Les transistors bipôlaires

2/14/2021 ENI L1
Définition et symbole
• Le transistor bipolaire est un
composant électronique discret
constitué de trois électrodes.
• Il est formé d’un cristal de silicium
comportant trois zones de dopage
distinctes.
• Selon les cas, ils sont dits NPN ou PNP.
• Ces 03 zones correspondent aux 03
bornes du transistor: Collecteur, Base
et Emetteur.

2/14/2021 ENI L1
Boîtier et brochage

2/14/2021 ENI L1
Boîtier et brochage

2/14/2021 ENI L1
Réseau des caractéristiques statiques
• Il est caractérisé par 06 grandeurs électriques:
3 courants:
3 tensions:
• Mais on a:

2/15/2021 ENI L1
Réseau des caractéristiques statiques
• 3 relations indépendantes sont nécessaires
pour le caractériser:
• La caractéristique d’entrée:
𝐵 à
𝐵𝐸
• La caractéristique de sortie:
𝐶 à 𝐵
𝐶𝐸
• La caractéristique de transfert en courant:
𝐶 𝐵 à qui traduit que
𝐶
pour un transistor non saturé: le
𝐵
fonctionnement linéaire.

2/14/2021 ENI L1
Polarisation: Droites de charge statiques
Objectif: Elle consiste à fixer les valeurs des tensions , et des courants , pour
imposer la localisation des points de fonctionnement dans le réseau
Exemple: Polarisation directe de la base et du collecteur par deux résistances ,

Droite de charge statique de sortie ( :

+
Droite de charge statique d’entrée ( :
+

2/14/2021 ENI L1
Polarisation: Point de fonctionnement
• Le point de fonctionnement Q dans le
réseau d’entrée est situé à
l’intersection de la droite de charge
( et de la caractéristique

• Le point de fonctionnement P dans le

réseau de sortie est situé à
l’intersection de la droite de charge (
et de la caractéristique

2/14/2021 ENI L1
Polarisation: Transistor saturé
• La partie de la droite de charge statique
située entre les points de blocage et de
saturation définit la zone active ce qui
correspond au fonctionnement linéaire en
amplification: 𝐶 𝐵 où est le coefficient
d’amplification statique. S
• Au point de saturation S, 𝐵 est très
important. Le transistor idéal est équivalent à
un interrupteur fermé entre collecteur et
émetteur: 𝐶𝐸 et on note 𝐶𝐸 𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
• Au point de blocage E, 𝐵 et sont très
faibles. Le transistor idéal est équivalent à un
interrupteur ouvert entre collecteur et
émetteur: 𝐶 .

2/15/2021 ENI L1
Polarisation: Résumé
• La polarisation fixe les valeurs de 𝐵 et 𝐶 , 𝐵𝐸 et 𝐶𝐸 au point de fonctionnement
𝐵0 𝐶0 𝐵𝐸0 𝐶𝐸0 à l’aide du réglage de l’alimentation E et des résistances.
• On distingue 3 régimes de fonctionnement fixés par le réglage du point de
fonctionnement:
𝐸
• Fonctionnement linéaire(en amplification): 𝐶 𝐵 , on a: 𝐵𝐸 =0,7V et on fixe 𝐶𝐸 2
• Fonctionnement en commutation de saturation: 𝐶 𝐵
• Fonctionnement en commutation de blocage: 𝐶

2/16/2021 ENI L1
Polarisation: Transistor saturé
• Pour que le transistor soit saturé (point de
fonctionnement en S), il faut que son courant de
collecteur 𝐶 soit inférieur à 𝐵 , c-à-d 𝐶 𝐵
• En supposant que la tension d'alimentation est
très supérieure à 0,6V, c'est très grande par
rapport à et , on pourra écrire:

𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
𝐵 𝐶
𝐵 𝐵 𝐶 𝐶

Soit:

2/15/2021 ENI L1
Polarisation: Autres circuits

2/15/2021 ENI L1
Montage à plusieurs transistors: Montage darlington
• Il est constitué de deux transistors montés en
cascade
• Les deux transistors sont caractérisés par des
gains en courant différents
• Ce montage permet d’obtenir, à partir de deux
transistors différents, un dispositif dont le gain
en courant est le produit de deux gains

2/15/2021 ENI L1
Montage à plusieurs transistors: Montage darlington
• On suppose que les deux transistors sont
polarisés dans leur zone linéaire
• On a:
D’où
• + + =[ +

• En considérant que >>1 et >>1, on aura:

+ =

2/15/2021 ENI L1
Montage à plusieurs transistors: Montage différentiel
• Il est constitué de deux transistors identique dont
on relie les collecteurs et émetteurs.
• On suppose que les deux transistors sont polarisés
dans leur zone linéaire et chacune de deux tensions
de base vaut 0,7V
• Les courant de base ont pour mêmes intensités:
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 15−0,7
𝐵 𝑅𝐵 8.10−3
• Chacun de deux transistors présente le même
courant de collecteur:
−3
𝐶 𝐵
Le courant circulant dans la résistance 𝐶 est égal à la
somme de ces deux courants 𝐶 . Donc, on a:
𝐶 𝐶𝐶 𝐶 𝐶
2/15/2021 ENI L1
Travaux dirigés
Exercice 1
On considère le montage ci-contre dans lequel le transistor est
caractérisé par .
1. Montrer que le transistor est polarisé dans sa zone de
fonctionnement linéaire et calculer son point de polarisation. On
suppose que la tension de saturation du transistor 𝐶𝐸
On a 𝐵 𝐶 𝐶𝐶
2. En changeant uniquement la résistance du collecteur qui vaut à
présent 𝐶 , montrer que le transistor est à présent
saturé et que l’égalité 𝐶 𝐵 n’est plus vérifiée.
3. Cette fois-ci, 𝐶 , 𝐵 variable. Calculer 𝐶𝑠𝑎𝑡 , le courant
de saturation du transistor et en déduire la condition sur 𝐵 qui
assure une polarisation dans sa zone de fonctionnement linéaire

