REPUBLIQUE TUNISIENNE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE

LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE DE MONASTIR
FACULTE DES SCIENCES DE MONASTIR

Ecole Doctorale : Matériaux, Dispositifs et Microsystèmes

Thèse

Présenté pour l‟obtention du diplôme de :

DOCTORAT
« Matériaux, Nanostructures, Dispositifs et Systèmes Microélectroniques »

Spécialité :
PHYSIQUE
Par :

BENNOUR Mouna

Sujet :

Etude des propriétés optiques et modélisation des structures

à Boites Quantiques InAs/GaAs (11N), N= 3,4,5

Soutenue Le 10 Septembre 2016 devant la commission d‟examen composée de :

Pr. BOUAZIZI Abdelaziz Président

Pr. M’GHAITH Ridha Examinateur
Pr. SAFTA Nabil Rapporteur
Pr. ELHOUICHET Habib Rapporteur
Pr. BOUZAÏENE Lotfi Encadreur

Ce travail a été réalisé au Laboratoire de Micro-Optoélectronique et Nanostructures (LMON)

 Dédicaces

A mes très chers parents

A mes beaux Parents

A mon Marie

A mes fils Ahmed et Ibrahim

A toute ma famille
 Remerciements

Les travaux présentés dans cette thèse ont été effectués au sein du Laboratoire de
Micro-Optoélectronique et Nanostructures (LMON). Je tiens à exprimer ma profonde
gratitude et mes sincères remerciements à Monsieur Hassen Maaref, Professeur à la
Faculté des sciences de Monastir et l’ancien directeur du LMON, pour sa confiance et
l’autonomie qu’il m’a accordé en m’accueillant dans son laboratoire.

Je remercie vivement Monsieur Ridha M’ghaith, Professeur à la Faculté des sciences de

Monastir et directeur du LMON pour l’intérêt porté { ce travail et pour son soutien sur
le plan scientifique et moral. Je lui exprime ma plus profonde gratitude.

Je tiens à exprimer mes plus vifs remerciements à mon directeur de thèse, Mr. Lotfi
Bouzaïène, Professeur à la Faculté des sciences de Monastir. Au cours de ces années de
thèse, sa grande disponibilité, sa rigueur scientifique, son enthousiasme et ses précieux
conseils m’ont permis de travailler dans les meilleures conditions. La confiance qu’il m’a
accordée ainsi que ses discussions m’ont permis de commencer, de progresser et d'aller
au bout de cette thèse. Soyez assuré, Monsieur, de toute mon estime et de mon profond
respect.

Merci aussi à Monsieur Faouzi SAIDI, Maître de conférences { l’ISSAT pour

m’avoir co-encadré dans la partie de la caractérisation optique. Je le remercie d’avoir
expliqué le déroulement de la technique de photoluminescence avec beaucoup de
patience. Son dynamisme et sa grande disponibilité pour les études de spectroscopie
optique m’ont été d’une aide majeure pour comprendre les propriétés optiques des
échantillons.

Mes remerciements s’adressent également aux personnes qui ont accepté de faire
partie du jury de ma thèse et d’avoir accepter d’évaluer mes travaux: Mr. Abdelaziz
Bouazizi, Professeur à la Faculté des sciences de Monastir, qui a bien voulu présider
mon jury, Mr. Safta Nabil, Professeur à la Faculté des sciences de Monastir, et Mr.
Elhouichet Habib, Professeur à la Faculté des sciences de Tunis, qui m’ont fait
l’honneur d’être les rapporteurs et de donner leur appréciation sur ce manuscrit et pour
le temps qu’ils m’ont accordé.

J’adresse toute ma gratitude { Mr Larbi Sfaxi, Professeur à l’Ecole supérieure des

Sciences et Technologie de Hammam Sousse (ESSTHS), pour me faire bénéficier de son
expérience et de sa compétence. Ses nombreuses et enrichissantes discussions et ses
conseils précieux m’ont guidés au cours de mes études de recherches. Veuillez trouver
ici l’expression de mes remerciements les plus sincères ainsi que la marque de mon
profond respect.

Je n’oublierai pas de remercier Mme Zouhour Zaaboub maîtres-assistants { l’ESSTHS

pour son aide amicale et pour les fructueuses discussions que j’ai eues avec elle.

Merci aussi à tous mes amis (e) et mes collègues du laboratoire (LMON), de la
FSM et de l’ESSTHS. Je leur exprime ma profonde sympathie.

Je ne pourrais pas finir sans inclure dans ces remerciements les personnes les
plus chères qui ont supporté mon indisponibilité et pour leur soutien et leur amour
inconditionnel qu’ils m’ont toujours témoigné au long de ma vie: mes parents, mon mari,
mes fils, mes beaux parents, mon frère, ma sœur, mes amies et tous mes proches.
 Sommaire
Introduction générale ............................................................................................................... 9

Chapitre 1 : Généralités sur les nanostructures élaborées sur les substrats GaAs à hauts
indices ...................................................................................................................................... 13

I. Confinement quantique dans les hétérostructures semi-conductrices ........................... 13

I. 1. Semiconducteur massif (3D) ..................................................................................... 13

I. 2. Puits quantique (2D) .................................................................................................. 14

I. 3. Fil quantique (1D) ..................................................................................................... 14

I. 4. Boîte quantique (0D) ou îlot quantique ..................................................................... 14

II. Les nanostructures élaborées sur les substrats GaAs à hauts indices ........................ 15

II. 1. Les substrats à hauts indices..................................................................................... 15

II. 2. Les couches contraintes (Puits Quantiques) élaborées sur substrats GaAs à hauts
indices ............................................................................................................................... 16

II. 3. Les fils quantiques élaborés sur les substrats à hauts indices .................................. 18

II. 4. Les boîtes quantiques élaborées sur les substrats à hauts indices ............................ 18

II.5. Applications des BQs ................................................................................................ 21

III. Elaboration des boîtes quantiques ............................................................................. 24

III. 1. La lithographie électronique ................................................................................... 24

III. 2. Mode de croissance de Stranski-Krastanov « S.K » ............................................... 24

III. 3. Mode de croissance de gouttelettes (Droplet Epitaxy « D.E ») .............................. 25

IV. États électroniques et niveaux d‟énergies .................................................................. 26

IV.1. Etats électroniques discrets ...................................................................................... 26

IV.2. Élargissement inhomogène des pics ........................................................................ 27

IV.3. Les états excités ....................................................................................................... 28

V. Modélisation des hétérostructures semi-conductrices ............................................... 29

V. 1. Méthode du pseudo-potentiel ................................................................................... 30

V. 2. Méthode des liaisons fortes ...................................................................................... 30

 V. 3. Méthode k.p ............................................................................................................. 30

Chapitre 2 : Techniques expérimentales .......................................................................... 33

I. L‟épitaxie par jets moléculaires ........................................................................................ 33

I.1. Mécanisme physique de base...................................................................................... 33

I.2. Dispositif expérimental............................................................................................... 34

I.3.Mesure en temps réel (RHEED) .................................................................................. 36

I.4. Mode opératoire .......................................................................................................... 37

II. Technique de Spectroscopie de photoluminescence stationnaire .................................... 37

II.1. Principe de photoluminescence associée aux boîtes quantiques ............................... 37

II.2. Effet de la puissance d‟excitation sur les spectres de photoluminescence. .............. 38

II.3. Effet de la température sur les spectres de photoluminescence. ............................... 39

III. Technique de spectroscopie de photoluminescence polarisée : ...................................... 41

Chapitre 3 : Procédures Numériques ............................................................................... 48

I. Les Boîtes quantiques parallélépipédiques ................................................................... 48

I.1. Méthode de calcul : différences finies ........................................................................ 48

I.2. Résultats de la modélisation ...................................................................................... 51

II. Boîtes quantiques en forme de lentille ...................................................................... 54

II.1. Méthode de calcul : éléments finis ............................................................................ 54

II.2. Procédures de la modélisation pour les BQs ............................................................. 55

Chapitre 4 : Etude théorique des structures à BQs InAs/GaAs(11N) et

InGaAs/InAs/InGaAs (DWELL) .......................................................................................... 70

I. Les structures à BQs InAs/GaAs(11N) ......................................................................... 70

I.1. Effet de l‟orientation du substrat sur la distribution de la contrainte ......................... 70

I.2. Effet de la couche de mouillage sur la transition d‟énergie dans les structures de BQs
InAs/GaAs(11N) ............................................................................................................... 72

I.3. Effet de la couche de mouillage sur l‟interaction coulombienne ............................... 76

II. Les structures à BQs dans un puits InGaAs/InAs/InGaAs ........................................ 77

II.1. Effet de la composition d‟Indium et de l‟épaisseur d‟InGaAs sur la contrainte

hydrostatique. .................................................................................................................... 77
 II.2. Effet de la composition d‟Indium et de l‟épaisseur d‟InGaAs sur le champ
piézoélectrique. ................................................................................................................. 79

II.3. Effet de la composition d‟Indium et de l‟épaisseur de la couche d‟InGaAs sur la

transition d‟énergie. .......................................................................................................... 81

Chapitre 5: Effets des conditions de croissance sur la formation des BQs

InAs/GaAs(115)A ................................................................................................................... 85

I. Présentation des structures étudiées .............................................................................. 85

II. Étude in situ au cours de la formation des BQs ......................................................... 85

II.1. Effet du rapport flux As/In ........................................................................................ 85

II.2. Effet de la température de croissance ........................................................................ 89

III. Étude par spectroscopie optique : effet de la quantité de matière déposée ............... 90

III.1. Étude à basse température ........................................................................................ 90

III.2. Etude en fonction de la température ........................................................................ 92

Chapitre 6 : Caractérisation optique et simulation numérique des transitions d’énergie

dans des structures à BQs et à DWELLs ............................................................................. 95

I. Les BQs InAs/GaAs(11N)A (N=3,4,5) ......................................................................... 95

I.1. Présentation des structures .......................................................................................... 95

I.2. Caractérisation structurale in situ ............................................................................... 96

I.3. Caractérisation optique des échantillons (Identification des pics) ............................. 96

II. Comparaison entre les structures à BQs InAs/GaAs et les structures à BQs InAs dans
un Puits d‟InGaAs (DWELL) élaborées sur le substrat GaAs(115)A ................................ 104

II.1. Présentation des structures ...................................................................................... 104

II.2. Comparaison des spectres de PL à basse température ............................................ 104

II.3. Evolution des spectres de PL en fonction de la température ................................... 107

Conclusion générale ............................................................................................................. 115

Bibliographie......................................................................................................................... 119
Introduction Générale

8
Introduction générale

Introduction générale

Depuis plusieurs dizaines d‟années, les hétérostructures semi-conductrices à

confinement quantique ont fait l‟objet de nombreuses recherches, tant au niveau fondamental
qu‟appliqué. Ces travaux sont motivés par un insatiable besoin d‟approfondir la
compréhension des propriétés de la matière telles que prédites par la mécanique quantique,
mais également par l‟application concrète de ces propriétés pour l‟amélioration et le
développement de nouvelles technologies, comme par exemple la cryptographie quantique et
les lasers émettant à des longueurs d‟ondes appropriées [1-8].

La réduction de la dimensionnalité des structures permet non seulement d‟augmenter les

performances des systèmes via l‟augmentation du nombre de composants actifs, mais
également de tirer profit des effets quantiques de la matière. Parmi les divers systèmes à
confinement quantique, les boîtes quantiques (BQs) suscitent, à travers le monde, l‟intérêt de
plusieurs groupes de recherches dans divers domaines de la physique. L‟attirance marquée
pour ces structures provient essentiellement de leur dimensionnalité réduite, selon les trois
dimensions de l‟espace, qui engendre une discrétisation de la densité d‟états et des niveaux
d‟énergie des électrons et des trous.

Ainsi, il s‟est avéré que les performances des lasers à BQs pouvaient surpasser celles des
dispositifs à puits quantiques (PQs) grâce à un gain élevé, une densité de courant de seuil
moins importante et une faible dépendance en température de ces deux paramètres [1]. Dans
ce contexte, les boîtes quantiques auto-assemblées InAs/GaAs sont bien placées comme
sources d‟émission pour les télécommunications optiques.

L‟étude et l‟exploration pratique de cette famille de boîtes quantiques sont de plus en plus
faciles d‟accès grâce aux progrès spectaculaires réalisés ces dernières années en matière de
croissance. Néanmoins, la majorité des études antérieures ont été focalisées sur le système
InAs/GaAs(001) alors que la croissance des boîtes quantiques d‟InAs sur des substrats GaAs à
hauts indices de Miller souffre de ne pas être suffisamment maitrisée.

C‟est dans ce contexte que s‟inscrit cette thèse qui s‟articule autour d‟une étude systématique
des boîtes quantiques InAs élaborées sur des substrats GaAs à hauts indices de Miller en vue
de mettre en œuvre des composants pour l‟optoélectronique. Trois grands volets ont

9
Introduction générale

caractérisé ce travail: la croissance, la caractérisation optique des BQs et la modélisation. Plus

précisément, Il a été question d‟élaborer ces BQs par épitaxie par jets moléculaires (EJM) et
d‟étudier ensuite leurs propriétés optiques grâce à la spectroscopie par photoluminescence.
Nous nous sommes également préoccupés de la modélisation des BQs InAs dans une matrice
de GaAs et des BQs InAs dans un puits d‟InGaAs (DWELL). Ceci a pour but d‟étudier
théoriquement l‟effet de paramètres physiques qui agissent sur la longueur d‟onde d‟émission
de ces BQs.
Ainsi, cette thèse apporte une contribution scientifique significative vers l‟optimisation des
BQs InAs/GaAs (11N) pour les prochaines générations de dispositifs optoélectroniques.

Le manuscrit de thèse est organisé de la manière suivante :

Le chapitre 1 est consacré, dans un premier temps, aux rappels généraux sur le confinement
quantique dans les hétérostructures semi-conductrices ainsi que sur les propriétés particulières
de ces dernières lorsqu‟elles sont élaborées sur les substrats à hauts indices. Nous décrivons,
dans un second temps, quelques techniques de fabrication des BQs. Nous présentons
également certaines méthodes de modélisation des propriétés électroniques des nanostructures
tout en justifiant notre choix.

Le chapitre 2 est dédié à une présentation de la technique d‟épitaxie par jets moléculaires
suivie d‟une description des dispositifs de spectroscopie de photoluminescence stationnaire et
polarisée que nous avons utilisés pour réaliser la caractérisation optique des structures
élaborées.

Au chapitre 3, nous nous intéressons au calcul numérique des états électroniques et des
fonctions d‟ondes dans les BQs InAs/GaAs(11N) et dans les structures à boîte quantique dans
un puits quantique d‟InGaAs (DWELL). Dans ce cadre, deux modèles numériques sont
développés : la modélisation d‟une BQ de forme parallélépipédique par la méthode des
différences finies, et la modélisation d‟une BQ ayant la forme de lentille avec sa couche de
mouillage par la méthode des éléments finis.

Dans le chapitre 4, nous présentons les résultats de la modélisation numérique concernant

l‟influence de différents paramètres (l‟orientation du substrat, l‟épaisseur de la couche de
mouillage, la taille de la boîte quantique, la composition d‟Indium et l‟épaisseur du puits
InGaAs) et ce dans les structures des BQs InAs ainsi que dans celles des BQs InAs dans un
puits d‟InGaAs.

10
Introduction générale

Le chapitre 5 est destiné à l‟étude du processus de formation des BQs InAs/GaAs(115)A.

En premier lieu, nous mettons en relief l‟évolution de la morphologie de la surface lors de la
croissance des BQs. Ainsi, nous nous intéressons à l‟effet de la température de croissance
et à celui du rapport flux As/In sur la qualité de la couche de mouillage ainsi que sur la
quantité de matière d‟InAs nécessaire à la formation des BQs. Cette caractérisation structurale
a été effectuée en temps réel par la technique de diffraction des électrons rapides
(RHEED).En second lieu, nous montrons comment on effectue un choix judicieux de la
température de croissance et du rapport flux As/In. En dernier lieu, nous étudions l‟effet de la
quantité de matière d‟InAs déposée sur la qualité optique des BQs. Cette caractérisation a été
assurée par la spectroscopie de photoluminescence stationnaire en fonction de la température.

Le chapitre 6 est consacré à des études approfondies portant sur les propriétés optiques des
structures à BQs InAs et des structures DWELL InAs/InGaAs élaborées sur différentes
orientations GaAs(113)A, GaAs(114)A et GaAs(115)A. Ces études s‟articulent
principalement autour de la caractérisation optique par photoluminescence en s‟appuyant sur
certains résultats issus de la modélisation.

Le manuscrit se termine par une conclusion générale qui reprend les principaux résultats de
cette thèse et donne des réponses aux problématiques posées tout en donnant des perspectives
de recherches qui s‟inscrivent dans la continuité de ce travail.

11
 Chapitre 1

Généralités sur les nanostructures élaborées

sur les substrats GaAs à hauts indices
 Chapitre 1

Chapitre 1 : Généralités sur les nanostructures élaborées sur les

substrats GaAs à hauts indices

Dans ce chapitre, nous introduisons les concepts de base du confinement quantique dans
les semi-conducteurs, les propriétés optiques des boîtes quantiques InAs élaborées sur les
substrats GaAs à hauts indices ainsi que les enjeux liés à l’ajustement de leurs longueurs
d’onde d’émissions.

I. Confinement quantique dans les hétérostructures semi-conductrices

Le confinement quantique dans les hétérostructures semi-conductrices consiste à piéger les

électrons et les trous par des barrières de potentiel dans une ou plusieurs dimensions de
l‟espace (Figure I.1). Lorsque la mobilité des paires électron-trou est restreinte dans une seule
direction, on réalise un puits quantique. Un confinement selon deux dimensions de l‟espace
produit un fil quantique. Enfin, si la paire électron-trou est restreinte dans une inclusion
tridimensionnelle, on parle alors de boîte quantique.
Densité d‟états

Densité d‟états
Densité d‟états
Densité d‟états

E E E E

3D 2D 1D 0D
(a) (b) (c) (d)

Fig.I.1 : Evolution de la densité d’états électroniques avec le degré de confinement : 3D (matériau

massif), 2D (puits quantique), 1D (fils quantiques) et 0D (boîtes quantiques)

I. 1. Semiconducteur massif (3D)

Dans un semiconducteur massif, les porteurs sont libres de se déplacer dans les trois
directions de l‟espace. La densité d‟états autour du gap possède une forme parabolique (fig
I.1.a) et elle s'exprime comme étant:

𝜌3𝐷 (𝐸) ∝ 𝐸 (I-1)

13
Chapitre 1

Par contre, dans le cas des hétérostructures, les porteurs vont subir dans une ou plusieurs
directions de l‟espace, des variations de potentiel sur une échelle nanométrique inférieure ou
de l‟ordre de la longueur d‟onde de Broglie définie par :
2 
 (E)  (I-2)
2m  E  E g 
*
e

où me* est la masse effective de l‟électron et (E - Eg) est l‟énergie en excès par rapport au gap
de l‟électron.

I. 2. Puits quantique (2D)

Le puits quantique (PQ) est le modèle le plus simple pour décrire le confinement dans une
seule direction. Ceci résulte de la croissance d‟une fine couche de semi-conducteur dans un
autre matériau semi-conducteur à gap plus large. Les porteurs sont confinés dans la zone à
plus petit gap, la quantification reste cependant unidirectionnelle et les porteurs sont libres de
se déplacer dans le plan des couches. La densité d‟états dans un système 2D est représentée
sur la figure (I.1.b). Elle s‟exprime de la manière suivante :
𝜌2𝐷 (𝐸) ∝ 𝑛𝑧 Θ(𝐸 − 𝐸𝑛𝑧 ) (I-3)
où Θ est la fonction de Heaviside.

