Jonction PN polarisée Polarisation positive (V > 0)

par une tension continue extérieure

Convention de signe :

SC n relié à la masse
polarisation appliquée
côté p

Approximation 1

Les zones neutres riches en porteurs libres sont très
conductrices par rapport à la zone de transition désertée
par les porteurs
- chutes ohmiques dans les zones neutres
négligeables
- polarisation V aux bornes de la zone de transition
Vn − Vp = Vb − V
Niveaux d’énergie abaissés de qV côté p
Hauteur de barrière réduite à q(Vb –V)

diffusion massive de porteurs majoritaires (électrons de
n vers p, trous de p vers n)
>>
composante de conduction des minoritaires

V modifie :
- les profils des bandes
- les caractéristiques de la zone de transition
- les densités n et p hors zone de transition

courant
courant important de p vers n : jonction dite polarisée
en direct

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 Polarisation négative (V < 0) Zone de transition

On peut reprendre les expressions obtenues en remplaçant

Vb par q(Vb – V)
−1
N 2A x 2p = N 2D x 2n = 2
q
1 + 1 V b − V 
NA ND

xp + xn = 2 1 + 1 Vb − V
q NA ND
La largeur de la zone de transition

- diminue si V > 0 (polarisation directe)

- augmente si V < 0 (polarisation inverse)

Niveaux d’énergie élevés de –qV côté p

Hauteur de barrière augmentée : q(Vb – V) > Vb

courant de dérive des minoritaires dominant (électrons de

p vers n, trous de n vers p)
>>
diffusion des porteurs majoritaires bloquée par E

courant faible de n vers p : jonction dite polarisée en

inverse
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 Concentrations de porteurs minoritaires Pour la jonction non polarisée, on avait
aux limites de la zone de transition
nn pp q
ln n 0 = ln p 0 = V
p0 n0 kB T b
J n = J cn + J D n = qnμ n E + qD n dn #
dx
dp donc par substitution
J p = J cp + J D p = qpμ p E − qD p #
dx
q n n x n 
n p −x p  = n p 0 exp V nn0 #
k BT
Jn et Jp sont la somme de 2 contributions énormes qui
s’équilibrent presque q p p −x p 
p n x n  = p n 0 exp V pp 0 #
k BT
Approximation 2
n n x n  = n n 0 + Δn n x n  #
et en posant
J c n ≅ J Dn >> J n J c p ≅ J D p >> Jp
p p −x p  = p p 0 + Δp p −x p  #
dn ≅ − q Edx = q dV #
n k BT kB T
On en déduit :
dp q q q Δn n x n 
p ≅ k B T Edx = − k B T dV # n p −x p  = n p 0 exp
kB T
V 1+ n n0 #

q Δp p −x p 
p p x n  = p n 0 exp V 1+ pp0 #
kB T
et après intégration entre et

n n x n  p p −x p  q
ln = ln = V b − V 
n p − x p  p n x n  k BT

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 q
n p −x p  = n p 0 exp V #
Approximation 3 : quasi-neutralité k BT
Finalement :
q
p n x n  = p n 0 exp V #
hors de la zone de transition, toute variation de concentration k BT
des porteurs minoritaires est presque immédiatement
compensée par une variation identique du taux de porteurs aux frontières de la zone de transition, les concentrations
majoritaires (relaxation diélectrique) des porteurs minoritaires sont multipliées par exp q
V
k BT
temps caractéritique τ r = σ
En polarisation directe : [minoritaires] augmente
pour Si  ≃ 10 −10 F m σ = 10 2 Ω −1 m−1  τ r ≃ 10 −12 s injection d’électrons dans la zone p
et de trous dans la zone n
Δn n x n  = Δpn x n  #

aux limites de la zone de transition En polarisation inverse : [minoritaires] diminue
Δp p −x p  = Δnp −x p  #
extraction d’électrons de la zone p
et de trous de la zone n

Approximation 4 : faible injection

les variations de concentration des porteurs minoritaires

dues à V sont suffisamment modérées pour que
l’accroissement relatif des majoritaires soit négligeable

soit : Δn n et Δp p
n n 0 << 1 p p 0 << 1

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 Concentrations de porteurs dans Pour les électrons, côté p, en régime permanent :
les zones neutres ∂2 np np − nP0
Dn − τn = 0
∂x 2
▪ Porteurs majoritaires :
soit d n p − n p − n P 0 = 0 avec
2
Ln = Dn τn
dx 2 L n2
quasi-neutralité + faible injection
Solutions de la forme
Δn n Δp p
n n 0 << 1 p p 0 << 1 n p x  − n p 0 = A n exp − x + B n exp x
Ln Ln
Les concentations de majoritaires ne sont pas affectées
avec conditions aux limites
▪ Porteurs minoritaires : q
n p −x p  = n p 0 exp V déjà calculé
k BT
équations de continuité
n p −x p − d p  = n p 0 (dp : largeur de la zone neutre
∂n p ∂J n np − nP0 côté p, électrode métallique)
côté p = 1
q ∂x − τn #
∂t
côté n ∂p n ∂J p pn − pn0
= −1q − τp # Tous calculs faits :
∂t ∂x
- EZN << EZT (pas de chute de potentiel dans les zones
neutres) x + x p + dp
- [minoritaires] << [majoritaires] sinh
q Ln
n p x  − n p 0 = n p 0 exp V −1
k BT d

