La jonction Métal / Semiconducteur

- Diode Schottky
- Contact Ohmique
NB: représentations des composants
Type de diode Symbole Utilisation
Diode Utilisation courante (basse
« classique » I fréquence) : non linéaire et
(jonction PN) linéaire
U

I
Diode Zener Stabilisation de tension
U

LED/photodiode I Optoélectronique
U
I Utilisation en haute
Diode Schottky fréquence, et électronique
U de puissance
-2-
Jonction Métal-Semiconducteur (M-S)
 Les jonctions Métal-Semiconducteur (MS) sont d'une grande
importance car ils sont présents dans tous les dispositifs à semi-
conducteurs. Ils peuvent se comporter soit comme une barrière
de Schottky ou comme un contact ohmique suivant la nature du
métal et du semiconducteur donc des caractéristiques de
l'interface.

 La diode métal semiconducteur est constituée d’un contact

établi entre un métal et un semiconducteur, en général dopé.
C’est le plus vieux dispositif électronique connu, datant de la fin
du 19ème siècle, les premiers redresseurs solides et les premiers
postes à galène étant par exemple basés sur cette structure. La
première théorie de fonctionnement, proposée par Bethe, ne
remonte cependant qu’à 1938.

-3-
 Jonction Métal-Semiconducteur (M-S)

Ideal condition: no surface states and other

anomalies at the interface Métal/
Semiconductor

-4-
 Structure d'une jonction
métal-semiconducteur

Elle est constitué de:

- un métal en contact avec un morceau de semiconducteur.
- un contact ohmique idéale de l'autre côté du semi-conducteur.

semiconducteur
métal Contact
Ohmique

Anode Cathode

Type-n

I
0 xd x

+ -
Va

-5-
 Bandes d’énergie Metale Semiconducteur

Considérons d'abord le schéma de bandes d'énergie du métal et le

semiconducteur. Le niveau de Fermi du métal est dans sa bande de
conduction
-6-
Travail de sortie - Affinité électronique

Quelques rappels:
– Travail de sortie qm : c’est l’énergie qu’il faut fournir à un
électron dans le métal pour l’extraire du métal. On l’appellera qm
et son unité sera l’électronvolt. Il est définit comme la différence
entre le niveau de vide et le niveau de Fermi dans le métal.

– Affinité électronique q : l’affinité électronique qui est la

différence d’énergie entre le niveau de vide et la bande de
conduction BC.
q   E0  EC
Quelques chiffres
o Li: m=2,3 eV ; Na: m=2,3 eV ; Pt: m=5,3 eV ; Ni: m=4,5 eV

o Si: q=4,05 eV ; Ge: q=4,13 eV ; GaAs: q=4,07 eV ; InAs: q=4,9 eV

-7-
 Contact Schottky
Diagramme des bandes d’énergie
 Métal et semiconducteur séparés: le niveau d’énergie du vide est aligné
Métal Semiconducteur N
E0
niveau d’énergie du vide
q q
q s
m
EC
EFS
EFM
Metal
EV
Le travail de sortie Semiconducteur

L’affinité électronique
q  E0  EFM
m q   E0  EC
l’énergie nécessaire pour prendre un
électron situé au niveau de Fermi du métal
et l’emmener à l’infini.
-8-
 Contact Schottky
Diagramme des bandes d’énergie
 Métal et semiconducteur au contact ici qm  qsc
Métal Semiconducteur N E
0

q q
q sc
m
EC
q Bn  q( m   ) EFS
EFM
Metal
EV
Semiconducteur

les énergies de Fermi du métal et le semiconducteur ne changent pas tout

de suite. Cela donne le schéma de bande plate « flatband »
La hauteur de la barrière, Bn, est défini comme la différence de potentiel
entre l'énergie de Fermi du métal et la limite de bande où les porteurs
majoritaires résident.
-9-
 Contact Schottky
Diagramme des bandes d’énergie
 Métal et semiconducteur non séparés
Métal Semiconducteur N
E0
q
m q q
s

q Bn  q( m   )
EC
EFS
Metal EFM

EV
Semiconducteur
Pour les matériau de type p, la hauteur de la barrière , Bp, est donné
par la différence entre la limite de bande de valence et de l'énergie de
Fermi dans le métal:
q  Eg  q (   )
Bp m

