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Enseignant : EGOUNLETY
Richard
Cel : 97 88 45 18 / 94 03 24 88
E-mail : rich_egoun@yahoo.fr
1|59
Objectif
Contenu du cours
Objectifs :
Introduction :
2|59
le sulfure de plomb PbS, l’oxyde cuivreux (CuO2), l’Arséniure de
Gallium GaAs, etc.. Ces corps sont dits Semi-conducteurs parce
que leur résistivité est intermédiaire entre celle des
conducteurs et celle des isolants (de 10-8 à 10-4 m ).
Conducteur :
Isolant :
I- STRUCTURE DE LA MATIERE
I- 1. Constitution de l’atome
3|59
FC Electron
Proton
•e
F
A
-
Couche
+
Neutron Noyau
Fc : Force centrifuge
FA : Force d’attraction
I-2. 1 Orbite
4|59
Celles qui leur sont permises correspondent à des niveaux d’énergie.
Ces niveaux d’énergie sont également appelés états d’énergie.
Couches
Couche de internes
•• •
valence
• • •
•• •
•
• •• • noyau
électrons •
internes
(3)
(2)
(1)
r2
r3 r1
couche
noyau
E3 (3)
E2 (2)
E1 (1)
paroi du noyau
(0)
5|59
Fig n° 1-4 : Représentation des niveaux d’énergies d’un Atome Isolé
I-2. 2 Energie
E3 (3)
E2 (2)
E1 (1)
paroi du noyau
(0)
6|59
Figure n°1-5 : Représentation des bandes d’énergie
II- SEMI-CONDUCTEURS
II- 1. Cristal :
7|59
Figure n° 1-6 : Structure du cristal de Silicium
a - Analyse à 0 K
8|59
E
BC
EC
Bi
• • • • • ••
b - Analyse à 27°C
BC
EC • • • •
Bi
EV
°• • •°• • •° ••B••V ••°••• • ••
• • • • • • •
• - électron ° - trou
9|59
Dans un semi-conducteur intrinsèque, la densité ni des électrons
libres est donnée par la relation :
Wi
ni2 AT e 3 KT
(1.1)
A = Constante d’intégration,
T : Température en kelvins,
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • • 5ème électron
• • • •
• Si • • As • • Si •
• • •
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •
10 | 5 9
Ainsi, l’atome d’Arsenic se trouve entouré de 4 atomes de
Silicium avec lesquels, il peut échanger 4 de ses 5 électrons de
valence. Le 5ème électron lui n’étant presque pas retenu est plus facile
à détacher de son noyau. Ainsi pour le rendre libre, il faudra lui
fournir une énergie de 0,01 eV. C’est cette énergie qui lui permet
d’accéder à la bande de conduction.
a - Analyse à 0°K
BC
0,01eV
Bi
••
• • •• ••• • •• •• •B • •• •• •• •• •• •• • •• • •
• • • • • • • • •
V
b - Analyse à 27°C
11 | 5 9
E
•• • ••• • •• B
••••••••••••••
C
+++++++ B
+++ i
••
• •°•• ••• • •• •• •B°•°•• •• •• •• •• ••°• •• • •
• • • • • • • • •
V
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •
• ° • trou
• Si • • In • • Si •
• • •
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •
12 | 5 9
Un atome d’Indium a trois électrons de valence. Remplaçons
l’atome d’Arsenic par celui d’indium. L’atome d’indium assurera ses
trois liaisons de covalence avec les trois atomes de silicium voisins.
Comme il manque un électron pour assurer la 4ème liaison du réseau
alors, on peut dire qu’il y a un manque d’électron d’où présence d’un
trou à la place du 4ème électron. Il suffira d’une petite agitation
électronique (0,01ev) pour que l’électron d’un atome voisin soit
arraché à sa couche. Ce qui crée un nouveau trou.
a - Analyse à 0°K
BC
Bi
+++++++++++
•• • •• ••• • •• B••• • ••
• • • •• ••• •• 0,01eV
•• • •• • • • • • • • • • • • •• • • • •
V
b - Analyse à 27°C
13 | 5 9
E
BC
• • Bi
• •
- - - - - - - - - - - 0,01eV
•• •°•• •°•°•°••°B °°°
°° • •°•°°•°°•
• • • • • •°• •°• • ••°• • •
V
Remarque :
14 | 5 9
Chapitre 2 JONCTION PN - DIODES A JONCTION
Objectifs :
I- JONCTION PN
I- 1. Définition
°°•°P•°°•°° ••°•• •• •• •°
•• •• • •N • ••
°°°•°°°°°° •• •• • ••°•°
°°°°° °
Jonction PN
I- 2. Zone de Déplétion
V0
A -+ K
P -- + N
-+
Anode Cathode
Zone de déplétion
15 | 5 9
Figure n° 2-2 : Représentation de la zone de déplétion
Une fois que les deux types de semi-conducteurs sont mis en contact,
la région entourant la jonction PN est vidée de porteurs de charge ;
cette zone ainsi vidée est appelée zone de déplétion.
