Electronique Fondamentale

Électronique
Fondamentale
A. OUMNAD
A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 1
SOMMAIRE
z Notions générales d’Électricité et

d’Électronique
z Conducteurs et Semi-Conducteur
z La diode et ses applications
z Le transistor et ses applications
z L’Amplificateur opérationnel et ses
applications

Loi d’Ohm
Effet
I Opposition
+
U R
-
zU en Volt (V)
Cause
zR en Ohm (Ω)
U=RI zI en Ampère (A)
CONVENSION
U = Va - Vb
A I R B
z flèches de la tension et du courant en sens inverse

z Tension ≡ différence de potentiel
z La flèche de la tension pointe vers le point de
potentiel élevé " + chaud " , "qui pousse"

La masse
La borne (-) de l'alimentation est prise comme point
de référence (V=0) par rapport auquel sont mesurés
les tensions de tous les points du montage
A B
U VA C VB
VC

Résistances
nombre de zéros tolérance Noir 0
Maron 1
Rouge 2
Orange 3
chiffres significatifs
jaune 4
5600 Ω = 5.6 k Ω ± 5% Vert 5
Bleu 6
Violet 7
nombre de zéros tolérance Gris 8
Blanc 9
chiffres significatifs
47500 Ω = 47.5 k Ω ± 2%

Noir 0
Exemples Maron
Rouge
1
2
Orange 3
jaune 4
Vert 5
Bleu 6
Violet 7
Gris 8
Blanc 9
…….. Ω = …….. k Ω ±%
…….. Ω = …….. k Ω ±%
…….. Ω = …….. k Ω ±%

Association des résistances
R1 R2 R = R1+R2
R1 R1R2
R=
R1+R2
R2
Exemple
10 kΩ
1 kΩ 20 kΩ
40 kΩ
R = …………. kΩ

Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs
V1=R1 I1
V2=R2 I1
V1 R1
V3=R3 I2= R4 I3
I1
U = V1+V2+V3
U V2 R2
U = R1 I1 + R2 I1 + R3 I2
I2 I3
Ou V3
R3 R4
U = R1 I1 + R2 I1 + R4 I3

Puissance
Un composant ayant une tension U à ses bornes et
qui est traversé par un courant I dissipe une
puissance P
zU en Volt (V)
P=UI zI en Ampère (A)
zP en Watt (W)
2
Pour une résistance : P = UI = RI = U 2
R

Diviseur de potentiel 1
R2
V= U
R1+R2
R1
U
R2

R2 R1
V= U1 + U2
R1 + R2 R1 + R2
R1 R2
U1 U2

1U + 1U + 1U
R1 1 R 2 2 R3 3
V =
1 + 1 + 1
R1 R 2 R3
R1 R2
R3
U1 U2
U3

Condensateur
Le condensateur est un composant passif qui trouve de
multiples Applications en électronique. Pour simplifier
on peut le considérer comme un réservoir dont la
capacité C s'exprime en Farad (F)
Condensateur Réservoir

Charge et décharge d'un condensateur à travers une résistance
K1 R
K2
E Vc
C

Charge : K1 fermé K2 ouvert
R
zAu début
I
Courant important
Vc
E C Charge rapide
zVers la fin
Courant tend vers 0
E
Vc tend vers E
Vc
E
⎛ - t ⎞
VC = E ⎜ 1 - e ⎟
R
RC
I ⎝ ⎠
t
Déharge : K2 fermé K1 ouvert
R
zAu début
Courant important
I C Vc
Décharge rapide
zVers la fin
Vc tend vers 0
E Le courant tend vers 0
E Vc
R
- t
I VC = E e RC
t
En général
On place l'origine des temps au début de la courbe qui nous
intéresse et on utilise la relation :
V(t) = V∞ - (V∞ - V0 ) e
- t
RC
V1
V2
Vc
V3
V4
V (t ) =V1-(V1−V3 ) e
- t
V (t ) =V4-(V4 −V2 ) e
- t RC
RC