-10-
 Contact Schottky
Diagramme des bandes d’énergie
 Métal et SC-N après contact électrique et équilibre thermodynamique
Métal Semiconducteur N
E0
q
m q q
s

q Bn  q( m   ) qVbi EC
EFS
Metal EFM

EV
E Semiconducteur
Au contact, des électrons passent du semiconducteur vers le métal ce qui
donne naissance à un champ électrique de rappel du aux ions fixes dans le
semiconducteur
En outre, nous définissons le potentiel de diffusion, Vbi, comme la différence
entre l'énergie de Fermi du métal et celle du semiconducteurs.
 Barrière Schottky
 A l’équilibre thermodynamique, les niveaux de Fermi du métal et du
semiconducteur s’alignent.

 Loin du contact, du coté semiconducteur, les niveaux des BV, BC et

du vide conservent leur position respective par rapport à EF. Le niveau
d’énergie du vide est continu au contact.
 Parce que les travaux de sortie respectifs sont différents, une
courbure de bande apparaît essentiellement dans le
semiconducteur, près de la zone de contact.
 Comme pour une jonction PN, la barrière est abaissée ou renforcée
selon le signe de la polarité appliquée
 Une barrière de Schottky se réfère à un contact métal-
semiconducteur ayant:
- une barrière de potentiel élevée: Bn , Bp  kT
-une faible concentration de dopage (moins que la densité
d'états dans la bande de conduction ou de bande de valence)
 la zone déplétée est très mince et du coté SC: typiquement 5 nm
-12-
 Evaluation théorique de métaux pour les contacts

Types de contacts
Ohmique:
-hauteur de la barrière des
électron ≤ 0.
-courbe I(V) Linéaire

Schottky:
-hauteur de la barrière des
électron> 0.
- courbe I(V) exponentielle.

-13-
 Barrière Schottky

Au contact, des électrons passent du semiconducteur vers le

métal  Champ électrique de rappel dû aux ions fixes dans le
SC à l'interface.

A l'équilibre, un nombre égal d'électrons traverse l'interface

dans des directions opposées.

Ainsi, le courant des électrons est égale à zéro.

La barrière pour les électrons pour passer du métal au semi-

conducteur est donnée par qBn = q(m - χs) qui est appelé
Barrière Schottky de contact MS.

-14-
 Diagrammes de bandes d’énergies à l’équilibre
thermodynamique pour la jonction
métal-semiconducteurs type-n et type-p
semiconducteur type-n semiconducteur type-p

 Bn
  
M  
Eg
   M
Bn q
EC  EFn EC  EFp
Vbi  Bn  n  M    Vbi  Bn  n    M 
q q

-15-
 Barrière Schottky
Nature électrique du contact MS idéal
Semiconducteur type-n Semiconducteur type-p

déplétion <=> barrière accumulation <=> Ohmique

Métal Métal
M > s EC EC
EF EF

EV EV
accumulation <=> Ohmique déplétion<=> barrière

M < s
Métal EC Métal EC
EF EF

EV EV
NB : on raisonne sur les porteurs majoritaires !!