I- 3. Barrière de potentiel
KT N N
V0 ln( a 2 d )
e ni
(2.1)
16 | 5 9
eV0
n n0 e KT
(2.2)
A l’équilibre on a: I1 I S I 2 I 0 e KT
(2.4)
eV0
Soit I S I 0e KT
(2.5)
V0
A °°•°P°°•° -- + ••• ••
• •°•• •••°•• K
° °° - + •N • • •
°°•°°°°°•°° - + ••°•• •• • ••°•
Anode ° Cathode
Barrière de potentiel
• - électron
- trou
°
Figure n° 2-3 : Structure interne de la diode à jonction
17 | 5 9
Extérieurement la diode est munie de deux électrodes : l’une
appelée anode et notée «A» est reliée au semi-conducteur type P et
l’autre appelée cathode et notée «K» est reliée au semi-conducteur
type N. La cathode notée «K» est repérée, en général, par une bague
de couleur sur le composant (figure n° 4-6).
Symbole
A ID K
Anode Cathode
VD
A K
II-2 Polarisation
- La polarisation directe
- La polarisation inverse.
18 | 5 9
D
ID A K
VD
E RL
Conséquences :
eV
Soit I D I S (e KT
1)
(2.8)
eV
Généralement on prend I D I S e
KT
(2.9)
19 | 5 9
eV
D
A K Ii
Vi
E RL
Conséquences :
eV eV
Ii I S I 2 I S I S e KT
I S (1 e KT
)
eV
Soit : I i I S (1 e KT
)
(2.8)
eV
KT
Pour e ˂˂ 1, on peut écrire : Ii = IS
20 | 5 9
Ii : courant inverse ou courant bloquant ; Vi : Tension inverse ou
tension négative.
Remarque :
II-4 Caractéristiques
21 | 5 9
ID(mA)
VZ
0
VD(V)
IS 0,65
b Ii(µA)
Interprétation :
22 | 5 9
RD = VD / ID (2.9)
V
Soit : rD
I (2.10)
dI D dV V
I D
dV Pour de petites variations on a : dI D I D
V 1
Ainsi on peut écrire : I D I D
23 | 5 9
V
1
1
3
1
25mV
.
I D I D 40 I D 10 I D mA
ID
25
soit : I D (2.11)
25mV
I D mA
rD = 0, Vo = 0
rD
= 0, Vo ≠ 0 (Diode parfaite)
Courbes caractéristique
ID(mA) ID(mA)
rD 0 et V0 0
rD = 0 et V0 =0
VD(V) VD(V)
0 0 V0
Diode idéale Diode parfaite
Circuits équivalents
A K
Interrupteur fermé :
24 | 5 9
Une diode est dite réelle lorsqu’elle présente une résistance
non nulle (résistance finie) en polarisation directe et une résistance
très élevée en polarisation inverse. Sa courbe caractéristique est
celle de la fig n° 2-8.
Circuit équivalent :
A K
rD
V0
ID D
E = 50V
E RL RL = 5 KΏ
VD E
E VD I D RL 0 => I D (2.12).
RL RL
25 | 5 9
La droite de charge statique est l’ensemble des points
représentant les intensités de courant pouvant traverser le circuit
ci-dessus.
ID(mA)
10
VD(V)
0 50
IV - 2. Point de repos
ID(mA)
Q
IDQ • VD(V)
0 V DQ
V- INFLUENCE DE LA TEMPERATURE
26 | 5 9
soit : lnI S lnC 3 lnT
Wi
; en différenciant on trouve :
KT
dI S dC W
i 2 dT et pour de petites variations on peut écrire :
dT
3
IS C T KT
I S W T
3 i (2.15)
IS KT T
Exercice d’application
V= 0,2 V
27 | 5 9
b°) Dans le sens bloquant.
I1 I2
D1 D2
T1 T2
28 | 5 9
Chapitre 3 QUELQUES APPLICATIONS DE LA DIODE A JONCTION
I- REDRESSEMENT
Dans la plupart des circuits électroniques, on a besoin de
sources de tension continue pour effectuer la polarisation des
composants.