Exemple : calculer la période T
E
E
2
T
2
t
T
−E
2
-E
(
V (t ) = −E − −E − E e
2
) - t
RC
= E⎜ 3 e RC −1⎞⎟
⎛
⎝2
- t
E⎜ 3 e 2RC −1⎞⎟=− E
⎛ - T
V( T ) =− E
2 2 ⎝2 ⎠ 2
T = 2RC Log(3)
Association de condensateurs
C1
Parallèle
C=C1+C2
C2
Série
C1 C2 C1C2
C=
C1+C2

Conducteur et semi conducteurs

Niveaux d'énergie des électrons
Dans un solide on trouve trois catégories d'électrons :

zLes électrons des couches inférieures
¾ fortement liés à leurs noyaux Énergie
¾ Pas beaucoup d'intérêt pour l'électronique
zLes électrons de valence Bande de conduction

¾ Gravitent autour de deux noyaux
¾ Énergie dans la bande de valence Bande interdite = gap
zLes électrons libre
¾ Se déplace librement dans le cristal Bande de valence
¾ Énergie dans la bande de conduction

Conducteur
z Les Bandes de conduction et de valence se

chevauchent, il n'y a pas de gap
z L'agitation thermique suffit largement pour
libérer les électrons (amener leur énergie
dans la bande de conduction)
z Chaque atome libère au moins un électron
z Nombre très important d'électrons libres
z Le branchement d'un générateur de tension
produit un champs électrique qui attire les
électrons produisant un courant important

Les isolants
z Les Bandes de conduction et de valence

sont séparée par un gap très important
z L'agitation thermique même à température
élevée ne parvient pas à libérer les
électrons.
z Aucun électron libre
z Le branchement d'un générateur ne produit
aucun courant

Les semi-conducteurs (intrinsèques)
z Constitués de matériaux tétravalent purs comme le

silicium ou le germanium (4 électrons de valence)
z Le gap a une largeur relativement faible (1 eV)
z A très basse température (0°K), les SC intrinsèques
sont parfaitement isolants.
z L'agitation thermique à la température ambiante suffit
pour libérer un nombre d'électrons relativement
important
z La conductivité d'un SC dépend donc fortement de la
température.
z Un atome qui perd un électron devient un ion positif.
Le manque d'électron est désigné par trou.

Les Deux types de conduction
Conduction = déplacement d'une charge électrique
zConduction par électrons libre (charge négative)
zConduction par trou : un trou (charge positive)
peut se déplacer provoquant un courant
zLa conduction par trou est plus lente que la
conduction par électrons libres
1
2
3
4
I 5
6
SC Extrinsèque de type N
z On introduit un matériau
pentavalent (donneur) avec 5
électrons sur la couche de valence
comme antimoine, phosphore ou électron
arsenic libre Si
z Chaque atome introduit un électron Si P Si

libre sans laisser de trou
Si
z Le nombre d'électrons est bien plus
important que celui des trous. Ce
sont les porteur majoritaires
z La conduction est essentiellement

une conduction d'électrons

SC extrinsèque de type P
z On introduit un matériau (accepteur)
avec 3 électrons sur la couche de
valence comme le bore, l'aluminium,
le gallium ou l'indium
Trou Si
z Chaque atome introduit un trou sans

libérer d'électron Si In Si
z Le nombre de trou est bien plus Si

important que celui des électrons. Ce
sont les porteur majoritaires
z La conduction est essentiellement une

conduction de trou

La diode
La diode est un composant qui ne laisse
passer le courant électrique que dans un
seul sens
Elle est réalisée à l'aide d'une jonction PN
obtenue en collant un SC (N) à un SC (P) d'où
l'appellation diode à Jonction
anode P N cathode
A K
A K
Polarisation de la diode
Une diode est polarisée en I

directe si on applique une +
A
alimentation avec (+ sur A) et (-
sur K), la diode est alors -
K
passante ou conductrice
Une diode est polarisée en
inverse si on applique une K
alimentation avec (+ sur K) et (- +
sur A), la diode est alors -
bloquée, aucun courant ne la A
traverse