-16-
 Barrière Schottky

Travaux de sortie de quelques métauxet leurs hauteurs de

barrières Schottky mesurées sur Ge, Si et GaAs

Ag Al Au Cr Ni Pt W
M(dans le 4.3 4.25 4.8 4.5 4.5 5.3 4.6
vide)
n-Ge 0.54 0.48 0.59 0.49 0.48
p-Ge 0.5 0.3
n-Si 0.78 0.72 0.8 0.61 0.61 0.9 0.67
p-Si 0.54 0.58 0.34 0.5 0.51 0.45
n-GaAs 0.88 0.8 0.9 0.84 0.8
p-GaAs 0.63 0.42

-17-
 Cas où : m > S
 Il y a déplétion en porteurs libres majoritaire dans le semiconducteur de
type-n dans la zone de contact
et création d’une zone de charge d’espace de largeur w. Cette charge positive
est compensée à la surface du métal par une charge négative, donc très près
de la jonction métallurgique.

 Du fait de la très forte concentration électronique dans le métal, l’extension

de la zone de charge d’espace côté métal s’effectue sur une fraction de
monocouche atomique.
E
Métal Semiconducteur
La hauteur de barrière énergétique de la
E0
diode Schottky à la jonction métallurgique
q q est définie comme :
m
s
EC
qBn
EF
qBn  EC  EF
EV

 la déplétion coté semiconducteur et la création d’une barrière d’énergie vont

limiter la conduction à travers la structure. Un effet "diode" peut être attendu.

-18-
 Contact Schottky. Cas où : m > S
Diagramme des bandes d’énergie
Métal Semiconducteur N

Largeur de déplétion:
Eo
2 sVbi
q
Si w 
m qN D

q qVbi
Bn
Équilibre (VA= 0)
Ec -> EF continu,
EF constant

 Bn  m  
Ev
w

-19-
 Mesure de Hauteur de Barrière de potentiel pour un
contact métal-Semiconducteur type n

Résultats expérimentaux

Variations de
qB vs qm

-20-
 Cas où : m < S
 Le niveau de Fermi se rapproche de la bande de conduction. Il est près de
celui du contact métallurgique. Il y a donc accumulation d’électrons
(majoritaires) à l’interface et le semiconducteur se comporte alors comme un
matériau très dopé.

Métal Semiconducteur
E E0

q
q
s

EC
EF

EV

 L’absence de barrière de potentiel et de zone déplétée ne bloque pas le

transport au contact et nous avons dans ce cas un contact électrique qui peut être
considéré comme « ohmique ». Dans ce cas la conduction est limitée par le volume
du semiconducteur (loin de l'interface) et non pas par le contact M-SC.

-21-
 Cas où : m < S et SC de p-type

Métal Semiconducteur type-p

Eo

Largeur de déplétion:
Si
2 sVbi
w 
qN A
Ec
M
Équilibre (VA= 0)
-> EF continu,
constant
EF
Ev
Bp qVbi = Bp– (EF – Ev)FB  Bp = + EG - M
q
w

-22-
Propriétés de la Zone de charge d’espace
(cas SC type-n avec barrière de Schottky)
 La barrière de potentiel Vbi « built-in potential » correspond au
potentiel interne à l’équilibre thermodynamique
 les électrons doivent vaincre cette barrière de potentiel pour passer
de la BC du semiconducteur dans le métal.

 Vbi est compté positivement dans le sens métal/semiconducteur. Ci-

dessous, Vbi est négatif.

E  Equation de Poisson
Métal Semiconducteur
(dopages constants):
E0 
q V 
2

s
q qVbi  q(m  s )
m
q
qBn s
EC
EF

dE  q
EV E    ( p  n  ND )
dx  s  s

-23-
 Zone de charge d’espace

 Hypothèse : on néglige dans la zone de charge

d’espace p et n devant ND.
0  x W s  qN D
 s qN D dE qN D
V2
 E  
s s dx s
 s ( x) qN D qN qN D
E   dE   dx  x  C1  D x  W
s s s s
E
 On retrouve la formule de Kingston-Neustader :

qN D qN D x2
E ( x)  (x W ) V ( x)  (Wx  )  Cte
s s 2 Em  
qN D
W
s

qN DW 2 2 s
Vbi  W Vbi
2 s qN D
-24-
 Zone de charge d’espace
 En ne négligeant plus la concentration des porteurs libres dans la zone
de charge d’espace, l’application de la fonction Kingston-Neustader
permet d’ajouter le terme correctif :

2 s kT
W Vbi 
qN D q

 Ce terme correctif peut prendre de l’importance lorsque la hauteur de

barrière Vbi est relativement faible, c-à-d inférieure à 0,3V à 300K.

