Électronique de base

Prof. Ghassane ANIBA, Ing. PhD.

ghassane@emi.ac.ma
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Plan du cours
• Notions sur la Physique des semi-conducteurs

• Diode à Jonction

• Etude des transistors

– Transistors Bipolaires

– Transistors à effet de champ

• Amplificateurs Opérationnels
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Plan de la séance 24/09/2012

• Points importants
– Envoi de vos emails (ghassane@emi.ac.ma)
– Accès à un PC et internet?
– Présentation des étudiants
– Formation antérieure?
– Etre à l’aise à poser des questions surtout après le cours

• Présentation du cours
– Éléments du module

• Rappel sur les semi-conducteurs

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Rappel sur les semi-conducteurs

• Un atome de Silicium (Si) (ou Germanium, Ge)
est neutre
▫ Nombre de charges + est égale aux charges –
▫ Les e- appartiennent à des niveaux d’énergie
discrets

© Absorb Electronics
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Liaison Covalente
• La connexion des atomes Si forme un cristallin
▫ Neutralité du cristal
▫ Les e- dans des bandes (valence et conduction)
au lieu des niveaux discrets
Liaison covalente
e-
Si Si
+ + Si+

Modèle simpliste Modèle plus réaliste

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Effet Thermique
• Température au zéro absolu (T=0K)
– Si se comporte comme un isolant
• Température ambiante (T=300K)
– Quelques liaisons covalentes sont rompues
– Création d’e- libres et de trous au Si
e- libéré
même nombre
• Plus la To augmente et plus
Si Si Si
le cristallin devient conducteur
– Contrairement aux métaux Trou créé

Si
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Mobilité des electrons et des trous

• Les e- se déplacent librement dans le cristallin
• Le déplacement des trous est equivalent a un
mouvement en “saut de grenouille”
– Un premier e- comble un trou, et un deuxième e-
vient comblé le trou laissé par le premier e-

© Absorb Electronics
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Effet thermique
• Pour les métaux
▫ Encombrement du milieu de propagation des e-

© Absorb Electronics

• Pour les semi-conducteurs

▫ Il y avait peu de porteurs de charges, donc la
température génère plus de porteurs et ainsi,
meilleur conductivité.
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Isolant, semi-conducteur et conducteur

© optique-ingenieur.org

• Electron volt: 1 eV = 1.6 10-19 J

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Tableau périodique des éléments

© Absorb Electronics
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Dopage Type N
• Dopage du cristallin Si pure (intrinsèque) par
des atomes du groupe V (Phosphore, Arsenic)
pour former un cristallin impure de Type N
(extrinsèque).
Si
– Le nombre d’e-
libres devient majoritaire
comparativement à celui des trous.
Si As Si

As
Si

As As

© Absorb Electronics
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Dopage Type P
• Dopage du cristallin Si pure (intrinsèque) par
des atomes du groupe III (Bore, Aluminium ou
Indium) pour former un cristallin impure de
Type P (extrinsèque).
• Le nombre d’e- libres devient minoritaires Si
comparativement à celui des trous.
Si In Si

In
Si
In In

© Absorb Electronics
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Jonction PN
• Superposition des deux Types P et N donne
lieu a une Jonction, zone de charge, ou de
transition. - e libres (dopage)
VT: Barriere de tension
P N
- - - - - + + + + +
- - - + + +
- - + + + +
- - - +
- - - + + +
- +
- - - - + + + +
e- du a l’effet E Trous du a l’effet
thermique (avant dopage) thermique (avant dopage)
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Jonction PN

© Absorb Electronics
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Plan de la séance 27/09/2012

• Rappel sur les bases de la tension et du
courant
• Diodes à Jonction
▫ Principe de fonctionnement
▫ Caractéristiques courant-tension
– Interprétation et modélisation
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Rappel sur la Tension et le Courant

• La tension (ou potentiel) est équivalente à une
pression qu’on exerce sur les e- pour les faire
déplacer dans une direction donnée.
• Le courant est le déplacement des e- en
groupe dans un même sens
– Le déplacement aléatoire des e- ne génère
pas de courant Direction du courant

Pression initiale Pression de sortie

Direction des electrons

Milieu avec resistance

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Relation Résistance – longueur

• Plus la longueur du moyen de transmission est
grande et plus la résistance globale est grande

© Absorb Electronics

• Grande distance entre la centrale électrique et les

utilisateurs
▫ Quel est le meilleur choix à faire?
– Courant continu
– Courant alternatif
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Courant Alternatif
• Schéma simpliste d’une liaison électrique entre
une centrale électrique et la destination
Source Destination
PL = R.ip2=R.(Ps/Vp)2

Vs Vp Vp Vs

is ip

Transformateur Transformateur
Step-up voltage Step-down voltage

• Les appareils n’utilisent que du courant continu

▫ Redressement, filtrage et régulation
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Diode a Jonction
• Une diode a Jonction est exactement une
Jonction PN VD
P N
iD
Cathode
Anode

• Comportement d’une diode:

▫ Polarisation nulle
▫ Polarisation non-nulle
– Positive: Diode passante
– Négative: Diode bloquante
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Diode – Polarisation Nulle

