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Physique des Semi-conducteurs

VI. ETUDE D’UNE JONCTION PN GRADUELLE

Considérons une jonction P-N telle que les concentrations d’impuretés dans
la région de transition (zone de charge d’espace) varient linéairement avec la
distance les séparant de la jonction, soit :
N a (x )=−ax pour – x p x 0
N d (x)=bx pour 0 x x n
Les concentrations d’atomes accepteurs et donneurs, dans les régions P et
N sont respectivement N a et N d . La zone de charge d’espace, où les porteurs
libres sont écartés par le champ électrique, s’étend de – x p à x n.
1) Déterminer les expressions de :
- la densité de charge (x ),
- le champ électrostatique E(x ),
- le potentiel V (x ) électrostatique
pour x variant de -  à +  .
On donne : V (– x p)=V p et V (x n )=V n.
Représenter graphiquement les expressions de (x ) et E(x ).
2) En exprimant la continuité du champ au niveau de la jonction en x=0 ,
montrer que la totalité des charges accumulées dans la région de charge d’espace
du coté N est égale à celle des charges négatives accumulées du coté P.
3) a) Partant de la relation de continuité du potentiel en x=0 , trouver
l’expression de la barrière de potentiel V b.
b) Déterminer l’expression de la largeur W de la zone de charge d’espace en
fonction de V b , a , b , q et ε.
c) En déduire les expressions de x n et x p en fonction de V b , a , b , q et ε.
4) La diode considérée est fabriquée avec du silicium :
On donne :
N C = 2,9.1019cm-3 ; N V = 1,02.1019cm-3.
E g = 1,12 eV à T = 300K ; kT = 0,026 eV
εS = 11,8.εo ; εo =8,854.10-12 F/m
N a = 2.1016 cm-3 ; N d = 1017 cm-3

a) Etablir puis calculer la valeur de la barrière de potentiel V b.


b) Pour cette jonction linéaire, les gradients d’impuretés valent a=1019 cm-4 et
-4
b=10 cm .
20

Calculer la largeur de la zone de charge d’espace W .


c) Calculer les distances x p et x n qui définissent la zone de transition et la valeur
maximale du champ électrique dans cette zone.
d) Donner la valeur de la capacité par unité de surface de la jonction.

BASMA. ZOUARI 42
Physique des Semi-conducteurs

Réponse

1) Déterminer les expressions de :


- la densité de charge (x ),
- le champ électrostatique E(x ),
- le potentiel V (x ) électrostatique
pour x variant de -  à +  .
On donne : V (– x p)=V p et V (x n )=V n.

Considérons une jonction PN à l’équilibre thermodynamique.

P N
ZCE

x
−x P 0 xN

La répartition spatiale de la densité volumique de charge fixe ρ est donnée par

{
0 pour x<−x p et x> xn
ρ ( x )= (−q ) N a ( x )=qax pour−x p < x< 0
( +q ) N d ( x ) =qbx pour 0< x < x n

Pour calculer le potentiel et le champ électrique, il suffit d’intégrer l’équation de


Poisson donnée par:
d V −ρ ( x )
2

2
=
dx ε
tels que E ( x ≤−x p )=E ( x ≥ x n ) =0 ; V ( x=−x p )=V p et V ( x=x n )=V n

*) Dans la région : −x p ≤ x ≤0
i) Calcul du champ E
2
d V −qa d V −qa 2
ρ ( x )=qax ⇒ 2
= x⇒ = x +C 1
dx ε dx 2ε
−d V −qa 2
¿,⃗
E=−⃗
grad V ⇒ E(x )= ⇒−E ( x )= x +C 1
dx 2ε
qa 2
⇒ E ( x )= x −C 1

qa 2 qa 2
Or le champ E ( x=−x P )=0 ⇒ 0= x p−C 1 ⇒ C1= x p
2ε 2ε
qa 2 qa 2
⇒ E (−x p ≤ x ≤ 0 )= x − xp
2ε 2ε

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Physique des Semi-conducteurs

qa 2 2
⇒ E (−x p ≤ x ≤ 0 )=

( x −x p )
ii) Calcul du potentiel V (x )
−qa
V ( x )=−∫ E ( x ) dx= ∫ ( x −x p ) dx
2 2

( )
3
−qa x 2
⇒ V ( x )= −x p . x +C 2
2ε 3

( )
3
−qa −x p 3 −qa 3
¿ , V ( x=−x P ) =V P = + x p +C 2= x +C
2ε 3 3ε p 2
qa 3
⇒ C 2= x +V p
3ε p

