5.

Capacité de la jonction (ZCE)

Dans l’approximation de la déplétion, un changement du potentiel appliqué devrait causer un
changement des charges stockées sur les bords de la ZCE . Similaire à un condensateur plan
d’armatures parallèles distantes de W, la capacité C de la ZCE est :
r
V+dV V
qND
donc:
dQ
Si une partie est fortement dopée que l’autre :
x

qNA

Le trace de , où Va : polarisation inverse , permet de remonter à la valeur de N (N

correspond à la densité de porteurs la moins concentrée)
Rappel :

polarisation directe de la jonction;

polarisation inverse.

1
6. Phénomène de transport dans une jonction pn: Injection de porteur
6.a. Concentration des porteurs aux bords de la ZCE
Le calcul suivant permettra de retrouver les concentrations des porteurs aux bords de la ZCE en
fonction de la polarisation en régime de faible injection (modèle de shockly).
On pose : 𝑥𝑝 = 𝑎 𝑒𝑡 𝑥𝑛 = b
❖Sans polarisation (𝑉𝑎 = 0) les concentrations des porteurs minoritaires en a et b sont :
𝑞𝑉
− 𝑘𝑇𝑑 𝑛𝑖2
𝑝𝑛𝑏 = 𝑝𝑛0 = 𝑝𝑝0 𝑒 ≈
𝑁𝐷
𝑞𝑉
− 𝑘𝑇𝑑 𝑛𝑖2
𝑛𝑝𝑎 = 𝑛𝑝0 = 𝑛𝑛0 𝑒 ≈
𝑁𝐴
❖ Lors de la polarisation par Va, on aura dans la ZCE la présence de deux courants électriques:
de conduction et de diffusion pour chacun des porteurs p et n (Jp et Jn), par conséquent :

Les deux courants sont opposés et équilibrés ce qui implique que :

donc: Ainsi:

D’où: 2
La neutralité de la ZCE au point a et en appliquant l’approximation 3 qui stipule que les porteurs
minoritaires ont une faible concentration que ceux majoritaires:
𝑛𝑛𝑏 ≫ 𝑝𝑛𝑏
pour Va=0
𝑛𝑖2 𝑞𝑉𝑎 𝑞𝑉𝑎
𝑝𝑛𝑏 = 𝑁 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑝𝑛0 𝑒 𝑘𝑇
𝐷
𝑛𝑖2 𝑞𝑉𝑎 𝑞𝑉𝑎
𝑛𝑝𝑎 = 𝑒 𝑘𝑇 =𝑛𝑝0 𝑒 𝑘𝑇
𝑁𝐴
𝑞𝑉𝑎 𝑞𝑉𝑎
2 𝑘𝑇
Rq: 𝑝𝑛𝑏 . 𝑛𝑛𝑏 = 𝑛𝑛0 𝑝𝑛0 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑛𝑖 𝑒 = 𝑛′2𝑖
Augmentation du nombre de porteurs intrinsèques
la concentration des porteurs minoritaires aux voisinages de la ZCE augmente
exponentiellement avec Va>0 (et inversement pour Va<0) . Ce processus par lequel la
concentration est contrôlée par la tension à travers la jonction est connu par : «injection de
porteurs minoritaires»
6.b. Diffusion des porteurs minoritaires dans la zone quasi-neutre
Pour un Sc uniformément dopé, la région est quasi-neutre (𝑬 = 𝟎), le déplacement des
porteurs minoritaires se fait par diffusion, donc:

3
7. Jonction p-n à l’obscurité
7. 1. Porteurs minoritaires dans les régions quasi-neutres
Dans la région n de la diode: Jp(x) Jp(x+dx)
S
L’équation de la continuité pour les trous donne : dx
Avec est le taux de recombinaison, est l’excès de concentration des
porteurs minoritaires (les trous), . la durée de vie des trous (porteur minoritaire) dans la zone
n, qui peut être considérée comme constante.

A l’obscurité et comme , donc :

avec:

Lp, Ln sont des paramètres ayant la

Les constantes A et B sont déduites des conditions aux limites : dimension d’une longueur, appelés
longueurs de diffusion des porteurs
a
minoritaires dans les zones n et p resp.
i- Pour x=0, on suppose que xb=0 4
ii- ce qui implique que A=0
On obtient : -

Même calcul pour n dans la zone p:

nn0
pp0
Sc type p Sc type n

np (a)= np0exp(qVa/kT) x

np (x’)a np0exp-(x’+xp/Ln) x pn (b)= pn0exp(qVa/kT)

pn (x)a pn0exp-(x+xn/Lp)
np0
pn0
xp=a 0 x
Zone neutre ZCE xn=b Zone neutre

5
7. 2. Courants des porteurs minoritaires
Les courants dans les régions quasi neutres sont diffusives, donnés par les relations :
❖ Pour la région n :

❖ Pour la région p:

Pour calculer le flux total dans la diode, il est nécessaire de connaitre à la fois la quantité
d’électrons et de trous au même point (x). On considère le flux dans la zone de déplétion, les
équations de continuité donnent :

Par conséquent, l’amplitude de la variation du courant traversant la zone de déplétion est :

6
W est très faible que et ,ce qui implique que et sont constants dans la ZCE (
). Le courant total est donc :

On le comparant à l’équation d’une diode idéale :

Avec I0 le courant de saturation :

Distribution linéaire des Semi log présentation de n et p Densités de courant des porteurs
porteurs dans une jonction p-n minoritaires et majoritaires et J total
Polarisée en direct
7
8. Jonction p-n sous illumination
Le taux de génération des paires électron-trou par la lumière est supposé uniforme à travers le
dispositif (cas d’une cellule PV excitée par des longueurs d’ondes longues c.-à-d. faisceau
constitué de photons d’énergie proche de Eg du Sc). De telle lumière devrait être faiblement
absorbée par le SC et le volume des paires électron- trou créés reste presque constant à travers
celui-ci (ce n’est pas le cas de la conversion des cellules PVs).

Constante, ce qui implique que et donc:

Les conditions aux limites restent inchangées ce qui aboutit aux solutions suivantes:

Et :

De même pour les électrons:

n
Et :
8
En négligeant l’effet de la recombinaison et en gardant que celui de la génération dans la région
ce qui donne le changement de la densité de courant à travers celle-ci comme suit :

Et par conséquent la relation entre le courant et la tension est :

Avec