Caractéristique de la diode
I
A ID (mA)
+ 80
V 70
60
- 50
40
30
La diode a un seuil de conduction. 20
10
Elle commence à conduire V (V)
doucement vers VD de l'ordre de 0.2 0.4 0.6 0.8 D
0.3V . Elle est franchement

conductrice quand Vd est de l'ordre
ID (mA)
de 0.7V
80
Pour faciliter, on adopte une 70
60
caractéristique idéalisée : 50
z VD < 0.7 V ⇒ diode Bloquée 40
30
z VD = 0.7 V ⇒ diode conductrice 20
10
z Le courant doit être limité avec V (V)
0.2 0.4 0.6 0.8 D
une résistance externe
Comment calculer ?
Diode conductrice = tension de 0.7V

Diode bloquée = interrupteur ouvert
R
I
U = 15 V
U R = 1 kΩ
Calculer I et le tension aux
borne de R
U = RI + VD
U −VD 15−0.7
I= = = 14.3 mA
R 1000
VR =RI =1000Ω × 14.3 mA = 14.3 V
ou U = VR + VD ⇒ VR = U - VD = 15 - 0.7 = 14.3 V
Redressement mono alternance
L'objectif est de partir de la tension alternative

issue du secteur pour obtenir une tension continue
Permettant d'alimenter les circuit électroniques
IL
Ve > 0 ⇒ diode conductrice
⇒ interrupteur fermé
⇒ VL = Ve Secteur Ve RL VL
Ve > 0 ⇒ diode bloquée

⇒ interrupteur ouvert Ve
⇒ VL = 0
π
VL = 1 ∫ E sin( θ ) d θ
2π 0
VL
= E [− cos( θ )]0 = E
π
2π π
double alternance – transfo 3 fils
D1
V1
V1 R
L IL
Secteur
V2 V
L
D2
D1
V2
V1 R
L IL
Secteur
V2 V
L
V1 R
L IL
Secteur
V2 V VL
L
D2
double alternance – transfo 2 fils
D1
D4 V1
RL IL
Secteur Ve
VL
D2 D3
D1
RL IL
Secteur Ve
VL VL
D2
π
D4
RL IL VL = 1 ∫ E sin( θ ) d θ
Secteur Ve π 0
VL
= E [− cos( θ )]0 = 2 E
D3 π
π π
Filtrage par condensateur en tête
IL D1 IL
Secteur Ve RL VL Secteur VL
C C RL
D2
2ΔV 2ΔV
VL
IL
Ondulation ΔV = E ≈ ΔV = E ≈ IL
2RLCf 2Cf 4RLCf 4Cf

Position du problème
On désire réaliser une alimentation 6V, 100 mA,
ΔV=0.2V. Il faut choisir le transfo et le condensateur
Avec un double alternance on obtient C=1250 µF
On prend C= 2200 µF, cela compensera un peu les
effets non pris en compte.
Avec un transfo à point milieu on a :
Vmax = tension désirée + ΔV + VD = 6+0.2+0.7 ≈ 7V
Avec un pont : Vmax = 6+0.2+0.7+0.7 ≈ 7.6V
Veff = 7 / √2 = 5V ou 7.6 / √2 = 5.37V
L'expérience montre que les transfo du commerce ne
sont pas de très grande qualité, "dès qu'on les charge
il se casse la gueule"
On prendra donc un transfo 2×6V , (200 mA ou +)

Le transistor à jonction
Le transistor est constitué de 3 couches de semi-conducteurs. On
distingue les transistor NPN et les transistor PNP
C C C C
N P
B P B B N B
N P
E E
E E
Il a trois bornes:
z La base traversée par le courant IB, est le plus souvent utilisée
comme l'entrée de commande
z Le collecteur, traversé par le courant IC, est le plus souvent utilisé
comme de sortie
z L'émetteur traversé par le courant IE, est le plus souvent utilisé
comme réference

Caractéristique du transistor
C
Le transistor est un amplificateur de courant, il IC
est caractérisé par la relation fondamentale :
IB
B
IC =β IB IE
On constate aussi : Ic (mA) E

z IE = IC + IB 16 160µA
z La jonction (diode) base-émetteur 14 140µA

détermine l'état du transistor, quand 12 120µA
elle conduit il conduit, et on a 10 100µA
VBE=0.7V 80µA
8
z La tension VCE est imposée par le
6 60µA
circuit extérieur
4 40µA
z La jonction base-collecteur
IB =20µA
fonctionne en inverse à cause de 2
l'effet transistor, "il vaut mieux Vce

