Electronique-ANALOGIQUE Modi en

Électronique analogique
ENASSIRI - ENSAM RABAT 1

SOMMAIRE
Introduction
Notions générales d’Électricité et
d’Électronique
Conducteurs et Semi-Conducteur
La diode et ses applications
Le transistor et ses applications
L’Amplificateur opérationnel et ses
applications
Introduction
Les composants électroniques tels que les

diodes, les transistors et les circuits intégrés
sont fabriqués à partir d’un matériau semi-
conducteur. Pour comprendre le fonctionnement
de ces composants, vous devez posséder une
connaissance de base de la structure des
atomes et de l’interaction des particules qui les
composent.
ENASSIRI ENSAM RABAT 3

Structure atomique
Un atome est la plus petite particule d’un élément qui
possède les caractéristiques de cet élément. Chacun
des 109 éléments connus possède des atomes
différents de ceux des autres éléments. Ceci donne à
chaque élément une structure atomique unique

Niveaux d’énergie des électrons

Semi-conducteurs, conducteurs et isolants

Semi-conducteurs, conducteurs et isolants

Ne=૛࢔૛


Semi-conducteurs, conducteurs
. L’électron de valence du cuivre est dans la quatrième couche, ce qui

correspond à une plus grande distance du noyau que celui du silicium qui se
situe dans la troisième couche. Souvenez-vous que les électrons les plus
éloignés du noyau possèdent le plus d’énergie

Semi-conducteurs,
les électrons de valence du germanium sont à des niveaux d’énergie supérieurs à ceux
du silicium. Par conséquent, ils demandent une plus petite quantité d’énergie
additionnelle pour s’échapper de l’atome. Cette propriété rend le germanium plus
instable à des températures élevées; c’est la raison principale pour laquelle le silicium
est le matériau semi-conducteur le plus largement utilisé.

Loi d’Ohm
Effet
I Opposition
+
U R
-
U en Volt (V)
Cause
R en Ohm (Ω)
U=RI I en Ampère (A)
CONVENSION
U = Va - Vb
A I R B
flèches de la tension et du courant en sens inverse

Tension ≡ différence de potentiel
La flèche de la tension pointe vers le point de
potentiel élevé " + chaud " , "qui pousse"

La masse
La borne (-) de l'alimentation est prise comme point
de référence (V=0) par rapport auquel sont mesurés
les tensions de tous les points du montage
A B
U VA C VB
VC

Résistances
nombre de zéros tolérance Noir 0
Maron 1
Rouge 2
Orange 3
chiffres significatifs
jaune 4
5600 Ω = 5.6 k Ω ± 5% Vert 5
Bleu 6
Violet 7
nombre de zéros tolérance Gris 8
Blanc 9
chiffres significatifs
47500 Ω = 47.5 k Ω ± 2%

Noir 0
Exemples Maron
Rouge
1
2
Orange 3
jaune 4
Vert 5
Bleu 6
Violet 7
Gris 8
Blanc 9
…….. Ω = …….. k Ω ± %
…….. Ω = …….. k Ω ± %
…….. Ω = …….. k Ω ± %

Association des résistances
R1 R2 R = R1+R2
R1R2
R1 R=
R1+R2
R2
Exemple
10 kΩ
1 kΩ 20 kΩ
40 kΩ
R = …………. kΩ

Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs
V1=R1 I1
V2=R2 I1 R1
V3=R3 I2= R4 I3 V1
I1
U = V1+V2+V3
U V2 R2
U = R1 I1 + R2 I1 + R3 I2
I2 I3
Ou V3
R3 R4
U = R1 I1 + R2 I1 + R4 I3

Puissance
Un composant ayant une tension U à ses bornes et
qui est traversé par un courant I dissipe une
puissance P
U en Volt (V)
P=UI I en Ampère (A)
P en Watt (W)
2
Pour une résistance : P = UI = RI =
2 U
R