29 | 5 9
I-1. REDRESSEMENT SIMPLE ALTERNANCE (demi-onde)
I- 1.1 Description
VM
IM (3.3)
RC rD RS
1
I moy IM (3.3)
1
I eff I M (3.4)
2
Veff I eff
F (3.5).
Vmoy I moy
F 1,57 (3.6)
2
I-1.4 Ondulation : Vr
La tension de sortie VRL d’un redresseur demi-onde est une
tension périodique pulsée ; elle est composée d’une tension continue
constante (Vmoy) à laquelle est superposée une tension alternative vr
(de fréquence f) appelée ondulation. Cette tension redressée de
sortie est égale à chaque instant à la somme de sa valeur moyenne et
de la valeur instantanée de la tension d’ondulation. Vectoriellement on
peut écrire :
VR2C Vmoy
2
Vreff2 (3.7)
31 | 5 9
1 1
Les calculs montrent que : Vreff VM (3.8)
4 2
PCC
100 (3.9).
PCA
Calculons PCC :
2 2
Vmoy 1 1
PCC Vmoy I moy VM
RC RC
1 VM2
Soit : PCC 2 (3.10).
RC
2
Veff2 1 1
Le calcul de PCA donne : PCA Veff I eff VM
RC RC 2
1 VM2
Soit : PCA (3.11).
4 RC
4
100 (3.12)
2
On trouve : η = 40,52 %.
32 | 5 9
I-2. REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE UTILISANT
DEUX DIODES
I-2.1 Description
D1
vs
A VM
+ t
VM 0
N
vp b.)
VM
D2 VRL
- RL VM
B
t
a.) 0 c.)
I-2.2 Fonctionnement
VM
IM (3.14)
RL
34 | 5 9
Lorsqu’un courant important circule dans la charge RL, il faut alors
tenir compte de la chute de tension aux bornes des diodes et aux
bornes de l’enroulement secondaire du transformateur :
2 Vmoy
I moy (3.16)
RS rD RL
1
I eff IM (3.17)
2
I-2.6 Ondulation : Vr
La tension de sortie redressée VRL est composée d’une
tension continue constante (Vmoy) à laquelle est superposée une
tension alternative (de fréquence f) appelée ondulation et notée Vr.
On peut vectoriellement établir :
VR2Leff Vmoy
2
Vreff2 (3.19)
1 4
soit : Vreff VM (3.20)
2 2
Coefficient d’ondulation : r
35 | 5 9
On appelle coefficient d’ondulation (r), le rapport entre la
tension d’ondulation sur la valeur de tension moyenne de sortie du
filtre.
Vreff
r (3.21)
Vmoy
4 VM2
soit : PCC 2 (3.23).
RL
1 VM2
PCA (3.24)
2 RL
8
100 (3.25).
2
36 | 5 9
I-3 REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE EN PONT
I-3-1 Description
Le redressement double alternance en pont de diodes est le
redressement le plus utilisé : il ne nécessite pas l’emploi d’un
transformateur à prise médiane ; il utilise quatre diodes reliées
entre elles pour former le pont de Graëtz .
A vs
M VM
vp D1
D4 t
Q RL
+ P-V
M
- VM b.)
D3 D2 VRL
N VM
B t
a.) c.)
I-3.2 Fonctionnement
A l’alternance positive, la borne A est positive par rapport à la
borne B : les diodes D1 et D3, soumises à une polarisation directe
conduisent en laissant passer un courant à travers la résistance RL et
ceci, pendant l’alternance positive ; les diodes D2 et D4, pendant ce
temps, soumises à une polarisation inverse, restent bloquées.
37 | 5 9
La forme du signal de sortie redressé est illustrée à la figure
n° 4-15 c.).
VM
D2
VM
C R
B
a.)
VRL vr(c)
VM vr(c-c)
Vmoy
t
t1 t2
b.)
38 | 5 9
a.) Circuit de filtrage du signal redressé.
Remarque :
Exercice d’Application
Calculer :
39 | 5 9
a - Dans RL
A A A
a.) b.) c.)
Fonctionnement
La diode Zener est une diode stabilisatrice de tension, c’est un
dispositif électrique fournissant un courant variable sous une tension
40 | 5 9
constante. Les diodes Zener ont été mises au point par Zener
Clarence.