I. 3. Fil quantique (1D)

Les fils quantiques permettent un confinement des porteurs suivant deux directions de
l‟espace (y et z par exemple). Ces structures présentent toujours des continuums d‟états,
puisque l‟énergie n‟est pas discrétisée suivant la direction du fil : il subsiste un continuum
unidimensionnel, ce qui leur confère une densité d‟états de la forme (I-4) :

1
1D  E   
ny , nz E  Eny  Enz
(I-4)

I. 4. Boîte quantique (0D) ou îlot quantique

Les boîtes quantiques permettent de confiner les porteurs dans les trois directions de
l‟espace (Fig.I.1.d). L‟énergie des porteurs est discrétisée dans ces trois directions et le spectre
énergétique est donc totalement discret comme celui d‟un atome. C‟est cette propriété des
boîtes qui fait leur intérêt principal pour la réalisation de nombreuses applications. D‟ailleurs,
les boîtes quantiques sont souvent décrites comme des « atomes artificiels ». La densité

14
 Chapitre 1

d‟états d‟un tel système est une distribution de Dirac relativement à l‟énergie de chaque
niveau discret.
𝜌0𝐷 𝐸 ∝ 𝑛𝑥 ,𝑛𝑦 ,𝑛𝑧 𝛿(𝐸 − 𝐸𝑛𝑥 − 𝐸𝑛𝑦 − 𝐸𝑛𝑧 ) (I-5)

II. Les nanostructures élaborées sur les substrats GaAs à hauts indices
Les semi-conducteurs III-V présentent plusieurs avantages par rapport aux alliages IV-IV
(par exemple le Silicium et le Germanium) concernant l‟intégration aux diodes laser : ils
possèdent une bande interdite directe et une mobilité électronique plus élevée. La plupart des
études effectuées sur les boîtes quantiques de semi-conducteurs III-V portent sur le système
InAs/GaAs (001). Au cours de ce travail, nous nous sommes intéressés à des boîtes
quantiques InAs élaborées sur le substrat GaAs suivant des orientations non conventionnelles,
dans lesquelles les effets de la contrainte et du champ piézoélectrique pourraient influencer la
densité, la taille et la forme des BQs quantiques et par conséquent l‟émission d‟énergie des
ces BQs. Dans ce contexte, nous présenterons, dans la suite, les propriétés structurales des
substrats GaAs (11N) ainsi que celles des nanostructures élaborées sur ces substrats à hauts
indices.

II. 1. Les substrats à hauts indices

Par les surfaces de type (11N) ou également (N11) avec N=1, 2, 3,… on entend les
surfaces à hauts indices. Nous avons représenté dans la figure I.2 l‟arrangement atomique de
quelques surfaces idéales de GaAs. Si on coupe le cristal ayant la structure blende de zinc
normalement à une direction [11N], on obtient soit une surface terminée par des atomes Ga
soit par des atomes d‟As, ce qui fait que les deux directions [11N] et  1 1N  ne sont pas
équivalentes.

[011] [100]

[011]

Fig. I.2 : Arrangement atomique des surfaces idéales (100),(711),(511),(411),(311) et (111), projeté

sur le plan (0 11) pour une structure de GaAs [4]

15
Chapitre 1

Afin d‟alléger les notations tout en suivant les conventions internationales, les substrats de
GaAs orientés (11N) seront nommés (11N)A et ceux orientés ( 1 1N) seront nommés (11N)B.
La figure I.3 montre par exemple la différence cristalline entre les deux surfaces GaAs (115)A
et GaAs(115)B.

Fig.I.3: Projection suivant la direction (0 11) pour les surfaces (115)A et (115)B, «les lignes
interrompues indiquent les marches surfaciques »[5]

II. 2. Les couches contraintes (Puits Quantiques) élaborées sur substrats GaAs à
hauts indices
Lors de la croissance de deux couches semi-conductrices de paramètres de maille
différentes, il se produit une contrainte suivant l‟axe de croissance. Cette contrainte va alors
modifier la structure de bande et engendrer la création d‟un potentiel de confinement. Dans le
cas des substrats à hauts indices, un champ piézoélectrique est également crée sous l‟effet de
la contrainte, ce qui peut modifier davantage la structure de bandes. En effet, dans le cas de
cette famille de substrats, et lorsqu‟il y a déformation du cristal, les centres d‟inerties des ions
positifs et des ions négatifs changent de position, comme le montre la figure I.4, de sorte que
la sommation vectorielle des polarisations n‟est plus nulle. En revanche, dans le cas du
substrat GaAs(001), le centre de gravité des charges négatives est confondu avec celui des
charges positives et la polarisation globale est nulle.

16
Chapitre 1

(001)
Sous l’effet de contrainte
P1
P‟1
σ001

P‟2
P2

P1 (115)
σ115 P‟1

P‟2

P2

Fig.I.4 Modèle simplifié de la piézoélectricité.

D‟un point de vue mathématique, l‟écriture de la polarisation piézoélectrique est

représentée sous forme tensorielle dans l‟équation (I-6) [6].

Pi =2eijk ε jk
(I-6)

Où eijk est le tenseur des coefficients piézoélectriques et εjk le tenseur de déformation.

Les propriétés de symétrie du cristal jouent un rôle important dans la détermination des
18 composantes de la représentation matricielle du tenseur eijk. Dans le cas où le cristal est
cubique, les éléments de symétrie font qu'il ne reste que 3 constantes piézoélectriques non
nulles (e14=e25=e36). Avec ces simplifications, on peut écrire l‟équation (I-6) sous la forme
matricielle suivante :

 11 

  22 
 P1   0 0 0 e14 0 0
     
 P2    0 0 0 0 e14 0   33 
2 (I-7)
 P  0 0 0 0
 3  0 e14   12 
 2 23 
 
 2 13 

17
Chapitre 1

II. 3. Les fils quantiques élaborés sur les substrats à hauts indices
Les nanostructures semi-conductrices à une seule dimension (1D) sont des systèmes
anisotropes qui permettent aux porteurs de charge (électrons et trous) de se déplacer le long
d'une direction en les confinant dans les deux autres directions. Ces nanostructures ont une
grande importance dans de nombreuses applications électroniques et optoélectroniques en
raison de leur anisotropie unique [7]. Pour une meilleure absorption de la lumière moyennant
des fils quantiques, ces derniers doivent être bien ordonnés horizontalement et verticalement
(dans le cas des multiplans). Dans le cas des fils quantiques InGaAs élaborés sur le substrat
conventionnel GaAs (100), la formation auto-assemblée des fils commence après la
déposition de plusieurs couches d‟InGaAs [8]. Cependant, il a été constaté que l'anisotropie
des substrats à hauts indices est très favorable à la formation de fils quantiques. Cela est dû à
la désorientation du substrat et aux différentes terrasses qui existent sur ces types de surface
[9]. Des fils quantiques de bonne qualité ont été élaborés sur des substrats GaAs à hauts
indices [9-11]. La figure I.5 montre des fils quantiques In0.4Ga0.6As/GaAs(113)A de hautes
résolutions et d‟excellentes propriétés optiques [11]. Polarisation

Pourcentage de polarisation

Energie

(eV)

Energie
(eV)
Fig. I.5 : (a)Image AFM et (b) spectre de photoluminescence
des fils In0.4Ga0.6As élaborés sur le substrat GaAs (113)A[11]

II. 4. Les boîtes quantiques élaborées sur les substrats à hauts indices
Afin d‟améliorer les caractéristiques morphologiques et optiques des boîtes
quantiques, les substrats à hauts indices ont été déployés durant ces dernières années. Ceci est
d‟autant plus important qu‟il soit possible d‟exploiter des propriétés piézoélectriques dans les

18
Chapitre 1

structures InAs/GaAs. En effet dans le cas des structures à BQs, le champ piézoélectrique
règne dans toutes les directions qui limitent la boîte, contrairement au cas du puits quantique
où ce champ règne dans un plan bidimensionnel.
Récemment, plusieurs chercheurs ont montré que les BQs élaborées sur ces substrats
possèdent des propriétés uniques [12-18]. Jacobi [15], entre autres, a montré que l‟orientation
du substrat est responsable de l‟apparition de facettes spécifiques sur les îlots. De plus, il a été
prouvé que les substrats (11N)B ont une bonne capacité à réaliser de grandes densités de
boîtes avec des ordres latéraux [13,16] et verticaux [17] bien spécifiques. Ceci permet
d‟améliorer les performances des dispositifs optoélectroniques. La figure I.6 montre la bonne
qualité optique et morphologique des BQs élaborées sur le substrat GaAs(115)B.
Intensité PL normalisée

Energie (eV)
Fig.I.6 :(gauche) Spectres PL mesurés à 10K avec une intensité excitatrice 0.03W/cm2, (droite)
Images AFM (1μm x 1μm) pour différentes orientations [16]

D‟autre part, dans le cadre du travail de mastère [19], nous avons montré, à partir de l‟étude
de la quantité de matière d‟InAs en fonction de temps (technique RHEED), que l'épaisseur de
la couche de mouillage (CM) dépend fortement de l'orientation du substrat (Fig.I.7). Pour le

19
Chapitre 1

substrat GaAs (001), nous avons obtenu une épaisseur de la CM de l‟ordre de 1.68MC, alors
que, pour le substrat GaAs (115)A, la transition 2D-3D se fait à partir de 2.09MC. Ces
résultats montrent que la contrainte subit un retard de relaxation lorsque la croissance d‟InAs
est sur les substrats GaAs de type (11N), ce qui est en accord avec les travaux de Sanguinetti
[20,21]. L‟augmentation de l‟épaisseur de la CM lorsque l‟angle de désorientation augmente
(diminution de N) est la conséquence directe de la diminution de la contrainte bi-axiale [20].
En effet, les surfaces (11N) sont considérées comme des surfaces vicinales [22] qui présentent
des marches surfaciques. Ces dernières englobent des sites favorables pour la nucléation des
adatomes et auquel cas l‟énergie de relaxation est plus faible que celle des surfaces GaAs
(001).

GaAs(115)A
GaAs(001)
Intensité RHEED (u,a)

2.09MC
1.68MC

20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140

temps de croissance InAs (s)

Fig. I.7: Evolution de l’intensité d’une tâche de Bragg lors de la croissance d’InAs sur GaAs (001)
(bleu) et GaAs(115) A (rose)

Cependant, le mécanisme de croissance des BQs sur ces types de surfaces fait encore
l‟objet de controverse. C‟est dans ce contexte que s‟inscrit une partie de ce travail de thèse qui
consiste, d‟une part, à contribuer à l‟optimisation des conditions de croissance et d‟autre part
à étudier les différents mécanismes et les phénomènes physiques associés aux comportements
des porteurs dans des boîtes quantiques élaborées sur les substrats GaAs(115) A, GaAs(113)A
et GaAs(114)A.

20
Chapitre 1

II.5. Applications des BQs

 Les diodes Laser

Bien qu‟idéalisées, les expressions de la densité d‟états présentées dans la première partie de
ce chapitre ont permis à Y. Arakawa et al[1], en 1982, de démontrer que l‟effet de
confinement quantique à l‟intérieur de la couche active des diodes laser a pour conséquence
de réduire considérablement la dépendance de la densité de courant de seuil à l‟émission laser
vis-à-vis de la température. Ceci s‟applique non seulement au niveau du courant de seuil, mais
aussi à la longueur d‟onde d‟émission des diodes laser. Les variations des propriétés
d‟émission des diodes laser en fonction de la température sont attribuables à l‟étalement de la
distribution énergétique des porteurs avec la chaleur. En effet, en injectant des porteurs dans
la zone active, ces derniers se distribuent parmi les états disponibles selon la statistique de
Fermi-Dirac. Plus la densité d‟état est discrète (figure I.1.d), moins la distribution énergétique
des porteurs induite par les variations thermiques influe sur les propriétés des diodes laser.

Une autre conséquence du confinement quantique dans cette famille de diodes est la
diminution du courant de seuil pour l‟émission laser. Ceci est attribuable à la probabilité de
recombinaison des porteurs qui augmente au sein de la structure quantique. En outre, à cause
de la discrétisation de la densité d‟états (figure I.1.d), l‟inversion de population nécessaire à
l‟émission laser est assurée avec moins d‟états remplis. Enfin, le confinement quantique dans
deux ou trois directions introduit des effets importants sur les forces d‟oscillateur des
transitions et sur les énergies de liaison des excitons [4].

Figure I.8 : Illustration des progrès réalisés dans la diminution de la densité de courant seuil en
fonction du type d’hétérostructures présent dans les dispositifs[23].

21
Chapitre 1

 Les cellules photovoltaïques

Les cellules photovoltaïques à multiple absorption ou multi-jonction sont couramment

utilisées pour améliorer l'efficacité d‟absorption grâce à leur longue gamme de sensibilité
spectrale. Les cellules photovoltaïques à multi-jonction détiennent la promesse
d'augmenter l'efficacité de conversion de sorte qu‟elle soit supérieure à la limite de
Shockley et à celle atteinte par Queisser [2].

L‟insertion des boîtes quantiques dans les hétérojonctions pour les cellules PV peut
donner des inter-bandes (IB). Les IB peuvent également être formés dans le cas des BQs à
partir des états confinés situés dans la bande interdite. Ainsi, les BQs doivent être à la fois
étroitement espacées et sans défauts d‟interfaces, ce qui permettrait le chevauchement
important des fonctions d'ondes et la formation de mini bandes. En effet, pour parvenir à
une forte absorption de spectre solaire, une grande concentration de boîtes quantiques est
nécessaire tout en ayant un accord des paramètres comme par exemple la géométrie de ces
boîtes (taille et forme) et la séparation entre elles.
Les BQs InGaAs auto-assemblées qui sont intégrées dans une matrice de GaAs ont été
utilisées comme un IB (voir, par exemple, [25]). Cependant, d'autres travaux incluent les
boîtes quantiques InAs dans une matrice de GaAs /AlGaAs [26], ou encore des boîtes
quantiques GaSb dans GaAs [27]. Certaines de ces cellules PV ont donné de bonnes
caractéristiques de fonctionnement en réalisant des économies de plus de 18%.
D‟autre part, les BQs auto-assemblées qui induisent un champ piézoélectrique sont bien
placées pour l'amélioration de l'efficacité de l'extraction de la charge dans les cellules
photovoltaïque [28,29]. En effet, le champ piézoélectrique généré dans les interfaces des
BQs InAs élaborées sur les substrats GaAs(11N) conduira à un changement considérable
de la distribution de porteurs de charges libres à la fois dans le matériau piézo-électrique
et dans son semi-conducteur adjacent ou dans les plaques métalliques. Par conséquent, il y
aura une déformation de la structure de bandes correspondante suite à la redistribution des
charges. Cette déformation du profil peut jouer un rôle très important dans l‟extraction des
porteurs vers les électrodes (à travers le continuum) (figure. I.9). La combinaison de
champ piézoélectrique et la redistribution de porteurs de charges pourraient effectivement
moduler les performances des cellules photovoltaïques à base de BQs [30].

22
Chapitre 1

Fig.I.9: Profil de potentiel déformé par le champ piézoélectrique [31]

 La cryptographie quantique

Récemment, il a été montré que les boîtes quantiques peuvent également être très
prometteuses comme sources de photons uniques pour la cryptographie quantique [32-34].

Les sources à photon unique fondées sur les propriétés d'émission d'un seul dipôle isolé sont
très sollicitées en cryptographie quantique. Une communication sûre serait, en effet, obtenue
grâce à l'utilisation d'une telle source optique émettant un train d'impulsions ne contenant
qu'un et un seul photon.
Un espion ne pourrait alors détecter l'information sans être repéré puisqu'une mesure sur un
système quantique unique modifie obligatoirement son état. Les sources à photon unique
seraient ainsi une avancée considérable par rapport aux sources classiques atténuées dont
l'émission est constituée statistiquement de zéro, un ou deux photons. Quant à la manipulation
de bits quantiques, l'idée est de créer des ordinateurs basés non plus sur la manipulation de
"bits" classiques (0 ou 1) mais sur des états quantiques en superposition. Ces bits quantiques
ont, comme les bits classiques, deux états accessibles mais ils peuvent de plus exister dans
n'importe quelle superposition de ces deux états. Cette superposition pourrait ensuite être
exploitée pour réduire considérablement le temps de calcul nécessaire à la résolution de
certains problèmes en utilisant des algorithmes spécifiques. Dans les BQs, deux possibilités
sont ouvertes pour constituer les "bits" quantiques élémentaires: on pourrait soit manipuler le
spin d'un électron [32] résidant dans la boîte soit manipuler une paire électron-trou photo-
créée dans la BQ. Les BQs élaborées sur les substrats à hautes indices sont de bonnes
candidates pour la création des photons uniques et intriqués [36,37].

23
 Chapitre 1

III. Elaboration des boîtes quantiques

III. 1. La lithographie électronique

Il existe plusieurs méthodes pour réaliser des boîtes quantiques. D‟un point de vue
technologique, la méthode à la fois la plus flexible et directe est la structuration latérale d‟une
structure à puits quantique déjà existante. La lithographie électronique est la gravure ionique
sélective ou la gravure chimique humide. Cette gravure permet de produire des nanostructures
de dimension typique inférieure à 30nm. D‟autres procédés utilisant des rayons X ou des
faisceaux d‟ions sont proposés pour améliorer la résolution du transfert du masque qui
constitue la forme des nanostructures à fabriquer.

L‟avantage de cette méthode de fabrication des BQs est la possibilité de les reproduire avec
des dimensions prédéfinies, ce qui permet une meilleure étude systématique des effets de
confinement en fonction de la taille. D‟ailleurs, les caractérisations optiques menées sur ce
type de BQs ont bien montré le confinement 3D des porteurs de charges. Hormis les coûts de
fabrication élevés, les défauts d‟interfaces responsables de nombreuses recombinaisons non
radiatives, cette méthode présente d‟autres inconvénients. En l‟état actuel, une de meilleures
méthodes de fabrication, qui s‟affranchit en particulier de ces problèmes de défauts de surface
crées par la lithographie, est la croissance auto-organisée.

III. 2. Mode de croissance de Stranski-Krastanov « S.K »

Lors de croissance de deux matériaux à fort désaccord de mailles et pour des dépôts
inférieurs à une épaisseur critique (généralement entre 1 et 2 MC pour la structure
InAs/GaAs), le mode est bidimensionnel et auquel cas se forme une couche pseudo-
morphique, qu‟on appelle la couche de mouillage (CM). En déposant davantage de l‟InAs, la
contrainte accumulée devient très importante et l‟épaisseur critique de la couche de mouillage
est atteinte, ce qui entraine la formation locale des agrégats. Ces derniers sont dans une
situation métastable et peuvent se concrétiser en boîtes quantiques dans des conditions de
croissance appropriées. Cette étape est critique et conditionne aussi bien la densité que
la distribution en taille des BQs. Une fois les îlots formés, ils sont ensuite encapsulés. La
figure I.10 résume de façon schématique ces différentes étapes de la croissance des boîtes
InAs/GaAs.

24
Chapitre 1

Ilots quantiques (InAs)

GaAs
Couche de mouillage d’InAs

GaAs GaAs GaAs

1 2 3

Fig.I.10 : Etapes de croissance d’un plan de BQs suivant le mode de croissance « Stranski-
Krastanov »

III. 3. Mode de croissance de gouttelettes (Droplet Epitaxy « D.E »)

La croissance des hétérostructures, par la technique de gouttelettes, est une nouvelle
technique d‟épitaxie qui offre une variété des nanostructures de haute qualité [2, 12, 38, 39].
De plus, le désaccord de maille nécessaire dans le mode de S.K n‟est pas essentiel pour la
formation des BQs suivant le mode de D.E. Il s‟agit donc d‟une technique différente de celle
de S.K et dont le principe est basé sur la formation des particules métalliques en phase
liquide. A titre d‟exemple, pour la croissance d‟InAs sur le substrat GaAs, les atomes
d‟indium sont d‟abord déposés sur le substrat GaAs, ce qui conduit à la formation des
gouttelettes métalliques d‟In (nucléation basée sur le mode de croissance de Volmer Weber),
ensuite les gouttelettes d‟In sont exposées à un jet atomique d‟As. L‟interaction entre l‟indium
et l‟arsenic mène à la formation des boîtes quantiques d‟InAs. La figure I .11 montre la
description schématique de mode D.E.

Flux d’Indium Flux d’Arsenic

BQs InAs
Gouttelettes d’In

GaAs GaAs GaAs

1 2 3
Fig. I.11: Les étapes de formation des BQs par l’épitaxie de gouttelettes

25
 Chapitre 1

IV. États électroniques et niveaux d’énergies

IV.1. Etats électroniques discrets
On considère généralement que les porteurs sont confinés dans les boîtes quantiques
par un potentiel effectif parabolique [40]. De façon similaire aux véritables atomes, les
orbitales peuvent être classées en différentes couches : s, p, d, f, g…selon le nombre quantique
secondaire l. Comme pour le potentiel de l'oscillateur harmonique, on obtient une couche s
dégénérée deux fois, une couche p dégénérée quatre fois, une couche d dégénérée six fois…
La dégénérescence est g = 2 (l + 1), où 2 est dû au spin et l = 0, 1, 2…. [40]. Pour un potentiel
harmonique, la séparation énergétique des niveaux est à peu près constante, ce qui est en
accord avec les observations expérimentales [40].

Suivant le mode de croissance de Stranski-Krastanov (S-K), une structure à boîtes

quantiques InAs est constituée de trois éléments : un matériau massif qui représente le
substrat GaAs, une couche bidimensionnelle constituée du ternaire InGaAs et enfin un
confinement tridimensionnel correspondant à la boîte quantique InAs. La figure (I.12) illustre
la coexistence de ces éléments.
Les états de conduction et de valence de ce système sont donc constitués d'un continuum
d'énergie correspondant aux BC et BV du GaAs massif, ensuite pour des énergies plus faibles
se trouve la couche bidimensionnelle d'InGaAs (couche de mouillage). Enfin, pour des
énergies encore plus basses, les états de conduction et de valence se réduisent aux états
discrets des boîtes quantiques.