Diviseur de potentiel 1
R2
V= U
R1+R2
R1
U
R2

R2 R1
V= U1 + U2
R1 + R2 R1 + R2
R1 R2
U1 U2

1 U1 + 1 U2 + 1 U3
R2 R3
V = R1
1 + 1 + 1
R1 R2 R3
R1 R2
R3
U1 U2
U3

Condensateur
Le condensateur est un composant passif qui trouve de
multiples Applications en électronique. Pour simplifier
on peut le considérer comme un réservoir dont la
capacité C s'exprime en Farad (F)
Condensateur Réservoir

Charge et décharge d'un condensateur à travers une résistance
K1 R
K2
E Vc
C

Charge : K1 fermé K2 ouvert
R
Au début
I
Courant important
Vc
E C Charge rapide
Vers la fin
Courant tend vers 0
E
Vc tend vers E
Vc
E
 - t 
VC = E 1 - e
R
RC

I  
t
Déharge : K2 fermé K1 ouvert
R
Au début
Courant important
I C Vc
Décharge rapide
Vers la fin
Vc tend vers 0
E Le courant tend vers 0
E
Vc
R
- t
I VC = E e RC
t
En général
On place l'origine des temps au début de la courbe qui nous
intéresse et on utilise la relation :
- t
V(t) = V∞ - (V∞ - V0 ) e RC
V1
V2
Vc
t
V3
V4
- t
V ()
t =V1-(V1−V3 ) e
- t
V (t) =V4-(V4−V2 ) e RC RC

Exemple : calculer la période T
E
E
2
T
2
t
T
−E
2
-E
(
V (t)= −E − −E−
E - RCt
2
)

e = E 23 e RC −1

- t
E e 2RC −1=− E
 - T
V( T ) =− E 3
2 2 2  2
T = 2RC Log(3)
Association de condensateurs
C1
Parallèle
C=C1+C2
C2
Série
C1 C2 C1C2
C=
C1+C2

Conducteur et semi conducteurs

Niveaux d'énergie des électrons
Dans un solide on trouve trois catégories d'électrons :

Les électrons des couches inférieures
fortement liés à leurs noyaux Énergie
Pas beaucoup d'intérêt pour l'électronique
Les électrons de valence
Bande de conduction
Gravitent autour de deux noyaux
Énergie dans la bande de valence Bande interdite = gap
Les électrons libre
Se déplace librement dans le cristal Bande de valence
Énergie dans la bande de conduction

Conducteur
Les Bandes de conduction et de valence se

chevauchent, il n'y a pas de gap
L'agitation thermique suffit largement pour
libérer les électrons (amener leur énergie
dans la bande de conduction)
Chaque atome libère au moins un électron
Nombre très important d'électrons libres
Le branchement d'un générateur de tension
produit un champs électrique qui attire les
électrons produisant un courant important

Les isolants
Les Bandes de conduction et de valence

sont séparée par un gap très important
L'agitation thermique même à température
élevée ne parvient pas à libérer les
électrons.
Aucun électron libre
Le branchement d'un générateur ne produit
aucun courant

Les semi-conducteurs (intrinsèques)
Constitués de matériaux tétravalent purs comme le

silicium ou le germanium (4 électrons de valence)
Le gap a une largeur relativement faible (1 eV)
A très basse température (0°K), les SC intrinsèques
sont parfaitement isolants.
L'agitation thermique à la température ambiante suffit
pour libérer un nombre d'électrons relativement
important
La conductivité d'un SC dépend donc fortement de la
température.
Un atome qui perd un électron devient un ion positif.
Le manque d'électron est désigné par trou.

Les Deux types de conduction
Conduction = déplacement d'une charge électrique
Conduction par électrons libre (charge négative)
Conduction par trou : un trou (charge positive)
peut se déplacer provoquant un courant
La conduction par trou est plus lente que la
conduction par électrons libres
1
2
3
4
I 5
6
SC Extrinsèque de type N
On introduit un matériau
pentavalent (donneur) avec 5
électrons sur la couche de valence
comme antimoine, phosphore ou électron
libre
arsenic Si
Chaque atome introduit un électron Si P Si

libre sans laisser de trou
Si
Le nombre d'électrons est bien plus
important que celui des trous. Ce
sont les porteur majoritaires
La conduction est essentiellement

une conduction d'électrons

SC extrinsèque de type P
On introduit un matériau (accepteur)
avec 3 électrons sur la couche de
valence comme le bore, l'aluminium,
le gallium ou l'indium
Trou Si
Chaque atome introduit un trou sans