l'oublier"
Polarisation du transistor
Polariser le transistor c'est le faire conduire à l'aide d'une
alimentation continue et un circuit de polarisation pour le mettre
dans un état donné par (IB, IC, VCE)
Polarisation par une résistance de base
z On détermine le courant IB en écrivant la
loi d'ohm dans la maille d'entrée
Vcc = RB IB + 0.7 + RE IE
Rc
β est en général > 100 , IC ≈ IE
Rb Ic
V − 0 .7
I B = cc C Vcc
RB+ βRE Ib B
z IC en découle puisque IC = β IB
z La tension VCE est déterminée en écrivant E
la loi d'ohm dans la maille de sortie
Vcc = RC IC + VCE + RE IE (IC ≈ IE) RE
VCE = Vcc- (RC + RE) IC

Polarisation par une résistance de base : Exemple 1
Calculer IB, IC, VCE, VE, VB

Rc
I B = 12V - 0.7V = 11.3V = 13.3 µA Rb 4K
750K + 100×1K 850 K 750K
Ic
Vcc
IC = β IB = 100 × 13.3 µA = 1.33 mA C
Ib B
100 12V
VCE = 12V - (4K+1K) × 1.33 mA = 5.35 V
E
VE = RE IC = 1K × 1.33 mA = 1.33V RE
1k
VB = VE + 0.7 V = 1.33V + 0.7V ≈ 2V

Polarisation par résistance de base : exemple 2
Calculer les résistances pour avoir VE=2V, IC=1mA, VCE=5V
VE = RE IC ⇒ RE = 2V = 2 K
1 mA
VCC = RC IC + VCE + VE
⇒RC IC = 12 - 5 - 2 = 5V Rc
Rb
Ic
⇒RC = 5V = 5K C Vcc
1mA
Ib B
100 12V
VCC - VB = RB IB
E
RB = 12 - 2.7 = 930 K RE
0.01 mA

Polarisation par pont
Pour faciliter le calcul, RB1 et RB2 sont choisies de sorte que I1
soit au moins 10 fois > à IB ce qui permet de négliger IB et
d'écrire I1 = I2 = IP et de considérer que VB ne dépend que de
RB1 et RB2
RB2
VB ≈ VCC
RB1+RB2 Rc
RB1
VE ≈ VB - 0.7V Ic
C Vcc
I1
VE ≈ RE IC ⇒ IC et IB IB B
Vcc ≈ RC IC + VCE + RE IC I2
E
RB2
VCE ≈ VCC - (RC + RE )IC RE

Polarisation par pont : exemple 1
Calculer VB, VE, IC, IB, VCE, VC
RB 2 10k
VB ≈ Vcc = × 12V = 1.82V Vcc 12V
RB1 + RB 2 66 k
Rc
VE = VB - 0.7V = 1.82 - 0.7 = 1.12V RB1 10K
VE 1.12V 56K Ic
IC ≈ I E = = = 0.56 mA I1
C
RE 2K IB B
I 560µA 100
IB = C = = 5.6 µA
β 100 I2
E
VCE ≈ VCC - (RC + RE )IC = 12 V - 12K×0.56mA≈ 5.3V RB2
RE
10K
2K
VC = VE + VCE = 1.12V +5.28V = 6.4V

Polarisation par pont : Exemple 2
Calculer les résistances pour avoir :

VE=2V, IC=1mA, VCE=5V, IP = 20 x IB
IP = 20×1mA = 0.2 mA
100 Vcc 12V
VCC 12V
RB1+RB2 = = = 60K Rc
IP 0.2mA RB1
VB Ic
RB2 = = 2.7V = 13.5 K C
IP 0.2 mA IP
IB B
RB1 = 60K - RB2= 60K - 13.5K = 46.5K IP
100
VE 2V E
RE = = =2K RB2
RE
IC 1mA
Vcc -VCE - VE 12V -5V -2V
RC = = =5K
IC 1mA

Transistor bipolaire en amplification
I
B
Le transistor étant polarisé, que se
Δ IB
passe-t-il si on fait varier légèrement IB I
B0
autour de sa position de repos IB0 ?
zSi IBÊ alors IC Ê β fois + vite to t
zSi IBÌ alors IC Ì β fois + vite I