Fig. I.12: Structure électronique simplifiée d'une boîte quantique, de sa couche de mouillage (CM) et
du substrat.

26
Chapitre 1

Étant donné la faible hauteur (comparée au diamètre) et l‟asymétrie prononcée des boîtes
quantiques, on considère qu'il n'y a qu'un seul état d'électron et de trou lourd autorisé par le
confinement suivant z (axe de croissance). L‟état du trou léger étant rabaissé dans la bande de
valence à cause des contraintes de sorte qu‟il y a un seul état dû au confinement suivant z. Les
autres états ont donc comme origine le confinement latéral [41].

IV.2. Élargissement inhomogène des pics

Si on étudie un ensemble de boîtes quantiques, typiquement une centaine de milliers
de boîtes quantiques (macro-PL) alors, au lieu d'un spectre de raies discrètes, on observe des
pics élargis ayant la forme d‟une courbe gaussienne (figure I.13). L'élargissement
inhomogène est généralement caractérisé par la largeur à mi-hauteur de la gaussienne (LMH)
qui est typiquement située, selon la qualité des boîtes quantiques, entre 20 et 90 meV. Cette
augmentation significative de la largeur de la raie est due à des inhomogénéités au sujet de la
taille, la forme, la composition, et/ou les contraintes dans l'ensemble de boîtes quantiques. En
effet, la caractérisation structurale des boîtes quantiques en surface (non recouvertes) indique
que les dimensions des boîtes quantiques peuvent varier typiquement de  10 % sur
l'ensemble de l‟échantillon [42].

Fig. I.13: Spectres de photoluminescence de BQ InAs obtenus en excitant environ une dizaine de
boîtes quantiques (micro-PL) soit environ 107 boîtes quantiques (macro-PL) [43].

Les différents niveaux confinés des boîtes quantiques ne présentent pas

nécessairement la même largeur de raie. Certains chercheurs ont effectivement observé un
27
Chapitre 1

élargissement des raies pour les niveaux de plus haute énergie (niveaux excités) [44].
Théoriquement, la séparation entre les niveaux devrait augmenter avec l'énergie du niveau
fondamental des boîtes quantiques [45]. Autrement dit, quand la taille de la boîte quantique
diminue, l‟énergie de transition et notamment la séparation inter-niveaux augmente. Ainsi,
si on considère un ensemble de boîtes quantiques de tailles différentes, l‟écart énergétique
entre les transitions devrait être plus important pour les niveaux de haute énergie que pour
ceux de basse énergie [46].

IV.3. Les états excités

Il est possible, par spectroscopie de remplissage (photoluminescence en forte
excitation optique), d'observer tous les niveaux confinés dans les boîtes quantiques, ainsi que
la recombinaison des porteurs dans les barrières (couche de mouillage et GaAs). En effet, on
peut observer un signal distinct provenant de la couche de mouillage lorsque la densité de
boîtes quantiques est faible, c‟est-à-dire lorsque la distance entre les boîtes quantiques est
supérieure à la longueur de diffusion des porteurs.

Un seul plan de BQs FWHM=34meV

InAs/GaAs
Intensité de PL (U. a)

T=77K
n=2
Couche de mouillage

n=3

n=1
n=4
n=5

850 900 950 1000 1050 1100 1150

Longueur d’onde (nm)

Fig. I.14: Spectres de photoluminescence de boîtes quantiques InAs/GaAs pour différentes

densités d'excitation [47].

Si l'élargissement inhomogène est suffisamment faible, il est possible d'observer de

nouvelles raies inhomogènes qui apparaissent distinctement à plus haute énergie, quand la
densité d'excitation augmente (Figure 1.14). Ces raies sont associées à des états excités des
boîtes quantiques [47]. L'observation de différents niveaux confinés des boîtes quantiques

28
 Chapitre 1

présente un grand intérêt pour l'étude des propriétés électroniques et des mécanismes de
relaxation de l'énergie des porteurs dans ces systèmes.

L‟apparition des pics d‟émission de plus haute énergie lorsque la densité d‟excitation
augmente est à l‟origine du phénomène de remplissage des états de basse énergie. L'intensité
de PL est plus importante pour les niveaux de plus haute énergie que pour ceux de plus basse
énergie. L‟intensité relative des différentes raies dépend de la dégénérescence des états (2, 4,
6, 8,…pour les états à une particule s, p, d, f,…).

V. Modélisation des hétérostructures semi-conductrices

En dehors de quelques problèmes simples comme ceux des puits quantiques, la

modélisation analytique devient difficile lorsqu'il s'agit des structures tridimensionnelles ayant
des formes géométriques complexes. Souvent, les approximations sont insuffisantes pour
décrire avec précision, les structures réelles de géométrie complexe. Par conséquent, les
calculs numériques sont nécessaires pour faire face à la complexité de certaines structures.
Avec les progrès de l'informatique moderne, la modélisation numérique est devenue, à la fois,
plus pratique et rentable. La sélection de la méthode de modélisation implique un compromis
entre précision et durée de calcul.

Toutes les techniques de calcul de la structure de bandes comportent des approximations qui
ont tendance à mettre l'accent sur certains aspects des propriétés électroniques des semi-
conducteurs. Comme il a été mentionné précédemment, il existe plusieurs méthodes qui
permettent de calculer les états électroniques dans les nanostructures.

Dans cette section, nous allons présenter trois modèles empiriques [48-50], qui sont
principalement utilisés pour étudier les nanostructures semi-conductrices: la méthode du
pseudo-potentiel [51-53], le modèle des liaisons fortes [54,55], et la méthode k.p [56-58]. En
règle générale, la méthode du pseudo-potentiel et la méthode des liaisons fortes sont des
modèles atomistiques où il y a plusieurs détails atomistiques qui doivent être inclus, tandis
que la méthode k.p ignore toute fonction atomistique. Dans tous les cas, les paramètres
initiaux sont communément déterminés d‟une façon empirique à partir des expériences.
Néanmoins, ces paramètres peuvent également être déduits moyennant des calculs de premier
ordre, ou parfois une combinaison de calculs atomistiques et empiriques.

29
Chapitre 1

V. 1. Méthode du pseudo-potentiel
La méthode du pseudo-potentiel est une approche d‟un véritable potentiel entre le noyau et les
électrons de valence dans le cas où les électrons sont supposés à peu près libres et leurs
fonctions d‟onde peuvent donc être décrites par des ondes planes. Le potentiel cristallin est
représenté par une sommation linéaire de potentiels atomiques qui peuvent déterminer les
propriétés électroniques de l'hétérostructure. Dans ce cas, la structure de bandes est calculée à
grande échelle numérique grâce à des ordinateurs très puissants. Cette méthode de calcul
demeure très exigeante et la taille de la structure qui peut être modélisée est encore très faible.
Typiquement, elle est utilisée pour modéliser des structures à l'échelle de quelques
nanomètres [52,59].

V. 2. Méthode des liaisons fortes

La méthode des liaisons fortes, traitant des atomes individuels, est une méthode atomistique
comme celle du pseudo-potentiel. Le modèle des liaisons fortes a été développé dans le cadre
où on suppose que les électrons dans le solide sont fortement liés à leurs noyaux comme dans
les atomes. Ainsi, les fonctions d'onde des électrons peuvent être approchées par des
combinaisons linéaires des fonctions d'onde atomiques. Par conséquent, cette méthode est
également connue sous le nom de combinaison linéaire d'orbitales atomiques (LCAO) [49].

Théoriquement, le modèle des liaisons fortes est limité pour les matériaux isolants et pour les
bandes de valence, et auquel cas, les électrons sont supposés fortement liés. Cependant, il a
été montré que ce modèle peut aussi être privilégié pour décrire les propriétés électroniques
des bandes de conduction dans les semi-conducteurs si on élimine les interactions entre les
électrons de valence [60-63]. Cela se fait d‟une façon empirique par l‟ajustement des éléments
de la matrice d'interaction. Globalement, le modèle des liaisons fortes est numériquement un
peu moins difficile que le modèle de pseudo-potentiel car la taille du système est faible (de
l‟ordre de 10x10x10 nm) [64,65]. Cette méthode permet d‟étudier des BQs auto-assemblées
avec leur couche de mouillage. Néanmoins, elle est encore limitée à des BQs de petites tailles
pouvant atteindre seulement 10 nm [66].

V. 3. Méthode k.p
Contrairement aux modèles atomistiques évoqués ci-dessus, la méthode k.p ne traite pas les
atomes séparément, mais elle traite les hétérostructures, y compris les boîtes quantiques. La
méthode k.p est une méthode basée sur la théorie des perturbations [59,49,67-69]. Elle
exploite le concept de la masse effective tout en utilisant un nombre limité d'états
30
Chapitre 1

électroniques, aussi bien dans la bande de conduction que dans la bande de valence. Le calcul
de la structure de bandes dans un matériau se fait au voisinage des points de haute symétrie de
la zone de Brillouin. Cela rend le modèle k.p plus intéressant pour une analyse réaliste des
hétérostructures semi-conductrices avec des tailles de l‟ordre de quelques dizaines de
nanomètres, sans avoir recours à des ordinateurs très puissants.
Néanmoins, cette méthode possède une limitation en raison de son manque de fonctionnalités
atomistiques. En effet, elle présente quelques inconvénients lorsqu‟on l‟applique à des
structures quantiques de très faible taille [70]. Ces inconvénients sont principalement liés aux
limites des fonctions de Bloch qui sont utilisées pour étendre les fonctions d'onde. En outre,
l‟utilisation de cette méthode est généralement limitée au centre de la zone de Brillouin (k=0),
et auquel cas les paramètres de bandes sont ceux du matériau massif. Malgré ses limites, la
méthode k.p a été appliquée avec succès pour modéliser une grande variété d'hétérostructures,
y compris des boîtes quantiques avec différentes formes (ellipse, cône tronqué, pyramidal,
parallélépipédique, …) [67].
La mise en œuvre la plus couramment utilisée de la méthode k.p est l'Hamiltonien à 8-bandes,
qui décrit assez bien la partie supérieure de la bande de valence et la partie basse de la bande
de conduction sans oublier l'effet de l'interaction spin-orbite. L‟Hamiltonien à 8-bandes a été
appliqué dans les calculs de la structure électronique des boîtes quantiques [57,67,70-72]. De
plus, à l‟aide de la méthode k.p on peut incorporer plusieurs effets comme la contrainte, la
piézoélectricité ainsi que l‟influence d‟un champ électrique externe [73]. Ceci est d‟autant
plus intéressant que la méthode k.p ne nécessite pas un calcul fastidieux. Ainsi, un ordinateur
normal sera suffisant. Nous avons donc opté, dans ce travail de thèse, pour cette méthode afin
d‟effectuer tous les calculs.

31
 Chapitre 2

Techniques expérimentales
Chapitre 2

Chapitre 2 : Techniques expérimentales

Ce chapitre est consacré à la description des dispositifs utilisés au cours de ce travail. La

première partie concerne l’élaboration des BQs par la technique de croissance par épitaxie
par jets moléculaires. Les deuxième et troisième parties décrivent les dispositifs de
caractérisation expérimentaux tels que la spectroscopie de photoluminescence stationnaires
et la spectroscopie de photoluminescence résolue en polarisation linéaire.

I. L’épitaxie par jets moléculaires

L‟épitaxie par jets moléculaires (EJM) est une technique de croissance qui permet de
fabriquer des hétérostructures ainsi que de contrôler in-situ leur qualité structurale. Cette
technique se déroule dans une chambre dite UHV (Ultra High Vacuum), refroidie à l‟azote
liquide où règne un vide très poussé (de l‟ordre de 10-10 Torr). Dans ces conditions, toutes les
particules condensent sur les parois du réacteur ce qui permet la croissance des couches
d‟excellente qualité cristalline et de très grande pureté. L‟EJM présente, par rapport aux autres
techniques d‟épitaxie, les avantages suivants :

 Une faible vitesse de croissance.

 Une basse température de croissance (470-500°C), ce qui doit limiter l‟interdiffusion
aux interfaces et la diffusion des impuretés.
 Un environnement ultra-vide (10-10torr) qui autorise l‟utilisation de techniques
d‟analyse structurale in situ comme par exemple le RHEED.

I.1. Mécanisme physique de base

Pour comprendre la croissance épitaxiale, il faut mettre l‟accent sur la possibilité de fixation
des atomes présents à proximité de la surface et leur accrochage possible au réseau cristallin.
Plus précisément, il faut que les atomes puissent se déplacer au niveau de la surface pour
atteindre un site cristallin, ou éventuellement quitter cette surface. Pour cela, il est nécessaire
d'apporter de l'énergie qui est en général sous forme thermique. Plusieurs situations peuvent
se présenter en fonction du lieu de collage des atomes à la surface avant la réalisation des
liaisons chimiques. Les 3 mécanismes prépondérants sont les suivants (fig.II.1):

33
Chapitre 2

- un atome arrive sur la surface et repart de celle-ci, la liaison possible n'étant pas suffisante
pour "accrocher" l'atome (A).
- un atome tombe dans un trou du réseau et établit immédiatement plusieurs liaisons qui le
fixent définitivement dans le cristal (B).
- un atome s'accroche sur le bord d'une marche et reste en moyenne lié (C).

Figure II.1 : Mécanismes élémentaires de la croissance épitaxiale. Les atomes

dans les trous ou contre les marches établissent des liaisons qui les "collent".

L'analyse de ces 3 mécanismes, montre facilement que les trous seront les premiers bouchés
et que la croissance se fera couche atomique par couche atomique à condition que l'apport
d'atomes soit bien dosé et que ces derniers aient une énergie suffisante pour se mouvoir à la
surface et atteindre les sites d'accrochage. Ces conditions vont dépendre de la méthode
expérimentale utilisée.

I.2. Dispositif expérimental

Le bâti d‟Epitaxie par Jets Moléculaires Riber 32, est composé de trois modules séparés
par des vannes étanches.

I.2.a. Chambre d’introduction des échantillons

Il s‟agit d‟un sas permettant l'introduction des échantillons dans l'enceinte ultravide. C‟est
l‟unique partie du bâti qui fait l‟interface avec l‟extérieur. Une pompe primaire permettant
d'atteindre un vide de l'ordre de 10-3 torr dans le sas. Les échantillons sont fixés par l‟Indium
sur des supports en molybdène, dénommés « molyblocs ». Le transfert de ces derniers entre
les chambres s‟effectue par le biais des cannes de transfert (Fig.II.2).

34
Chapitre 2

Canne de
transfert

a.
Chambre d’introduction
Chambre de croissance
Cellule Canon à
source électron
12keV
Al Vanne
As
Ga

Canne de
In
Si Vanne transfert
N Chambre intermédiaire
Moteur
Ecran
fluorescent

Fig. II.2 : Schéma du bâti d’épitaxie par jets moléculaires

I.2.b. Chambre intermédiaire

Dans le sas intermédiaire règne un vide poussé de l‟ordre de 10-9 torr par l‟action
conjuguée d‟une pompe ionique et d‟un sublimateur de titane. Ce sas isole la chambre de
croissance de l‟étage d‟introduction, afin d‟y bien maintenir l‟ultravide.
I.2.c. Chambre de croissance

La chambre de croissance est l‟élément le plus central de l‟EJM. En effet, elle est munie de
sources solides pour les éléments III et V. Chacune de ces cellules dispose d‟un cache
individuel et l‟ensemble est doté d‟un cache général. Les flux sont obtenus par l‟évaporation
des contenus à l‟état fondu dans des creusets chauffés par un filament. Un thermocouple
individuel placé à l‟arrière du creuset permet de contrôler la température de la cellule.

Lors de l‟épitaxie, le molybloc est mis en rotation de manière à obtenir une homogénéité
satisfaisante en composition des couches. La température du substrat est contrôlée, à la fois,
par un thermocouple en contact avec l'arrière de la porte-substrat et un pyromètre optique
visant la surface de l'échantillon. Le vide est maintenu à une pression inférieure à 10-10 torr
hors croissance par l‟action conjuguée d‟une pompe ionique et d‟un sublimateur de titane
ainsi que du refroidissement à l‟azote liquide des panneaux cryogéniques du bâti.

35
Chapitre 2

I.3.Mesure en temps réel (RHEED)

I.3.a. Principe

La chambre de croissance est équipée d‟un système de caractérisation RHEED

(Reflection High Energy Electron Diffraction). Cette technique utilise un canon émettant un
faisceau d‟électrons (d‟énergie 12 keV) focalisé sur la surface de l‟échantillon. L‟incidence du
faisceau est rasante avec un angle typiquement situé entre 1 et 3°. Les électrons réfléchis sont
ensuite collectés sur un écran fluorescent pour constituer une figure de diffraction, ce qui
permet d‟apporter des informations sur l‟état de surface de l‟échantillon.
I.3.b. Oscillations RHEED

La technique RHEED consiste à étudier les variations d‟intensité de la tâche spéculaire

due à la réflexion directe du faisceau d‟électrons sur la surface. L‟intensité traduit la variation
de la rugosité de surface pendant la croissance (2D) alors qu‟une oscillation entière est
directement liée à la formation d‟une monocouche, ce qui permet de mesurer la vitesse de
croissance des matériaux non contraints (GaAs/GaAs) (figure.II.3.a). Cependant, cette
méthode n‟est pas à même de déterminer la vitesse de croissance des matériaux contraints, tel
que l‟InAs/GaAs, à cause de la réduction en nombre et en intensité de ces oscillations.
Intensité RHEED

Intensité RHEED (u,a)

c=1,7MC

temps (s)
t

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150

temps de croissance InAs (s)

Fig.II.3.a : Schéma des oscillations RHEED Fig.II.3.b : Evolution de l’intensité RHEED en

fonction du temps : InAs/GaAs(001)

Pour calibrer la vitesse de croissance d‟InAs, nous avons utilisé la méthode qui tient
compte de l‟épaisseur critique. Elle consiste à élaborer de l‟InAs sur GaAs (001), reconstruit
(2x4), jusqu‟à l‟apparition des taches de diffraction caractéristique d‟une croissance 3D. Cette
transition apparaît après un dépôt de 1.7MC correspondant à l‟épaisseur critique (θc) de

36
Chapitre 2

l‟InAs/GaAs dans l‟orientation (001) (Figure.II.3.b). Ensuite, connaissant la durée du temps

au bout duquel se fait la transition, la vitesse de croissance peut être déterminée selon la
relation suivante : VInAs=θc/Δt (MC.s-1)

I.4. Mode opératoire

Les substrats généralement utilisés au sein de notre laboratoire sont dits « prêts à
épitaxier »et ne nécessitent pas un préalable traitement chimique avant de les introduire dans
la chambre de croissance. En effet, ils sont dotés d‟une couche superficielle d‟oxyde
d‟Arsenic permettant d‟éviter les oxydations incontrôlables dues essentiellement à leur
exposition à l‟air. Tous les substrats utilisés sont collés par de l‟indium sur des porte-
échantillons en molybdène. Une fois le substrat est posé dans la chambre d‟introduction, sa
température grimpe à 400°C sous un vide poussé (10-3torr) avant d‟être introduit dans la
chambre de croissance. Cette étape vise le dégazage des impuretés susceptibles de contaminer
la surface. Lorsque le substrat est transféré vers la chambre de croissance on commence à
éliminer la couche protectrice d‟oxyde en augmentant la température du substrat au delà de
400°C sous un flux continu d‟Arsenic. A partir d‟une température de 600°C, on contrôle
l‟évolution de l‟état de la surface par RHEED. Ainsi, un changement clair d‟un diagramme de
RHEED flou à un RHEED ponctué intense est la signature de la désoxydation de la couche
d‟oxyde. Après une attente d‟environ 10 minutes à la température de désoxydation visant
l‟élimination de toutes traces d‟oxyde, on démarre la croissance homoépitaxiale d‟une couche
de GaAs en ouvrant le cache de Gallium. L‟épaisseur de cette couche est d‟environ 300 nm et
la croissance s‟effectue toujours en excès de flux d‟arsenic. Cette opération permet
d‟améliorer les caractéristiques de la surface.