libérer d'électron Si In Si
Le nombre de trou est bien plus Si

important que celui des électrons. Ce
sont les porteur majoritaires
La conduction est essentiellement une

conduction de trou

La diode
La diode est un composant qui ne laisse
passer le courant électrique que dans un
seul sens
Elle est réalisée à l'aide d'une jonction PN
obtenue en collant un SC (N) à un SC (P) d'où
l'appellation diode à Jonction
anode P N cathode
A K
A K
Polarisation de la diode
Une diode est polarisée en I

directe si on applique une +
A
alimentation avec (+ sur A) et (-
sur K), la diode est alors -
K
passante ou conductrice
Une diode est polarisée en
inverse si on applique une K
alimentation avec (+ sur K) et (- +
sur A), la diode est alors -
bloquée, aucun courant ne la A
traverse

Caractéristique de la diode
I
A I D (mA)
+
V 80
70
- 60
50
40
30
La diode a un seuil de conduction. 20
Elle commence à conduire 10
V (V)
doucement vers VD de l'ordre de 0.2 0.4 0.6 0.8 D
0.3V . Elle est franchement

conductrice quand Vd est de l'ordre
de 0.7V ID (mA)
80
Pour faciliter, on adopte une 70
caractéristique idéalisée : 60
50
VD < 0.7 V ⇒ diode Bloquée 40
30
VD = 0.7 V ⇒ diode conductrice 20
10
Le courant doit être limité avec V (V)
0.2 0.4 0.6 0.8
une résistance externe D

Comment calculer ?
Diode conductrice = tension de 0.7V

Diode bloquée = interrupteur ouvert
R
I
U = 15 V
U R = 1 kΩ
Calculer I et le tension aux
borne de R
U = RI + VD
I = U −VD = 15−0.7 = 14.3 mA

R 1000
VR=RI=1000Ω × 14.3 mA = 14.3 V
ou U = VR + VD ⇒ VR = U - VD = 15 - 0.7 = 14.3V
33
Redressement mono alternance
L'objectif est de partir de la tension alternative

issue du secteur pour obtenir une tension continue
Permettant d'alimenter les circuit électroniques
IL
Ve > 0 ⇒ diode conductrice
⇒ interrupteur fermé
⇒ VL = Ve Secteur Ve RL VL
Ve > 0 ⇒ diode bloquée

⇒ interrupteur ouvert Ve
⇒ VL = 0
π
VL = 1 ∫ E sin( θ)dθ
2π 0
VL
= E [−cos( θ)]0 = E
π
2π π
double alternance – transfo 3 fils
D1
V1
V1 R
L IL
Secteur
V2 V
L
D2
D1
V2
V1 R
L IL
Secteur
V2 V
L
V1 R
L IL
Secteur
V2 V VL
L
D2
double alternance – transfo 2 fils
D1
D4 V1
RL IL
Secteur Ve
VL
D2 D3
D1
RL IL
Secteur Ve
VL VL
D2
D4 π
RL IL VL = 1 ∫ E sin( θ)dθ
Secteur Ve π 0
VL
= E [−cos( θ)]0 = 2E
D3 π
π π
Filtrage par condensateur en tête
IL D1 IL
Secteur Ve RL VL Secteur VL
C C RL
D2
2∆V 2∆V
VL
E IL IL
Ondulation ∆V = ≈ ∆V = E ≈
2RLCf 2Cf 4RLCf 4Cf

Position du problème
On désire réaliser une alimentation 6V, 100 mA,
∆V=0.2V. Il faut choisir le transfo et le condensateur
Avec un double alternance on obtient C=1250 µF
On prend C= 2200 µF, cela compensera un peu les
effets non pris en compte.
Avec un transfo à point milieu on a :
Vmax = tension désirée + ∆V + VD = 6+0.2+0.7 ≈ 7V
Avec un pont : Vmax = 6+0.2+0.7+0.7 ≈ 7.6V
Veff = 7 / √2 = 5V ou 7.6 / √2 = 5.37V
L'expérience montre que les transfo du commerce ne
sont pas de très grande qualité, "dès qu'on les charge
il se casse la gueule"
On prendra donc un transfo 2×6V , (200 mA ou +)