 La densité de charge par unité de surface à l’équilibre

thermodynamique s’exprime par :
Exp : pour Si avec ND = 1017cm-3 et
Q  qN DW  2 s qN D ( Vbi  kT / q) Vbi = 0,5 Volt  QSC ≈ 10-7 C/cm2

 Le plus souvent on néglige le kT/q et la largeur de la Zone de charge

d’espace est donnée par:
2 s
W Vbi
qN D
-25-
 Diagrammes de bandes d’énergies pour la jonction
métal/SC type-n et type-p en polarisation directe
Quand une tension est appliquée, la hauteur de la barrière qBn reste
fixe, mais la tension de diffusion qVbi change: en augmentant pour une
polarisation inverse et en diminuant pour une polarisation directe.

semiconducteur type-n semiconducteur type-p

En appliquant une tension V>0 sur le métal par rapport au SC, cela diminue le champ
interne et donc diminue la différence de potentiel totale. Donc beaucoup d'électrons
se déplaceront à travers l'interface du SC vers le métal en raison de la barrière
réduite. Par conséquent, le courant électronique circule de gauche à droite.

-26-
Diagrammes de bandes d’énergies pour la jonction
métal/SC type-n et type-p en polarisation inverse

semiconducteur type-n semiconducteur type-p

Quelques électrons traversent l'interface du métal vers le SC en raison

de la barrière inchangée, mais il est devenu plus difficile aux électrons
du SC de passer vers le métal.
Ainsi, un faible courant d’électrons circule donc de la droite vers la
gauche.
-27-
  En appliquant une tension V sur le métal par rapport au SC, la
concentration équivalente de porteurs traversant la structure reste faible
par rapport à la concentration d’atomes dopants ionisés.

 Si la tension appliquée V est positive, cela revient à diminuer le champ

interne et donc à diminuer la différence de potentiel total.

2 s
W (Vbi  V )
qN D

Distribution
de charge

Distribution du
champ électrique
-28-
Capacité de la zone déplétée
Q q s N D 
C   s
V 2 Vbi  V  W

1 2 Vbi  V 
 pente 
2
C 2
q s N D q s N D

C’est une ligne droite

 profil de dopage constant

Pente donne la
concentration de dopage
 
2  1 
ND 
  
q s  d 1
C2
/ dV


Vbi Courbe 1/C2 en fonction de la tension
appliquée pour les diodes
Intersection = Vbi peut être
W-Si et W-GaAs
utilisé pour trouver  Bn
Si ce n'est pas une ligne droite, la courbe
-29- peut être utilisé pour trouver le profil.
 Transport dans la jonction

Equilibre Polarisation Polarisation

Thermodynamique directe inverse

J = Jsm(V) – Jms(V)
Jms(V) = Jms(0) = Jsm(0)
-30-
 Transport dans la jonction
Equilibre thermique

Nombre d'électrons aillant une énergie thermique suffisante

pour surmonter la barrière:

  qBn 
 
nth  N C e  kT 

À l'équilibre thermique, le courant est le

même des deux côtés:

  qBn 
 
jms  js m  C1 NC e  kT 

-31-
 Théorie de transport dans la jonction
1/ Polarisation directe
Dans une barrière Schottky, 4 différents mécanismes de transport de
charges peuvent exister simultanément ou séparément et être
responsables du passage du courant. On considère le cas d’un
semiconducteur de type n.