II. Technique de Spectroscopie de photoluminescence stationnaire

II.1. Principe de photoluminescence associée aux boîtes quantiques

La photoluminescence en continu (PL) est un excellent moyen pour caractériser les
boîtes quantiques. Elle consiste à exciter les électrons de la bande de valence vers la bande de
conduction à l‟aide d‟un laser ayant une énergie suffisante pour assurer la transition. Il a été
indiqué dans le premier chapitre que dans le cas des boîtes quantiques In(Ga)As/GaAs, les
états de plus basse énergie sont associés aux états confinés des boîtes quantiques InAs. Par
conséquent, les électrons et les trous suffisamment proches des boîtes quantiques vont relaxer
de manière non radiative vers les niveaux quantiques de basse énergie avant de se recombiner
radiativement. En récoltant le signal issu de la recombinaison (spectre de photoluminescence),

37
Chapitre 2

il devient alors possible d‟obtenir des informations sur les modifications des propriétés
électroniques (énergie d‟émission, écart entre les niveaux d‟énergie) dans les boîtes
quantiques.

BC
d
p
s

h υexcit h υPL

s
p
d
BV

Figure II.4: Principe de la photoluminescence associé aux boîtes quantiques

II.2. Effet de la puissance d’excitation sur les spectres de photoluminescence.

Nous avons déjà expliqué, au chapitre I, la dépendance des spectres de
photoluminescence d‟un échantillon comportant un seul plan de boîtes quantiques InAs/GaAs
élaboré par épitaxie par jets moléculaires, suivant la puissance d‟excitation (i.e suivant le
nombre de porteurs excités) (figure I.14) . À très faible puissance d‟excitation, seul le niveau
fondamental des boîtes quantiques est bien défini. Lorsque la puissance d‟excitation
augmente, un deuxième pic, lié au premier niveau excité, se développe et son intensité
s‟accroît au fur et à mesure que le nombre de porteurs excités augmente jusqu‟à dépasser
l‟intensité du premier pic. À la plus forte densité d‟excitation, des transitions, associées au
second niveau excité, apparaissent.

Trois caractéristiques sont à noter concernant le spectre d‟émission de la figure I.14.

 Plus l‟ordre d‟un niveau quantique est élevé, plus l‟émission du pic qui lui est associé
est susceptible d‟être intense. Ceci est lié au fait que le degré de dégénérescence
augmente avec l‟indice des niveaux.
 La position des pics reste constante quelle que soit la puissance d‟excitation. Cette
concordance de position est liée au caractère 0D de la densité d‟états des boîtes
quantiques.

38
Chapitre 2

 L‟intervalle entre les raies d‟émission voisines reste constant, ce qui est caractéristique
d‟un confinement quantique de type oscillateur harmonique. ,

II.3. Effet de la température sur les spectres de photoluminescence.

Les modèles de la variation de l‟énergie en fonction de la température E=f(T) applicables au
matériau massif le sont aussi aux boîtes. Le gap d‟un semiconducteur diminue lorsqu‟on
augmente sa température. Cette diminution peut provenir de diverses raisons dont les
principales sont :
 La dilatation thermique du réseau cristallin. En effet, lorsqu‟on augmente la
température, la distance inter atomique s‟accroit au sein du réseau. Ceci revient donc à
augmenter le paramètre de maille et ainsi abaisser le gap.
 Le couplage électron-phonon: lorsque la température augmente, le nombre de phonons
croit. Les interactions des phonons avec les électrons s‟accentuent. Ce couplage est le
facteur principal de l‟observation de la diminution du gap avec l‟augmentation de la
température.

Plusieurs modèles rendent compte de cette diminution. Dans cette partie, on va décrire
seulement les trois modèles que nous avons utilisés dans cette thèse.
Le premier modèle est celui de Varshni [74]:

T 2
EgV (T )  Eg (0)  (1)
 T
 E (T ) 
Où Eg(0) est l‟énergie du gap à 0K,     gV  est l‟entropie à haute température et
 T T 
β est une température comparable à celle de Debye (ΘD).

Le second modèle que nous avons utilisé a été développé par Viña[75]:

 2 
E gVi (T )  a  b 1    (2)
 e T 1 
Où (a - b) est la largeur de la bande interdite à 0K et b est la force de l'interaction électron-
phonon. L'énergie efficace des phonons (ћω) ne dépend que de la température associéesaux
phonons Θ = ћω 𝑘 .
0

Le troisième modèle est le plus récent. C‟est celui de Passler [76]:

39
Chapitre 2

  p 
p
 2T 
E gP (T )  E g  0   1    1  (3)
2     
 

Où p est un paramètre lié à la forme de la fonction spectrale des phonons (dispersion des
 1
phonons) : 
 p2 1

Les paramètres utilisés dans ces trois modèles sont donnés dans le tableau suivant :

Tab.II.1 : Paramètres des modèles Varshni, Vina et Passler pour les matériaux GaAs et InAs

GaAs Varshni Eg(0) (eV) α(eV.K-1) β (K)

-4
1,519 5.405×10 204
Viña a (eV) b(eV) Θ (K)
1.576 0.0597 241
Pässler Eg(0) (eV) α(eV.K-1) p Θ (K)
1.517 4.9×10-4 2.85 203
InAs Varshni Eg(0) (eV) α(eV.K-1) β (K)
0.415 2.76×10-4 83
Viña a (eV) b(eV) Θ (K)
0.4283 0.01447 113
Pässler Eg(0) (eV) α(eV.K-1) p Θ (K)
-4
0.414 2.81×10 2.10 143

On note que le modèle de Varshni a une variation quadratique de sorte que la contribution des
phonons acoustiques longitudinaux (LA-phonons) est comparable à celle des phonons
optiques longitudinaux (LO-phonons). Dans le cas du modèle de Viña, la contribution des
phonons acoustiques est négligeable par rapport à celle des phonons optiques. Cependant, le
modèle de Passler est le régime de dispersion intermédiaire, et auquel cas la contribution des
phonons acoustiques est plus importante que celle des phonons optiques [77].

II.4. Dispositif expérimental

Le banc de photoluminescence est représenté sur la Figure II.5. La source d‟excitation de

l‟échantillon est un laser Ar+, avec une raie à 514 nm (2.41eV) supérieure à l‟énergie de
40
 Chapitre 2

bande interdite du GaAs (1.52 eV). L‟utilisation d‟un cryostat refroidi à circulation fermée
d‟hélium permet la réalisation des mesures de PL à des températures comprises entre 9K et
300K.
Laser

Chopper

Echantillon

Cryostat Pupitre de
Monochromateur
commande
Détecteur
Détection synchrone

Fig.II.5 : Montage de mesure de photoluminescence

Une fois l‟échantillon est excité par le laser Ar+, la luminescence émise par l‟échantillon est
diffusée dans toutes les directions, une lentille permet d‟en récupérer une partie, ensuite la
luminescence est focalisée sur la fente d‟entrée du monochromateur à réseau où elle est
diffractée. La résolution spectrale du système dépend de l‟ouverture de la fente d‟entrée (plus
la fente est faible plus la résolution est meilleure). Enfin, la luminescence est recueillie par le
détecteur d‟InGaAs ou de GaAs (suivant la gamme de détection). Dans notre travail, nous
avons utilisé principalement la photodiode InGaAs grâce à sa détection des longueurs d‟ondes
comprises entre 800 et 1600nm permettant la détection de la PL des boîtes quantiques InAs.
De plus, la détection synchrone permet d‟améliorer le rapport signal/bruit via le
positionnement d‟un hacheur à la sortie du laser.

III. Technique de spectroscopie de photoluminescence polarisée :

Une lumière est dite polarisée si l‟extrémité du champ électrique ou magnétique décrit une
trajectoire bien définie dans le plan perpendiculaire à la direction de propagation de l‟onde.
Quand cette trajectoire est linéaire, la lumière est dite polarisée linéairement. Dans cette

41
Chapitre 2

partie, nous focalisons l‟intérêt sur les propriétés liées à la polarisation. Plus précisément,
nous étudions l'influence de la polarisation du laser d'excitation sur l‟intensité de la
luminescence des échantillons. L‟étude de PL polarisée nous permet de définir le type et la
géométrie des nanostructures élaborées. En effet, la polarisation de l‟onde intervient dans les
milieux anisotropes tels que les fils et les boîtes quantiques. En revanche, cette polarisation
n‟a aucun effet dans les puits quantiques à cause de l‟isotropie de couches bidimensionnelles.

III.1. Règles de sélection dans les BQs :

Rappelons d‟abord les éléments de matrice des transitions optiques et les règles de
sélection dans les boîtes quantiques. Nous nous contentons ici de présenter une approche très
simplifiée basée sur l‟approximation de la fonction enveloppe effectuée dans les travaux de
Marzin et Bastard [78]. Les fonctions d‟onde électroniques sont, dans ce cas, décrites par
l‟expression suivante:

ψ n (r, z)   Fn,i (r, z) u i,0 (r, z)

i

Où ui,0 représente les fonctions de Bloch au centre de la zone de Brillouin (k = 0), supposées
ici identiques dans InAs et GaAs. Fn,i sont les fonctions enveloppes à l‟échelle de la maille
élémentaire qui dépendent du profil de potentiel de la structure considérée. Les fonctions ui,0
ou tout simplement ui sont présentées dans le tableau II-1.

42
Chapitre 2

Tableau II-1: Fonctions ui des extréma de bandes de conduction et de valence. Le sous-

espace (u1, u2) est associé aux électrons, alors que le sous-espaces (u3, u4), (u5, u6), (u7, u8)
sont respectivement associés aux trous légers, aux trous lourds, et aux trous de la bande spin-
orbite.

Fonction propres ui « Notation atomique »

u1 = S 1,1
2 2

u3 = 1 (X iY)  2 Z  3,1
6 3 2 2

u5 = 1 (X iY) 3, 3
2 2 2

u7 = 1 (X iY)  1 Z  1,1
3 3 2 2

u2 = S 1 , 1
2 2

3 , 1
u4 =  1 (X iY)  2 Z  2 2
6 3

u6 = 1 (X iY) 3 , 3
2 2 2

u8 =  1 (X iY)  1 Z  1 , 1
3 3 2 2

Dans le cadre de cette théorie, les transitions optiques interbandes autorisées dans les boîtes
peuvent être déterminées par un calcul assez similaire à celui présenté pour les structures 2D
[79]. L‟élément de matrice optique :

Mcv = Fc (r , , z ) Fv (r , , z )
n n'
uc e. p uv

se réduit, alors, à : Mcv = Fc (r , , z ) Fv (r , , z ) uc e. p uv  n , n '

'

43
Chapitre 2

Ceci indique que les transitions optiques permises dépendent des symétries des fonctions
enveloppes des é dans la BC et des trous dans la BV. En conséquence, les transitions optiques
autorisées pour les BQs InAs/GaAs(001) ne sont pas les mêmes que celles des BQs
InAs/GaAs(11N) (Fig.II.6).

Figure II.6. Les transitions optiques permises pour les BQs InAs/GaAs(001) et
InAs/GaAs(11N)

Couplage entre un semi-conducteur et une lumière polarisée

Soit une lumière monochromatique, de pulsation , de fréquence =/2 , et de vecteur

d‟onde q, se propageant suivant Oz. Son potentiel vecteur réel 𝐴, décrit son état de
polarisation. Si on choisit comme jauge 𝑑𝑖𝑣(𝐴) alors 𝐴 est contenu dans le plan (x o y).

On peut le décomposer sur ex et e y , vecteurs unitaires d‟une base, qui décrivent deux états
de polarisation rectiligne orthogonaux :

 Ax  ax cos ( t   x  q z)
A  Ay  ax cos ( t   x q z)


On définit le vecteur complexe Ac tel que A  Re Ac .

44
Chapitre 2

 Ax  ax exp-i ( t   x  q z)
Ac  Ay  ax exp-i ( t   x q z)

Soient Ix, l‟intensité d‟une onde électromagnétique selon la direction « x » et Iy selon la
direction « y ». Le taux de la polarisation linéaire de cette onde lumineuse est donné par :

P =(Ix - Iy)/ (Ix + Iy)

III.2. Montage expérimental

Pour déterminer expérimentalement le taux de polarisation linéaire P de la

luminescence des structures étudiées, la polarisation de la lumière excitatrice est sélectionnée
par un polariseur linéaire après avoir passé par une lame quart d‟onde adaptée à la longueur
d‟onde d‟excitation. Ensuite, la lumière émise est analysée par un polariseur linéaire et une
lame quart d‟onde adaptée à la longueur d‟onde d‟émission, placés devant la fente d‟entrée du
monochromateur. Tout au long des expériences présentées dans le chapitre VI, nous avons
laissé, fixe, le polariseur devant le faisceau d‟excitation alors que nous avons fait varier la
direction du polariseur placé devant le faisceau de détection. Nous présentons dans la figure
II.7 le montage des différents éléments affectant la polarisation d‟excitation laser et de la
luminescence de l‟échantillon.

Spectromètre

λ/4
Polariseur

Laser
d’excitation

λ/4 Polariseur Echantillon

Figure II.7. Schéma du dispositif utilisant un ensemble de polariseurs et de

lames quart-onde pour étudier l'influence de la polarisation de l'excitation sur
la luminescence des boîtes.

Le fonctionnement des lasers actuels émettant à des longueurs d‟onde inférieures à 0.6µm est
basé sur le doublement voire même le triplement des fréquences optiques par des cristaux non
linéaires. Afin de contourner ce problème d‟optique non linéaire, nous avons manipulé avec
des intensités trop faibles permettant de rester dans le cadre de l‟optique linéaire. La relation

45
Chapitre 2

entre l‟émission de l„échantillon (le vecteur déplacement) et l‟excitation optique (le champ
 
électrique) est donc linéaire, conformément à l‟équation vectorielle suivante : D    E

où ε est la matrice des permittivités électriques. D‟autre part, à cause de ces cristaux et des
autres composantes optiques à l‟intérieur du laser, la polarisation d‟excitation dépend du type
du laser et de sa longueur d‟onde. C‟est pour cette raison qu‟on place une lame quart d‟onde
et un polariseur devant le laser, ce qui permet de contrôler la polarisation du laser d'excitation.
L‟emplacement de la lame quart d‟onde et le polariseur avant le spectromètre permet
d'analyser la polarisation de l'émission. La variation de l'intensité détectée en fonction de
l'angle de polariseur de sortie traduit directement la fraction de la composante de polarisation
linéaire de la luminescence. L'absence de variation de l'intensité peut signifier que la
luminescence est parfaitement polarisée circulairement ou alors qu‟elle n'a pas de polarisation
particulière. L‟ajout d‟une lame quart d‟onde avant le polariseur permet de spécifier ces deux
cas. En fait, si la polarisation est circulaire elle se transforme en une polarisation linéaire.

L‟analyse de l‟excitation du laser S2018 de type argon/krypton de longueur d‟onde 514nm a

révélé que cette dernière est polarisée circulairement.

46
 Chapitre 3

Procédures numériques
 Chapitre 3

Chapitre 3 : Procédures Numériques

Dans ce chapitre, nous allons détailler les deux modèles que nous avons adoptés pour
calculer les fonctions d’ondes et les énergies propres associées aux porteurs confinés dans
une boîte quantique. Dans le premier modèle nous avons choisi une BQ de forme
parallélépipédique alors que dans le second modèle nous avons opté pour une forme plus
réaliste et auquel cas la BQ a une forme de lentille et est déposée sur sa couche
de mouillage. Nous allons présenter par la suite les résultats du calcul numérique des
transitions d’énergie et des fonctions d’ondes. On s’intéressera particulièrement à l’effet de
l’orientation du substrat GaAs et à celui de la couche de mouillage sur les niveaux
d’énergies.

I. Les Boîtes quantiques parallélépipédiques

Jusqu‟à présent, la littérature donne plusieurs formes géométriques modélisant les boîtes
quantiques (lentille [80], pyramide [81,82], cubique [83],…). La difficulté du calcul dépend
fortement de la forme de la BQ et du système de coordonnées choisi. Pour notre part, nous
avons commencé par la forme la plus simple pour décrire le confinement tridimensionnel. Il
s‟agit d‟un parallélépipède.

I.1. Méthode de calcul : différences finies

Parmi les méthodes de résolution, couramment pratiquées, des équations différentielles
comme par exemple l‟équation de Schrödinger, on peut évoquer la méthode des différences
finies qui est d‟ailleurs la plus facile d‟accès [84,85]. En effet, elle repose sur deux notions
simples: la discrétisation spatiale de l‟équation d‟une part et la convergence du schéma
numérique ainsi obtenue d‟autre part. En outre, le problème de départ, qui est une équation
différentielle de second ordre, aura une forme matricielle autorisant la possibilité d‟une
résolution numérique. Cette méthode permet de déterminer les énergies propres, les fonctions
d‟ondes et les transitions optiques entre la bande de conduction et la bande de valence.

I.1.1. Résolution de l’équation de Schrödinger à trois dimensions (boîte quantique)

L‟équation de Schrödinger pour une particule confinée dans les trois directions de l‟espace
(x,y,z) est donnée par :

48
Chapitre 3

 
2     x, y , z       x, y , z       x, y , z   
 x, y, z   0

 2    * 1  1  1   V  x , y , z  E
ijk  
 (III-1)
 x  m  x , y , z  x  y  m  x , y , z 
* y  z  m  x , y , z 
* z   
      

Où m*(x,y,z) représente la masse effective des électrons de la bande de conduction ou des

trous de la bande de valence . Eijk est la valeur propre associée à la fonction d‟onde ψijk.
V(x,y,z) représente le potentiel total de confinement pour les électrons et pour les trous. Ce
potentiel est égal à V0 dans la barrière et zéro dans la boîte quantique.

n3

Δz n2
Δx
n1
Δy
Fig.III.1 : Discrétisation d’un parallélépipède

Afin de résoudre l‟équation (III-1) numériquement, il est nécessaire de la discrétiser

spatialement dans les trois directions (Fig.III.1). Ceci conduit à la relation suivante :

 
        
 1  1  1       
    1  1
  2  1  1
  
 2  mi , j ,k mi 1, j ,k  i 1, j ,k  mi , j ,k mi 1, j ,k  i 1, j ,k  mi , j ,k mi 1, j ,k mi 1, j ,k  i , j ,k  
 x        

  
     
   
2
 4
 1 
  1  1 

i , j 1, k

 1  1 

i , j 1, k

 2  1  1 

i , j , k


 V E  
i , j ,k ijk  i , j ,k
0 (III-2)
 2  m m   m m   m m m  
 y  i , j ,k i , j 1,k   i , j ,k

i , j 1,k   i , j ,k

i , j 1,k i , j 1,k   
 
       
 1  1 1   1 1   2 1 1  
             
 2  mi , j ,k mi , j ,k 1  i , j ,k 1  mi , j ,k mi , j ,k 1  i , j ,k 1  mi , j ,k mi , j ,k 1 mi , j ,k 1  i , j ,k  
 z       



On peut également écrire l‟équation (III-2) sous la forme suivante :

AΨi,j,k=Ei,j,kΨi,j,k (III-3)

où A est un tenseur de rang 6.

Pour simplifier le calcul, on considère Δx = Δy= Δz ce qui permet d‟écrire le tenseur A sous la
forme suivante :

 
A0  Ai ,i , j , j ,k ,k  1  6  1  1  1  1  1  1  2
 V (III-4)
22x  mi , j ,k mi 1, j ,k mi 1, j ,k mi , j 1,k mi , j 1,k mi, j ,k 1 mi, j ,k 1  2 i , j ,k

   
A1 Ai ,i 1, j , j ,k ,k  1  1  1 
 ; A2  Ai ,i 1, j , j ,k ,k  1  1  1 

2 2x  mi , j ,k mi 1, j ,k  2 2x  mi , j ,k mi 1, j ,k 

49
Chapitre 3

   
A3  Ai ,i , j , j 1,k ,k  1  1  1 
 ; A4  Ai ,i , j , j 1,k ,k  1  1  1 

2 2x  mi , j ,k mi , j 1,k  2 2x  mi , j ,k mi , j 1,k 

   
A5  Ai ,i , j , j ,k ,k 1 1  1  1 
 ; A6  Ai ,i , j , j ,k ,k 1 1  1  1 

2 2x  mi , j ,k mi , j ,k 1  2 2x  mi , j ,k mi , j ,k 1 

Néanmoins, avec cette écriture tensorielle, on ne peut pas déterminer les valeurs propres et les
vecteurs propres du système. Pour contourner ce problème, nous avons converti le tenseur A
(6 dimensions) en une seule matrice D de dimension n×n (n=n1×n2×n3). Le remplissage de
cette matrice D se fait par blocs [82]. Dans ce cas, l‟équation de Schrödinger s‟écrit sous la
forme matricielle ci dessous :

Dψ=Eψ (III-5)

 
 
 111 
n3 Bloc   211 
   n1
 C0 C2 0  0   
 

 n 11 
 C1 C0      1 
   121  (n1x n2)
D  0    0  (III-6) ;    (III-7)
   221 
   C2   
n=(n1x n2 x n3)
 
 0  0 C C   
 1 0  nn 1 
 1 2 
 112 
 
 
 nn n 
 1 2 3

Où C0, C1 et C2 sont des sous-matrices en blocs de dimension ( n1n2 × n1n2) :

n2 Blocs
 n2 Blocs
       n2 Blocs
 
 B0 B2 0  0   3
B 0 0  0  B4 0 0  0 
  ;   ;  
 B1 B0      0 B3   0   0 B4   0 
C0   0    0  C1   0    0  C2   0    0  (III-8)
     
     B2       0      0
0  0 B B  0  0 0 B  0  0 0 B 
 1 0  3  4

B0, B1, B2, B3 et B4 sont des sous matrices de dimension (n1×n1).

 n1éléments
 
p=1 q=3
n1éléments
  
 0
A A 0  0  Aq 0 0  0 

2
   p=2 q=4
 A1 A0   0   0 Aq   0 
; B  0    0  Avec
B0   0    0  (III-9)
 
p
  p=3 q=5
     A2       0
0  0 A A  0  0 0 A 
 1 0  q 
p=4 q=6

50
Chapitre 3

I.1.2. Potentiel de confinement

Plusieurs phénomènes physiques contribuent dans le potentiel de confinement total [86]. Dans
notre cas, ce dernier est constitué de trois potentiels qui sont non négligeables dans les
hétérostructures élaborées sur les substrats à hauts indices de sorte que :
V ( x, y, z )  VA ( x, y, z )  Vctr ( x, y, z )  Vpz ( x, y, z ) (III-10)

(i) VA(x,y,z) est la discontinuité de la bande de conduction ou de valence sans tenir compte de
la contrainte.
(ii) Vctr(x,y,z) représente le potentiel qui tient compte de la modification de la BC et de la BV
sous l‟effet des contraintes hydrostatiques et biaxiales. Plus précisément, la BC est affectée
seulement par le terme hydrostatique [87] (  h   xx   yy   zz ). Cependant, la bande de
1
valence dépend largement de la contrainte biaxiale compressive : 𝜀𝑏 = 𝜀𝑧𝑧 − 2 (𝜀𝑥𝑥 + 𝜀𝑦𝑦 ).