Pour les minoritaires sinh p
Ln
∂n p ∂2 np np − nP0
côté p = Dn − τn #
d’où ∂t ∂x 2

côté n ∂p n ∂2 pn p −p
= Dp − n τp n 0 #
∂t ∂x 2

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Pour les trous, côté n, en régime permanent : Deux cas extrêmes
d2 pn p −p
Dp 2
− n τ n0 = 0 1/ zones larges d n >> L p , d p >> L n
dx p

d2 pn pn − pn 0 x + xp
soit 2
− = 0 avec L p = Dp τp n p x  − n p 0 ≃ n p 0 exp
q
V − 1 exp #
dx L 2p k BT Ln
Solutions de la forme q xn − x
p n x  − p n 0 ≃ p n 0 exp V − 1 exp #
k BT Lp
p n x  − p n 0 = A p exp − x + B p exp x
Lp Lp
variations exponentielles très rapides
conditions aux limites
2/ zones étroites d n << L p , d p << L n
q
p n x n  = p n 0 exp V (déjà calculé) x + x p + dp
k BT q
n p x  − n p 0 ≃ n p 0 exp V −1
k BT dp
p n x n + d n  = p n 0 (dn largeur de la zone neutre
côté n, électrode métallique)
− 1 x n + dn − x
q
p n x  − p n 0 ≃ p n 0 exp V
finalement k BT dn

variations quasi-linéaires
sinh x n + d n − x
q Lp
p n x  − p n 0 = p n 0 exp V −1
k BT
sinh d n
Lp

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Distribution des porteurs minoritaires Calcul des courants dans les zones neutres

▪ porteurs minoritaires
on a déjà vu que pour eux Jc << JD soit J ~ JD

x + x p + dp
cosh
dn p q Ln
J n  p x  = qD n = qn p 0 D n exp V −1
dx Ln k BT dp
sinh
Ln

cosh x n + d n − x
dp Dp q Lp
J p  n x  = −qD p n = qp n 0 exp V −1
dx Lp k BT
sinh d n
Lp

▪ porteurs majoritaires
même si EZN faible, on ne peut plus négliger Jc devant JD
car [maj] = 108 à 1010 x [min]

on ne sait pas calculer les courants de majoritaires

a : formule générale dans les zones neutres
b : cas des zones larges
c : cas des zones étroites J n  n x  = ??? J p  p x  = ???

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 Calcul du courant total Par différence, on peut déduire les courants de

majoritaires J n  n x  J p  p x 
Il suffit de connaître Jn et Jp en un même point x0

Problème : on connaît J n − x p  mais pas J n x n 

et on connaît J p x n  mais pas J p − x p 

Approximation 5 : Jn Jp constants dans la zone

de transition
J n x n  = Jn −x p  #
J p −x p  = Jp x n  #

Pas de génération, ni de recombinaison dans la zone de

transition (justification : E intense, donc les porteurs
traversent vite)

on trouve ainsi
dp Dp q
J tot = q n p 0 D n coth + pn 0 coth d n exp V −1
Ln Ln Lp Lp k BT

Jtot ∝ aux densités de porteurs minoritaires

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 Comparaison avec courbes expérimentales
Conclusion

Au prix de plusieurs approximations successives

q
J = J s exp V −1
kB T
caractéristique de diode

Composant bipolaire
(électrons et trous
participent à J)

Js est appelé
courant de saturation

Js dépend du SC via Polarisation directe :

n i, Dn , Dp , L n , L p a/ J petit, G/R dans la zone de transition non
négligeables
et des taux de dopage b/ bon accord avec modèle
dans les zones p et n c/ forte injection (Jc des minoritaires non
négligeable)
d/ résistance série des zones neutres

Polarisation inverse :
e/ zone de transition large et J petits : G/R non
négligeables
f/ claquage de la jonction
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 Claquage de la jonction pour V = V br
2 phénomènes possibles

Effet Zener :
passage d’électrons
de la BV côté p
à la BC côté n
par effet tunnel
Il faut δx < qq nm
(nécessite E ≃ 10 8 V m−1 )
J ∝ exp−αδx 
Réversible

Application : diode Zener

Effet d’avalanche :
ionisation par impact
des atomes dans la zone de
transition (E intense
v
élevée)
Processus en chaîne :
un électron entrant produit

M = 1 électrons
m
1− V
V br
Irréversible
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