Homo-jonction à semi-conducteur

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Homojonction PN
 Composant à réponse non linéaire
 Dispositifs redresseur ou « rectifier
devices »
 2 types pour arriver au « même » résultat:
 Jonction PN (notre propos)
 Jonction à contact Schottky (chapitre suivant)

2
 Mécanisme de formation de la jonction PN
•Processus de mise à l’équilibre
1° phase : processus de diffusion

2° phase : Apparition d’un E interne:

équilibre la diffusion
Recombinaison de
paires e-h

Niveau de Fermi aligné:

équilibre thermodynamique

E int
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 •Tension de diffusion VD ou
« built in potential VB i »

• Définition : différence de potentiel entre la région N et la région P

VD  Vbi  V N  VP
 dp( x) 
Equation du courant de trous: J P ( x)  e   P p ( x) E ( x)  D p  0
 dx 
p 1 dp( x)  e dV ( x) 1 dp( x)
Soit encore E ( x)  ou 
Dp p( x) dx kT dx p( x) dx

kT pp
En intégrant de la région P à la région N: VD  ln( )
e pn
kT N N
Soit finalement: VD  ln ( A 2 D )
e ni
4
•Champ, potentiel et largeur de zone d’espace (1)
 Equation de Poisson:

d 2V ( x)  ( x)
2

dx  sc

 Dans la région N et P:

d 2V ( x) e
2
  ND 0  x  WN
dx  sc

d 2V ( x) e
2
  NA  WP  x  0
dx  sc

-WP -WN

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 •Champ, potentiel et largeur de zone d’espace (2)

 Champ électrique E(x)

eN D eN A
En ( x )   ( x W N) EP ( x)   ( x W P)
 sc  sc
 Continuité du champ en x=0:

N DW N  N AWP

eN DW N eN AW P
EM  
 sc  sc
-WP -WN

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 •Champ, potentiel et largeur de zone d’espace (3)
 Potentiel électrique E(x)
eN
Vn ( x)   D ( x W N) 2  Vn
 sc
eN A
V p ( x)  ( x W P) 2  V p
 sc
 Zone de charge d’espace (ZCE)
2
eN DWn2 eN AW p
V (Wn )  V (W p )  Vd  
2 sc 2 sc
2 sc ND
W p (Vd )  Vd
e N A (N A  N D )

2 sc NA
Wn (Vd )  Vd
e ND (N A  ND )

2 sc N D  N A
W (Vd )  Vd -WP -WN
e NAND
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Attention: tout ce que l’on vient de voir
était pour V=0. Lorsque la diode est
alimentée par une tension V sur P, Vd
doit être remplacée par Vd - V

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Jonction PN sous polarisation
 Cette polarisation va rompre l’équilibre entre les
forces de diffusion et de conduction: =>
apparition d’un courant ?
 Hypothèses simplificatrices:
 ZCE vide de porteurs
 Faible injection
 Approximation de Boltzmann
 Toute la tension VA appliquée sur la jonction
 Pas de phénomènes de Génération - Recombinaison
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 Jonction PN sous polarisation

 Polarisation directe
 Tension positive sur P
 Diminution de la
tension de diffusion
 Processus de diffusion
prédomine
 Fort courant

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 Jonction PN sous polarisation
Fdiff e-

 Polarisation directe
 Diminution du champ interne
par E externe opposé
 Injection d’électrons de N
vers P et Injection de trous
de P vers N, donc des
minoritaires
 Fort courant car « réservoir »
plein
Fdiff h+

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Polarisation directe

Eext

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 Jonction PN sous polarisation
Fconde-

 Polarisation Inverse
 Augmentation du champ
interne par E externe dans
le même sens
 Injection d’électrons de P
vers N et Injection de trous
de N vers P , donc des
majoritaires
 Faible courant car
« réservoir » presque vide

Fcond h+
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 Jonction PN sous polarisation
À l’équilibre, courant nul  deux composantes (diff et cond)
s’opposent. Pris à part , l’ordre de grandeur de ces composantes
104 A/cm2 (soit 1A pour diode typique) or en faible injection I
est de l’ordre de qq mA à qq 10 mA