Ainsi, sous l‟effet de la contrainte, chacune de deux bandes (BC et BV) subit un
déplacement qui va dépendre de l‟orientation du substrat.
(iii) Vpz(x,y,z) est le potentiel piézoélectrique dont dérive essentiellement le champ
piézoélectrique (Epz) induit par la contraction de l‟InAs sur le substrat GaAs. Ainsi, ce
potentiel concerne seulement les substrats GaAs à hauts indices.

Afin d‟obtenir les transitions optiques, nous devons calculer les niveaux d‟énergie de
confinement dans la BQ. Si Ee et Eh sont les énergies de confinement de l‟électron et du trou
respectivement, la transition énergétique est définie comme étant: Eei→hj=Ee+ Eh+Eg (InAs)

I.2. Résultats de la modélisation

I.2.1. Influence de l’orientation du substrat sur les niveaux d’énergies et les
fonctions d’ondes

La figure (III.2.a) montre l‟effet de l‟orientation du substrat GaAs (11N)A sur la transition
énergétique entre les niveaux fondamentaux (Ee1→Eh1). Lorsqu‟on s‟éloigne du plan (001) la
transition Ee1→Eh1 tend vers les hautes énergies. Ceci s‟explique par le champ piézoélectrique
(champ interne) qui réduit le confinement quantique sous l‟effet d‟un écran des porteurs
photogénérés [88,89]. En conséquence, l‟émission se décale vers les hautes énergies
contrairement à l‟application d‟un champ électrique externe (effet Stark) qui provoque un
décalage vers les basses énergies.

51
 Chapitre 3

0.115

(a) 0.11
(b)
1,3 0.105

0.1
Energie(eV)

0.095

h
0.09

1,2
0.085

0.08

0.075

1,1
0 10 20 30 40 50 60
0 10 20 30 40 50 60 
(001) (115) (113) (112) (111)
(001) (115) (113)  (112) (111)

Fig. III.2 :(a) Transition d’énergie fondamentale à 10K, en fonction de l’orientation (11N)A
pour une hauteur de 3nm et une largeur Lx=Ly=10nm des BQs,(b) Variation de la contrainte
hydrostatique en fonction de l’angle de désorientation.

D‟autre part, on observe, sur la figure III.2.b, que la contrainte hydrostatique (εh)
évolue de la même façon que la transition d‟énergie fondamentale. En effet, cette évolution
est linéaire jusqu‟à l‟orientation (112) puis elle reste constante. Il ressort de ce résultat que
l‟augmentation de la transition d‟énergie fondamentale est due aussi à la contrainte
hydrostatique accentuée [90].

Fig. III.3 : Fonctions d’ondes de l’état fondamental de la bande de conduction pour les
orientations (001), (115)A et (113)A pour une taille de boîte (25nm x 25nm x 5nm)

52
Chapitre 3

La figure III.3 représente les fonctions d‟onde des états fondamentaux de la bande de
conduction d‟une BQ de hauteur h=5nm et de largeur Lx=Ly=25nm pour différentes
orientations du substrat. Contrairement au cas du substrat GaAs (001) où la fonction d‟onde
est symétrique, une légère déformation de la fonction d‟onde est observée dans les cas des
BQs InAs déposées sur les substrats GaAs(115)A et GaAs(113)A. Nous expliquons cette
déformation par le fait que la présence du champ piézoélectrique, dans les structures
InAs/GaAs(115)A et InAs/GaAs(113)A, attire les électrons dans une partie de la boîte
quantique et repousse les trous dans la partie opposée [89].

I.2.2. Effet de la taille des boîtes quantiques sur les niveaux d’énergies
La résolution de l‟équation de Schrödinger nous fournit également une estimation
numérique de la variation des premiers niveaux d'énergie dans les boîtes quantiques en
fonction de leurs dimensions. Sur la figure (III.4.a), nous avons représenté les énergies de
transition électron-trou (e1-hh1) en fonction de la hauteur des boîtes quantiques InAs/GaAs
pour différentes orientations telles que (001), (113)A et (115)A. La figure (III.4.b) montre
l‟évolution de ces transitions en fonction de la largeur de la boîte quantique.

1,5 1,40
001
(001)
1,4 (a) (001) 1,35 (b) (115)A
(115)A (113)A
(113)A 1,30
1,3
1,25
Energie (eV)

1,2
Energie(eV)

1,20

1,1 1,15

1,0 1,10

1,05
0,9

1,00
0,8
2 4 6 8 10 0 5 10 15 20 25 30

h(nm) Lx=Ly(nm)

Fig. III.4 : (a) Transition d’énergie en fonction de la hauteur de la boîte pour une largeur
Lx=Ly=10nm, (b) Transition énergétique en fonction de la largeur de la boîte pour une
hauteur de 3nm

L‟analyse de l‟ensemble des résultats obtenus révèle que la transition énergétique

fondamentale dépend fortement de la taille de la boîte quantique. De ce fait, deux principaux
renseignements peuvent être déduits [89]:

53
 Chapitre 3

 l‟énergie de transition fondamentale est d‟autant plus grande que l‟angle de

désorientation entre les plans (11N) et (001) est élevé.
 Plus la taille de la boîte est petite, plus l‟énergie de la transition fondamentale est
élevée. En fait, ce comportement, établi depuis longtemps [90,91], est dû à l‟effet de
confinement quantique lié à l‟extension spatiale de la zone confinée. En effet, lorsque
la boîte est de faible taille, les porteurs peuvent migrer facilement vers les continuums
d‟énergie. Par contre les porteurs seront bien confinés si la boîte est de grande taille
[90].

II. Boîtes quantiques en forme de lentille

La forme décrite précédemment est la forme le plus simple pour décrire le confinement
tridimensionnel. Cependant, la forme la plus proche de la réalité des boîtes quantiques
InAs/GaAs est celle de lentilles sphériques. Les boîtes quantiques ayant cette forme
présentent une symétrie cylindrique, pour cela nous adopterons dans notre calcul le système
de coordonnées cylindriques afin d‟exploiter la symétrie axiale. Ceci permet de réduire le
nombre de discrétisations et minimiser le temps du calcul. D'autre part, la méthode des
différences finies est limitée à des structures simples car plus la géométrie est complexe, plus
la discrétisation spatiale est à la fois difficile et lourde. Pour cela, nous avons choisi d‟utiliser
la méthode des éléments finis pour étudier des structures des BQs plus complexes (BQs avec
sa couche de mouillage, BQs dans un puits d‟InGaAs (DWELL)).

II.1. Méthode de calcul : éléments finis

La méthode des éléments finis (MEF) est une technique numérique utilisée pour
approcher la solution d'une équation aux dérivées partielles (EDP). D'abord, elle a été
développée pour l'analyse des structures macroscopiques [92], Ensuite, cette technique s‟est
largement développée dans toutes les applications qui s‟expriment en termes d'équations aux
dérivées partielles. Ainsi, des calculs de la structure de bandes de différentes hétérostructures
quantiques ont été effectués [93-97].
II.1.1. Généralité de l’approche MEF

D‟une façon générale, l‟utilisation de la MEF peut être détaillée dans quelques étapes de
base :
 La discrétisation du milieu continu en sous domaines qui sont appelés des éléments.
Ces derniers, qui sont connectés entre eux par des nœuds, doivent être de forme
géométrique simple.

54
Chapitre 3

 La formulation des équations caractéristiques dans chaque domaine.

 L‟interpolation du problème : la grandeur physique dans chaque point à l'intérieur d'un
élément est interpolée à partir des nœuds.
 L‟assemblement des éléments : en reliant les éléments entre eux, l‟interpolation du
problème se fait dans toute la structure.
 La résolution des équations différentielles.

II.1.2. Logiciels pour la MEF

La MEF est généralement intégrée à une technique de modélisation géométrique

utilisée dans une conception assistée par ordinateur. L'interface utilisateur-graphique permet
au logiciel MEF de gérer facilement des domaines complexes (géométrie). Il y a
suffisamment des logiciels commerciaux qui utilisent l‟approche MEF comme par exemple
COMSOL Multiphysics, ANSYS et ABAQUS. L‟avantage de ces logiciels réside dans
l‟exploitation des différents domaines de la physique sans avoir besoin d‟écrire un code à
partir de zéro. Dans ce travail, nous avons utilisé COMSOL Multiphysics, non seulement pour
sa plate-forme qui permet de résoudre pratiquement tous les problèmes de base de l‟EDP,
mais aussi pour sa capacité de coupler différents problèmes physiques en un seul modèle.
Cette caractéristique est importante car, au cours de la modélisation, on utilise des solutions
de problèmes comme entrées pour le calcul suivant. Par exemple, les solutions issues des
calculs de champs de contraintes (problème mécanique) et les calculs piézoélectriques
(équation de Poisson avec la solution du calcul du champ de contraintes) sont des entrées pour
déterminer la structure de bandes (problème aux valeurs propres). En outre, on a la possibilité
de rédiger des codes personnalisés pour les algorithmes de modélisation et de séquences ce
qui est utile pour un modèle chargé d‟itérations ou d‟auto-cohérence. De plus, COMSOL
a également une compatibilité avec le logiciel de modélisation le plus utilisé, MATLAB, ce
qui est pratique pour une analyse ultérieure.

II.2. Procédures de la modélisation pour les BQs

II.2.1. Procédures théoriques

Le modèle géométrique que nous avons choisi pour la suite de cette thèse comporte
une BQ sous forme de lentille déposée sur sa couche de mouillage (CM). Ce système
(BQ+CM) est entouré soit par des couches de GaAs soit par un puits d‟InGaAs. Pour décrire
cette géométrie, on a créé une demi-ellipse avec une hauteur h et un diamètre de base noté D
(fig.III.5).
55
Chapitre 3

Fig.III.5 : Schéma du modèle théorique de la structure à BQ

En vertu de la symétrie cylindrique de la BQ, le système de coordonnées cylindrique

est pris en considération, où l'axe horizontal est la direction radiale. On note que le rapport
d‟aspect (h/D) de la BQ est fixé à 0.16.

II.2.1. a. Distribution de la contrainte

La distribution de la contrainte dans la BQ InAs/GaAs a été déterminée par la minimisation

de l‟énergie élastique totale ECE par rapport au déplacement de réseau. Cela se fait par
l‟approximation du continuum élastique. Cette dernière a été largement utilisée pour les
cristaux de type zinc-blende en tenant compte des propriétés des matériaux anisotropes
[67,81].

1 1  dui du j 
𝐸𝐶𝐸 = 𝐶𝑖𝑗𝑘𝑙 𝜀𝑖𝑗 𝜀𝑘𝑙 (III-11) et  ij   (III-12)
2 2  dx j dxi 

Conformément à la loi de Hooke, la relation qui relie la contrainte avec la déformation est
donnée par:

(III-13)

Dans ces trois dernières équations, on remarque l‟importance et l‟intervention du tenseur de

rigidité pour décrire la distribution de la contrainte et de la déformation. Afin de calculer les
composantes de ce tenseur dans les différentes orientations, nous avons commencé le calcul

56
 Chapitre 3

numérique par introduire le tenseur de rigidité de l‟orientation conventionnelle (001)

relativement aux matériaux GaAs, InAs et au ternaire InGaAs.

(III-14)

Pour l'orientation du substrat (11N), où N = 1-9, les composantes du tenseur de rigidité sont
obtenues à partir du produit tensoriel du tenseur de rigidité de l‟orientation conventionnelle
(001) par la matrice de rotation R qui dépendent de l‟orientation du substrat (11N) [6].
C 'ijkl  RimRjn Rko RlpCmnop (III-15)

où

𝜑 = 45° 𝑎𝑛𝑑 𝑠𝑖𝑛𝜃 = 1/ 1 + 𝑁 2 (III-16)

Nous présentons, ci-dessous, quelques résultats du calcul numérique du tenseur de rigidité

obtenus pour le matériau GaAs où l‟orientation est (111), (113), (115), (117) et (119).

 1.458 0.4447 0.3553 0 0.1263 0   1.5289 0.3147 0.4144 0 0.047 0 

   
 0.4447 1.4580 0.3553 0 0.1263 0   0.3147 1.4580 0.4853 0 0.1034 0 
 0.3553 0.3553 1.5473 0 0 0   0.4144 0.4853 1.3583 0 0.1504 0 
C GaAs (111)   C GaAs (113)  
 0 0 0 0.4173 0 0.1263   0 0 0 0.5473 0 0.1034 
 0.1263 0.1263 0 0 0.4173 0   0.047 0.1034 0.1504 0 0.4764 0 
 0 0.1263

0.5067 x 1011 Pa  0 0.1034

0.3767 x 1011 Pa
 0 0 0  0 0 0

 1.4933 0.2859 0.4789 0 0.0546 0   1.4778 0.2765 0.5037 0 0.0459 0 

   
 0.2859 1.4580 0.5141 0 0.0702 0   0.2765 1.4580 0.5235 0 0.052 0 
 0.4789 0.5141 1.2650 0 0.1248 0   0.5037 0.5235 1.2308 0 0.0979 0 
C GaAs (115)   C GaAs (117)  
 0 0 0 0.5761 0 0.0702   0 0 0 0.5855 0 0.052 
 0.0546 0.0702 0.1248 0 0.5409 0   0.0459 0.0520 0.0979 0 0.5657 0 
   
 0 0 0 0.0702 0 0.3479 x 1011 Pa  0 0 0 0.0520 0 0.3385 x 1011 Pa

 1.4704 0.2725 0.5151 0 0.0381 0 

 
 0.2765 1.4580 0.5275 0 0.0411 0 
 0.5151 0.5275 1.2154 0 0.0792 0 
C GaAs (119)   (III-17)
 0 0 0 0.5855 0 0.052 
 0.0381 0.0411 0.0792 0 0.5771 0 
 
 0 0 0 0.0411 0 0.3345 x 1011 Pa

Ces tenseurs montrent le fort degré d'anisotropie dans le cas des substrats à hauts indices. En
effet, Les éléments non nuls pour le substrat GaAs(001) sont seulement 3. Cependant, dans le

57
Chapitre 3

cas où le substrat est GaAs(111), le nombre d‟éléments non nuls vaut 8. Ce nombre augmente
à 12 pour les autres orientations GaAs(11N).

Bien que le nombre d‟éléments non nuls présents dans le tenseur de rigidité de l‟orientation
(111) soit moins important que ceux associés aux autres orientations, la valeur de ces
coefficients est plus importante pour le substrat GaAs (111) que pour les substrats GaAs
(11N) où N = 3, 5, 7, 9. Par exemple, le coefficient C15 est -0,1263×1011Pa pour
le GaAs (111) alors qu‟il vaut respectivement -0.04×1011Pa, -0.0546×1011Pa, -0,0459×1011Pa
et -0,0381×1011Pa pour le GaAs (113), GaAs (115), GaAs (117) et GaAs (119). Ces valeurs
peuvent jouer un rôle très important concernant l'anisotropie de la distribution de la contrainte
dans les structures à BQs.

Le désaccord de maille est le seul facteur responsable de la déformation induite par la

structure à BQ. La valeur de la déformation initiale perpendiculaire à la direction de
croissance (11N) est donc considérée par le désaccord de maille entre le GaAs et l‟InAs:

𝑎 𝐺𝑎𝐴𝑠 −𝑎 𝐼𝑛𝐴𝑠
𝜀𝑟𝑟 = 𝜀𝜑𝜑 = 𝑎 𝐼𝑛𝐴𝑠
(III-18)

En utilisant la théorie du continuum élastique, la déformation parallèle à la direction de

croissance (11N) est donnée par [98]:

𝜀𝑧𝑧 = [3𝑞 11𝑁 − 2]𝜀𝑟𝑟 (III-19)

𝐵
Dans cette expression, 𝑞 11𝑁 = 1 − 𝐶 est le facteur de réduction de la contrainte,
11 +𝛾(11𝑁)𝜁

𝐵 = (𝐶11 + 2𝐶12 )/3 est le module d'élasticité volumique, 𝜁 = 𝐶44 − (𝐶11 − 𝐶12 )/2 est
l‟anisotropie élastique et 𝛾(11𝑁) est le facteur dépendant de l‟orientation qui s‟exprime
comme étant:

𝛾 11𝑁 = 4(1 + 2𝑁 2 )/(2 + 𝑁 2 )2

Les contraintes hydrostatique et biaxiale que nous avons utilisées pour calculer la transition
d‟énergie sont exprimées comme suit :

𝜀ℎ𝑦𝑑 = 𝜀𝑟𝑟 + 𝜀𝜑𝜑 + 𝜀𝑧𝑧 1

(III-20) 𝜀𝑏𝑖 = 𝜀𝑧𝑧 − 2(𝜀𝑟𝑟 + 𝜀𝜑𝜑 ) (III-21)

58
Chapitre 3

II.2.1. b. Distribution du champ piézoélectrique

Pour introduire le potentiel piézo-électrique dans le calcul numérique, on a besoin de résoudre

l'équation de Poisson en tenant compte de la permittivité diélectrique 𝜀𝑟 𝑟 qui dépend de la
nature du matériau :

𝜌𝑝 𝑟 = 𝜀0 ∇ 𝜀𝑟 𝑟 ∇Vp (r) (III-22)

Dans cette équation, 0 est la permittivité diélectrique dans le vide et 𝜌𝑝 correspond à la

distribution de la charge piézoélectrique qui est générée par la polarisation P le long de la
direction (11N).

𝜌𝑝 = −∇P (III-23) et 𝑃 = 2𝑒14 (𝜀𝑟𝑧 𝜀𝑟𝜑 𝜀𝜑𝑧 )𝑇 (III-24)

II.2.1. c. Résolution de l’équation de Schrödinger

Tout d'abord, afin de minimiser le temps du calcul numérique, on peut réduire le problème
tridimensionnel en un problème bidimensionnel. Pour cela, nous avons choisi l‟écriture de
l‟équation de Schrödinger dans le système de coordonnées cylindriques :

  2 2 
 *   V  ( r , , z )  E ( r , , z ) (III-25)
 2m 

Le Laplacien en coordonnées cylindriques s‟écrit sous la forme :

2 1  1 2 2
2     (III-26)
r 2 r r r 2  2 z 2

Où r est la coordonnée radiale,  [0,2] et z la coordonnée axiale.

