UNIVERSITE FHB DE COCODY Année académique 2020- 2021

UFR – SSMT
LICENCE 3 –EEAI

T.D. PHYSIQUE DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES 2ème Série

EXERCICE I:
On considère sur le schéma ci-dessous un barreau semiconducteur comportant deux régions
uniformément dopées : une région P et une région N. Le modèle d’étude est unidimensionnel : l’axe
Ox est perpendiculaire au plan de séparation des deux régions, son origine O est prise sur cette surface
(voir figure).
P N
O
x

On fait circuler, à travers la structure de P vers N, un courant dont la densité est notée J 0. Dans la
région N, supposée semi-infinie, on donne p1 et p0 qui sont, respectivement, les concentrations des
minoritaires en x = 0 et en une position loin de la surface de séparation (p 0 correspond à la
concentration d’équilibre).On suppose connus les paramètres propres aux porteurs, la concentration
des majoritaires électrons est notée n0. On fera l’approximation de neutralité de charge dans la région
N où règne un champ électrique pas trop élevé ; on négligera dans l’étude la composante du courant de
conduction associée aux minoritaires trous.
1) Exprimer, en fonction des données, l’évolution spatiale de la concentration p(x) des
minoritaires en zone N ; déduire celle n(x) des majoritaires.
2) On désigne par Jp1 la densité, en x = 0, du courant de diffusion associé aux minoritaires trous.
On introduit par ailleurs le paramètre a = Dn / Dp, rapport des coefficients de diffusion des
électrons et des trous. Déterminer en fonction de J 0, Jp1, a et des caractéristiques propres aux
porteurs, l’expression du champ électrique E(x).

EXERCICE II :
On considère une jonction N+P. Les recombinaisons sont négligeables dans la base de dopage
constant NA ; l’émetteur et la base sont munis de contacts ohmiques. On donne les caractéristiques
suivantes dans la base qui est un semiconducteur de type affirmé ( np0 << pp0 # NA) : NA = 1015cm-3 ;
n = 1500cm2/V.s (mobilité des minoritaires) ; e = 1,6.10-19Cb (charge élémentaire) ; xp = 2m
(épaisseur de la région de base hors zone de transition) ; UT = 26mV (tension thermique) ; ni =
1,45.1010 cm-3 (concentration intrinsèque) . On note Va la tension continue extérieure appliquée à la
jonction ; Vp désigne la chute de tension dans la région de base hors zone de charge d’espace (ZCE) où
on admet, quelque soit le niveau d’injection, qu’il y a quasi-neutralité électrique (la chute de tension
est négligeable dans la région d’émetteur correspondante). Le courant de majoritaires est nul en tout
point de la zone neutre de base et l’évolution de la concentration des minoritaires sur l’épaisseur x p est
donnée sur la figure ci-dessous :
np(x)

np1

ZCE

Zone quasi neutre

np0

x
0 xp
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On pose  = np1 / NA.
1) Après avoir exprimé le champ E en zone quasi neutre de base, déduire la chute de tension V p
en fonction de UT et .
2) Exprimer la densité de courant J qui traverse la structure en fonction de  et des données du
texte.
3) La concentration np1 des minoritaires à l’entrée x = 0 de la zone quasi neutre de base est régie
par l’approximation de Boltzmann. On admet np1 >> np0 ; la jonction est de section S.
a) On est en régime de faible injection :  << 1.
Déterminer la caractéristique statique I = f(Va) (expression littérale) de la jonction en
fonction des données.
b) On est en régime de forte injection :  >> 1.
Déterminer la caractéristique statique I = f(Va) (expression littérale) de la jonction en
fonction des données.
Quelle est, en régime de forte injection, la valeur de la densité de courant J pour Va = 500mV ?

EXERCICE III :
On considère une jonction pn de section unité, dans laquelle les régions p et n sont
d’épaisseurs respectives 1p et 1n. La région p, de dopage NA, est supposée longue tandis que
la région n, de dopage ND, est supposée courte; on néglige les extensions des zones de charge
d’espace positive et négative. La jonction est sous polarisation directe v. On est en régime de
faible injection; on utilisera les notations et approximations d’usage.
1) Exprimer les excès de minoritaires dans chacune des régions quasi neutres. Déduire
les densités de courants de minoritaires Jnp et Jpn respectivement en zone p et en zone
n; de même déduire l’expression de la densité J du courant total.
2) Exprimer, en zones quasi neutres p et n, les charges respectives QsP et QsN
correspondant aux excès de minoritaires injectés. Déduire l’expression de la capacité
de stockage Cs.
3) On donne : J = 0,2 Acm-2, NA = 1016cm-3, ND = 2 1015 cm-3, 1n = 10 µm, ni = 1010cm-3,
µp = 250 cm² /V/s, µn = 500 cm²/V/s, uT = 26mV, Ln=10µm.
Calculer la densité de courant de saturation Js de la jonction, les charges QsP et QsN ainsi
que la capacité Cs.

EXERCICE IV :
On considère une diode p+in+. Elle se compose (figure ci-dessous) d’une zone p+, d’une zone
centrale idéalement intrinsèque (pour la structure non polarisée) d’épaisseur li et d’une zone n+.

p+ i n+

x
0 li

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Le dispositif est unidimensionnel (dimension x) avec l’axe Ox orienté vers n + et dont l’origine est
prise à l’entrée de la zone intrinsèque. Lorsque la jonction est polarisée en direct, une forte
concentration p de trous et n d’électrons est injectée dans la zone intrinsèque ; il en résulte :
- un courant de diffusion dû au gradient de concentrations de porteurs ;
- un courant de conduction dû au champ électrique de polarisation.
Pour la structure polarisée, la zone intrinsèque sera considérée quasi-neutre n(x) = p(x)>>ni
(concentration intrinsèque), le champ E y est constant. On est en régime de faible injection. Les zones
p+ et n+, très dopées, sont parfaitement symétriques : la ddp aux bornes de la zone de charge d’espace
(ZCE) négative (extension de ZCE en zone p+) notée Vp+ est égale à celle aux bornes de la ZCE
positive (extension de ZCE en zone n+) notée Vn+. On utilisera les notations usuelles.
En notant  la durée de vie des porteurs dans la zone intrinsèque, le taux net de recombinaison en un
point x de cette zone s’écrit :
𝑛(𝑥)−𝑛𝑖 𝑝(𝑥)−𝑝𝑖 𝑛(𝑥)
𝑈= = ≈ .
𝜏 𝜏 𝜏
1) Déterminer l’équation différentielle à laquelle obéit la répartition n(x) des électrons. Montrer
que cette équation se met sous la forme :
𝑑2𝑛 𝑛(𝑥)
= , où La représente une longueur de diffusion dont on déterminera l’expression.
𝑑𝑥 2 𝐿2𝑎

2)
a) Quelles sont les conditions aux limites sur n = p dans la zone intrinsèque ? A cet
effet, on considérera simplement qu’il y a dans le dispositif deux jonctions
injectrices de porteurs dans la zone intrinsèque : la jonction p+i injecte des trous et
la jonction n+i injecte des électrons ; les concentrations des porteurs injectés sont
régies par l’approximation de Boltzmann aux limites x = 0 et x = li.
b) Déterminer la répartition n(x) = p(x) des porteurs dans la zone intrinsèque en
fonction de n(0), li et La.

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