplace le courant de base I B.
Figure 2.31: photo - transistors

2.4.3 Le transistor à effet de champ

Il existe par contre un autre type de transistor, dont le fonctionnement repose sur un seul
type de charge : soit les trous, soit les électrons. C'est le transistor unipolaire. Ce type de
transistor convient particulièrement pour certaines applications en électronique. Le
transistor à effet de champ est un exemple de transistor unipolaire. C'est un dispositif
commandé par une tension, par opposition au transistor bipolaire qui est commandé par un
courant. On distingue deux types de transistors à effet de champ : Le transistor à effet de
champ (TEC) à jonction ou JFET (Jonction Field Effet Transistor), Le transistor à effet de
champ à grille isolée ou MOSFET (Metal Oxyde Semi – Conductor Field Effet Transistor).
2.4.3.1 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION ( JFET)

1) Constitution et symbole
Il existe deux catégories de JFET : - Le JFET à canal N ; - Le JFET à canal P.
a) JFET à canal N Un JFET à canal N est constitué d'un barreau de silicium dopé d'un
matériau semi-conducteur de type N à deux ilots, et d'un matériau de type P noyé
dans ses flancs. La partie inférieure s'appelle la source (S), la partie supérieure
s'appelle le drain (D). Les deux régions P sont reliées intérieurement et constituent la
grille (G). Le petit espace entre les deux régions P s'appelle le canal. Les électrons
libres doivent circuler par ce canal pour aller de la source au drain.
Figure 1 : JFET à canal N a) constitution ; b) Symbole
b) JFET à canal P Un JFET à canal P est constitué d'un barreau de silicium dopé d'un matériau
semi – conducteur de type P à deux ilots, et d'un matériau de type N noyé dans ses flancs.
Figure 2 : JFET à canal P
2) Caractéristiques d'un JFET à canal N

Figure 3.a) : Alimentation d'un JFET à canal N
Figure 3.b) : Schéma équivalent

On place une source de tension positive entre le drain et la source, et une source de tension
négative entre la grille et la source. Un courant d'électrons circule de la source vers le drain,
en passant par le canal. Il faut toujours polariser la grille en inverse. Cela a pour but
d'empêcher tout courant au niveau de la grille. Plus la tension grille est négative, plus le anal
est étroit. Le TEC a une impédance d'entrée très élevée.
a) Tension de blocage grille – source
Lorsque la tension grille est suffisamment négative, le canal se ferme et bloque le courant
drain. On note VGS (blocage) la valeur de la tension grille qui bloque le courant drain.
Exemple : Pour le transistor 2N5951, on a VGS(blocage) = - 3,5V
Certains constructeurs appellent cette tension la tension de pincement.
b) Caractéristique de drain : ID = f ( VGS)
Figure 4 : Caractéristique de drain d'un JFET
Ces caractéristiques sont comparables à celles d'un transistor bipolaire. Elles comportent une région
de saturation, une région active, une région de claquage et une région de blocage. La tension
maximale de saturation (VDS = 4V pour VGS = 0) est égale à la valeur absolue de la tension de
blocage grille – source. Entre 4V et 30V, le courant drain est presque constant et le JFET se
comporte comme une source de courant d'environ 100mA. Lorsque VGS dépasse 30V, le JFET entre
dans la zone de claquage.

c) Caractéristique de transconductance.
C'est la courbe de variation du courant de sortie (ID) en fonction de la tension d'entrée (VGS).
L'équation générale de cette caractéristique est donnée par :
d) Fonctionnement en commutation
C'est le fonctionnement d'un JFET dans les deux états extrêmes, c'est – à dire l'état passant et l'état
bloqué.
Figure 6 : Commutation d'un TEC
- Lorsque VGS = 0, le TEC est passant et il est comparable à un interrupteur fermé entre le drain et la
source.
- Lorsque VGS = VGS(blocage), le TEC est bloqué et il est comparable à un interrupteur ouvert entre
le drain et la source. 3) Polarisation d'un JFET à canal N a) Polarisation de grille.
Figure 7 : Polarisation de grille d'un JFET
C'est la pire façon de polariser un JFET car, le point de repos varie excessivement.
Droite de charge statique

Figure 8 : Droite de charge statique d'un TEC
b) Polarisation automatique
Figure 9 : Montage de polarisation automatique d'un TEC