La solution de l‟équation (III.25) s‟écrit sous la forme : Ψ(r,,z)= R(r,z)Φ (). (III-27)

L‟équation (III.25) devient alors :

2   2 R 1 R 1  2 2R 
 *  2   R 2   2   VR  ER (III-28)
2m  r r r r  2 z 

En divisant l‟équation (III.28) par (R(r,z)Φ ()) on aura:

59
Chapitre 3

2  1  2 R 1 R 1  2 1  2 R 
 *     V  E (III-29)
2m  R r 2 rR r r 2  2 R z 2 

En multipliant l‟équation (III.29) par r2, on aboutit à:

ℏ2 𝑟2 𝜕2𝑅 𝑟 𝜕𝑅 𝑟2 𝜕2𝑅 ℏ2 1 𝜕 2 Φ
− + + + 𝑟2 𝑉 − 𝐸 = (III-30)
2𝑚 ∗ 𝑅 𝜕𝑟 2 𝑅 𝜕𝑟 𝑅 𝜕𝑧 2 2𝑚 ∗ Φ 𝜕𝜑 2

On constate que les deux termes à droite et à gauche dans l‟équation (III-30), sont
indépendants. Chaque terme est donc égal à une constante.

Ainsi, on peut écrire :

2 1  2 2 2
 *l (III-31)
2m*   2 2m

Où l est un nombre quantique constant positif ou nul. (l=0 correspond à l‟état fondamental).

 2 2
l   0 (III-32)
 2

La solution de cette équation est :

Φ 𝜑 = 𝐶𝑒 (−𝑗𝑙𝜑 ) où  [0,2] (III-33)

Dans l‟expression (III.33), le paramètre C est un coefficient de normalisation qui satisfait à la

relation suivante : 𝑟|𝜓 𝑟, 𝜑, 𝑧 |2 𝑑𝑟𝑑𝜑𝑑𝑧 = 1 (III-34)

La symétrie cylindrique donne la condition aux limites, suivante :

(0)  (2 ) (III-35)

En considérant la solution (III.33), l‟équation (III.30) devient:

ℏ2 𝑟2 𝜕2𝑅 𝑟 𝜕𝑅 𝑟2 𝜕2𝑅 ℏ2
− 2𝑚 ∗ + 𝑅 𝜕𝑟 + + 𝑟 2 𝑉 − 𝐸 − 2𝑚 ∗ 𝑙 2 = 0 (III-36)
𝑅 𝜕𝑟 2 𝑅 𝜕𝑧 2

𝑅
En multipliant l‟équation (III.36) par , on obtient l‟équation suivante:
𝑟2

2   2 R 1 R  2 R   2 2 
    
  V  l  R  ER (III-37)
2m*  r 2 r r z 2   2m*r 2 

60
Chapitre 3

II.2.1. d. Interaction coulombienne

Lorsque les états fondamentaux des électrons et des trous sont occupés, une paire de
particules (électrons, trous) contribue au potentiel d'interaction coulombienne dans la boîte
quantique. L'expression de ce potentiel est:

1 𝑒2 (III-38)
𝑈𝑖𝑗 = −
4𝜋𝜀0 𝜀𝑟 𝑟𝑖 −𝑟𝑗

L'énergie de liaison pseudo-excitonique peut être calculée en utilisant la théorie des

perturbations. En premier ordre, elle s‟écrit :

3 3 (III-39)
𝐸𝑒−ℎ = 𝜓0∗ (𝑟𝑒 )𝜓0∗ (𝑟ℎ )𝑈𝑖𝑗 𝜓0 𝑟𝑒 𝜓0 𝑟ℎ 𝑑𝑟𝑒 𝑑𝑟ℎ

Enfin, l'énergie de transition de l'état fondamental est: E0 = Ee + Eh + Eg + Ee−h où Ee et Eh

sont respectivement : l'énergie de l'état fondamental de l'électron et l'énergie de l'état
fondamental du trou. Eg est l‟énergie du gap et Ee-h est l'énergie de liaison pseudo-excitonique.

II.2.2. Procédures Numériques

Le calcul numérique réalisé avec cette deuxième méthode consiste à utiliser deux
logiciels de modélisation: Comsol® et Matlab®. La discrétisation des éléments et la
résolution des équations aux dérivées partielles (EDP) se fait à l'aide du Comsol. Tous les
autres calculs (changement de l‟orientation, calculs tensoriels, énergie de liaison, transitions
d‟énergies, normalisation des fonctions d‟ondes, variation en fonction de la température…) se
font par Matlab.

En général, la simulation numérique s‟effectue en quelques étapes : la première consiste à

choisir le modèle. Dans notre cas, la boîte quantique possède la forme d‟une lentille, le
système de coordonnées cylindriques est donc le mieux adapté à cette forme. Le modèle
bidimensionnel avec symétrie axiale sera utilisé dans toutes les simulations numériques. La
deuxième étape concerne la construction de la géométrie et sa discrétisation (maillage) qui
représente le mot clé de la MEF. La troisième étape consiste à définir les équations aux
dérivées partielles, avant de les introduire dans les différents sous-domaines. Enfin,
la quatrième étape comporte la résolution des équations aux dérivées partielles par ordre de
priorité. La figure III.6 illustre le diagramme de la modélisation.

61
Chapitre 3

Fig. III.6 : Diagramme de la modélisation

II.2.2.1. Construction de la géométrie

L‟utilisation du système de coordonnées cylindriques avec une symétrie axiale permet de

travailler dans un plan (o, r, z) au lieu de travailler dans un système à trois dimensions. Dans
ce cas, on construit une demi-lentille déposée sur une couche de mouillage. La BQ et sa
couche de mouillage sont entourées par un puits d‟InGaAs puis l‟ensemble est encapsulé dans
une matrice de GaAs (fig.III.5). Les paramètres géométriques (hauteur et largeur de la
structure) choisis sont très grands par rapport à la taille de la BQ.

II.2.2.2. Maillage de la géométrie

Dans cette étape, la structure est divisée en plusieurs éléments (mailles). Le maillage se fait
par la méthode Lagrange Quadratique et auquel cas les éléments sont des triangles liés entre
eux par des nœuds comme le montre la figure III.7. On remarque aussi que le nombre de ces
éléments est relativement élevé au voisinage de la boîte quantique et la couche de mouillage
où les propriétés physiques étudiées telles que la fonction d'onde devraient d‟avantage

62
Chapitre 3

fluctuer par rapport à d'autres régions. En d'autres termes, la taille de l'élément est plus petite
et donc la densité est plus élevée dans les régions mentionnées ci-dessus.
z

r
Fig.III.7: Représentation de la discrétisation en éléments finis de la structure à BQ par
Lagrange Quadratique

II.2.2.3. Les équations aux dérivées partielles

II.2.2.3.a. Calcul de la contrainte

Après avoir opté pour un modèle bidimensionnel dans COMSOL, chaque domaine est livré
avec différentes équations prédéfinies de sorte que les coefficients de ces équations sont
initialisés en fonction du problème étudié. Le premier modèle qui consiste à calculer la
distribution de la contrainte dans la BQ se fait dans le mode « Structural Mechanics→The
Axial Symmetry Stress-Strain application mode → Static Analysis ».
Lors de cette étape, les propriétés physiques de chaque domaine sont fixées, à savoir les
équations et les propriétés des matériaux. Pour l'analyse de la contrainte, il faut déterminer les
déplacements suivant les différentes directions.
Généralement, pour un système tridimensionnel, il est possible de décrire la contrainte en un
nœud i en fonction des composantes de déplacement (ui, vi, wi) et de leurs dérivés, suivant le
système de coordonnées choisi. Lorsqu‟il s‟agit du système de coordonnées cartésiennes, les
composantes de déformation normale et les composantes de déformation de cisaillement sont
données à partir du déplacement comme suit:

63
Chapitre 3

(III-40)

Lorsqu‟il s‟agit du système de coordonnées cylindriques (r, φ, z), on exploite la symétrie

axiale. Dans ce cas, on utilise seulement les composantes de déplacement (ui, wi) associées
aux directions r et z. Le déplacement vi associé à φ est supposé nul.
Les relations déformation-déplacement pour le système de coordonnées cylindriques sont:

(III-41)

Chaque nœud i se déplace donc dans les directions de r et z, (ui et wi). Le vecteur nodal de
déplacement est donné par:
𝑑 𝑒 = [u1 w1 u2 w2 u3 w3 ]T (III-42)

L'interpolation à l'intérieur d'un élément est définie par la géométrie de cet élément
(triangulaire dans notre cas). Dans chaque élément, on associe une interpolation linéaire pour
les 3 nœuds d‟un triangle. Les déplacements sont :
𝑢 = 𝑎1 + 𝑎2 𝑟 + 𝑎3 𝑧 (III-43)
𝑤 = 𝑎4 + 𝑎5 𝑟 + 𝑎6 𝑧

où les coefficients ai sont des constantes à déterminer à partir des équations ui et wi

correspondant aux nœuds ri, zi respectivement.
Après la détermination des coefficients ai dans les deux équations précédentes, un
réarrangement des termes, nous donne le déplacement pour chaque élément :
𝑢 = 𝑁 𝑒 𝑑𝑒 (III-44)
de sorte que l‟écriture de cette équation sous une forme matricielle est donnée par:
𝑢1
𝑤1
𝑢 𝑁1 0 𝑁2 0 𝑁3 0 𝑢2
= 𝑤 (III-45)
𝑤 0 𝑁1 0 𝑁2 0 𝑁3 2
𝑢3
𝑤3

64
Chapitre 3

Où Ni est la fonction de forme.

 Conditions aux limites
Il faut associer, pour chaque équation aux dérivées partielles, des conditions aux limites qui
sont, par ailleurs, très importantes dans la méthode des éléments finis.
- Les nœuds le long de l‟axe de rotation r = 0 et le long de l‟axe r = R (qui tient compte
de la périodicité) sont fixes.
- Le désaccord de maille entre les deux matériaux InAs et GaAs est une condition aux
limites pour les déformations normales et de cisaillement:

(III-46)

Pour représenter numériquement le désaccord de maille avec le substrat, nous employons une
pseudo-dilatation thermique dans les interfaces de la BQ. Le coefficient de dilatation
thermique est dans ce cas aT=0.067. La différence de température est de 1K. La déformation
thermique est donc 𝜀𝑇 = 𝑎 𝑇 ∆𝑇.

II.2.2.3.b. Calcul du champ piézoélectrique

On utilise l‟équation à la dérivée partielle, ci-dessous, prédéfinie dans le mode navigateur de

COMSOL pour le calcul du potentiel piézo-électrique.

(III.47)

En comparant cette équation avec celle de Poisson pour le potentiel piézo-électrique (équation
III.22), les coefficients sont identifiés comme suit:

c=-ɛs ɛ0 , 𝑎 = 0, 𝑑𝑎 = 1, 𝑒𝑎 = 0, 𝛼 = (0 0 0), 𝛽 = (0 0 0), 𝛾 = 2𝑒14 (𝑒𝑦𝑧 𝑒𝑥𝑧 𝑒𝑥𝑦 ) (III.48)

 Conditions aux limites

Les limites sont fixées selon les conditions de Dirichlet (Vp = 0) pour toutes les interfaces, à
l‟exception des interfaces internes où elles sont fixées conformément aux conditions de
Neumann.

65
Chapitre 3

II.2.2.3.c. Calcul des niveaux d’énergies et les fonctions d’ondes

Par la suite, il faut choisir l‟équation à la dérivée partielle (EDP) qui possède la même forme
que l‟équation de Schrödinger. Pour cela, on utilise la commande « general eigen PDE », où
l‟EDP s‟écrit sous la forme :

.  cu   u     au   .u  da u (III.49)

L‟identification avec l‟équation (III.37) donne:

  2 
, α=γ=0, a  V  * 2 l 2 ,    2m*r  , da=1, λ=E
2 2
 
u=R, c 
2m *
2m r  
 0 

  
 r 
et  
  
 
 z 

 Conditions aux limites

Dans cette partie, les conditions aux limites de Dirichlet sont employées pour la partie
𝐿 𝐿
supérieure et la partie inférieure de la structure : 𝜓 𝑟, 𝑧 = − 2 = 0 𝑒𝑡 𝜓 𝑟, 𝑧 = 2 = 0. En

ce qui concerne les limites à l‟interface où la fonction d‟onde est continue, les conditions de
Neumann sont imposées.

II.2.2.4. Résolution des équations aux dérivées partielles

La convergence de la solution finale se fait par la minimisation d‟un ensemble d'équations

algébriques dans chaque nœud. Ces équations sont représentées par des matrices qui ont la
forme de KD=F. Cette dernière équation sera résolue soit par une méthode directe soit par une
méthode itérative.

 La contrainte et la déformation

Afin de calculer la contrainte avec Comsol, il faut choisir le mode stationnaire car il s'agit
d'un problème stationnaire. Au cours de l'exécution des calculs, les équations de chaque
élément sont assemblées pour former des matrices de l'ensemble du système (matrice
globale). Chaque élément dispose de trois nœuds avec deux degrés de liberté dans chaque
nœud.

66
Chapitre 3

En conséquence, un système de m éléments a un total de n= 6m degrés de liberté. L'énergie

totale du système est donc donnée par :

(III.50)

Afin de déterminer le déplacement D, l'énergie totale du système χ doit être minimisée. Cela
implique :

(III.51)

Où

(III.52)

Les degrés de liberté des nœuds contraints (où les conditions aux limites sont appliquées) sont
exclus de l'ensemble de l'équation, car les «inconnues» sont définies. Enfin, les déformations
sont obtenues à l'aide de la relation déformation-déplacement donnée par l'équation (III.41).

Les résultats de la résolution numérique de la contrainte sont ensuite stockés dans la mémoire
de l‟ordinateur. Ils seront utilisés comme des entrées dans les autres modèles physiques
(potentiel piézoélectrique, niveaux d‟énergies, …).

 Potentiel Piézoélectrique

Le calcul du potentiel piézoélectrique est un problème stationnaire. Par conséquent, on utilise

un solveur stationnaire direct. En effet, les solutions stockées à partir des calculs de la
déformation et de la contrainte sont les entrées à ce modèle.

Contrairement au calcul de la déformation, chaque nœud a un seul degré de liberté. Une fois
le calcul est terminé, la solution est ensuite stockée à nouveau pour les calculs de la structure
de bandes.

 Niveaux d’énergies et fonctions d’ondes

Le calcul de la structure de bandes, étant un problème de valeurs propres, utilise le mode de

ces dernières comme solveur. Ce calcul nécessitera les solutions des deux calculs précédents
comme entrées.

67
Chapitre 3

Pour le modèle à une seule bande, il y aura autant d'équations que le nombre de nœuds à
résoudre. Cependant, pour le modèle à huit bandes, il y aura huit équations correspondant à
chaque nœud.

68
 Chapitre 4

Etude théorique des structures à BQs

InAs/GaAs(11N) et InGaAs/InAs/InGaAs
(DWELL)
 Chapitre 4

Chapitre 4 : Etude théorique des structures à BQs

InAs/GaAs(11N) et InGaAs/InAs/InGaAs (DWELL)

Plusieurs travaux théoriques ont été axés sur l’effet de la couche de mouillage des BQs
InAs / GaAs (001). Cependant, pour les BQs élaborées sur les substrats à haute indice,
l’étude simultanée de la couche de mouillage et de l'orientation du substrat est rarissime.
D'autre part, il a été démontré que la croissance de quelques couches d’InGaAs, en dessus et
en dessous des BQs, conduit à une modification notable des propriétés optiques de boîtes
quantiques. Dans ce chapitre, nous étudierons l’influence des différents paramètres comme
par exemple l’orientation du substrat, l’épaisseur de la couche de mouillage, la taille de la
boite quantique, la composition d’indium et l’épaisseur du puits InGaAs aussi bien dans les
structures de BQs InAs que dans celles des BQs InAs dans un puits d’InGaAs.

I. Les structures à BQs InAs/GaAs(11N)

I.1. Effet de l’orientation du substrat sur la distribution de la contrainte

Nous avons représenté, dans la figure (IV.1), la distribution de la contrainte hydrostatique
suivant l‟axe de croissance au centre de la BQ (r=0).
Hydrostatic strain through centre of quantum dots Hydrostatic strain through centre of quantum dots
0.02 0.02
111
h=2nm h=6nm 113
111 wl=0.56nm
wl=0.56nm 115
113 0.01
115 117
0.01
117 119
119
0
0

-0.01

-0.01
-0.02

-0.02
-0.03

-0.03 -0.04

(a) (b)
-0.04 -0.05
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2
z(m) -8 z(m) -8
x 10 x 10

Fig.IV.1: Contrainte hydrostatique le long de l’axe de croissance au centre de la BQ

d’InAs pour : (a) BQ de faible taille (b) BQ de grande taille avec différentes orientations du
substrat GaAs

70
Chapitre 4

Dans le cas général, cette figure montre que la contrainte est en compression à l'intérieur de
la BQ et en étirement à l‟interface de cette dernière.

Dans un premier temps, nous avons analysé les effets de l'orientation du substrat sur la
répartition de la contrainte dans la BQ. La valeur de la contrainte la plus importante est
obtenue lorsque l‟orientation du substrat est (113). Dans la BQ InAs/GaAs(111), la contrainte
est légèrement inférieure à celle de l‟orientation (113) (différence de 5%). Lorsque
l‟orientation de substrat passe de (113) à (119), c.-à-d. l‟angle de désorientation augmente, la
contrainte subit une réduction d'environ 80%. Cette évolution est la même quelque soit la
taille de la BQ. En outre, l'anisotropie dans la BQ est plus notable pour les deux orientations
(111) et (113). De plus, la contrainte à l‟intérieur de la BQ semble être uniforme lorsque
l‟orientation du substrat est (117) ou (119), c'est à dire lorsqu‟on s‟approche de l‟orientation
(001).

Par ailleurs, la contrainte est très aigüe à l‟interface, principalement pour la BQ

InAs/GaAs(111), contrairement aux autres orientations où elle est souple à l‟interface. Ceci
est vrai même pour la BQ InAs/GaAs(113) qui présente une contrainte intense à l‟intérieur de
la BQ. Dans ce cas, on peut constater que l‟étirement de la contrainte à l‟interface est le
facteur principal qui rend, impossible, la croissance des BQs auto-assemblées InAs/GaAs
(111). En effet, Henini et al [99] et Yamaguchi et al [100] ont montré que la formation des
BQs InAs/GaAs(111) auto-assemblées est très difficile. Cela a mené les chercheurs à élaborer
des BQs InAs/GaAs(111) avec d‟autres techniques comme par exemple l‟épitaxie des
gouttelettes et des couches atomiques [101,102]. Cependant, la formation auto-assemblée des
BQs InAs/GaAs(113) n‟est pas difficile et subit des optimisations importantes au cours des
ces dernières années [89, 103, 104].

Si on compare la différence entre l‟étirement de la contrainte au niveau de l‟interface

« substrat-InAs » et de l‟interface « InAs-encapsulation », on remarque que la contrainte est
très large à l‟interface « InAs-encapsulation », c.-à-d. juste après la formation de la BQ. En
effet, la contrainte est faible avant la formation de la BQ grâce à la présence de la couche de
mouillage qui engendre une diminution de désaccord de maille entre le substrat et la couche
d‟InAs [105,106].

D‟autre part, la figure (IV.1) montre que la contrainte hydrostatique n‟est pas affectée par
la taille de la BQ. Cependant, la forme de la contrainte dépend de la taille de la BQ, et semble
être plus uniforme à cause de la hauteur élevée de la BQ.

71
Chapitre 4

I.2. Effet de la couche de mouillage sur la transition d’énergie dans les structures
de BQs InAs/GaAs(11N)
La figure IV.2 représente la transition d‟énergie fondamentale (E0) d‟une BQ InAs pour des
hauteurs égales à 2 et 6 nm en fonction de l'épaisseur de la couche de mouillage et dans le cas
de différentes orientations. Cette figure montre clairement que l'énergie de transition est
affectée aussi bien par l'orientation du substrat que par l'épaisseur de la couche de mouillage.
Cette transition subit un décalage vers les basses énergies lorsque l‟épaisseur de la couche de
mouillage augmente. De plus, on remarque que la diminution de l‟énergie est plus importante
lorsque la taille de BQ est faible (148meV pour h=2nm et 85meV pour h=6nm).

Fig.IV.2: Transitions d’énergies fondamentales en fonction de l'épaisseur de la couche de

mouillage par rapport à la hauteur d’une boîte quantique InAs pour différentes orientations.

Pour bien comprendre cette évolution, nous avons représenté, dans la figure IV.3, la fonction
d‟onde des électrons dans la BC pour une BQ de faible taille et une BQ de grande taille. On
constate que la fonction d‟onde est couplée entre la BQ et la CM lorsque la hauteur de la BQ
est semblable à l'épaisseur de la CM (dCM / h ~ 1). En effet, dans le cas où l‟épaisseur de la
CM est élevée, le confinement des porteurs subit une réduction et la fonction d'onde s‟élargit
dans la BQ et la CM. Cet élargissement est plus important dans le cas d‟une BQ de faible
taille. Cependant, lorsque la CM est mince, les porteurs sont plus confinés dans la BQ de
grande taille.

