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Considérons une jonction P-N telle que les concentrations d’impuretés dans
la région de transition (zone de charge d’espace) varient linéairement avec la
distance les séparant de la jonction, soit :
N a (x )=−ax pour – x p x 0
N d (x)=bx pour 0 x x n
Les concentrations d’atomes accepteurs et donneurs, dans les régions P et
N sont respectivement N a et N d . La zone de charge d’espace, où les porteurs
libres sont écartés par le champ électrique, s’étend de – x p à x n.
1) Déterminer les expressions de :
- la densité de charge (x ),
- le champ électrostatique E(x ),
- le potentiel V (x ) électrostatique
pour x variant de - à + .
On donne : V (– x p)=V p et V (x n )=V n.
Représenter graphiquement les expressions de (x ) et E(x ).
2) En exprimant la continuité du champ au niveau de la jonction en x=0 ,
montrer que la totalité des charges accumulées dans la région de charge d’espace
du coté N est égale à celle des charges négatives accumulées du coté P.
3) a) Partant de la relation de continuité du potentiel en x=0 , trouver
l’expression de la barrière de potentiel V b.
b) Déterminer l’expression de la largeur W de la zone de charge d’espace en
fonction de V b , a , b , q et ε.
c) En déduire les expressions de x n et x p en fonction de V b , a , b , q et ε.
4) La diode considérée est fabriquée avec du silicium :
On donne :
N C = 2,9.1019cm-3 ; N V = 1,02.1019cm-3.
E g = 1,12 eV à T = 300K ; kT = 0,026 eV
εS = 11,8.εo ; εo =8,854.10-12 F/m
N a = 2.1016 cm-3 ; N d = 1017 cm-3
BASMA. ZOUARI 42
Physique des Semi-conducteurs
Réponse
P N
ZCE
x
−x P 0 xN
{
0 pour x<−x p et x> xn
ρ ( x )= (−q ) N a ( x )=qax pour−x p < x< 0
( +q ) N d ( x ) =qbx pour 0< x < x n
2
=
dx ε
tels que E ( x ≤−x p )=E ( x ≥ x n ) =0 ; V ( x=−x p )=V p et V ( x=x n )=V n
*) Dans la région : −x p ≤ x ≤0
i) Calcul du champ E
2
d V −qa d V −qa 2
ρ ( x )=qax ⇒ 2
= x⇒ = x +C 1
dx ε dx 2ε
−d V −qa 2
¿,⃗
E=−⃗
grad V ⇒ E(x )= ⇒−E ( x )= x +C 1
dx 2ε
qa 2
⇒ E ( x )= x −C 1
2ε
qa 2 qa 2
Or le champ E ( x=−x P )=0 ⇒ 0= x p−C 1 ⇒ C1= x p
2ε 2ε
qa 2 qa 2
⇒ E (−x p ≤ x ≤ 0 )= x − xp
2ε 2ε
qa 2 2
⇒ E (−x p ≤ x ≤ 0 )=
2ε
( x −x p )
ii) Calcul du potentiel V (x )
−qa
V ( x )=−∫ E ( x ) dx= ∫ ( x −x p ) dx
2 2
2ε
( )
3
−qa x 2
⇒ V ( x )= −x p . x +C 2
2ε 3
( )
3
−qa −x p 3 −qa 3
¿ , V ( x=−x P ) =V P = + x p +C 2= x +C
2ε 3 3ε p 2
qa 3
⇒ C 2= x +V p
3ε p
( )
3
−qa x 2 qa 3
⇒ V (−x p ≤ x ≤ 0 )= −x p . x + x p +V p
2ε 3 3ε
−qa 3
⇒ V (−x p ≤ x ≤ 0 )=
6ε
( x −3 x p . x−2 x p ) +V p
2 3
( )
3
−qb −qb x
V ( x )=−∫ E ( x ) dx= ∫ ( x −x n ) dx=
2 2 2
−x n . x + C4
2ε 2ε 3