2/14/2021 ENI L1
Travaux dirigés
Exercice 2
On considère le montage ci-dessous, calculer les valeurs des courants , et puis
déterminer les potentiels aux points B, C et E.
On donne: ,

2/16/2021 ENI L1
Travaux dirigés
Exercice 3
On considère le montage ci-dessous, calculer les valeurs des quatre résistances de sorte
que l’on obtienne un point de polarisation caractérisé par les potentiels et
avec un courant de base
On donne:

2/16/2021 ENI L1
 Les transistors bipôlaires en
régime dynamique

2/15/2021 ENI L1
Régime de petits signaux
• Si un transistor bipolaire est
polarisé en un point correspondant
à 𝐵𝐸0 , 𝐵0 , 𝐶0 et 𝐶𝐸0 et que l’on
fait varier la tension base-émetteur
autour de la tension 𝐵𝐸0 , on peut
écrire 𝐵𝐸 𝐵𝐸0 𝐵𝐸 (t) où
𝐵𝐸 (t) représente la variation de
la tension base-émetteur autour de
son point de polarization( ou point
de repos).
• On parle de régime dynamique de
petits signaux lorsque les variations
de sont suffisamment faibles.

2/15/2021 ENI L1
Paramètres hybrides du transistor NPN
• Lorsque le transistor fonctionne linéairement en régime de petits signaux, on peut
exprimer les variations de et en fonction de variations de ou de .

• On a:

• La matrice H: la matrice hybride du transistor en régime de petits signaux

• Les coef. : paramètres hybrids du transistor
• : résistance dynamique de la jonction BE(
• : un nombre sans dimension très faible. En règle générale
• : gain en courant du transistor,
• : conductance de sortie (en siemens(S)) et que . Sous certaines
conditions, on pourra considérer que

2/16/2021 ENI L1
Modèle base sur les paramètres hybrides
• On peut représenter le fonctionnement du transistor en régime linéaire de petits signaux
par un modèle de type quadripôle en considérant par exemple que les grandeurs
d’entrée sont et , et que et sont des grandeurs de sortie.
• Dans ces conditions, on peut proposer un schema equivalent du transistor, valable
uniquement pour les composants variables de ces grandeurs électriques.

2/16/2021 ENI L1
Modèle base sur les paramètres hybrides
• Selon que l’on néglige ou que l’on néglige et , d’autres schémas équivalents
plus simples peuvent être utilisés

2/16/2021 ENI L1
Modèle base sur les paramètres hybrides
• Dans un schéma équivalent en régime de petits signaux variables, seules les
composantes variables des signaux sont considérées.
• Tous les potentiels constants sont équivalents à la masse.

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 Les amplificateurs

2/16/2021 ENI L1
Définition
• Un amplificateur de tension est un système
électronique qui permet de multiplier l’amplitude d’un
signal d’entrée 𝑒 par une constante 𝑉 pour
obtenir une tension de sortie 𝑠 𝑉 𝑒 . La
constante 𝑉 est appelée gain en tension de
l’amplificateur.
• Un amplificateur de courant permet d’effectuer une
opération similaire sur les courants: si 𝑒 et 𝑠 les
courants d’entrée et de sortie, on aura: 𝑠
𝐴 𝑒 où 𝐴 gain en courant de l’amplificateur
• Certains amplificateurs amplifient à la fois la tension et
le courant: ce sont des amplificateurs de puissance
• Les transistors convient très bien à la réalisation de
montages amplificateurs varies compte tenu de leurs
propriétés
2/16/2021 ENI L1
Résistances d’entrée et de sortie
• On réalise un amplificateur en connectant une • Si on court-circuite le générateur place
source de tension à amplifier sur son entrée, et
d’une manière générale, en reliant une charge à
sa sortie destinée à utiliser le signal ainsi
amplifié.
• Vu de sa sortie, l’amplificateur est équivalent à
un dipôle de Thévenin composé d’un générateur
de tension parfait placé en série avec une
résistance de sortie (ou d’une impédance de
sortie ). Le générateur de tension parfait
correspond à la tension à vide que l’on note
2/16/2021 ENI L1
à l’entrée du circuit, on a:
• Lorsque l’amplificateur, vu de ses
bornes de sortie, est equivalent à un
dipôle contenant en série un
générateur de courant, l’impédance
de sortie est considérée comme
infinite.
• De même, vu de ses bornes d’entrée,
. il est equivalent à une résistance
d’entrée (ou à une impedance
d’entrée ) telle que
Limites de fonctionnement
• Tout amplificateur est également caractérisé par son excursion de sortie qui correspond
aux valeurs limites que peut prendre la valeur de sa tension de sortie:
• Dans un amplificateur de tension, cette excursion limite aussi l’amplitude admissible du
signal d’entrée:
• En tentant d’amplifier un signal d’entrée d’amplitude trop élevée, le signal de sortie
risqué de saturer à

2/16/2021 ENI L1
Condensateurs de découplage
• En cours d’élaboration….

2/16/2021 ENI L1