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Rattrapage
8/ discuter l’effet du critère de taille (dimension) imposé sur ces atomes dopants.
10/ décriver le type de porteurs de charge majoritaires résultants dans le milieux dopé.
12/ développer les expressions des densités des électrons libres de la BC et des trous mobiles
de la BV 4 .
1. [1] O. Madelung, in Semiconductors : Data Handbook, 3rd Edition (Springer, New York, 2004).
3. Un dopage de ZnSe avec de fortes teneurs en atomes de Ga va donner lieu à une série de composés ternaires
constituants des alliages de différentes configurations Znx Se1−x Ga (avec 0 < x ≤ 1).
4. L’évolution des densités des électrons libres (de la Bande de conduction : BC) et des trous mobiles (de la
Bande de valence : BV) en fonction de la température pour un semiconduteur intrinsèque est donnée sous la
forme :
EC −EF EV −EF
− KB T
+ KB T
ñ (T ) = ÑC .e , p̃ (T ) = ÑV .e
ÑC , ÑV représentant les densités effectives de ces porteurs de charge, respectivement.
1
EX02 (08 Pts)
a décrivant la largeur des deux régions “linéaires” de la jonction et {A, B, C et D} quatre (04)
paramètres à déterminer et (avec a << xP et a << xN ) 5 .
1/ donner une définition de la zone de dépletion (de charge d’espace) et discuter son rôle dans
la physique de ce type de jonctions.
3/ Pour le cas d’une jonction graduelle typique (i.e. aux limites −a → xP et +a → xN ) et sur
la base d’une application de l’equation de Poisson monodimensionnelle à la région P de la zone
de dépletion, montrer que le champ électrique résultant est développé sous la forme suivante 6 :
− |e| ÑA 2 2
V
ξP (x) = . x − xP
2ε.xP m SI
4/ montrer que le potentiel électique correspondant à cette région P de la zone de dépletion est
donné par :
+ |e| ÑA x3
2
VP (x) = . − x2P .x + x3P + VPSemi [V ]SI
2ε.xP 3 3
VPSemi et VNSemi étant les potentiels électriques des semiconductuers dopés P et N avant leur
jonction (i.e. avant leur contact), la différence entre ces deux poteniels est celle correspondant
au potentiel de diffusion :
Vdif f = VNSemi − VPSemi
5. A partir de la jonction PN de la figure.1, il est possible de remonter à :
– la jonction abrupte, en posant a → 0.
−a → xP
– la jonction graduelle, en posant
+a → xN
6. La forme générale de l’équation de Poisson décrivant la relation entre le pontentiel électrique d’un milieu
et sa charge électrique est donnée sous la forme :
ρ (~
r)
∆V (~
r) = − avec ξ~ (~ ~ (~
r ) = −∇V r)
ε
~ ∆) les opérateurs du Gradient et du
ǫ représentant la permitivité électrique du milieu semiconduteur et (∇,
Laplacien.
*/ Les conditions aux limites à appliquer pour le calcul des différentes grandeurs sont :
– Champs électriques : ξP (x = xP ) = 0 et ξN (x = xN ) = 0
2
5/ Compte tenu de l’expression du champ électrique correspondant à la région N de la zone de
dépletion :
+ |e| ÑD V
. x2 − x2N
ξN (x) =
2ε.xN m SI
et sur a base d’une application de la condition de continuité ξP (x = 0) = ξN (x = 0) du champ
électrique, montrer que les largeurs {wP et wN } des régions respectives P et N sont dépendantes
l’une à l’autre à travers l’expression :
ÑA
wN = wP
ÑD
− |e| ÑD x3
2
VN (x) = . − x2N .x + x3N + VNSemi [V ]SI
2ε.xN 3 3
montrer que la largeur de la région P de la zone de dépletion est développée sous la forme :
Vdif f
wP = h 2
i
|e| ÑA
3ε ÑA + ÑD
8/ Sur la base d’une application des résultats de 5/ et 7/, déduire l’expression de la largeur
totale w de la zone de dépletion :
w = wN + wP
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Figure 1 – Structure cristalline du Semiconducteur de ZnSe et sa Structure de bandes des
énergies à Température ambiente.