(1) Courant dû au transport Semiconducteur

Métal
d’électrons du semi-conducteur vers 1
le métal au dessus de la barrière. 2
3
4
(2) Courant dû au passage des EC
qV
électrons à travers la barrière par EF

effet tunnel

(3) Recombinaison dans la zone de EV

charge d’espace

(4) Recombinaison dans la région

neutre.
-32-
 Transport dans la jonction
1/ Polarisation directe
 Franchissement de la barrière par les Métal
1
Semiconducteur

électrons de la bande de conduction:

processus le plus fréquent. Plus la hauteur EC
de barrière sera faible, plus les électrons qV EF
pourront passer. Cette barrière peut être
abaissée en polarisant positivement le métal EV
par rapport au semiconducteur.

 Franchissement de la barrière par effet Semiconducteur

Métal
tunnel: les électrons de la BC traversent la 2
barrière par effet tunnel. Ce phénomène ne
peut se produire que lorsque la zone de qV
EC
EF
charge d’espace s’étend peu i.e. pour des
dopages élevés du semiconducteur.
EV

Par exemple, si ND = 5. 1018cm-3, pour qΦB = 0,4eV, W ≈ 80Å,

ξmax ≈ 106V/cm.

-33-
 Transport dans la jonction
1/ Polarisation directe
 Processus de génération-recombinaison
Semiconducteur
dans la zone de charge d’espace: un électron Métal
de la BV passe dans le métal et laisse
3
derrière lui un trou dans le semiconducteur. EC
qV
Ce trou s’éloigne du métal dans la ZCE, et se EF

recombine avec un électron de la BC.

EV

 Processus de génération-recombinaison Métal

Semiconducteur

dans le volume neutre:

processus similaire au précédent, mais dans 4
EC
ce cas, la recombinaison se produit dans le qV EF
volume neutre du semiconducteur.
EV

 En régime de conduction directe, le processus dominant est le

premier (l’effet tunnel étant négligeable).

-34-
 Emission au dessus de la barrière

Dans ce cas, le courant est dû au passage des porteurs au dessus

de la barrière. Ce courant a été décrit par plusieurs théories
dont l’application dépendra des propriétés du semi-conducteur.
Les voici:

o théorie thermo-ionique

o théorie de la diffusion.

o théorie regroupant les deux premières.

La différence entre les théories de diffusion et de l’émission

thermo-ionique est le comportement de quasi-niveau de Fermi
des électrons dans le semi-conducteur.

-35-
Cette différence peut être récapitulée comme suit:
1- Dans le cas de l’émission thermo-ionique, les électrons du
semiconducteur qui traversent la barrière pour pénétrer dans le
métal ne sont pas en équilibre avec ceux de ce dernier. Ce sont
des électrons chauds, mobiles dans le métal qui perdent leurs
énergies à la suite de collisions. Le quasi-niveau de Fermi est plat
dans tout le semiconducteur et s’abaisse pour rejoindre le niveau
de Fermi de métal à l’intérieur du métal.
Métal Semiconducteur
Théorie
Thermo-
ionique
2- Dans le cas de la théorie de EC
qV
diffusion, le quasi-niveau de EFM EFS

Fermi coïncide avec le niveau de

Fermi du métal à l’interface. EV

Théorie
De Diffusion

-36-
 Conduction des porteurs

 La théorie thermo-ionique
E
Elle se limite aux phénomènes de transport Métal Semiconducteur
à l’interface métal/SC. Il n’y a pas de
contribution à la conduction, ni du volume
neutre, ni de la zone de charge d’espace. EC
qV
Le gradient du quasi-niveau de Fermi est EFS

négligé. Ceci implique que le quasi-niveau

de Fermi dans le SC est plat. EV

Le franchissement de barrière SC->M est alors fondé sur la

probabilité d’avoir des porteurs dont l’énergie cinétique due à
l’agitation thermique est supérieure à la hauteur de barrière qu’ils
doivent franchir et dont la composante des vitesses, normale au
plan du métal, est orientée vers le métal.