Equation de polarisation automatique :
Figure 11 : Courbe de polarisation automatique d'un TEC
c) Polarisation par diviseur de tension

Figure 13 : Montage de polarisation par diviseur de tension d'un TEC
Cette polarisation repose sur le même principe que celle d'un transistor bipolaire par diviseur de
tension. La tension de Thévenin appliquée à la grille est égale à :
ID ne varie pas beaucoup, d'où le point de repos est stable.
Remarque : Le fonctionnement d'un JFET à canal P est complémentaire à celui d'un JFET à
canal N. Autrement dit, toutes les tensions et les courants doivent être inversés. Les différentes
polarisations d'un JFET canal N sont aussi valables pour le JFET à canal P
Travaux dirigés sur Semi-Conducteur et Transistors
Exercice 1
Soit le montage ci – après :
Calculer :
1) Le courant I dans le circuit ;
2) La résistance de protection Rp ;

3) La puissance dissipée par cette résistance
Indication : I = 2.14 A, Rp = 4.34 Ω, P =19.87 W
Exercice 2
On donne le montage de la figure suivante :
1) Déterminer le courant dans les différentes branches du circuit ;
2) Même question si la diode est renversée.
Exercice 3 :
On considère le montage de la figure suivante dans lequel les diodes sont supposées parfaites.
Déterminer l’intensité du courant i et la tension aux bornes de chaque diode.
Indication : uD1 = 0V, uD2 = - 20V et uD3 = - 15V
Exercice 4 :
La caractéristique d’une diode à jonction est assimilable à une droite passant par les points
A (1V ; 5mA) et B (2V ; 20mA).
1) Déterminer l’équation Id = f (Ud) de cette caractéristique ;
2) En déduire la tension seuil U0 et la résistance dynamique rd de cette diode ;

3) On monte cette diode en série avec une source de tension E = 4V et une résistance de
protection Rp = 100Ω.
a) Donner l’équation de la droite de charge de la diode ;
b) Tracer la caractéristique de la diode et la droite de charge sur un même graphique (Echelle :

1Cm pour 1V et 1Cm pour 10mA) ;
c) Déterminer graphiquement les coordonnées du point de fonctionnement Q de la diode.

Exercice 5
Dans tous les montages redresseurs, les diodes sont considérées comme étant idéales.
Soient les schémas du redressement simple alternance (a) et double alternance (b) suivants :
(a)
(b)
On pose v = Vmax sin wt la tension fournie par le transformateur.
Pour la figure (a),
1. Ecrire l’équation de maille relative au circuit.

2. Donner les expressions de Ud, UR et id pendant l’alternance positive et négative.
3. Sachant que le signal fourni par le transformateur est sinusoïdal de période 2 ,
représenter les courbes temporelles de v, Ud et UR.
Pour la figure (b),
1- Donner les expressions de UD1, UD2, UD3, UD4 , UR et id pendant l’alternance positive et
négative.
2- Sachant que le signal fourni par le transformateur est sinusoïdal de période 2 ,
représenter les courbes temporelles de v, UD1, UD2, UD3, UD4 et UR.
Exercice 6
Exercice 7
On donne le montage suivant :
RB = 390Ω ; RE = 10Ω ; Vcc = 9V ; β = 55
1) Trouver la relation entre IE et IB.

2) Calculer la valeur de IE et IB si VBE = 0,7V.

Indication : IE = 56IB, IE =0.48A
Exercice 8
Indication : 1) IE = 20mA, Ic =19mA. 2) IB = 81,9µA
Exercice 9
1) Calculer le coefficient d’amplification du transistor ;
2) Calculer RC et R1 ;
3) Tracer la droite de charge statique et placer le point de repos (prendre Rc = 4,5KΩ et R1

=124KΩ).
Indication : β = 100, Rc = 4,49KΩ, R1 = 123,77KΩ, Ic = 4 – 0,2VCE (m
Exercice 10
Dans le circuit de la figure suivante, D est une diode parfaite, v une tension sinusoïdale de
valeur efficace 50V et de fréquence 50Hz. Le condensateur C a pour capacité 100µF. R = R’
et E = 50V.