( )
3
−qb x n 3 qb 3
¿ , V ( x=x n )=V n = −x n +C 4 = x n +C 4
2ε 3 3ε
−qb 3
⇒ C4= x +V n
3ε n
( )
3
−qb x 2 qb 3
⇒ V ( 0 ≤ x ≤ x n )= −x n . x − x n +V n
2ε 3 3ε
qb 3
⇒ V ( 0 ≤ x ≤ x n )=¿−
6ε
( x −3 x n . x+2 x n ) +V n
2 3
P N
ρ(x )
qb x n
x
−x p 0 xn
−qb x p
E(x )
x
−x p 0 xn
qa qb
|E min|= 2 ε x 2p = 2 ε x 2n
0 0
qa 2
Q p= ∫ ρ ( x ) . ( Sdx )=S ∫ qax . dx=−S .x
−x p −x p 2 p
xn xn
qb 2
Qn=∫ ρ ( x ) . ( Sdx )=S ∫ qbx . dx=S .x
0 0
2 n
( q2 ) . a x =( S q2 ) .b x
⇒ S 2
p
2
n
⇒|Q p|=Qn
q
Soit, V b=V n−V p=
3ε
( a x3p + b x 3n )
q q
b ¿ V ¿b =
3ε
( a x p +b x n ) = ( b x n . x p + b x n )
3 3
3ε
2 3
q 2 q 2
⇒ V b= b x n ( x p + x n ) = b x n .W
3ε 3ε
3ε
⇒W = 2
Vb
qb x n
Ou bien,
( )
1
3ε
x n= V b 2 (1)
qbW
( )
1
3ε
x p= V b 2 (2)
qaW
( ) ( √1a + √1b )
1
( 1 ) + ( 2 ) ⇒ x n+ x n=W = 3 ε V b 2
qW
( )
2
3ε 1 1
⇒W 2= V . +
qW b √ a √b
( )
2
3 3ε 1 1
⇒W = Vb. +
q √a √b
( )( )
1 2
3ε 1 1
⇒W = Vb 3. + 3
q √ a √b
) [( ]
−1
( ) ( ) ( )
1 1 −1 −1
3ε 2 3ε 3ε 1 1
( 1 ) ⇒ x n= Vb .W =
2
Vb 2. V 6
. + 3
qb qb q b √a √b
( )
−1
( )
1
⇒ x n=
3ε 1
V 3 .b 2
.
√a . √b 3
q b √ a+ √b
)( ) ( )( )
−3 1
(
1
⇒ x n=
3ε
V 3.
1
√ a . √ b . b 2 3 = 3 ε V 13 . √a 3
q b √a+ √ b q b
b . ( √ a+ √ b )
[ ]
1
⇒ x n=
3ε
.
√a .V
3
q b . ( √ a+ √ b ) b
De même,
[ ]
1
x p=
3ε
.
√b .V
3
q a . ( √ a+ √ b ) b
( ) ( )
2
E FN − ECN ni E FP−E CP
Or, on a : nn=N d=N C exp et n P= =N C exp
kT Na kT
( ) ( )
2
ni N
⇒ E CP−E F =−kT ln et E F−E CN =kT ln d
Na NC NC
( ) ( ) ( )
2
ni N N N
⇒ q V b=ECP −E CN =−kT ln +kT ln d =kT ln a 2 d
Na NC NC ni
⇒ V b=
kT
q
ln
ni( )
Na Nd
2
2
Or ,n i =N C . N V exp ( )
−Eg
kT
⇒ V b=
E g kT
q q
+ ln
Na N d
NC NV ( )
AN :
( )
38
1 , 12 0,026 2 , 9× 1 ,02. 10
V b= + ln 33
1 1 2.10
V b =0,810 Volts
b) Pour cette jonction linéaire, les gradients d’impuretés valent a=1019 cm-4 et
-4
b=10 cm .
20
( )( )
1 2
3ε 1 1
W= Vb 3 . + 3
q √a √b
( ) (√
1
)
−12 2
3 ×11, 8 ×8,854. 10 1 1
W= × 0,810 3 × + 3
1 ,6. 10
−19
10
27
√10 28
3 −9 −6
W =1,166.10 ×1 , 2. 10 =1 , 4. 10 m
W =1 , 4 µm
[ ]
1
√b
( )
1
3ε 3 3ε
x p= . . V b ou bien, xp = V 2
q a . ( √ a+ √ b ) qaW b
( )
−12 1
3 × 11, 8× 8,854. 10 2
x p= −19 27 −6
×0,810
1 , 6. 10 × 10 × 1, 4.10
x p=1,064 µm
( )
1
3ε
x n= Vb 2
qbW
( )
−12 1
3 × 11, 8× 8,854.10 2
x n= −19 28 −6
×0,810
1 , 6. 10 × 10 × 1, 4. 10
x n=0,336 µm
qa 2
Emax =|E min|= .x
2ε p
AN :
−19 27
1, 6. 10 ×10 2 −12
Emax = −12
× ( 1,064 ) . 10
2× 11, 8 ×8,854. 10
5
Emax =8 , 66. 10 V /m
C 0 : capacité de la jonction.
εS
C 0= avec S : section de la jonction
W
ε
⇒ C= : capacité par unité de surface
W
AN :
−12
11, 8× 8,854.10 −5 2
C= −6
=7 , 46.10 F /m
1, 4. 10
Ou bien,
2
C=7 , 46 nF /m