( )
3
−qa x 2 qa 3
⇒ V (−x p ≤ x ≤ 0 )= −x p . x + x p +V p
2ε 3 3ε
−qa 3
⇒ V (−x p ≤ x ≤ 0 )=

( x −3 x p . x−2 x p ) +V p
2 3

**) Dans la région : 0 ≤ x ≤ x n


i) Calcul du champ E
2
d V −qb dV −qb 2
ρ ( x )=qbx ⇒ 2
= x⇒ = x +C 3
dx ε dx 2ε
−d V qb 2
E(x )= ⇒ E ( x )= x −C 3
dx 2ε
qb 2
¿ , E ( x=x n )=0⇒ 0= x −C 3
2ε n
qb 2
⇒ C 3= x
2ε n
qb 2 qb 2
⇒ E ( x )= x − xn
2ε 2ε
qb 2 2
⇒ E ( 0≤ x ≤ x n )=

( x −x n)
ii) Calcul du potentiel V (x )

( )
3
−qb −qb x
V ( x )=−∫ E ( x ) dx= ∫ ( x −x n ) dx=
2 2 2
−x n . x + C4
2ε 2ε 3

( )
3
−qb x n 3 qb 3
¿ , V ( x=x n )=V n = −x n +C 4 = x n +C 4
2ε 3 3ε
−qb 3
⇒ C4= x +V n
3ε n

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( )
3
−qb x 2 qb 3
⇒ V ( 0 ≤ x ≤ x n )= −x n . x − x n +V n
2ε 3 3ε
qb 3
⇒ V ( 0 ≤ x ≤ x n )=¿−

( x −3 x n . x+2 x n ) +V n
2 3

Représenter graphiquement les expressions de (x ) et E(x ).

P N

ρ(x )
qb x n

x
−x p 0 xn

−qb x p

E(x )
x
−x p 0 xn

qa qb
|E min|= 2 ε x 2p = 2 ε x 2n

2) En exprimant la continuité du champ au niveau de la jonction en x=0 ,


montrer que la totalité des charges accumulées dans la région de charge d’espace
du coté N est égale à celle des charges négatives accumulées du coté P.

2) Dans la ZCE, on a un plan de séparation entre deux milieux ; en fait il s’agit du


même milieu (caractérisé par la même constante diélectrique). Donc, le champ
électrostatique est continu ainsi que le potentiel au plan x=0 :
E¿
2 2
⇒ a x p =b x n

Soient Q p ( Qn ): les charges accumulées dans la ZCE coté P ( N ) .

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0 0
qa 2
Q p= ∫ ρ ( x ) . ( Sdx )=S ∫ qax . dx=−S .x
−x p −x p 2 p

xn xn
qb 2
Qn=∫ ρ ( x ) . ( Sdx )=S ∫ qbx . dx=S .x
0 0
2 n

Or, d’après la continuité du champ au plan ¿ 0 , on a : a x 2p=b x 2n

( q2 ) . a x =( S q2 ) .b x
⇒ S 2
p
2
n

⇒|Q p|=Qn

⇒ La ZCE est neutre ( Q p +Qn =0 )

3) a) Partant de la relation de continuité du potentiel en x=0 , trouver


l’expression de la barrière de potentiel V b.

Continuité du potentiel électrostatique en x=0 :


V¿

q
Soit, V b=V n−V p=

( a x3p + b x 3n )

b) Déterminer l’expression de la largeur W de la zone de charge d’espace en


fonction de V b , a , b , q et ε.

q q
b ¿ V ¿b =

( a x p +b x n ) = ( b x n . x p + b x n )
3 3

2 3

q 2 q 2
⇒ V b= b x n ( x p + x n ) = b x n .W
3ε 3ε


⇒W = 2
Vb
qb x n

Ou bien,

( )
1

x n= V b 2 (1)
qbW

De même, on démontre que :

( )
1

x p= V b 2 (2)
qaW

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( ) ( √1a + √1b )
1
( 1 ) + ( 2 ) ⇒ x n+ x n=W = 3 ε V b 2
qW

( )
2
3ε 1 1
⇒W 2= V . +
qW b √ a √b

( )
2
3 3ε 1 1
⇒W = Vb. +
q √a √b

( )( )
1 2
3ε 1 1
⇒W = Vb 3. + 3
q √ a √b

c) En déduire les expressions de x n et x p en fonction de V b , a , b , q et ε.