1) L’interrupteur k se trouve dans la position (1).
a) Représenter l’allure de la tension aux bornes de la résistance R.
b) Quelle doit être la valeur de la résistance R pour que le courant dans le circuit ne dépasse
pas 500µA ?
c) Donner la tension inverse maximale supportée par la diode.
2) L’interrupteur k se trouve dans la position (2).
a) Au début, quelle est la valeur du courant dans la résistance R et dans R’, sachant que le
condensateur a une charge initiale nulle ?
b) Calculer la constante de temps de charge et donner l’allure de la tension aux bornes du

condensateur en fonction du temps.
Indication :
1)
- Pendant l’alternance positive, la diode est passante : UR = V + E = 50√2 + 50 V

- Pendant l’alternance négative, la diode est bloquée : UR = 0 V
b. Valeur de la résistance R = 241421,35Ω
c. Tension inverse maximale de la diode : VD = - 20,71V
2) Interrupteur en position (2) :
a)Dans R : I = 0.206mA, Dans R’ : I = 0 A.
b) Constante de temps de charge : Le condensateur se décharge à travers la résistance

(R//R’). τ = (R//R’) C =12.07s
Exercice 11:
On considère un TEC dont les caractéristiques sont données à la figure 1 suivante :

Ce TEC est utilisé dans le montage de la figure 2 ci – dessous :
On donne :VDD = 12V ; RD = 1KΩ Le point de fonctionnement est choisi tel que la tension
VDM = 8V.
1) Calculer l'intensité du courant ID et en déduire la tension VGS ;
2) Déterminer la valeur de la résistance RS ;
3) Donner la valeur de la tension de pincement VP ;
4) Tracer la droite de charge sur la caractéristique de sortie, et en déduire la valeur de la

tension VDS ;
5) Dans ce montage, la résistance RG doit avoir une valeur élevée. Expliquer pourquoi.
Indication :
1) Calcul de ID : La maille 1 nous donne : VDD – RD ID – VDM = 0 ;

ID =4mA, VGS = - 2V
2) Détermination de RS : La maille 2 nous donne : RG IG – VGS –RS ID = 0 or, IG = 0
Rs = 500Ω.
3) Tension de pincement : Elle se détermine à ID = 0. D'après la caractéristique, VP = -3V

CHAPITRE 3 : Amplificateur Opérationnel (AO)
3.1 Généralités
Les amplificateurs opérationnels sont le plus souvent des circuits intégrés. On les
utilise surtout pour effectuer les opérations analogiques comme :
- L’amplification d’une tension ou d’un courant
- La combinaison linéaire de plusieurs tensions C’est ainsi qu’il réalise de nombreuses

opérations mathématiques (addition, soustraction, intégration, multiplication, dérivation)
3.2 Structure physique et brochage

Il se présente sous la forme d’un boîtier à 8 broches (DIL 8) :

Figure 3.1: Structure physique d’un amplificateur opérationnel (µA741)

L’A.O. possède :
• deux entrées :
broche IN+ (ou e+) : entrée « non inverseuse »
broche IN- (ou e-) : entrée « inverseuse »
• une sortie :
broche OUT (ou s)
• deux broches d’alimentation :
broche Vcc+ : alimentation en tension continue positive
broche Vcc- : alimentation en tension continue négative
3.3 Symbole
ou
Figure 3.2: Représentation courante de l’ AO
3.4 Alimentation de l’A.O

Un A.O. nécessite une alimentation constituée de deux générateurs de tension continue
symétriques :

Figure 3.3: Alimentation de l’AO
3.5 Caractéristique de transfert VS = f(Vd)

La courbe suivante présente le transfer entre l’entrée (Vd)et la sortie (VS).
Figure 3.4: Courbe de transfert de l’AO

Lorsqu’on observe cette courbe, on constate deux zones :
- BC qui est la zone linéaire
- AB et CD qui est la zone de saturation
Comme caractéristique des composantes de l’AOP:
- Sa tension d’alimentation VCC
- Amplification différentielle Ad
- Amplification différentielle à vide Ado
- Sa bande passante B
- Sa vitesse de balayage ou slew-rate SR en (V/μs ou V/ns)
a. Zone linéaire (BC)