C
zVCE = Vcc- (RC + RE) IC Δ I C= β Δ IB
donc si IC varie alors VCE varie I
C0
(RC+RE) fois plus vite mais en
opposition de phase
t
to
L'effet d'amplification apparaît V

CE
donc clairement. Les variation
obéissent à deux lois : V
CE0
z La caractéristique du transistor :
IC=βIB
t
z La loi d'Ohm dans le circuit de to
sortie (droite de charge)
Illustration graphique de l’amplification
Illustration graphique de l'amplification du transistor bipolaire

z La droite IC=βIB donne la variation de IC en fonction de IB
z La droite de charge VCE = Vcc- (RC + RE) IC donne les
variation de VCE en fonction de IC
I c (mA)
IC = β IB
2 V
CE
=V
cc -
((R
1 C +R
E)
IC
IB (µA) Vce (V)
20 10 2 4 6 8 10 12

Capacité de liaison
Pour appliquer le signal d'entrée à amplifier et prélever le
signal de sortie amplifié (signaux alternatifs) sans
perturber le point de fonctionnement statique du montage,
on fait appel à des capacités de liaison qui laissent passer
l'alternatif mais pas le continu
Vcc
C
B
vs
E
ve

Schéma équivalent du transistor vis-à-vis des variations
Autour d'un point de polarisation, les relations entre les

faibles variations sont décrite d'une façon simplifiée par :
⎧vBE = h11 iB
⎨
⎩ iC = β iB
Le terme h11 donne la relation entre une tension et un
courant, il est donc homogène à une résistance.
On obtient donc le schéma équivalent ci-dessous.
Chaque transistor a sa propre ic
B ib
valeur de h11, une valeur C
approximative est donnée par : v
be h11 βib vce
26 β
h11 =
(I E )mA E E

Montage émetteur commun
Vcc
Ce montage tire son nom du fait que
l'émetteur est relié à la masse.
Dans le schéma équivalent pour les RB1
variation :
z les condensateur sont des court- C
circuits B
z L'alimentation est une masse car vs
sa valeur ne peut varier ve RB2 E
z RB = RB1 // RB2
iB iC C
B
Gain en tension
iC
ve RB h11 β iB vS v e = h 11 i b
Rc
E v s = −R c i c = −R c βi b
vs βR c
Av = =−
ve h11
Emetteur commun avec résistance d’émetteur
Le montage décrit ci-dessus présente l'inconvénient d'instabilité
thermique. On y remédie en introduisant une résistance d'émetteur.
iB iC C
Vcc
B
iC
RB h11 β iB
Rc
ve E
vS C
RE B
vs
E
ve
v s = −R c i c = −R c βi b
(
v e = h11 i b + R E ( β + 1 ) i b = h11 + ( β + 1 ) R E i b )
vs βR c R
Av = =− ≈− C
ve h11 + ( β + 1 ) R E RE

Application numérique 1
Vcc 12V
Polarisation :
calculer les résistances pour avoir RB RC
VCE = 6V, IC = 1mA
C
Étude dynamique :
Calculer h11 et le gain en tension Av 100 vs
B
V -V ve E
RC = CC CE = 6V = 6 K
IC 1mA
VCC -VBE
RB = = 11.3V = 1.13 MΩ
IB 0.01mA
26 β Cet amplificateur a un
h11 = = 2600 Ω
(I E )mA gain de 230 qui est une
valeur tout à fait
β Rc respectable pour ce
Av = - = - 100 × 6k ≈ -230 genre d'amplificateur
h11 2.6k
Application numérique 2
Vcc 12V
Polarisation :
calculer les résistances pour avoir :
RB RC
VCE = 5V, VE = 1V, IC = 1mA
Étude dynamique : C
Calculer h11 et le gain en tension
V 100 vs
RE = E = 1V = 1 K B
IE 1mA E
ve
VCC - VCE - VE
RC = = 6V = 6 K RE
IC 1mA
V -V
RB = CC B = 10.3V ≈ 1 MΩ
IB 0.01mA La résistance RE a un rôle de
26 β stabilisation thermique mais
h11 = = 2600 Ω
(I E )mA elle a une influence néfaste
sur du gain en tension. Il va
RC
Av= - = - 6K = - 6 falloir trouver une parade.
RE 1K
La parade
Vcc 12V
La résistasse RE est découplée
par un condensateur qui :
RB RC
z N'intervient pas en statique, C