72
Chapitre 4

Fig. IV.3: Fonctions d'onde de l'état fondamental dans la bande de conduction d'une BQ en
forme de lentille avec une hauteur de 2 nm (première rangée) et 6 nm (seconde rangée)
lorsque l'épaisseur de la couche de mouillage est de 0,1× h (première colonne) et (0.9 × h)
(deuxième colonne).

D‟autre part, la transition d‟énergie est très affectée par l‟orientation du substrat. En effet,
lorsque l‟indice N diminue de 9 à 1, un décalage de 267meV vers les hautes énergies a été
observé pour les BQs de faibles tailles. Ce décalage est de l‟ordre de 272meV pour les BQs de
grandes tailles. Ces valeurs sont obtenues lorsque l‟épaisseur de la couche de mouillage est
presque égale à la hauteur de la BQ. La distribution de la contrainte et du champ
piézoélectrique sont les deux paramètres physiques qui peuvent contribuer à ce décalage
d‟énergie entre les orientations.

Au début de ce chapitre, nous avons montré que la valeur de la contrainte ne dépend pas de la
taille de la BQ, alors qu‟elle dépend de l‟orientation du substrat. D‟autre part, pour étudier
l‟effet du champ piézoélectrique sur la transition de l‟énergie fondamentale, nous avons
représenté dans la figure (IV.4), l‟évolution de cette dernière en présence ou non du champ
piézoélectrique. On remarque que la transition d‟énergie fondamentale n‟est pas affectée par
le champ piézoélectrique pour les BQs de faibles tailles. En revanche, dans les cas des BQs de
grandes tailles et principalement pour les BQs InAs élaborées sur le substrat GaAs(111), le
champ piézoélectrique a un léger effet sur la transition d‟énergie.

73
Chapitre 4

avec champ PZ
sans champ PZ

Fig.IV.4: Transition d’énergie fondamentale avec et sans champ piézoélectrique en

fonction de l’orientation du substrat pour des BQs de faible et de large taille.

En outre, la figure IV.5 montre que la distribution du champ piézoélectrique est plus
importante pour les BQs InAs/GaAs(111) de grande taille. Dans ce cas, la valeur maximale du
potentiel piézoélectrique est de l‟ordre de 43mV pour les BQs InAs/GaAs(111)A et avoisine
22mV pour les BQs InAs/GaAs(115)A. Cependant, dans le cas des BQs de faibles tailles, la
valeur maximale du potentiel piézoélectrique est de l‟ordre de 13mV pour les BQs
InAs/GaAs(111)A et vaut 7mV pour les BQs InAs/GaAs(115)A. On peut donc conclure que
la légère augmentation de l‟énergie observée entre les BQs de grande taille et les BQs de
faible taille (272-267=5meV) est due à la génération du champ piézoélectrique à l‟entourage
de la BQs qui mène à l‟amélioration de l‟effet écran des charges [107]. Néanmoins,
l‟augmentation significative de l‟énergie qui à été observée lorsque l‟orientation du substrat
diminue de (119) à (111) est principalement due à la contrainte.

74
Chapitre 4

Fig.IV.5: Distribution du potentiel piézoélectrique pour les BQs de faible taille (h=2nm)
et des BQs de grande taille (h=6nm) pour les orientations (111), (113) et (115)

Il convient de préciser qu‟un autre phénomène a été observé comme le montre la figure
(IV.5). En fait, le potentiel piézoélectrique pour les BQs InAs/GaAs(111) et InAs/GaAs(113)
est plus important à l‟extérieur de la BQ tout en étant aligné le long de l‟axe de croissance.
Par contre, pour les BQs InAs/GaAs(115), le maximum du potentiel piézoélectrique se trouve

75
Chapitre 4

à l‟intérieur de la BQ, sans pour autant exister significativement le long de l‟axe de

croissance.

Ces résultats sont similaires à ceux observés par Schliwa et al. [37] qui démontrent que,
dans le cas de l‟orientation GaAs(111), le dédoublement de la structure fine (FSS : fine
structure splitting) tend vers zéro contrairement au cas des BQs élaborées sur le substrat
GaAs(001) où le FSS est différente de zéro. Cet effet suggère que les BQs InAs élaborées sur
le substrat GaAs(111) seront commodes en tant que sources génératrices des paires de
photons intriqués [108,109], même si la croissance des BQs InAs/GaAs(111) demeure
difficile.

I.3. Effet de la couche de mouillage sur l’interaction coulombienne

Il est connu que l‟interaction coulombienne contribue à la diminution de la transition
d‟énergie [110,111]. De plus, il a été démontré que cette énergie diminue avec l‟augmentation
de la taille de la BQ [98] et peut dépendre de l‟orientation du substrat ou de l‟épaisseur de la
couche de mouillage.

Fig.IV.6: Evolution de l’énergie pseudo-exciton (énergie de l’interaction coulombienne)

en fonction de l’épaisseur de la couche de mouillage (dWL) pour des BQs InAs de hauteurs
h=2nm et h=6nm

76
 Chapitre 4

La figure (IV.6) illustre l‟énergie de pseudo exciton (Ee-h) en fonction de l‟épaisseur de la

couche de mouillage pour différentes orientations. Cette figure montre que Ee-h ne dépend pas
de l‟orientation du substrat et diminue lorsque l‟épaisseur de la couche de mouillage
augmente pour les BQs de faible taille. Cependant, pour les BQs de grande taille, l‟énergie de
pseudo-exciton est insensible à l‟épaisseur de la couche de mouillage. En effet, pour cette
famille de boîtes, les électrons et les trous sont largement espacés de sorte que l‟interaction
coulombienne est négligeable quelque soit l‟épaisseur de la couche de mouillage.

II. Les structures à BQs dans un puits InGaAs/InAs/InGaAs

Dans le but de diminuer la contrainte dans les interfaces des BQs, certains chercheurs ont
étudié les BQs InAs dans un puits d‟InGaAs (structure des BQs dans un Puits)[112-116]. Ces
structures mènent à une diminution de la transition d‟énergie (augmentation de la longueur
d‟onde). En conséquence, ces dernières seront très utiles pour augmenter la réponse spectrale
des cellules solaires à base des BQs [115,116]. De plus, dans les cas des BQs élaborées sur les
substrats à hauts indices, l‟existence du champ piézoélectrique facilite l‟extraction des
porteurs photo générés. En effet, l‟addition du champ piézoélectrique au champ électrique
interne qui existe dans la jonction PN, aide la collection des porteurs vers les électrodes de la
cellule photovoltaïque [31]. Néanmoins, le problème ici, concerne le bon choix de la
composition d‟indium et de l‟épaisseur de la couche d‟encapsulation (InGaAs) car la
distribution de la contrainte en dépend [117]. En outre, il est connu que la couche
d‟encapsulation d‟InGaAs réduit la contrainte inhomogène générée par les BQs, ce qui
améliore la croissance des multi-plans à BQs avec un bon ordre latéral et une bonne densité
qui sont indispensables dans les cellules photovoltaïques [30].

II.1. Effet de la composition d’Indium et de l’épaisseur d’InGaAs sur la

contrainte hydrostatique.

La distribution de la contrainte hydrostatique dans les structures des BQs dans un puits
d‟InGaAs/GaAs(11N) (N=1, 3, 5, 9) en fonction de la composition d‟Indium est représentée
dans la figure (IV.7). Nous avons traité trois situations concernant l‟épaisseur de la couche
d‟InGaAs : h<d, h=d et h>d, où h est la hauteur de la BQ et d est l‟épaisseur de la couche
d‟InGaAs.

77
 Chapitre 4

Hydrostatic strain through centre of quantum dots Hydrostatic strain through centre of quantum dots Hydrostatic strain through centre of quantum dots
0.01 0.015 0.01
(111) (111) (111) x=0.1
0.005 h=3nm 0.01 h=d=5nm 0.005 h=6nm x=0.2
d=5nm d=5nm x=0.3
0.005
0 0
Contrainte Hydrostatique

x=0.1 0
-0.005 -0.005

Hydrostatic strain

Hydrostatic strain
Hydrostatic strain

x=0.2
x=0.3 -0.005
-0.01 -0.01
-0.01
-0.015 -0.015
-0.015
-0.02 -0.02
-0.02
-0.025 x=0.1 -0.025
-0.025
x=0.2
-0.03 (a) -0.03 (e) x=0.3 -0.03
(i)
-0.035 -0.035 -0.035
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
z(m) -8 z(m) -8 z(m) -8
x 10 x 10 x 10

Hydrostatic strain through centre of quantum dots Hydrostatic strain through centre of quantum dots Hydrostatic strain through centre of quantum dots
0.01 0.005
(113) (113)
0.01 h=3nm 0.005 h=d=5nm
0
d=5nm
0.005
0
(113)
-0.005 h=6nm
0 x=0.1 d=5nm
-0.005
x=0.2 -0.01

Hydrostatic strain
Contrainte Hydrostatique

-0.005
Hydrostatic strain
Hydrostatic strain

x=0.1 x=0.3
-0.01
-0.01 x=0.2 -0.015
x=0.3 -0.015
-0.015 -0.02
-0.02 x=0.1
-0.02
-0.025 x=0.2
-0.025
-0.025 x=0.3
-0.03
-0.03
-0.03

-0.035
(b) -0.035
(f)
-0.035
(j)
-0.04 -0.04 -0.04
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
z -8 z -8
x 10 x 10 z -8
x 10

x 10
-3
Hydrostatic strain through centre of quantum dots Hydrostatic strain through centre of quantum dots Hydrostatic strain through centre of quantum dots
5
0.01 0.005
(115)
(115) (115) x=0.1
h=3nm h=6nm
h=d=5nm x=0.2
d=5nm 0.005 d=5nm
0 x=0.3
0
Contrainte Hydrostatique

x=0.1 0
x=0.2 -0.005
Hydrostatic strain

x=0.1
Hydrostatic strain
Hydrostatic strain

x=0.3
-5 -0.005 x=0.2
x=0.3
-0.01
-0.01
-10
-0.015
-0.015

-15
-0.02
-0.02

(c) (g) (k)

-20 -0.025 -0.025
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
z -8 z -8
z -8
x 10 x 10
x 10

-3 -3 -3
x 10 Hydrostatic strain through centre of quantum dots x 10 Hydrostatic strain through centre of quantum dots x 10 Hydrostatic strain through centre of quantum dots
6 6 6
(119) x=0.1 (119) x=0.1 (119)
x=0.1
h=3nm x=0.2 h=d=5nm x=0.2 h=6nm x=0.2
4 d=5nm 4 4
x=0.3 x=0.3 d=5nm x=0.3

2 2 2
Contrainte Hydrostatique

Hydrostatic strain
Hydrostatic strain

Hydrostatic strain

0 0 0

-2 -2 -2

-4 -4 -4

-6 -6 -6

(d) (h) (l)

-8 -8 -8
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
z(m) -8 z(m) -8 z(m) -8
x 10 x 10 x 10

Fig.IV.7: Contrainte hydrostatique le long de l’axe de croissance au centre de la structure de BQ

dans un puits d’InGaAs d’épaisseur d=5nm pour différentes composition d’Indium et pour différentes
orientations de GaAs(11N) N=1,3,5,9 : taille de BQ :h=3nm(a,b,c,d), h=5nm (e,f,g,h), h=6nm (i,j,k,l)

78
Chapitre 4

En considérant la première situation correspondant à h<d, on remarque clairement que la

contrainte diminue d‟une façon monotone lorsque la composition d‟Indium dans l‟InGaAs
augmente. La contrainte entre la BQ et la couche d‟InGaAs est très large lorsque la
composition d‟Indium est de 0.1 (Hyd=0.035) et diminue à moitié lorsque cette composition
est de l‟ordre de 0.3 (Hyd=0.017) pour le substrat GaAs(111) (fig.IV.7.a). Cependant, pour le
substrat GaAs(119), cette valeur est de 0.0075 lorsque x=0.1 et vaut 0.002 lorsque x=0.3
comme le montre la figure (IV.7.d).

D‟autre part, lorsque la composition d‟indium augmente, la contrainte diminue dans

l‟interface située entre la BQ et la couche d‟InGaAs. Le même comportement a été observé
entre la couche d‟InGaAs et la couche d‟encapsulation de GaAs.

On remarque aussi que la contrainte est plus uniforme (faible variation) à l‟intérieur de la BQ
lorsque la composition d‟Indium dans la couche d‟InGaAs augmente. Cette progression
montre que la BQ est plus stable lorsque la composition d‟indium s‟accroit sans perdre de vue
qu‟il est nécessaire de choisir une concentration d‟indium de sorte que la contrainte est
équilibrée entre la BQ, la couche d‟InGaAs et la couche de GaAs. Cette concentration dépend
de l‟orientation de substrat. La figure (IV.7.a-d) montre qu‟elle est de 0.3 pour le GaAs(111),
GaAs(113), GaAs(115) et 0.2 pour le GaAs(119).

L‟épaisseur de la couche de puits d‟InGaAs joue également un rôle très important sur la
stabilité des BQs. En effet, en comparant les figures (IV.7.a-d) et (IV.7.e-h), on remarque que
la contrainte est très importante au sommet de la BQ dans le cas où h=d. Cet effet est dû au
fort désaccord de maille entre l‟InAs et le GaAs qui a lieu au sommet de la BQ. D‟autre part,
si h>d (fig.IV.i-l), la BQ n‟est plus stable car, dans ce cas, la contrainte est en compression,
sans pour autant être relaxée c-à-dire la couche d‟encapsulation de GaAs est soumise à une
contrainte compressive. En fait, si la contrainte était relaxée, elle devrait être égale à zéro dans
la couche de GaAs. On montre, dans cette partie, que la condition h>d est impossible
expérimentalement. Ces résultats peuvent aider les chercheurs à élaborer des BQs stables dans
un puits d‟InGaAs/GaAs(111).

II.2. Effet de la composition d’Indium et de l’épaisseur d’InGaAs sur le champ

piézoélectrique.

Les figures (IV.8.a-c) et (IV.8.d-f) montrent que le potentiel piézoélectrique diminue en

fonction de la composition d‟indium. A titre d‟exemple, pour les compositions d‟indium

79
Chapitre 4

égales à 0.1 et 0.3, le potentiel piézoélectrique maximum est respectivement de l‟ordre de

18mV et 8.2mV. Ces valeurs sont obtenues lorsque l‟épaisseur de la couche d‟InGaAs est
égale à la hauteur de la BQ déposée sur le substrat GaAs(111). La réduction du potentiel
piézoélectrique est reliée à la diminution de la contrainte lorsque la composition d‟indium
augmente, comme le montre la figure IV.7. Cependant, la figure (IV.8) montre que le
potentiel piézoélectrique n‟est pas affecté par l‟épaisseur de la couche d‟InGaAs (il diminue
de 1mV seulement lorsque l‟épaisseur augmente de d=h à d=2×h). Cette invariance est due
au fait que la contrainte est presque constante à l‟intérieur de la BQ si l‟épaisseur de la couche
d‟InGaAs augmente au-dessus de la BQ (fig. IV.7).

(a) (b) (c)

xIn=0.1 xIn=0.2 xIn=0.3

(d) (e) (f)

xIn=0.1 xIn=0.2 xIn=0.3

Fig.IV.8: Distribution du potentiel piézoélectrique de la structure InAs/InxGa(1-

x)As/GaAs(111) pour d=h (a,b,c) et pour d=2×h (d,e,f) avec les compositions d’Indium 0.1,
0.2 and 0.3

80
Chapitre 4

II.3. Effet de la composition d’Indium et de l’épaisseur de la couche d’InGaAs

sur la transition d’énergie.
La figure (IV.9.a) illustre la variation de l‟énergie de liaison pseudo-excitonique en
fonction de l‟orientation de substrat pour trois compositions différentes d‟indium.

Il est clair que, pour toutes les orientations, l‟énergie de liaison diminue seulement de
27meV à 24 meV lorsque la composition d‟Indium augmente dans la couche d‟InGaAs de 0.1
à 0.3. De plus, la décroissance de la transition d‟énergie, pour l‟orientation (111), est de
l‟ordre de 110meV pour la même variation de la composition d‟indium (fig.IV.9.b). Cette
diminution est probablement due à la délocalisation des porteurs de la BQ vers la couche
d‟InGaAs induite par la diminution de la barrière [118]. Cependant, l‟effet de la composition
d‟Indium sur la transition d‟énergie est faible dans le cas des substrats (113), (115), (117) et
(119) (de l‟ordre de 35 meV). Ce résultat est lié à la contrainte de compression entre la couche
d‟InGaAs et la BQ d‟InAs. En effet, lorsque la composition d‟indium vaut 0.3 et 0.1, la
différence de la contrainte est respectivement de l‟ordre de 0.016 et 0.005 pour les
orientations (111) et (119). On remarque aussi la corrélation entre la variation de la contrainte
0.016 110
et la diminution de la transition d‟énergie (0.005 ≈ ). Néanmoins, l‟insensibilité de l‟énergie
35

de liaison pseudo-excitonique peut être due à son invariance en fonction de l‟orientation de

substrat.

Il a été démontré, au début de ce chapitre, que la transition d‟énergie fondamentale diminue

en fonction de l‟indice N car la contrainte diminue à l‟intérieur de la BQ. Ainsi, en faisant
varier la composition d‟In dans la couche d‟InGaAs, la contrainte à l'intérieur de la BQ est
variable seulement dans le cas du substrat GaAs(111) alors que pour les autres orientations du
substrat cette contrainte reste la même quelque soit la composition d‟Indium (figure IV.7).
Pourtant, la contrainte d‟interface entre l‟InGaAs et l‟InAs dépend fortement de la
composition d‟indium et de l‟orientation du substrat. Par conséquent, c‟est le chevauchement
entre les deux contraintes (à l‟interface et à l‟intérieur de la BQ) qui mène à la différence de la
transition d‟énergie pour les compositions d‟Indium de 0.1 et 0.3 en fonction de l‟orientation
de substrat.

81
Chapitre 4

Fig.IV.9: (a) Energie de liaison pseudo-excitonique, (b) Transition d’énergie

fondamentale en fonction de l’orientation du substrat (11N) pour différentes compositions
d’Indium

D‟autre part, la figure IV.10 montre que l‟énergie de liaison pseudo-excitonique et la

transition d‟énergie fondamentale ne sont pas affectées par l‟épaisseur de la couche d‟InGaAs.
Cela implique que les porteurs sont confinés de la même manière quelque soit l‟épaisseur
d‟encapsulation d‟InGaAs ce qui confirme aussi l‟invariance de la contrainte ou du champ
piézoélectrique en fonction de l‟épaisseur de la couche d‟InGaAs.

82
Chapitre 4

Fig.IV.10: (a) Energie de liaison pseudo-excitonique, (b) Transition d’énergie

fondamentale en fonction de l’orientation du substrat (11N) pour différentes épaisseurs du
puits InGaAs

Néanmoins, il a été constaté expérimentalement que l'épaisseur de puits quantique a une

grande influence sur la position du pic et l'intensité de PL [119].Un des principaux facteurs
causant ce désaccord entre la théorie et l‟expérience est la diffusion de l‟indium en dehors de
la BQ au cours de la croissance des BQs [120]. Ainsi, l'introduction des effets d'interdiffusion
dans notre calcul est envisageable comme perspective.

83
 Chapitre 5

Effets des conditions de croissance sur la

formation des BQs InAs/GaAs(115)A
 Chapitre 5

Chapitre 5: Effets des conditions de croissance sur la formation

des BQs InAs/GaAs(115)A

Dans ce chapitre, nous présentons l’étude que nous avons effectuée, en temps réel, au
sujet des effets de la température de croissance et du rapport flux As/In sur la qualité
structurale de la couche bidimensionnelle (couche de mouillage) qui précède la formation des
BQs InAs. Nous mettons, également l’accent sur l’effet de la quantité d’InAs déposée sur la
qualité optique de ces BQs.

I. Présentation des structures étudiées

Les échantillons étudiés sont élaborés par épitaxie par jets moléculaires (MBE) sur des
substrats semi-isolants GaAs (115) A. Tout d‟abord une couche tampon de GaAs d‟épaisseur
130 nm a été déposée sur le substrat GaAs à une température de 600°C. Par la suite, une
quantité d‟InAs a été déposée avec une vitesse de croissance de l‟ordre de 0.08 Å/s et sous
une température de croissance de 500°C mesurée par pyromètre à infrarouge. Pour cette
première série d‟échantillons, le rapport du flux As/In a été égal à 18, 40 et 78. Pour la
deuxième série d‟échantillons, nous avons fixé le rapport flux à 18, tout en faisant varier la
température de croissance d‟InAs. Enfin, après avoir optimisé la température de croissance et
le rapport flux As/In, une troisième série d‟échantillons a été élaborée à une température de
croissance de 500°C et un rapport flux As/In=18, et auquel cas, la quantité d‟InAs déposée a
été égale à 2.2 MC, 2.5MC et 4.2MC. Finalement, une couche d‟encapsulation de GaAs
d‟épaisseur 30 nm a été déposée avec une température de croissance de 500°C. L‟évolution
structurale de la surface des échantillons est observée par la technique de la diffraction des
électrons rapides (RHEED) à haute énergie (12 keV). Les taches de diffraction sont
enregistrées par une caméra CCD couplée à une carte d‟acquisition et un ordinateur qui
analyse les images RHEED en temps réel [121].