Dans cette zone, la tension de sortie est proportionnelle à Vd, le coefficient de
proportionnalité Ado est appelé amplification différentielle en boucle ouverte
Vs = Ado Vd = Ado (VE+ - VE-)
b. Zone de saturation AB et CD
Dans la zone de saturation on a Vs = (Vsat)

Remarque : Pour faire fonctionner un AOP en commutation, on le fait fonctionner en

régime
de saturation.
c. Caractéristique d’un AOP parfait

Un AOP est parfait lorsque
- L’amplificateur à boucle ouverte est infini Ado
- L’impédance de sortie ZS
- L’impédance d’entrée Ze Vd = 0
- Courant i+ = i- = 0
- Tension VE+ = VE-= 0
Figure 3.5: Caractéristique parfait
d. Réaction positive et contre-réaction

Définitions
On dit qu’il y a réaction positive quand la sortie est reliée à l’entrée non inverseuse.
On dit qu’il y a contre-réaction (ou réaction négative) quand la sortie est reliée à l’entrée
inverseuse.
Conséquences importantes
 Une contre-réaction assure un fonctionnement linéaire de l’A.O. : ε ≈ 0 V

 Une réaction positive provoque la saturation de l’A.O.

e. Amplification
Par définition, l’amplification en tension est : (3.1)
Par définition, le gain en tension est :
| | (en décibels dB) (3.2)
3.6 Application des AOP

Dans les montages suivants, nous allons considérer que l’AOP est idéal c’est-à-dire
Vd = 0, i- = i+ = 0. Le calcul de Vs en fonction de Ve pourra se faire de 2 façons
- En utilisant le théorème de Millman
- En utilisant la loi des mailles ou Kirchoff
a. Amplification non-inverseur
Figure 3.6: AOP non-inverseur

Kirchoff AO idéal
Taf : Retrouvez le même résultat en utilisant le théorème de Millman.

b. Amplificateur inverseur
Taf : Retrouvez le même résultat en utilisant le théorème de Millman.
c. Sommateur inverseur
Figure 3.7: AOP Sommateur inverseur
Si R = R1 = R2 = R3 alors
Taf : Montrer le résultat ci-dessus
d. Ampli de différence (soustracteur)
Figure 3.8: AOP soustracteur

Si R = R1 = R2 = R3 alors
e. Montage dérivateur
f. Trigger de Schmitt
C’est un comparateur par hystérésis (à deux seuils de basculement) qui a une entrée
sur laquelle on applique le signal traité.

Travaux dirigés sur les AOP

Exercice 1

Exercice2
Exercice 3
1) Donner l'expression littérale de Vs en fonction de V1, V2, V3, R1, R2, R3 et R4.
2) Calculer Vs si R1 = 10KΩ ; R2 = 20KΩ ;
R3 = 30KΩ ; R4 = 100kΩ, et V1 = V2 = V3 = 1V.
3) Etablir une relation entre R1, R2, R3 et R4 pour que Vs = - (V1 + V2 + V3). Quelle serait
alors la fonction réalisée par le montage ?
Indication : 2) Vs = - 18,33V
Exercice 5

On considère le montage suivant, dans lequel l'AOP est supposé parfait.
1) Exprimer VB en fonction de V2, R3 et R4
2) Exprimer VA en fonction de VS, V1, R1 et R2.
3) On réalise la condition k =R2/R1=R4/R3
Démontrer que l'on peur écrire : Vs = k (V2 – V1)
4) Quel nom peut-on alors donner à ce montage ?
Exercice 6
On donne le montage suivant, dans lequel l'AOP est considéré comme étant
idéal:
1) Après observation du schéma, comparer les potentiels M, E+ et E-

2) Exprimer Vs en fonction de V1, V2, R1, R2 et R3.
3) Si R1 = R2 = R3 , exprimer Vs en fonction de V1 et V2
4) Calculer Vs si V1 = 3V et V2 = 4V
Indication : 4) Vs = – 7V
Exercice 7
Soit le montage ci-dessous :

1) A quoi reconnait-on qu'il s'agit d'un montage linéaire ?