vs
et RE peut jouer son rôle de
stabilisation thermique 100
B
E
ve
z Se comporte comme un RE
court-circuit en dynamique, RE
n'apparaît pas dans le schéma
équivalent et l'expression du
gain est : RE est présente pour
β Rc les courants continus
Av = − et absente pour pour
h11
les courants alternatifs
Montage collecteur commun
Vcc ib ie
B C
RB1 C RB h11 βib

v E
e
ie
B vs
RE
E
ve
RB2 RE vs ii ib h11 ie
B E
i
p
v RE v
e βib s
v e = h11i b + R E ( β + 1 ) i b RB
v s = RE ( β + 1 ) i b
vs ( β + 1 ) RE On peut se demander à
Av = = ≅ 1 quoi sert ce montage
ve h11 + ( β + 1 ) R E puisqu'il a un gain de 1.
C'est ce qu'on va voir !

Impédance d’entrée et de sortie
Le gain en tension seul ne suffit pas à caractériser un

amplificateur.
z Vu de l'entrée, l'amplificateur se comporte comme une
résistance qu'on appelle impédance d'entrée.
z Vu de la sortie, il se comporte comme un générateur de
tension interne Vi = Av Ve en série avec une résistance
qu'on appelle l'impédance de sortie
ve v s ) co
Ze = Zs =
ie i s ) cc
i Zs i
e s
A ve
z Un bon amplificateur
Ve Ze v Vs
est caractérisé par :
z Ze très relevée
z Zs très faible
Compromis Gain - Impédances
Émetteur commun Collecteur commun

Ze = RB // h11 Ze = RB // (h11 + β RE )
Z S = RC ZS =
h11
β
Reprenons l'exemple Si on prend un C.C. avec

précédent VE=6V et IE = 1 mA
RE=6k, RB=530k, h11=2.6k
Av = 230 Av = 1
Ze = 1M // 2.6K ≈ 2.6 k Ze ≈ 280 K
Zc = Rc = 6K Zc = 26 Ω
On constate que l'E.C. a un bon gain mais des impédance médiocre
alors que le C.C. a un gain médiocre et des impédances très correctes

Application Comparative
Vcc
Vcc 12V
RB1
RB RC 5.5k Voici 2
C
1030k montages,
C un EC et un
VE=5.5 B
VCE = 5.5V CC
100 E
B IE = 1 mA RB2 RE vs
E
1k RE
VE=6V et IE = 1 mA
AV=-210 AV=1
Ze=2.6k Ze=282k
Zs=5.5K Zs=26Ω

Emetteur commun seul
1962mV
69mV
9.3mV
EC
3k i Zs
e
Ve Ze A ve
20mV v
Vs=?
200Ω
On injecte 20 mv,
AV=-210
on récupère 69 mV
et pourtant, on a un Ze=2.6k
gain de 210
Zs=5.5K

Emetteur commun suivi du Collecteur commun
1962mV 1924.5 mV 1924.5mV
9.3mV 1703 mV
EC CC
3k i Zs Zs
e
A ve Ze Avve
Ve Ze v
20mV Vs=?
200Ω
on récupère
1703 mV
AV=-210 AV=1
C’est mieux
Ze=2.6k Ze=282k
Zs=5.5K Zs=26Ω

Amplificateur Opérationnel
+
Ve A Vs
-
z Amplificateur Différentiel á très grand gain :

Vs = A Ve avec A > 106
z Très grande Impédance d’entrée ∼ ∞
Ö Courants d’entrée nuls
z Très faible impédance de sortie

Mode de fonctionnement linéaire
Vcc
+
Ve A Vs VS = A (V+ - V-)
-
Vee
z Ampli Op alimenté entre Vcc et Vee

Vcc < Vs < Vee soit Vs = qq Volts
z Comme A est très grand
(V+ - V-) ≈ 0
V+ = V-

Amplificateur inverseur
V + = 0 ⇒ V − = 0 → masse virtuelle
ve = R1 i
vs = - R2 i
R2
R1 i
Ve -
R2
vs = − ve i Vs
+
R1