Diode Zener

Diode Zener

Stabilisation par diode Zener

Le transistor à jonction

Le transistor est constitué de 3 couches de semi-conducteurs. On
distingue les transistor NPN et les transistor PNP
C C C C
N P
B P B B N B
N P
E E
E E
Il a trois bornes:
La base traversée par le courant IB, est le plus souvent utilisée
comme l'entrée de commande
Le collecteur, traversé par le courant IC, est le plus souvent utilisé
comme de sortie
L'émetteur traversé par le courant IE, est le plus souvent utilisé
comme réference

Caractéristique du transistor
C
Le transistor est un amplificateur de courant, il IC
est caractérisé par la relation fondamentale : IB
B
IC =β IB IE
On constate aussi : Ic (mA) E

IE = IC + IB 16 160µA
La jonction (diode) base-émetteur 14 140µA

détermine l'état du transistor, quand 12 120µA
elle conduit il conduit, et on a 10 100µA
VBE=0.7V 80µA
8
La tension VCE est imposée par le
60µA
circuit extérieur 6
40µA
La jonction base-collecteur 4
fonctionne en inverse à cause de 2 IB =20µA
l'effet transistor, négligée ‘’ Vce


Caractéristique du transistor

Polarisation du transistor
Polariser le transistor c'est le faire conduire à l'aide d'une
alimentation continue et un circuit de polarisation pour le mettre
dans un état donné par (IB, IC, VCE)
Polarisation par une résistance de base
On détermine le courant IB en écrivant la
loi d'ohm dans la maille d'entrée
Vcc = RB IB + 0.7 + RE IE
Rc
β est en général > 100 , IC ≈ IE
Rb Ic
V − 0 .7
I B = cc C Vcc
RB+ β RE Ib B
IC en découle puisque IC = β IB
La tension VCE est déterminée en écrivant E
la loi d'ohm dans la maille de sortie
Vcc = RC IC + VCE + RE IE (IC ≈ IE) RE
VCE = Vcc- (RC + RE) IC

Polarisation par une résistance de base : Exemple 1
Calculer IB, IC, VCE, VE, VB

Rc
I B = 12V - 0.7V = 11.3V = 13.3 µA Rb 4K
750K + 100×1K 850 K 750K
Ic
C Vcc
IC = β IB = 100 × 13.3 µA = 1.33 mA
Ib B
100 12V
VCE = 12V - (4K+1K)× 1.33 mA = 5.35V
E
RE
VE = RE IC = 1K × 1.33 mA = 1.33V
1k
VB = VE + 0.7 V = 1.33V + 0.7V ≈ 2V

Polarisation par résistance de base : exemple 2
Calculer les résistances pour avoir VE=2V, IC=1mA, VCE=5V
VE = RE IC ⇒ RE = 2V = 2K
1 mA
VCC = RCIC + VCE + VE
⇒RCIC = 12 - 5 - 2 = 5V Rc
Rb
Ic
⇒RC = 5V = 5K C Vcc
1mA
Ib B
100 12V
VCC -VB E = RBIB
E
RB = 12 - 2.7 = 930 K RE
0.01 mA

Polarisation par pont
Pour faciliter le calcul, RB1 et RB2 sont choisies de sorte que I1
soit au moins 10 fois > à IB ce qui permet de négliger IB et
d'écrire I1 = I2 = IP et de considérer que VB ne dépend que de
RB1 et RB2
VB ≈ RB2 V
RB1+RB2 CC Rc
RB1
VE ≈VB - 0.7V Ic
C Vcc
I1
VE ≈ REIC ⇒ IC et IB IB B
Vcc ≈ RCIC +VCE + REIC I2