) [( ]
−1

( ) ( ) ( )
1 1 −1 −1
3ε 2 3ε 3ε 1 1
( 1 ) ⇒ x n= Vb .W =
2
Vb 2. V 6
. + 3
qb qb q b √a √b

( )
−1

( )
1
⇒ x n=
3ε 1
V 3 .b 2
.
√a . √b 3
q b √ a+ √b

)( ) ( )( )
−3 1

(
1
⇒ x n=

V 3.
1
√ a . √ b . b 2 3 = 3 ε V 13 . √a 3
q b √a+ √ b q b
b . ( √ a+ √ b )

[ ]
1

⇒ x n=

.
√a .V
3

q b . ( √ a+ √ b ) b

De même,

[ ]
1

x p=

.
√b .V
3

q a . ( √ a+ √ b ) b

4) La diode considérée est fabriquée avec du silicium :


On donne :
N C = 2,9.1019cm-3 ; N V = 1,02.1019cm-3.
E g = 1,12 eV à T = 300K ; kT = 0,026 eV
ε = 11,8.εo ; εo =8,854.10-12 F/m
N a = 2.1016 cm-3 ; N d = 1017 cm-3

a) Etablir puis calculer la valeur de la barrière de potentiel V b.

Considérons le schéma de bande d’une jonction PN à l’équilibre thermodynamique :

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q V b=ECP −ECN =( ECP −E F ) + ( E F −ECN )

( ) ( )
2
E FN − ECN ni E FP−E CP
Or, on a : nn=N d=N C exp et n P= =N C exp
kT Na kT

A l’équilibre thermodynamique : E FN =E FP=E F

( ) ( )
2
ni N
⇒ E CP−E F =−kT ln et E F−E CN =kT ln d
Na NC NC

( ) ( ) ( )
2
ni N N N
⇒ q V b=ECP −E CN =−kT ln +kT ln d =kT ln a 2 d
Na NC NC ni

⇒ V b=
kT
q
ln
ni( )
Na Nd
2

2
Or ,n i =N C . N V exp ( )
−Eg
kT

⇒ V b=
E g kT
q q
+ ln
Na N d
NC NV ( )
AN :

( )
38
1 , 12 0,026 2 , 9× 1 ,02. 10
V b= + ln 33
1 1 2.10

V b =0,810 Volts

b) Pour cette jonction linéaire, les gradients d’impuretés valent a=1019 cm-4 et
-4
b=10 cm .
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Calculer la largeur de la zone de charge d’espaceW .

( )( )
1 2
3ε 1 1
W= Vb 3 . + 3
q √a √b

( ) (√
1

)
−12 2
3 ×11, 8 ×8,854. 10 1 1
W= × 0,810 3 × + 3
1 ,6. 10
−19
10
27
√10 28
3 −9 −6
W =1,166.10 ×1 , 2. 10 =1 , 4. 10 m

W =1 , 4 µm

c) Calculer les distances x p et x n qui définissent la zone de transition et la valeur


maximale du champ électrique dans cette zone.

[ ]
1
√b
( )
1
3ε 3 3ε
x p= . . V b ou bien, xp = V 2
q a . ( √ a+ √ b ) qaW b

( )
−12 1
3 × 11, 8× 8,854. 10 2
x p= −19 27 −6
×0,810
1 , 6. 10 × 10 × 1, 4.10

x p=1,064 µm

( )
1

x n= Vb 2
qbW

( )
−12 1
3 × 11, 8× 8,854.10 2
x n= −19 28 −6
×0,810
1 , 6. 10 × 10 × 1, 4. 10

x n=0,336 µm

Le champ maximal Emax =|E min| est le champ en x=0 .

qa 2
Emax =|E min|= .x
2ε p

AN :
−19 27
1, 6. 10 ×10 2 −12
Emax = −12
× ( 1,064 ) . 10
2× 11, 8 ×8,854. 10
5
Emax =8 , 66. 10 V /m

d) Donner la valeur de la capacité par unité de surface de la jonction.

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Physique des Semi-conducteurs

C 0 : capacité de la jonction.

εS
C 0= avec S : section de la jonction
W

ε
⇒ C= : capacité par unité de surface
W

AN :
−12
11, 8× 8,854.10 −5 2
C= −6
=7 , 46.10 F /m
1, 4. 10

Ou bien,
2
C=7 , 46 nF /m

Basma ZOUARI ASKRI 50

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