Caractéristiques
41 | 5 9
ID(mA)
VZQ
VZ
0
IS : courant de saturation ;
• VD(V)
IS 0,65V
IS RS
IZ
Vi Vz V0 RL
rz
Principe de Fonctionnement :
La résistance série RS établit la différence de tension entre la
tension d’entrée Vi et la tension de référence VZ de la diode Zener
lorsqu’aucune charge n’est connectée à la sortie.
42 | 5 9
Vi = VRS-VZ => VRS = Vi - VZ. (3.25)
Si rZ = 0 alors V0 = VZ (3.27).
Vi VZ
De cette dernière relation, il vient : I RS (3.29)
RS
43 | 5 9
Calcul du courant : IZ
V0
Le courant IRL est donné par la relation : I RL (3.31)
RL
Vi VZ V VZ
De l’expression (3.29), on peut écrire : RS i ;
I RS I Z I RL
Vi VZ
soit : RS (3.32)
I RS
V0 SCH V0CH
• Taux de régulation : K (3.34)
V0CH
rZ
• Facteur de stabilisation S (3.35)
RS rZ
44 | 5 9
Détermination de la résistance : RLmin
VZ
RL min RS max (3.36) si rZ = 0.
Vi VZ
On demande de calculer :
Résultat
45 | 5 9
1°) Calcul des tensions Vimax et Vimin en en charge
V RL VZ
avec IRL = 20mA
RL RL
Vimax = 27 V.
46 | 5 9
III DIODE TUNNEL
III-1 Définition – Symbole
A K
III-2 Caractéristique
IR IR = 500 μA
Ip
Zone de
résistance
négative
IV
VF
0 V
VP VV VR
IF
47 | 5 9
Cette courbe caractéristique comporte une zone de
résistance négative. Elle est ainsi appelée parce que, toute
augmentation de tension dans cette zone réduit le courant. Cette
résistance négative est mise à profit dans les oscillateurs hautes
fréquences et dans les montages où le temps de commutation très
court est primordial.
VO : Tension de seuil
Vi : Tension inverse
1
n= pour des diodes à alliage
2
1
n= pour des diodes à jonction.
3
A K
48 | 5 9
Figure n° 3-12 : Symbole de la diode varicap.
V PHOTODIODE
V-1 Définition - Symbole
A K
Lorsque l’on éclaire la photo diode (c’est à dire que lorsque l’on
la bombarde de lumière) à l’aide de la lumière ou de la radiation de
49 | 5 9
c
longueur d’onde , les photons heurtent les électrons de
valence du Semi-conducteur créant ainsi des paires électron- trou.
Iλ(μA)
800 280 lx
600 150 lx
80 lx
courant inverse
Vi (V)
VI DIODE ELECTROLUMINESCENTE
50 | 5 9
Les LED émettent dans l’infrarouge (0,7𝜇𝑚 < 𝜆 < 2𝜇𝑚) comme
alarme ou bien dans le visible (0,4𝜇𝑚 < 𝜆 < 0,7𝜇𝑚) comme témoin
lumineux ou comme affichage.
A K
V-2 Caractéristiques
La caractéristique de la LED est semblable à celle d’une diode
classique ; elle s’éloigne de l’axe des ordonnées et ceci, en fonction
de la longueur d’onde λ.
51 | 5 9
Chapitre 4 TRANSISTORS BIPOLAIRES A JONCTION
I- GENERALITES
I-1 Description - Symbole
E C
N P N
Emetteur Collecteur
B
Jonction émetteur-base Jonction collecteur-base
Base
Figure n°4-1: Structure interne d’un transistor NPN.
Base (B)
C’est une région faiblement dopée. Elle est de type P mais très
mince par rapport aux deux autres (régions). Elle fournit des
électrons au collecteur.
Collecteur (C)
Cette région est moyennement dopée mais plus vaste que les deux
autres.
52 | 5 9
Symboles
C C
IC IC
IB VBC VBC
IB
B VCE B VCE
VBE VBE
IE IE
a.) E b.) E
a.) NPN
b.) PNP.
C C
IC
Diode collecteur: DC Diode collecteur: DC
IB
B B
IE
E E
a.) b.)
Figure n°4-3 : Représentation du transistor TBJ en diodes collecteur
et émetteur :
a.) NPN
b.) PNP
I-2 Polarisation
53 | 5 9
Premier mode de polarisation :
Les diodes émetteur et collecteur sont toutes deux en
polarisation directe ; on dit dans ce cas que le transistor
est saturé.
N P N
E C
N P N
E C
N P N
54 | 5 9
Quatrième mode de polarisation :
La diode émetteur est en polarisation directe tandis que la
diode collecteur elle, est en polarisation inverse ; on dit dans ce
cas que le transistor fonctionne en régime d’amplification.