Cette théorie s’applique aux cas où les électrons ont une forte
mobilité dans le semiconducteur
-37-
 Conduction des porteurs

 La théorie de la diffusion

E
Cette théorie suppose que les électrons Métal Semiconducteur
migrent du SC au métal par dessus la
barrière en traversant la zone appauvrie
du SC, ce qui restreint le courant direct. qV
EC
EF
En effet ce dernier est limité par la EF

diffusion des porteurs à travers le champ

EV
électrique dans la zone de charge
d’espace.
Cette théorie s’applique aux cas où les électrons ont une faible
mobilité dans le SC.

Dans le cas le plus général, il faut utiliser une combinaison des

deux, appelée théorie mixte

-38-
 Théorie thermo-ionique

La théorie de l’émission thermo-ionique part des hypothèses suivantes :

 la hauteur de barrière d’énergie est grande devant kT,

 l’équilibre thermique est établi,

 l’existence d’un courant n’affecte pas sensiblement cet équilibre.

 nous pouvons supposer l’existence de deux courants indépendants,

l’un injecté par le métal dans le SC, l’autre injecté par le SC dans
le métal.

-39-
 Théorie thermo-ionique
Calcul de la densité de courant injecté par le SC dans le métal : on
considère que les électrons dont l’énergie est supérieure à la hauteur
de barrière et dont la composante de vitesse, vx est orientée vers le
métal.


js  m   qvx dn x : direction de propagation
dn: la concentration en électrons
EF  qn
vx la composante de la vitesse suivant
la direction x (normale à l’interface).

 E  EF
3/2
1  2m *  
dn  g ( E ) f ( E )dE  2  2  E  EC exp    dE
2    kT 
g(E) : densité d’état
f(E) : probabilité d’occupation

-40-
 Théorie thermo-ionique

En appliquant la tension V sur le métal par rapport au semiconducteur,

à l’interface :
E Semiconducteur
EF  EC  qBn  qV
Métal
EC

1 qBn
E  EC  m * v 2 ; dE  m * vdv qV
EC
EF
2
1
E  EC  v m * v 2  vx2  v y2  vz2 EV

 EC  EF  m * v2 
3/2
 2m *  
dn  2  2  exp    exp    4 v 2
dv
 h   kT   2kT 

v 2  vx2  vy2  vz2 avec 4 v 2 dv  dvx dv y dvz

en intégrant :
-41-
 
On a js  m   qvx dn
EF  qn

 E  EF
3/2
1  2m *  
dn  g ( E ) f ( E )dE  2  2  E  EC exp    dE
2    kT 
 EC  EF  m * v2 
3
 2m *  
dn  2  2  exp    exp    4 v 2
dv
 h   kT   2kT 


 EC  EF   m * vx2 
3
 2m * 
js  m  2  2  exp     vx exp   dvx
 h   kT  vox  2kT 

 m * v y2    m * vz2 
  exp  
 2kT  y 
dv exp   dvz
     2kT 

 4 qm * k 2  2  EC  EF   m * v 2

 js m   T exp    exp  
0x

 
3
 h  kT  2 kT 
-42-
 v0x est la vitesse minimale (dans la
direction x) nécessaire au franchissement 1
de la barrière. Vbi : chute de potentiel
m * vox2  q(Vbi  V )
2
(« built in ») à V = 0. Finalement :

 4 qm * k 2  2  EC  EF  qVbi   qV 
js  m   T exp   exp  
   
3
 h  kT kT
 4 qm * k 2  2  qBn   qV 
  T exp    exp  
 kT   
3
 h  kT

qBn qV

jsm  A*T 2 e kT
e kT

4 qm * k 2
A* est la constante de Richardson.
avec A* 
h3
-43-
A l’équilibre thermodynamique, le courant total est nul, c.a.d. que le
flux d’électrons injecté par le semiconducteur vers le métal doit être
égal au flux inverse. La valeur de la densité de courant injectée par le
métal est obtenue en prenant V=0.
qBn