•Approximation de Boltzmann: L’approximation de Boltzmann

consiste à dire que la résultante des courants étant faible devant les
composantes de ce courant, on considère que l’on est encore en
quasi-équilibre et donc que l’équation du courant est encore valide
en remplaçant Vd par Vd -Va:

 e dV ( x) 1 dp( x)

kT dx p( x) dx
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 Densité de porteurs injectés à la frontière de la
ZCE
 Si Va=0 p (W N ) eV
 exp( d )
pp kT
 Si Va p' (W N ) e(Vd  Va )
0  exp( )
pp kT

eV A ni2 eV A eV A ni2 eV A
p' n  p n exp( ) exp( ) n' p  n p exp( ) exp( )
kT ND kT kT NA kT

' ' eVa 2

n * p p  p * nn  n exp(
p n ) i
kT
15
Variation de la densité de trous injectés en
fonction de Va
1017
1016
Na= 1E17 cm-3
1015 Vd=0.7 V
1014
1013
1012
P'(Wn) (cm-3)

1011
1010
109
108
107
106
105
104
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Va (V)
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 Distribution des porteurs dans les régions
neutres
 Une fois les porteurs injectés,
ils vont diffuser dans la région
neutre et se recombiner avec
les porteurs majoritaires

 La distribution va être fonction

de la géométrie de la région

 Les paramètres
discriminatoires : la longueur
de diffusion LDn,p des électrons
et des trous et la largeur des
régions neutres dn,p -WP 0 WN

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 Distribution des porteurs dans les régions
neutres
 Régions longues ( d n , p  L p ,n )  Régions courtes ( d n , p  L p ,n )
eV
eVa p n kTa
p ' ( x )  p n  p n (e kT
 1)e
(WN  x ) / L p p' ( x)  p n  (e  1)( xc  x)
dn
eVa
( x Wp ) / Ln n p eVkT
a

n' ( x )  n p  n p (e kT
 1)e n' ( x )  n p  (e  1)( x'c  x)
dp

 Régions qcq pn
eVa
  x c  x 
p' ( x)  p n  (e  1) sh 
kT

dn  L 
sh( ) p
Lp
np eVa

 x  xc' 
n' ( x )  n p  (e kT  1) sh  
dp  Ln 
sh( )
Ln
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 Courant de porteurs minoritaires dans les
régions neutres
 La distribution connue, on peut facilement calculer le
courant qui est un courant de diffusion:
dp ( x) dn( x)
J p ( x)  eD p J n ( x )  eD n
dx dx
 Hypothèse : pas de Phénomènes de G-R dans la ZCE

J (V )  J p (W p )  J n (W p )  J p (Wn )  J n (W p )

 On obtient la formule classique:

J (V )  J S (e eV / kT  1)
JS est le courant de saturation de la diode,
ou courant inverse théorique 19
 Courant de porteurs minoritaires dans les
régions neutres
 Régions courtes
eni2 DP eni2 Dn
JS  
NDdn N Ad p
 Régions longues
eni2 DP eni2 Dn
JS  
N D LP N A Ln
 Régions qcq -WP 0 WN
2 2
en DP
i en Dn i
JS  
dn dp
N D LP th( ) N A Ln th( )
LP Ln
20
 La diode réelle : Phénomènes de génération-
recombinaison dans la ZCE
 On affine le modèle on tient compte de la G-R dans la
ZCE
 Mécanisme connu (Shokley-Read)
1 pn  ni2
r
 2 ni  p  n
eVa
 On sait également que p(WN )n(WN )  p(WP )n(WP )  ni2 exp( )
2 kT
 Si on suppose np constant dans la ZCE et >> ni (en
polarisation directe) , le taux r est max pour n=p, soit
encore
ni  eVa 
rmax  exp 
  2kT 
21
 La diode réelle : Phénomènes de génération-
recombinaison dans la ZCE
 Le courant de génération recombinaison dans la
ZCE s’écrit alors:
WN
J GR  e  rdx
WP

 En polarisationni
inverse ( pn  ni2 ), le taux est
négatif ( r    0 ) et devient un taux net de
2
génération
 En polarisation directe , le taux est rmax=cte et le
courant est un courant de recombinaisons.