E
RB2
VCE ≈VCC - (RC + RE )IC RE

Polarisation par pont : exemple 1
Calculer VB, VE, IC, IB, VCE, VC
RB2 10k
VB ≈ Vcc = × 12V = 1.82V Vcc 12V
RB1 + RB2 66k
Rc
VE =VB - 0.7V = 1.82 - 0.7 = 1.12V RB1 10K
VE 1.12V 56K Ic
IC ≈ I E = = = 0.56 mA I1
C
RE 2K IB
B 100
I 560 µA
IB = C = = 5.6 µA
β 100 I2
E
RB2
VCE ≈VCC - (RC + RE )IC = 12V- 12K×0.56mA≈ 5.3V RE
10K
2K
VC =VE + VCE = 1.12V +5.28V = 6.4V

Polarisation par pont : Exemple 2
Calculer les résistances pour avoir :

VE=2V, IC=1mA, VCE=5V, IP = 20 x IB
IP = 20×1mA = 0.2 mA
100 Vcc 12V
V
RB1+RB2 = CC = 12V = 60K Rc
IP 0.2mA
RB1
Ic
RB2 = VB = 2.7V = 13.5 K C
IP 0.2 mA IP
IB
B 100
RB1 = 60K - RB2= 60K - 13.5K = 46.5K IP
VE 2V RB2 E
RE = = =2K RE
IC 1mA
Vcc -VCE - VE 12V-5V-2V
RC = = =5K
IC 1mA

Transistor bipolaire en amplification
IB
Le transistor étant polarisé, que se

∆ IB
passe-t-il si on fait varier légèrement IB I
B0
autour de sa position de repos IB0 ?
Si IB alors IC β fois + vite to t
Si IB alors IC β fois + vite IC

VCE = Vcc- (RC + RE) IC ∆ I C= β ∆ I
B
donc si I C varie alors V CE varie IC0
(RC+RE) fois plus vite mais en
opposition de phase
t
to
L'effet d'amplification apparaît V

CE
donc clairement. Les variation
obéissent à deux lois : V
CE0
La caractéristique du transistor :
IC=βIB
t
La loi d'Ohm dans le circuit de to
sortie (droite de charge)
Illustration graphique de l’amplification
Illustration graphique de l'amplification du transistor bipolaire

La droite IC=βIB donne la variation de IC en fonction de IB
La droite de charge VCE = Vcc- (RC + RE) IC donne les
variation de VCE en fonction de IC
I c (mA)
IC = β IB
2
IB (µA) Vce (V)

20 10 2 4 6 8 10 12

Capacité de liaison
Pour appliquer le signal d'entrée à amplifier et prélever le
signal de sortie amplifié (signaux alternatifs) sans
perturber le point de fonctionnement statique du montage,
on fait appel à des capacités de liaison qui laissent passer
l'alternatif mais pas le continu
Vcc
C
B
vs
E
ve

Schéma équivalent du transistor en régime dynamique



Schéma dynamique

Schéma équivalent du transistor vis-à-vis des variations
Autour d'un point de polarisation, les relations entre les

faibles variations sont décrite d'une façon simplifiée par :
vBE = h11 iB
 i =βi
 C B
Le terme h11 donne la relation entre une tension et un

courant, il est donc homogène à une résistance.
On obtient donc le schéma équivalent ci-dessous.
Chaque transistor a sa propre
ib ic
valeur de h11, une valeur B C
approximative est donnée par : v
be h11 βib vce
26 β
h11 =
(IE )mA E E

Montage émetteur commun
Vcc
Ce montage tire son nom du fait que
l'émetteur est relié à la masse.
Dans le schéma équivalent pour les RB1
variation :
les condensateur sont des court- C
circuits B
L'alimentation est une masse car vs
sa valeur ne peut varier ve RB2 E
RB = RB1 // RB2
iB iC C
B
Gain en tension
iC
ve RB h11 β iB vS v e = h11 i b
Rc
E v s = −Rcic = −Rc βib
vs βRc
Av = = −
ve h11
Montages fondamentaux