2) Calculez quelles valeurs peut prendre Ve lorsque P passe de sa valeur mini à
sa valeur maxi (attention,
Ve est référencée à la masse et P est alimenté entre ± 15 V).
3) Pour R1 = 1 kΩ, calculez les valeurs de l'amplification en tension (notée Av)
lorsque R2 = 1 kΩ, 10 kΩ et 22 kΩ.
Exercice 8
Le montage d'étude du comparateur simple
Le potentiomètre P se décompose en deux parties P1 et P2. On a P1+P2 = P :

suivant la position du curseur, P1 varie de 0 à P pendant que P2 varie de P à 0.
1) Maille d'entrée : Ve est la tension issue du potentiomètre P. Exprimez
littéralement Ve en fonction de Vcc, R1, R2, P1 et P2. Pour Vcc = 15 V, donnez
la valeur de Ve quand P1=0 (nommée Vemin) et quand P1=P (nommée
Vemax).
2) Sortie : l'AOP étant alimenté en ± 15 V, quelles sont les valeurs de tension
que l'on est en mesure d'obtenir en sortie ? La tension aux bornes des LED

étant de 1,5 V, calculez le courant passant dans ces dernières. Quelle LED nous
informe de la saturation positive de l'AOP ?
Exercice 9
L’amplificateur de la figure 2.5 est réalisé avec un AO idéal. Tous les potentiels sont mesurés
par rapport à la masse comme on donne R0 = 180 kΩ, R = 1 kΩ, R1 = R2 = 1,5 kΩ.
1) Amplification de tension non inverseur :
La borne E1 est portée au potentiel v1 et la borne E2 est mise à la masse, déterminer le gain
vs/v1 en fonction des résistances, simplifier le résultat obtenu lorsque R0 est très grande
devant R, R1 et R2. Application numérique.
2) Amplification de tension inverseur :
La borne E1 est mise à la masse et la borne E2 est portée au potentiel v2, déterminer le gain
vs/v2 en fonction des résistances, simplifier le résultat obtenu lorsque R0 est très grande
devant R, R1 et R2. Application numérique.
3) Amplificateur de courant :
La borne E2 est maintenue à la masse. Un générateur de courant maintient un courant Ie

dans R. Déterminer le gain IS1/Ie, où IS1 est le courant ascendant qui parcourt R1.
Application numérique
CHAPITRE 4: Filtres Analogiques

4.1 Généralité
Il n’est pas un système électronique qui ne fasse appel à, au moins, un filtre. La plupart en
comporte en grande quantité. Le filtrage est une forme de traitement de signal, obtenu en
envoyant le signal à travers un ensemble de circuits électroniques, qui modifient son spectre
de fréquence et/ou sa phase et donc sa forme temporelle. Il peut s‘agir soit :
- d’éliminer ou d’affaiblir des fréquences parasites indésirables

- d’isoler dans un signal complexe la ou les bandes de fréquences utiles.
Leurs applications sont grandes :
 Systèmes de télécommunication (téléphone, télévision, radio, transmission de

données…)
 Systèmes d’acquisition et de traitement de signaux physiques (surveillance
médicale, ensemble de mesure, radars… )
 Alimentation électrique….
4.2 Différents types de filtres

On classe les filtres en deux grandes familles : ANALOGIQUE et NUMERIQUE.
Les filtres numériques sont réalisés à partir de structure intégrée microprogrammable

(DSP). Ils sont totalement intégrables, souples et performants. Ils sont utilisés chaque fois que
c’est possible. Ils sont pour l’instant limités à des fréquences pas trop élevées ( < 100MHz ).
On ne les utilisera pas si on doit limiter la consommation et ils nécessitent un pré-filtrage pour
éviter le repliement spectral avant la numérisation du signal et un post-filtre de lissage.
Les filtres analogiques se divisent eux mêmes en plusieurs catégories :
- les filtres passifs qui font appels essentiellement à des inductances de haute qualité et des
condensateurs. Jusque dans les années 70, c’était les seuls filtres conçus. Ils sont actuellement
utilisés pour les hautes fréquences. (utilisation de quartz)
- les filtres actifs sont constitués de condensateurs, de résistances et d’éléments actifs. Ils sont
moins encombrants, faciles à concevoir et moins coûteux que les filtres passifs mais restent
limités en fréquence ( < 1MHz). Ils consomment plus et nécessitent une source
d’alimentation.
Remarque :
Depuis le début des années 80 sont apparus des filtres actifs à capacité commutée. Ils
permettent de programmer la fréquence de coupure et d’être intégrable.
4.3 Rappels sur la théorie du filtrage

4.3.1 Notion de fonction de transfert
Le comportement d’un filtre est défini par l’étude fréquentielle de la fonction de transfert
entre la tension de sortie et la tension d’entrée du filtre. On l’appelle fonction de transfert
notée .