js m  jms  0  jms   A T e* 2 kT

Cette valeur jm->s va rester la même sous

polarisation compte tenu des hypothèses initiales.
Ainsi, le courant total de la diode s’exprime par :

qBn
  qV

j  AT e* 2 kT
 e  1
kT

Expression similaire à celle obtenue pour

 la jonction
p-n, mais un courant de saturation inverse
différent
-44-
 Bilan final:
qBn
  qV   qV

js m  A*T 2 e kT
 e kT
 1 
 ST 
j e kT
 1
q
   
 Bn

avec : jST  A*T 2 e kT

avec A* Constante de Richardson effective

Plus la hauteur de barrière sera importante, plus le courant

inverse (ou de saturation) sera faible, plus le courant direct sera
faible pour une même polarisation.

Exp: A* = 120 A/cm2 à 300K si nous considérons m*=me

Résistance de contact
qBn
 j 
1 k
Rc   Rc  * e kT
 qA T
 V V 0
-45-
Densité de courant direct vs tension appliquée des diodes WSi et W-GaAs

-46-
 Comparaison des caractéristiques I(V) d'une diode
Schottky, d’un contact ohmique et d’une jonction pn.

NB: L'échelle de la
caractéristique I-V en
polarisation inverse est
dilatée par rapport à
l'échelle de polarisation
directe

Ohmic Contact

-47-
 Théorie de la diffusion
Dans ce cas, ce n’est plus l’interface qui est bloquante mais la zone
de charge d’espace du semiconducteur. Les porteurs doivent transiter
par cette zone, et la densité de courant peut s’écrire directement en
fonction de la variation du pseudo-niveau de Fermi dans cette zone
et de la mobilité des porteurs :
E Métal Semiconducteur

dEFn
jn  n n EF
qV
EC
EFn
dx EV

Il s’agit alors de déterminer le gradient de EFn. Sa variation totale

correspond à qV. La concentration des électrons dans le côté semi-
conducteur de l'interface de M/S est donnée par :

EC  EFn dEFn 1 dn dEC ( x)

n  NC e

kT  kT 
dx n dx dx
-48-
 Théorie de la diffusion

La variation de EC(x) est directement liée au champ électrique dans

la zone de charge d’espace. On peut calculer le courant à l’interface
Métal/SC en appelant ξs le champ à la surface du semiconducteur.

 dn 
jn   n  kT ( ) surf  qns s  Deux composantes de courant
 dx 

A l’interface, la concentration étant relativement faible, le gradient l’est

aussi. Dans ce cas, la composante de conduction est considérée avec
le champ électrique maximal très près de l’interface (en xm). La
concentration ns s’exprime alors en fonction de nso. En rajoutant la
densité de courant injectée par le métal, la densité totale de courant
est alors : qV  
 kT 1 
jn  q n ns 0 s e  

-49-
 Théorie mixte
Dans ce cas, la conduction est contrôlée à la fois par l’interface et
le volume; la variation du niveau de Fermi est mixte, c’est-à-dire
varie dans la zone de charge d’espace et présente une discontinuité à
l’interface.

En prenant une vitesse de collection équivalente vc la densité de

courant s’exprime par :
E Métal Semiconducteur

Thermoionique
J  q(ns  n0 )vC qV
EC
EF EFn

Concentration dans EV
la région neutre
Diffusion

La vitesse de collection est inférieure à la vitesse thermique. Les

phénomènes intervenant dans cette limitation sont la mobilité dans la
Z.C.E. mais aussi la réflexion quantique, la présence d’oxyde natif
d’interface, etc….