Emetteur commun avec résistance d’émetteur
Le montage décrit ci-dessus présente l'inconvénient d'instabilité
thermique. On y remédie en introduisant une résistance d'émetteur.
iB iC C
Vcc
B
iC
RB h11 β iB
Rc
ve E
vS C
RE B
vs
E
ve
v s = −Rcic = −Rc βib
v e = h11i b + RE ( β + 1)i b = (h11 + ( β + 1 )RE )ib

vs βRc R
Av = =− ≈− C
ve h11 + ( β + 1)RE RE

Montage Émetteur commun

Application numérique 1
Vcc 12V
Polarisation :
calculer les résistances pour avoir RB RC
VCE = 6V, IC = 1mA
C
Étude dynamique :
Calculer h11 et le gain en tension Av 100 vs
B
V -V ve E
RC = CC CE = 6V = 6 K
IC 1mA
V -V
RB = CC BE = 11.3V = 1.13 MΩ
IB 0.01mA
Cet amplificateur a un
h11 = 26β = 2600 Ω gain de 230 qui est une
(IE )mA valeur tout à fait
βRc respectable pour ce
Av = - = - 100 × 6k ≈ -230 genre d'amplificateur
h11 2.6k
Application numérique 2
Vcc 12V
Polarisation :
calculer les résistances pour avoir :
RB RC
VCE = 5V, VE = 1V, I C = 1mA
Étude dynamique : C
Calculer h11 et le gain en tension
V 100 vs
RE = E = 1V = 1 K B
IE 1mA E
ve
V -V -V
RC = CC CE E = 6V = 6 K RE
IC 1mA
V -V
RB = CC B = 10.3V ≈ 1 MΩ
IB 0.01mA La résistance RE a un rôle de
stabilisation thermique mais
h11 = 26 β = 2600 Ω
(IE )mA elle a une influence néfaste
sur du gain en tension.
RC
Av= - = - 6K = - 6
RE 1K
La parade
La résistasse RE est découplée Vcc 12V
par un condensateur qui :

RB RC
N'intervient pas en statique, C

vs
et RE peut jouer son rôle de
stabilisation thermique B
100
E
ve
Se comporte comme un RE
court-circuit en dynamique, RE
n'apparaît pas dans le schéma
équivalent et l'expression du
gain est : RE est présente pour
βRc les courants continus
Av = − et absente pour les
h11
courants alternatifs
Collecteur commun

Montage collecteur commun
Vcc ib ie C
B
RB1 C RB h11 βib

v E
e
ie
B vs
RE
E
ve
RB2 RE vs ii ib h11 ie
B E
i
p
v RE v
e RB βib s
ve = h11i b + RE ( β + 1)i b
v s = RE ( β + 1)i b
vs ( β + 1) RE On peut se demander à
Av = = ≅ 1 quoi sert ce montage
ve h11 + ( β + 1) RE puisqu'il a un gain de 1.
C'est ce qu'on va voir !

Impédance d’entrée et de sortie
Le gain en tension seul ne suffit pas à caractériser un

amplificateur.
Vu de l'entrée, l'amplificateur se comporte comme une
résistance qu'on appelle impédance d'entrée.
Vu de la sortie, il se comporte comme un générateur de
tension interne Vi = Av Ve en série avec une résistance
qu'on appelle l'impédance de sortie
ve v s ) co
Ze = Zs =
ie i s )cc
ie Zs is
Av ve
Un bon amplificateur
Ve Ze Vs
est caractérisé par :
Ze très relevée
Zs très faible
Base commune

Compromis Gain - Impédances
Émetteur commun Collecteur commun

Ze = RB // h11 Ze = RB // (h11 + βRE )
Z S = RC ZS =
h11
β
Reprenons l'exemple Si on prend un C.C. avec

précédent VE=6V et IE = 1 mA
RE=6k, RB=530k, h11=2.6k
Av = 230 Av = 1
Ze = 1M // 2.6K ≈ 2.6 k Ze ≈ 280 K
Zc = Rc = 6K Zc = 26 Ω
On constate que l'E.C. a un bon gain mais des impédance médiocre
alors que le C.C. a un gain médiocre et des impédances très correctes

Application Comparative
Vcc
Vcc 12V
RC RB1 C
RB 5.5k Voici 2
1030k montages,
C VE=5.5 un EC et un
B
VCE = 5.5V CC
100 E
B IE = 1 mA RB2 RE vs
E
1k RE
VE=6V et IE = 1 mA
AV=-210 AV=1
Ze=2.6k Ze=282k
Zs=5.5K Zs=26Ω