Amplificateur Non Inverseur
V + = ve ⇒ V − = ve R2
ve = R1 i R1 i
i
-
vs
vs - ve = R2 i +
R2 ⎛ R2 ⎞ ve
vs = ve + ve = ⎜⎜ 1 + ⎟⎟ve
R1 ⎝ R1 ⎠
⎛ R2 ⎞
⎜
vs = ⎜ 1 + ⎟⎟ve
⎝ R1 ⎠

Montage suiveur
-
ve vs
+
vs = ve
Ze = ∞ Zs = 0

Sommateur inverseur
v1 = R1 i1 RB
v2 = R2 i2 R1 i1 i
v1 -
i = i1 + i2 vs
v2 +
vs = - RB i R2 i2
⎛ V1 V2 ⎞
V s = − R B ⎜⎜ + ⎟⎟
⎝ R1 R 2 ⎠
RB
avec R1 = R2 = RA Vs = − ( v1 + v2 )
RA

Sommateur Non Inverseur
RB
+ R 2 v1 + R 1v 2 RA
v = -
R1 + R 2 vs
ve1 +
R1
− RA ve2
v = v
RA + RB s R2
RA + RB
R 2 v1 + R 1v 2
=
RA
v vs =
R A (R 1 + R 2 )
(R v 2 1 + R 1v 2 )
R1 + R 2 RA + RB s
RA + RB
Si R1 = R2 vs =
2RA
(v1 + v 2 )
Si en plus RA = RB v s = v1 + v 2
Amplificateur différentiel
RB
+ R2
v = v
R1 + R 2 2 RA
v1 -
vs
R B v1 + R A v S v2 +
v− =
RA + RB R1
R2
R2 R B v1 R A vS
v2 = +
R1 + R 2 RA + RB RA + RB
R A + RB ⎛ R2 RB ⎞
vs = ⎜ v − v ⎟
RA ⎝ R1 + R 2 2 R A + R B 1 ⎠
Si R1 = R2 et RA = RB v s = v 2 − v1
Montage integrateur
vc = - vs vC
ve = R i i C
R i
ve ve
i= -
R vs
+
Q = CV C masse virtuelle
dQ dvC
i= =C
dt dt
vc = 1
C ∫ i( t )dt = −vS
vs = − 1
CR ∫ v ( t )d t
e

Montage dérivateur
R
vc = ve vC
i
i
d VC d ve
ve -
i =C =C vs
C +
dt dt
masse virtuelle
vs = −R i
d ve
vs = −R C
dt

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Électronique

z Notions générales d’Électricité et

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z flèches de la tension et du courant en sens inverse

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A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 21

A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 22

Dans un solide on trouve trois catégories d'électrons :

zLes électrons de valence Bande de conduction

¾ Énergie dans la bande de conduction

A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 23

z Les Bandes de conduction et de valence se

A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 24

z Les Bandes de conduction et de valence

A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 25

z Constitués de matériaux tétravalent purs comme le

A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 26

z Chaque atome introduit un électron Si P Si

z La conduction est essentiellement

A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 28

z Chaque atome introduit un trou sans

z Le nombre de trou est bien plus Si

z La conduction est essentiellement une

A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 29

Une diode est polarisée en I

A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 31

0.3V . Elle est franchement

Diode conductrice = tension de 0.7V

L'objectif est de partir de la tension alternative

Ve > 0 ⇒ diode bloquée

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A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 39

On constate aussi : Ic (mA) E

z La jonction (diode) base-émetteur 14 140µA

l'effet transistor, "il vaut mieux Vce

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Calculer IB, IC, VCE, VE, VB

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Calculer les résistances pour avoir VE=2V, IC=1mA, VCE=5V

A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 43

A. Oumnad - Ecole Mohammadia d'Ingénieurs 44

Calculer VB, VE, IC, IB, VCE, VC

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Calculer les résistances pour avoir :

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zSi IBÊ alors IC Ê β fois + vite to t

zSi IBÌ alors IC Ì β fois + vite I

L'effet d'amplification apparaît V

Illustration graphique de l'amplification du transistor bipolaire

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