-50-
 Circuit équivalent en petits signaux

Éléments du circuit équivalent:

– Résistance dynamique
dV
Rd 
dI Cs
– Capacité différentielle
1
 eN d  SC  2
C d  A 
 2(Vbi  V ) 
– Résistance série de la diode
RS  Rcontacts  RRN
– Inductance parasite
LS
 SC A
– Capacité « géométrique » de la diode C géom 
L
-51-
 Le contact ohmique
Un contact ohmique est défini comme un contact M-SC qui possède une
résistance de contact négligeable vis-à-vis du matériau. Un bon contact
ohmique ne doit pas perturber les performances du composant.
1
 j 
Rc   
 V V 0
Pour un contact M-SC avec un faible dopage, le courant d’émission
thermo-ionique est dominant. La hauteur de barrière doit être faible pour
obtenir une valeur de Rc la plus petite possible:
qBn
k
Rc  * e kT
qA T
Pour des contacts M-SC avec des dopages plus importants, l’effet tunnel
domine la conduction. Dans ces conditions la valeur de Rc dépend fortement de
la concentration en dopage et varie exponentiellement avec le facteur Bn/kT.

2  s m* qBn

Rc  e
ND

-52-
 Le contact ohmique
 La réalisation de contacts ohmiques est difficile avec des SCs à grand-gap. Le
métal ne possède en général pas un travail de sortie suffisant pour produire une
barrière avec une hauteur suffisamment faible.

Fort dopage et/ou

hauteur de barrière
faible pour la
réalisation de
contacts ohmique

 La technique communément utilisée pour la réalisation de contact ohmique est

l’utilisation de couche de surface fortement dopée comme les jonctions métal/n+/n,
métal/p+/p.

 Pour des contacts ohmiques sur Ge et Si, un alliage Au-Sb (avec 0,1 %de Sb)
est en premier évaporé sur un SC de type-n.

 Pour GaAs et les SCs III-V de nombreuses technologies ont été développées
pour la réalisation de contacts ohmiques.

-53-
 Le contact ohmique

réalisation d’un contact ohmique

– Il faut sur-doper le SC à l’interface
– Le courant passe essentiellement par
effet « tunnel ».

-54-
 Comparaison entre les propriétés d’une
diode pn et une diode Schottky

Diode p-n Diode Schottky

Métal Semiconducteur
Semiconducteur Semiconducteur
n-Si
p+-Si n-Si

V > 0
qBn V < 0
V > 0
V < 0

• La hauteur de barrière • La Barrière du côté métal est fixée

n'est pas fixée
-55-
 Comparaison entre les propriétés d’une
diode pn et une diode Schottky

Diode p-n Diode Schottky

p+ n
M n-Si

dominant
négligeables

qBn
Ir-g
IR-G

négligeables

dominant

-56-
 Comparaison entre les propriétés d’une
diode pn et une diode Schottky

Diode p-n Diode Schottky

Courant inverse dû à la Courant inverse dû aux

diffusion des porteurs porteurs majoritaires qui
minoritaires vers la couche de surmontent la barrière 
déplétion  forte Moins de dépendance en
dépendance en température température

Courant direct dû à l'injection Courant direct dû à

des porteurs minoritaires à l'injection des porteurs
partir des côtés n et p majoritaires du semi-
conducteur

La polarisation directe La tension de coupure est

nécessaire pour rendre le assez faible
dispositif conducteur (la
tension de coupure) est
grande.

-57-
 Comparaison entre les propriétés d’une
diode pn et une diode Schottky

Diode p-n Diode Schottky

La vitesse de commutation La vitesse de commutation est

est commandée par la commandée par la thermalisation
recombinaison des porteurs des électrons "chauds" injectés à
minoritaires injectés travers la barrière ~ quelques
picosecondes

Facteur d'idéalité dans les Essentiellement pas de

caractéristiques I(V) ~ 1.2 à recombinaison dans la région
2.0 due à la recombinaison de déplétion, facteur
dans la région de déplétion d'idéalité ~ 1.0

-58-
 Diode Schottky
IAK
Energie
Flux "thermo-ionique"

Métal EC
EF VAK

EV 0 ~ 0,3 V sur Si
Semiconducteur N
ND  1017 cm-3
IAK
Energie
Effet tunnel
Métal EC
EF VAK
0
EV
Semiconducteur N
ND  1019 cm-3