22
 La diode réelle : Phénomènes de génération-
recombinaison dans la ZCE
 Le courant de génération recombinaison dans la
ZCE s’écrit alors:
0  eVa  eni
J GR  JGR  exp( )  1 J GR  WT
0

 2kT  2
 Le courant global en intégrant cet effet s’écrit:
 eVa  0  eVa 
J (Va )  J S  exp( )  1  J GR  exp( )  1
 kT   2kT 
 Facteur d’idéalité:
 eVa 
J (V )  J 0  exp( )  1
 nkT 
23
 Diode en polarisation inverse:
claquage de la jonction
 Effet thermique
 Effet Zener:
 Passage direct de la BV à la BC
par effet tunnel (0) si champ
électrique supérieur à Ecritique
 Effet Avalanche:
 Avant le « tunneling »,
accélération des électrons qui
excitent par impact des électrons
de BV vers BC (1,2,3) etc….

 Perçage ou « punchtrough »
 .EC2
VBD 
2eN B
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Jonction en régime dynamique: capacités de
la jonction

 Capacité associée à charges

 2 types de charges dans la jonction
 Fixes (les dopants ionisés) dans la ZCE
 Mobiles (les e- et h+) injectés en direct
 2 types de capacités
 Capacité de transition ou de la jonction
 Capacité de diffusion ou stockage

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 Capacité de transition ou de jonction

Elle est simplement associée à la charge Q contenue dans la ZCE

Q  eAN AWP  eAN DW N

dQ
CT 
dV 2 sc ND
W p (Vd  V )  (Vd  V )
e N A (N A  ND )
Soit:

A 2e NAND A
CT  
2 (V D  V A ) ( N A  N D ) WT

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 Capacité de diffusion ou de stockage

 Traduit le retard entre X

QSp  A e( p ' ( x)  p n )dx
C

la tension et le W N
courant
Densité de trous excédentaires
 Associée aux charges dans la région neutre N
injectées dans les
régions neutres:
QSp   P J P  
 dn 1 
QSp  e( p ' (0)  p n ) LP coth( )  
QSn   n J n  LP dn 
 sh( ) 
 LP 
27
 Capacité de diffusion ou de stockage
 L’expression précédente peut se mettre sous la
forme:
 
 
 1 
QSp   J P (WN ) avec    P 1
 dn 
 ch( ) 
 LP 
 L’expression du temps peut être simplifiée en
fonction de la « géométrie » de la diode:
d n2
 courte  t 
Diode courte:  temps de transit
2 DP
 Diode longue :  P  durée de vie
28
 Capacité de diffusion ou de stockage

 Cette étude dans la région N est valable dans la

région P, et en final on obtient:
QS  QSn  QSp   ( n ) J n (WP )   ( p ) J p (W N )
dQS
Soit à partir de : CS 
dV
e
CS  CSn  CSp  K ( ( n ) J n   ( p ) J p )
kT
Facteur qui dépend de la géométrie
(2/3  courte)
(1/2  longue) 29
Jonction PN en commutation

Wn
Tant que l’excédent de trous en Wn est
positif
 Diode polarisée en eVdirect
a

p ' n  p n  p n (e kT
 1)
 sd  Temps de stockage ie p' (WN )  pn
30
 Jonction PN en commutation

 Problème majeur dans les composants à

porteurs minoritaires:
 Expression du temps de stockage:
 If If 
 sd   p ln(1  )  ln(1  )
 Im I f  I m 
 Expression du temps de descente
 F   RC j  If
 f  2.3  avec  
 1   I f  Im
31
 Diode Tunnel – diode Backward
(a)

(b)

V   
I t  I pe  a  exp1  Va 
V   V  (c)
 pe   pe 

 4a 2m * e  (d)
Tt  exp  b 
 3 
 

(e)
32