4.3.2 Notion de fonction d’atténuation
Parfois, on préfère définir un filtre par rapport à l’atténuation qu’il amène sur la grandeur
d’entrée :
4.3.3 Filtre réel – Gabarit
Un filtre idéal présente :
- un affaiblissement nul dans la bande de fréquence que l’on désire conserver (Bande
passante)
- un affaiblissement infini dans la bande que l’on désire éliminer (Bande atténuée)
Il est impossible pratiquement de réaliser de tels filtres. Aussi se contente-t-on d’approcher

cette réponse idéale en :
- conservant l’atténuation A inférieure à Amax dans la bande passante
- conservant l’atténuation A supérieure à Amin dans la bande atténuée
Cela conduit ainsi à définir un gabarit définissant des zones interdites et des zones dans
lesquelles devront impérativement se situer les graphes représentant l’atténuation du filtre en
fréquence. Suivant le type de réponse que l’on désire obtenir, on est amené à définir 4 familles
de filtres :
Figure 4.1 : Quelques familles de filtre.

4.3.4 Notion de sélectivité et de bande relative
Au lieu de conserver explicitement les fréquences frontières comme paramètres de calcul, il

est plus simple et plus parlant de leur substituer les paramètres équivalents (mais sans
dimension) que sont la sélectivité k et la largeur de bande relative B.
Pour un filtre très sélectif, k tend vers 1.
4.3.6. Représentation en diagramme de Bode
4.3.6.1. Convention de la représentation
Elles sont au nombre de deux :
• l’échelle des fréquences ou des pulsations est logarithmique
• la courbe de module est graduée en décibels db.
4.3.6.1. Graduation logarithmique de la fréquence
Dans ce type de graduation il y a autant de distance entre 1 et 2 qu’entre 2 et 4 et qu’entre 20

et 40. Dans ce type de graduation, le 0 n’apparaît jamais, il est rejeté à l’infini à gauche. On
peut graduer cet abscisse en fréquence, en pulsation, en pulsation réduite.
4.3.6.3. Représentation sur des échelles semi-log
Le module en décibel et l’argument sont représentés sur du papier semi logarithmique :

graduation linéaire en ordonnée et logarithmique en abscisse.
4.4 Filtre passif

4.4.1. Filtre passif pédagogique
4.4.1.1. Filtre passe bas de premier ordre
Constitution

Figure 4.2 : Filtre passif passe bas de premier ordre.
Fonction de transfert
Forme générale
Représentation
Le module

L’argument
Tracés
4.4.1.2 Filtre passe bas du deuxième ordre RLC
Constitution
figure 4.3 : Filtre passe bas du deuxième ordre

Forme générale
La fonction de transfert est donnée sous sa forme général par l’expression suivante :
Par identification √
√
m: coefficient d’amortissement et ω0 est la pulsation propre. On remarque que L et C règle

ω0 et que si R est variable de 0 à l’infini ω0 et m sont pratiquement indépendants.
Étude du polynôme du dénominateur
Factorisation
Intérêt de la factorisation


Surtension
Si m < 1 on ne peut pas factoriser, on ne peut travailler qu’avec un diagramme asymptotique

à
deux asymptotes (horizontale à - 0db et puis une droite à - 40db / décade ).
On constate que, suivant les valeurs de m, on peut assister à une surtension en sortie due à des
conditions de fonctionnement proches d’un phénomène de résonance.
4.4.1.2. Filtre passe haut du premier ordre