Emetteur commun seul
1962mV
69mV
9.3mV
EC
3k ie Zs
Ve Ze Av ve
20mV Vs=?
200Ω
On injecte 20 mv, AV=-210

on récupère 69 mV
et pourtant, on a un Ze=2.6k
gain de 210
Zs=5.5K

Emetteur commun suivi du Collecteur commun
1962mV 1924.5 mV 1924.5mV
9.3mV 1703 mV
EC CC
3k ie Zs Zs
Av ve Ze Avve
Ve Ze
20mV Vs=?
200Ω
on récupère
1703 mV
AV=-210 AV=1
C’est mieux
Ze=2.6k Ze=282k
Zs=5.5K Zs=26Ω

Propriétés des montages fondamentaux

Transistor à effet de champ



Amplificateur Opérationnel
+
Ve A Vs
-
Amplificateur Différentiel á très grand gain :

Vs = A Ve avec A > 106
Très grande Impédance d’entrée ∼ ∞
Courants d’entrée nuls
Très faible impédance de sortie

Mode de fonctionnement linéaire
Vcc
+
Ve A Vs VS = A (V+ - V-)
-
Vee
Ampli Op alimenté entre Vcc et Vee

Vcc < Vs < Vee soit Vs = qq Volts
Comme A est très grand
(V+ - V-) ≈ 0
V+ = V-

Amplificateur inverseur
V + = 0 ⇒ V − = 0 → masse virtuelle
ve = R1 i
vs = - R2 i
R2
R1 i
Ve -
R2
vs = − ve i
+
Vs
R1

Amplificateur Non Inverseur
V+ =v ⇒ V− =v R2
e e
i
ve = R1 i R1
i
-
vs
vs - ve = R2 i +
R2  R2  ve
vs = ve + ve = 1 + ve

R1  R1 
 R2 

vs = 1 + ve
 R1 

Montage suiveur
-
ve vs
+
vs = ve
Ze = ∞ Zs = 0

Sommateur inverseur
v1 = R1 i1 RB
v2 = R2 i2 R1 i1 i
v1 -
i = i1 + i2 vs
v2 +
i2
vs = - RB i R2
 V1 V2 
Vs = −R B  + 
 R1 R 2 
RB
avec R1 = R2 = RA Vs = − ( v1 + v2 )
RA

Sommateur Non Inverseur
RB
R v + R 1v 2 RA
v = 2 1
+
-
R1 + R 2 vs
ve1 +
R1
RA ve2
v =
−
vs
RA + RB R2
R A + RB
R 2 v 1 + R 1v 2
=
RA vs =
R A (R1 + R 2
(R v + R1v2 )
R1 + R 2 RA + RB
vs
) 2 1
R A + RB
Si R1 = R2 vs =
2RA
(v1 + v2 )
Si en plus RA = RB v s = v1 + v 2
Amplificateur différentiel
RB
R2
v+ = v2
R1 + R 2 RA
v1 -
vs
R B v1 + R A v S v2 +
v− = R1
R A + RB
R2
R2 R B v1 R A vS
v = +
R1 + R 2 2 R A + R B R A + R B
R A + RB  R 2 RB 
vs =  v2 − v1 
RA  R1 + R 2 RA + RB 
Si R1 = R2 et RA = RB vs = v2 − v1
Montage integrateur
vc = - vs vC
ve = Ri i C
R i
v ve
i= e -
R vs
+
Q = CVC masse virtuelle
dQ dv
i= =C C
dt dt
vc = 1
C ∫ i( t )dt = −v S
vs = − 1
CR ∫ v ( t )dt
e

Montage dérivateur
R
vc = ve vC
i
i
ve -
dV C = C dv e vs
i =C C +
dt dt
masse virtuelle
vs = −Ri
dv e
v s = −RC
dt

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0.3V . Elle est franchement

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Diode conductrice = tension de 0.7V

I = U −VD = 15−0.7 = 14.3 mA

L'objectif est de partir de la tension alternative

Ve > 0 ⇒ diode bloquée

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ENASSIRI - ENSAM RABAT 52

On constate aussi : Ic (mA) E

La jonction (diode) base-émetteur 14 140µA

fonctionne en inverse à cause de 2 IB =20µA

Si IB alors IC β fois + vite IC