• Il n’y a pas circulation du courant dans le circuit
• A l’intérieur de la diode il y a déplacement des
porteurs minoritaires dans les deux sens
– Courant total nul

VD
ID
A

V=0
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Diode – Polarisation positive (Directe)

• La tension V aide un nombre important d’e- à
traverser la zone de charge
– Courant généré ID supérieur au courant de fuite IS

R
A
ID
VD V
V>0
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Diode – Polarisation négative (Inverse)

• La tension V renforce la barrière de potentiel et
ainsi le courant résultant sera moins que le
courant de fuite

R
A
ID
VT VD V
V<0
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Caractéristique courant-tension
• Caractéristique d’une diode:
▫ Tracer le courant iD en fonction de VD:
I

VD Caracteristique dI/dV
Experimentale
d’une diode
iD

0 E0 V
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Caractéristique Diode Réelle

• Si V>E0:

• Si V<E0: (circuit ouvert)

• Si tension inverse est très importante (V<<0)
I
– Destruction de la diode
Caracteristique
d’une diode reelle 1/rd

-500v 0 E0 ~ 0.5v V
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Caractéristique Diode Réelle

• Polarisation directe
▫ Diode équivalente à une alimentation en série
avec une résistance de très faible valeur
E0
ID rD ID

VD VD=E0 + rDID

• Polarisation inverse
▫ Diode équivalente à un circuit ouvert
ID = 0 ID

VD < 0 VD < 0
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Caractéristique Diode idéale

• Si V>0: diode passante, court circuit
• Si V<0: diode bloquante, ID = 0

0
V
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Droite de charge
I
Ve/R
Point de
Caracteristique
Experimentale
fonctionnement
d’une diode

0 E0 Ve V
VD
ID

Ve(t) R
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Valeur efficace
• Définition:
– la valeur de la tension « continue » qui provoquerait
la même perte de puissance que v(t) aux bornes
d'une résistance.

• Pour un signal sinusoïdale

• Pour d’autres formes de signaux?

– HW: signaux carré et triangulaire
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Méthode d’analyse d’un circuit à diodes

1. Trouver les relations entre les diodes du circuit
a. Equivalence entre les états des diodes
b. Déduire les états impossibles et simultanés des
diodes
2. Considérer une diode à l’état bloquante
a. Dessiner le circuit équivalent
b. Déterminer les tensions à ses bornes
3. Déduire la condition pour laquelle cette diode
deviendra passante
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Redressement Mono-alternance
• Une diode va nous permettre d’extraire une
alternance sur deux du signal sinusoïdal
VD
ID

Ve(t) R
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Redressement Mono-alternance
• Une diode est passante si la tension (ou
potentiel) sur son anode (P) est supérieure à la
tension sur sa cathode (N).
• Pour une diode idéale
V

Vs

T/2 T 2T

Ve
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Redressement Double-alternance
prise médiane
• Deux diodes a jonction permettent d’obtenir
les deux alternances positives du signal
d’entrée
D1
i1

v1
R iS
vs
v2

D2 i2
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Redressement Double-alternance
prise médiane
• Avec diodes identiques et idéales
V
Vs

T/2 T 3T/2 2T t

Ve
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Redressement Double-alternance
en pont
• On utilise 4 diodes au lieu de 2 diodes et on
n’utilise plus de transformateur à prise
médiane
~
D1 D2
Vs
Ve - +
iS

D3 ~ D4
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Redressement Double-alternance
en pont
• Durant la période ou le signal d’entrée est
positif

Vs
Ve
R iS
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Redressement Double-alternance
en pont
• Pour le temps où le signal d’entrée est négatif

Vs
Ve
R

V
Vs

T/2 T 3T/2 2T t

Ve
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Filtrage RC
• Redressement n’est pas suffisant
▫ Présence de fortes ondulations
– Mono-alternance et double alternance

Ve = Vm sin(wt) C R Vs
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Charge d’une capacité

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Filtrage d’une mono-alternance

V Vs Vmoy Ondulation, V

T/2 T 3T/2 2T
t

Ve

• Taux d’ondulation
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Filtrage d’une double-alternance

V Vs

T/2 T 3T/2 2T t
Ve

• Taux d’ondulation
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Exercice 1 – Diode Réelle

• Trouver les états possibles pour des diodes
réelles
D1
i1

v1
R iS
vs
v2

D2 i2
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Exercice 2
R
I1 I2
E D1 D2

Ve R 2R Vs
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Exercice 3

Ve E Vs
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Analog – Num (AND et OR)

b1 b1

b2 b2

R
R Vs
Vs
E
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Exercice 4
• Diodes réelles

D2
R1
D4
R2 D1 I0 D3
R3
E
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Diodes Zener
• Diodes qui survient a une tension de claquage
pour une diode normale
• Protège les appareils contre des surtensions
I

Diode normale

-Vz <-5
Imin E0~0.7v V

Imax
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Exemple d’utilisation – Exo 5.1

R Ie
IZ IL
E
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Exemple d’utilisation – Exo 5.2

R Ie

Ve V1
Vs
V2
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Transistor Bipolaire
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Transistor a effet de champ a jonction

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Transistor MOSFET