Constitution
Figure : Filtre passe haut du premier ordre
Forme générale
Tracés

4.4.1.3. Filtre passe haut du deuxième ordre

Constitution
Forme générale
Tracés

4.5 Filtres actifs

L’inconvénient d’un filtre actif est qu’il faut l’alimenter et se contenter de signaux
d’amplitude limitée. Le niveau de bruit et la présence de tension d’offset peuvent
aussi limiter les domaines d’applications.
Son avantage réside sur la possibilité de cascader plusieurs cellules élémentaires en

n’ayant pas le même problème de charge qu’un filtre passif (avec un filtre actif, Re est élevé
et Rs faible). On peut ainsi former un filtre d’un gabarit plus complexe. Comme pour les
filtres passifs, il existe différent type de structure. Citons par exemple, les structures à
quadripôles et amplificateur opérationnel, les structures de Rauch, les structures de Sallen et
Key, les structures à girateur, à impédance négative et à variable d’état,…
Contrairement aux filtres passifs, la fonction de transfert des filtres actifs est
indépendante de ce que l’on connecte à ces filtres. Ainsi, la réalisation des filtres ce fait en
cascadant des cellules indépendantes du premier ou du second ordre. Après avoir obtenu, la
fonction de transfert équivalente passe bas normalisé, il suffit de remplacer la variable de
Laplace normalisée ‘s’ ou ‘p’ par le changement de variable décrit dans le tableau n°1, en
faisant attention que la valeur de remplacement est normé et que ‘s’ ou ‘p’ représente s = p =
jw.
4.5.1. Structure du premier ordre

Passe-bas inverseur
Passe-bas non inverseur

Passe-haut
4.5.2. Structure du deuxième ordre

Passe-bas
Passe-haut

Passe-bande
Réjecteur

Circuit Anal MIP2

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Mr. AZANGUE Brice Arthur

Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 1

assez diversifiées. Dans les domaines comme l’électronique, la mécatronique et la mécanique,

et de l’électronique a donné naissance à la mécatronique dans cette discipline tous mouvements

nous apprenions les bases de cette discipline.

Objectif général : ce cours a pour objectif principal de comprendre les bases de

Objectifs Spécifiques : A la fin de ce cours, l’étudiant dois être capable de :

 Comprendre la technologie des composants analogiques et leurs applications

(résistance, condensateur, inductance, diode, transistor, amplificateur opérationnel).

 Effectuer des montages électroniques en utilisant les composants analogiques.

Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 2

CHAPITRE 1 : Généralités sur les circuits électriques

1.1 Le circuit électrique

Un composant électrique est :

Figure 1.1 : Dipôle électrique a deux bornes

1.1.1 Courant, tension, puissance

Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 3

1.1.1.2 Différence de potentiel

Figure 1.2 : Différence de potentiel d’un Dipôle

1.1.1.3 Energie, puissance

1.1.1.4 Conventions générateur/récepteur

– Convention récepteur : considérons un dipôle que l’on qualifiera de « passif » ,

Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 4

Figure 1.3 : Convention récepteur

– Convention générateur : cette convention est la « duale » de la précédente. Il s’agit cette

Figure 1.4 : Convention générateur

1.1.2 Les lois de Kirchhoff

Figure 1.5 : Illustration des nœuds

Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 5

Figure 1.6 : Loi des nœuds

1.1.2.2 Loi des mailles

Figure 1.7 : Loi de maille

1.1.2.3 Associations de résistors

Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 6

1. Association en série ; les deux résistances sont associées ainsi :

Figure 1.8 : Association en série

2. Association en parallèle ; les deux résistances sont associées ainsi :

Figure 1.9 : Association en parallèle

Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 7

Figure 1.10 : Effet inductif de la

1.2.3.2 Caractéristique tension/courant d’une bobine

Or la différence de potentiel u apparaissant grâce à l’effet auto-inductif aux bornes de la

Figure 1.11 : Symbole d’une bobine

1.2.3.3 Aspect énergétique

1.2.4.2 Caractéristique tension/courant d’un condensateur

L’unité de C est le Farad (F)

Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 8

On représente un condensateur sous la forme suivante :

Figure 1.12 : Symbole d’un condensateur

1.2.4.3 Aspect énergétique

TAbleau.1 – Relations entre u et i en réel

1.2.5.2 Impédance complexe

Figure 1.13 : Dipôle complexe

Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 9

TAbleau.2 – Relations u et i en complexe

1.2.5.3 Associations d’impédances

Figure 1.14 : Association série d’impédances

Figure 1.15 : Association parallèle d’impédances

1.2.5 Diviseur de tension – Diviseur de courant

Figure 1.15 : Diviseur de tension

Par Mr. AZANGUE Brice A. Page 10

Il permet de prendre une fraction de la tension d’alimentation. En fait c’est la combinaison de

Par récurrence on obtient