E C
N P N
Fonctionnement
IE = I C + IB (4.11)
55 | 5 9
I E 1I B (4.14)
On montre que : (4.15)
1
I-3 Effets des courants résiduels
E C
N P N
IC
B
VEE VCC
E C
N P N
IC
IE B
VEE VCC
56 | 5 9
ICE0. D’une manière rigoureuse, on peut donc écrire :
IC = βIB + ICE0 (4.17)
Exercice :
I-4 Caractéristiques
IC RC
IB RB mA
µA V
VBB VCC
V IE
57 | 5 9
IC(mA) IC = 20 mA
IC = 15 mA
IC = 10 mA
IC = 5 mA
IC = 0 mA
VCE (V)
0 1
a.)
Interprétation :
58 | 5 9
IB (µ A)
VCE = 0
VCE = 5 V
IB5
IB10
VBE (V)
VBE0
Interprétation :
β
β2 T2 = 150°C
β1
T1 = 50°C
IC(mA)
ICQ
59 | 5 9
Figure n°4-7 : Caractéristiques du gain en
courant β.
II CIRCUITS DE POLARISATION
RC
RB IB IC
+VCC
VBB
IE
figure n° 4-4.
60 | 5 9
Circuit d’entrée :
VBB VBE
IB (4.19)
RB
• Droite d’attaque
VBE VBB
De la relation (4.19), on peut encore établir : I B (4.20).
RB RB
IB(µA)
VBB A
RB
B
VBE(V)
VBB
Circuit de sortie :
61 | 5 9
VCE VCC
De la relation (4.21), on peut écrire : I C (4.23).
RC RC
IC(mA)
VCC M
RC
N
VCE(V)
VCC
Remarque :
• Lorsque la tension VCE est nulle, on dit que le transistor est saturé
et le courant IC associé à cette tension est appelé IC saturation et
noté ICsat.
62 | 5 9
• La région entourant le point de saturation (ICsat) est appelée zone
de saturation ; celle qui entoure le point de blocage est désignée
sous le nom de zone de blocage.
Application :
et VBE = 0,7 V.
Résultat :
10 0,7
AN : VCE 20 5.103 10 2 15,35 V.
10
6
63 | 5 9
IC IC + VCC
I1 I1
R1 RC R1 RC
C C
B IB B IB
VCC
I2 I2
E IE E IE
R2 RE R2 RE
a.) b.)
Figure n°4-10 : Circuit de polarisation par pont diviseur.
IC + VCC
I1
R1 RC
C
B IB
VCE
I2 VC
VBE
E IE
R2 VB RE
VE
64 | 5 9
Considérons le circuit de la figure n° 4-11 ci-dessus.
on trouve : I1 = I2 + IB ≈ I2.
1 R2
Ces deux dernières relations conduisent à : I E VCC VBE
RE R1 R2
(4.26).
VE I E R E (4.27)
VC VCE I E RE (4.28) ;
65 | 5 9
on trouve également : VC VCC I C RC (4.29)
VCE VCC
soit I C (4.31).
RC RE RC RE
1 VCC
En posant y = IC ; x = VCE ; a = et b = , on trouve que
RC R E RC RE
IC(mA)
ICsat A
B
VCE(V)
0 VCC
Exercice d’application
66 | 5 9
Tracer dans le plan (VCE ; IC ) la droite de charge statique. On
donne :
+ VCC
RC
R1
R2 RE
+ VCC
RC
RB I’C
C
IC
B
IB
E
Polarisation centrale :
IC
+ VCC
RC RC
VCC
RB A VEE
RE A
RB
RE
IE
- VEE
a.) b.)
VEE
IE (4.35)
RE
VCC VEE
I Csat (4.36)
RC RE
Application :
RE = RB = 10kΩ.
69 | 5 9
On utilise principalement des transistors PNP lorsqu’on
dispose d’une alimentation négative. Ils sont souvent utilisés en
complément des transistors NPN lorsqu’on dispose d’une alimentation
symétrique.
Application :
+ VEE
Calculer les trois tensions par
RE
rapport à la masse du transistor R2
PNP utilisé dans le montage ci-
2N3906
dessous sachant que : VEE = 10V ;
VBE = 0,7V. On donne : R1
R1 RC
= 10 kΩ ; R2 = 2,2 kΩ ; RE =
1kΩ ; RC = 3,6 kΩ.
70 | 5 9