II. Étude in situ au cours de la formation des BQs

II.1. Effet du rapport flux As/In

Le rapport du flux As/In peut jouer un rôle déterminant sur le processus de formation des
BQs. Pour cette raison, nous avons étudié l‟influence de ce paramètre sur l‟évolution de la
transition 2D-3D pour la structure InAs/GaAs(115)A. La figure (V.1) représente les tâches
RHEED enregistrées au cours de la croissance pour différentes valeurs du rapport flux As/In

85
Chapitre 5

(18, 40, 78). La transition du mode de croissance 2D au mode de croissance 3D est signalée
par l‟apparition des tâches de Bragg.

Fig.V.1: Tâches RHEED suivant la direction [-110]

Dans les premiers stades de croissance de l‟InAs, les taches allongées du RHEED indiquent
que la surface est relativement plane. Le mode de croissance dans ce cas est bidimensionnel
ce qui est communément attribué à la faible quantité d'InAs déposée au cours de la croissance
(fig. V.1.a). Cette couche bidimensionnelle est généralement appelée couche de mouillage.
Lorsque la quantité de matière d‟InAs est supérieure à une épaisseur critique de la couche de
mouillage, des tâches de Bragg apparaissent (fig.V.1.b). Ces dernières indiquent que la
surface est rugueuse et qu‟il y a formation des îlots tridimensionnels.

86
Chapitre 5

En changeant le rapport du flux As/In, un phénomène inhabituel est observé : la distance "d"
entre deux taches RHEED est deux fois plus grande pour les deux rapports flux :
R = 40 et R = 78 par rapport à celle de R = 18. Cette observation indique que la surface
subit un changement de la reconstruction à partir d‟un rapport flux As/In = 40 [122]. Pour
confirmer cette hypothèse, nous avons étudié l'intensité d‟une tache RHEED en fonction du
temps de croissance d‟InAs.

R=18
III
R=40
R=78
(u.a) (a.u)

I II
Intensity

2.0 ML 2.3 ML
RHEED

2.2 ML
RHEED
Intensité

V =0.028ML/s
InAs

60 70 80 90 100 110 120

InAs de
Temps growth time (s)
croissance d’InAs (s)

Fig. V.2 : Evolution de l’intensité d’une tache de Bragg lors de la croissance d’InAs sur
GaAs (115)A pour différents rapports de flux As/In (R=18, 40 et 78).

La figure (V.2) montre, dans le cas où la température de croissance est de 500°C et pour
différents rapports As / In (R= 18, 40 et 78), l'évolution de l'intensité RHEED en fonction du
temps de croissance d‟InAs. Cette évolution est repartie en trois phases : (I) la relaxation
initiale de la contrainte, (II) la relaxation rapide et (III) la saturation de la relaxation.

La phase de relaxation initiale est liée à la formation de la couche de mouillage. La deuxième

phase qui traduit la relaxation rapide de la contrainte, se caractérise par une augmentation de
l'intensité RHEED indiquant la formation des îlots 3D. La phase de relaxation saturée se
produit lorsque l'intensité RHEED devient constante en raison d'une relaxation complète de la

87
Chapitre 5

contrainte après la formation des BQs. La région la plus importante se trouve au point de
transition entre la première et la deuxième phase. Ce point de transition de phase 2D-3D, nous
donne l'épaisseur critique de la couche de mouillage (θc). Cette dernière peut être calculée par
la relation entre la vitesse de croissance d'InAs et la durée de croissance dans le cas où
l'intensité RHEED reste constante, θc = VInAs × t. Nous avons représenté dans la figure V.2
des flèches qui indiquent les points de transition 2D-3D. Le tableau (tab. V.1) résume les
valeurs trouvées.

Tab. V.1: Evolution de l’épaisseur critique de la couche de mouillage et du rapport (d/D) en fonction
du rapport flux As/In.

Rapport flux (As/In) d/D Өc(ML)

18 0.36 2.2

40 0.6 2.0

78 0.6 2.3

Comme le résume le tableau (tab.V.1), l'épaisseur critique (θc) subit une légère diminution de
2,2 à 2,0 MC lorsque le rapport As/In augmente de 18 à 40. De plus, l‟épaisseur de la couche
de mouillage augmente à 2,3 MC lorsque le rapport As /In s‟accroît jusqu‟à 78. Cette
évolution inhabituelle de l‟épaisseur critique (θc) en fonction du rapport flux (As/In) est
attribuée à un changement de reconstruction de surface du GaAs(115)A [122]. En effet, en
changeant le rapport de flux As/In, la contrainte et le potentiel chimique des marches
surfaciques qui se trouvent sur la surface GaAs (115) seront modifiés, et la surface devient
instable. En fait, le système cherche à trouver une nouvelle position stable et auquel cas
l‟énergie libre de la surface devient minimale.

Par ailleurs, la figure V.2 montre, que dans la deuxième phase de la courbe (relaxation
rapide), la pente, traduisant la vitesse de formation des BQs, change d‟une manière
significative lorsque le flux d‟As/In augmente. En conséquence, on peut dire que la formation
des BQs est lente dans le cas où le rapport flux est de 18, vu que la pente de la courbe (R=18)
est faible. Cet effet a une grande importance sur la minimisation des défauts d‟interface qui se
forment généralement lors de la croissance. La figure (V.2) montre aussi que, dans le cas d‟un

88
Chapitre 5

faible rapport flux (As /In), l'intensité RHEED reste constante et stable avant la formation des
BQs.

II.2. Effet de la température de croissance

La température du substrat (Ts) est un autre paramètre de la croissance qui contribue à
contrôler le processus de formation des BQs [123,124]. Pour étudier son effet sur la relaxation
de la contrainte, nous avons enregistré l‟intensité RHEED pendant la formation des BQs pour
deux températures de croissance.

300
500°C
470°C
RHEED Intensity (a,u)

250
Intensité RHEED (u.a)

200 2,0MLs

150
2,2MLs

100

50

20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140

Temps de croissance d’InAs (s)
InAs growth time (s)

Fig.V.3 : Evolution de l’intensité d’une tâche de Bragg lors de la croissance d’InAs sur
GaAs(115)A pour les températures de croissance T=470°C et T=500°C

La figure (V.3) montre l‟évolution de l‟intensité d‟une tache de Bragg en fonction du temps
de croissance d‟InAs pour deux températures du substrat (470 et 500°C) et pour un faible
rapport flux As/In. Au cours de la première phase de relaxation qui correspond à la création
de la couche bidimensionnelle, l‟intensité RHEED n‟est pas constante quand la température
du substrat est faible. Cet effet est dû à une diminution de la longueur de diffusion d'indium
qui fait que les atomes ne peuvent plus atteindre les bords des marches surfaciques. Dans ce
cas, la croissance bidimensionnelle ne se fait pas couche après couche, et la qualité de la
surface n‟est pas bonne, ce qui favorise la formation des défauts d'interfaces. Cependant,

89
 Chapitre 5

l'intensité RHEED à 500°C est pratiquement constante en fonction du temps de croissance

dans la première phase. Le mode de croissance bidimensionnel se fait couche par couche
grâce à la longueur de diffusion élevée des atomes en surface. En effet, l'existence des bords
des marches surfaciques sur la surface du substrat GaAs(115)A stabilise la nucléation des
atomes dans les sites stables, ce qui correspond à une énergie de surface est minimale. Dans
cette situation, les défauts de surfaces seront réduits et la qualité de la surface est améliorée.
Par conséquent, les boîtes quantiques se forment sur une surface lisse. D‟autre part, On
remarque que l‟épaisseur de la couche de mouillage augmente de 2.0MCs à 2.2MCs lorsque
la température de croissance augmente de 470°C à 500°C. En fait, l'augmentation de
l'épaisseur de la couche de mouillage avec la température du substrat est attribuée à trois
phénomènes : (i) une réduction de désaccord de maille entre le GaAs et InAs en raison de la
dilatation thermique de paramètre de maille de GaAs, (ii) une amélioration de la longueur de
diffusion d'indium sur la surface et (iii) une augmentation de la désorption d'indium qui se
produit lorsque la température de croissance augmente.

III. Étude par spectroscopie optique : effet de la quantité de matière déposée

III.1. Étude à basse température

Il est connu que l'épaisseur de la couche de mouillage est indépendante de la quantité
de matière d‟InAs déposée du moment que cette dernière dépasse une certaine limite [18-21].
Cependant, l‟épaisseur de la couche de mouillage est principalement liée à la contrainte et à
l‟énergie de surface. Par conséquent, la quantité de matière d'InAs supplémentaire à
l‟épaisseur critique de la couche de mouillage est destinée à la formation des BQs. Ainsi, la
quantité de matière d‟InAs déposée a une influence sur la distribution de taille car on ne peut
pas s‟attendre à des BQs de taille optimale s‟il n‟y a pas assez de matière déposée. En outre, si
la quantité d‟InAs est importante, la taille des BQs augmente et dépasse la taille optimale, ce
qui rend très faible la distance entre les BQs. De plus, le couplage latéral entre les BQs
devient non négligeable. Pour contrôler cette épaisseur, il faut donc tenir compte de
l‟épaisseur critique θc nécessaire à la formation de la couche de mouillage [21]. A titre
d‟exemple, pour le substrat conventionnel GaAs (001), 1.7 MC suffira pour obtenir des BQs
alors que, pour un substrat GaAs (115)A, il faut au minimum 2.2 MC [122].

Pour étudier l‟influence de ce paramètre sur la formation des boîtes quantiques ainsi que sur
leur émission, nous avons représenté dans la figure (fig.V.4) l‟émission de deux échantillons

90
Chapitre 5

qui correspondent respectivement à une épaisseur d‟InAs déposée égale à 2.5 et 4.2MC. Ces
spectres sont réalisés avec une densité de puissance 200W/cm2 et à basse température (12K).

2.2
270meV
2.0

1.8

1.6
(u,a)
PL (u.a)

1.4
PL intensity

1.2
2,5ML InAs
1.0
Intensité

0.8

0.6

0.4

0.2
4,2ML InAs
x10
0.0

0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6

Energy
Energie (eV)
(eV)

Fig.V.4: Spectres de PL à 10K des BQs InAs/GaAs (115) A avec des quantités d’InAs 2,5 et
4,2 MCs et de rapport de flux As/In = 18.

Il convient également de noter que nous avons élaboré un autre échantillon avec seulement
2.2MC mais le spectre de PL qui lui est associé ne présente aucun pic (non représenté ici). En
fait, les BQs commencent à se former juste après le dépôt de 2.2MC d‟InAs. Par conséquent,
après la formation des îlots quantiques (BQs de très faible taille), la contrainte de compression
induite par la couche d‟encapsulation GaAs provoque l'interdiffusion entre l‟In et le Ga qui
conduit à la suppression de ces BQs. D'autre part, si on considère que la couche de mouillage
est un puits quantique, l'épaisseur de ce dernier est très faible (≈ 0.63nm) et le confinement
y est presque impossible, car les porteurs (électrons et trous) peuvent s'échapper
du puits quantique au continuum de GaAs par effet tunnel.
Concernant les deux autres échantillons où la quantité d‟InAs est relativement grande (2.5 et
4.2MC), nous observons l‟existence d‟un seul pic de PL pour chaque structure. Ce pic
représente la transition optique entre le niveau fondamental de la bande de conduction et celui
de la bande de valence des boîtes quantiques. En effet, la quantité d‟InAs déposée est
suffisante pour permettre la nucléation de BQs. De plus, nous remarquons un grand décalage
énergétique vers les basses énergies de 270meV lorsque la quantité d‟InAs déposée augmente
de 2.5 à 4.2MC. Cette évolution est attendue car plus la taille des BQs est grande plus

91
Chapitre 5

l‟énergie d‟émission est faible. Cependant, l'intensité de PL subit une réduction de 10 fois
avec l'augmentation de la quantité du dépôt d‟InAs. Cet effet peut être le résultat d'une part de
la diminution de la densité des BQs en raison de l‟accroissement de leurs tailles et d‟autre part
de l'apparition des défauts d‟interfaces ce qui réduit le rendement d'émission [122].

III.2. Etude en fonction de la température

Nous avons représenté dans la figure (V.5) les courbes d'Arrhenius pour les deux
échantillons qui correspondent à une quantité de matière d‟InAs déposée respectivement égale
à 2.5MC et 4.2MC. Dans le cas où la quantité de matière d‟InAs déposée est de 2.5MC,
l'intensité de PL augmente rapidement lorsque la température diminue (augmentation de 1/T),
puis elle sature lorsque la température devient inférieure à 30K. Cet effet indique le bon
confinement de porteurs à basse température dans cet échantillon. Cependant, pour
l'échantillon contenant 4.2MC d‟InAs, la diminution rapide de l‟intensité de PL commence à
partir de 20K.

2,5MLs InAs 4,2MLs InAs

Z (growth direction)

0,01
QDs WL GaAs
1 GaAs cap-layer Substrate
(U,A)(u.a)

Defects
Center
intégrée
Integreted Intensity

Ea= 42 meV Ea=9meV

Intensité

1E-3

0,1
0 200 400 600 800 1000 1200 0 200 400 600 800 1000 1200
-1 -1
1000/KT(meV ) 1000/KT(meV )

Fig.V.5 : Evolution de l’intensité de PL des deux échantillons avec 2.5 et 4.2MC d’InAs en
fonction de la température. (Figure interne) Schéma de l’échappement des porteurs des BQs
vers les centres des défauts non radiatifs par effet Tunnel

92
Chapitre 5

L‟évolution de l‟intensité de PL en fonction de la température peut être décrite

théoriquement par l'équation : I = I0 exp (-Ea/KBT), où I0 est une constante, KB est la
constante de Boltzmann et Ea est l'énergie d'activation thermique.

L‟ajustement des courbes avec cette équation nous a permis de déterminer les énergies
d‟activation qui valent respectivement 42 et 9 meV pour les échantillons contenant 2.5MC
et 4.2MC d‟InAs. La diminution de l'intensité de PL à haute température peut être attribuée à
l‟échappement des porteurs à partir des BQs InAs vers les centres de recombinaison non
radiative via la barrière de GaAs [125]. D‟autre part, l'énergie d'activation thermique des
porteurs de l'échantillon à 4.2MC d‟InAs est très faible par rapport à celle de l'échantillon
contenant 2.5MC d‟InAs. Nous pensons que cet effet est dû aux défauts d'interface qui sont
générés par l‟augmentation de la taille des BQs et causés par la forte contrainte.

Si on tient compte du champ piézo-électrique qui se présente dans les nanostructures

élaborées sur le substrat GaAs (115) A, on peut attribuer la diminution rapide de l‟intensité
ainsi que la faible énergie d‟activation dans l'échantillon à 4.2MC d‟InAs au transfert des
porteurs par effet tunnel à partir des BQs vers les centres de recombinaisons non radiatives
qui sont localisés dans l'interface. En effet, ce transfert devient plus facile lorsque la bande de
conduction et/ou la bande de valence sont inclinées à cause de l'existence du champ piézo-
électrique interne (figure V.5).

Le bilan synthétique des résultats établis révèle l'existence des limites supérieures et
inférieures concernant la quantité d‟InAs déposée garantissant des propriétés optiques
satisfaisantes dans les boîtes quantiques InAs/GaAs (115)A.

93
 Chapitre 6

Caractérisation optique et simulation des

transitions d’énergie dans des structures à
BQs et DWELLs
 Chapitre 6

Chapitre 6 : Caractérisation optique et simulation numérique des

transitions d’énergie dans des structures à BQs et à DWELLs

Dans ce chapitre, nous présentons des structures à BQs et à DWELL élaborées par épitaxie
par jets moléculaires sur des substrats GaAs (11N)A (N=3,4,5). Nous focalisons également
l’intérêt sur la caractérisation de ces structures par spectroscopie de photoluminescence (PL)
en fonction de la puissance d’excitation et de la température. Nous utilisons enfin le modèle
théorique du quatrième chapitre pour étudier les propriétés optiques et expliquer certains
phénomènes présents dans ces structures.

I. Les BQs InAs/GaAs(11N)A (N=3,4,5)

I.1. Présentation des structures

Les structures étudiées dans cette partie sont des BQs InAs élaborées sur les substrats
GaAs(113)A, (114)A et (115)A par la technique d‟épitaxie par jets moléculaires. Les trois
structures sont élaborées dans les mêmes conditions de croissance et déposées sur le même
moly-bloc (fig.VI.1).

30nm GaAs
2.5 MC InAs
370nm GaAs

GaAs (115)A, (114)A, (113)A

Fig.VI.1 : Structure à boîtes quantiques

On donne dans le tableau ci-dessous les conditions de croissance de ces trois structures :
Tab.VI.1 : Conditions de croissance des échantillons à BQs
VGaAs(A/s) 2.4
VInAs(A/s) 0.081
Tc InAs 500°C
Tc GaAs 570°C
Temps d’arrêt 1 min

95
Chapitre 6

Les structures InAs/GaAs(113)A, InAs/GaAs(114)A et InAs/GaAs(115)A seront notées

respectivement BQ3, BQ4 et BQ5.

I.2. Caractérisation structurale in situ

Le RHEED (non présenté ici) a montré, au cours de la croissance de la couche tampon de
GaAs, une périodicité de la surface qui s‟apparente à celles des surfaces vicinales [126]. Cette
observation nous permet de conclure que les substrats GaAs(11N) avec N=3,4,5 sont des
surfaces vicinales. Ainsi, la transition 2D-3D est apparue à partir d‟une épaisseur de 5.67Ǻ
(2MC) d‟InAs. Dans ce contexte, il est connu que la transition 2D-3D commence à partir de
4.8 Ǻ (1.7MC) pour les structures conventionnelles InAs/GaAs(001) [127].

I.3. Caractérisation optique des échantillons (Identification des pics)

I.3.1. Caractérisation par photoluminescence stationnaire

La figure (VI.2) représente les spectres de PL normalisés pour les structures BQ3, BQ4 et
BQ5. Ces spectres ont été enregistrés à 10K et pour différentes densités de puissance
d'excitation. Concernant l'échantillon BQ5, l‟émission de l‟énergie fondamentale des BQs
InAs est de l‟ordre de 1.18eV. Le pic localisé à 1.26eV correspond à l'émission du premier
état excité. S‟agissant de l‟échantillon BQ4, l‟énergie fondamentale est située à 1.21eV. En
augmentant la densité de puissance d'excitation, le spectre de l'échantillon BQ4 montre un
élargissement de la largeur à mi-hauteur (LMH) d‟environ 11.7meV suivi d'un décalage vers
les hautes énergies de l‟ordre de 20meV (fig.VI.3). Ce comportement peut être attribué au
remplissage des niveaux excités dans les BQs [128] et / ou au couplage entre les BQs par effet
tunnel [87]. En outre, la valeur élevée de la LMH traduit le fait que la distribution en taille des
BQs est inhomogène. Ainsi, lorsque la densité des porteurs devient élevée et en présence
d‟une distribution inhomogène des BQs, l‟effet tunnel peut avoir lieu entre ces dernières [87].

Par ailleurs, comme le montre la figure (VI.2), le spectre de PL de la structure BQ3 peut être
décomposé en trois gaussiennes avec des positions d‟énergies 1,238eV (P1), 1,325eV (P2) et
1,390 eV (P3). Le pic P1 localisé à basses énergies est attribué à l'émission de l‟état
fondamental des BQs de grande taille.

96
Chapitre 6

Fig.VI.2: Spectres de PL normalisés pour les structures BQ3, BQ4 et BQ5 pour différentes
puissances d’excitation. Les spectres en pointillés sont la décomposition du spectre de la structure
BQ3 à une puissance d’excitation de 20W/cm2

D‟autre part, lorsque la densité de puissance d'excitation augmente, un accroissement des

intensités des pics P2 et P3 a été observé (fig.IV.2.c). Ceci traduit généralement le
remplissage des niveaux excités. Cependant, ces deux pics (P2 et P3) persistent même à basse
puissance d‟excitation. On remarque également que le pic P3 existe aussi bien dans le spectre
d‟émission de BQ4 que dans celui de BQ3. Quelle est donc l‟origine de l‟émission de ces
deux pics P2 et P3?
97
Chapitre 6

S2 154
1,225

152
Peak position energy (eV)

1,220
150

FWHM (meV)
LMH (meV)
1,215 148
Energie (eV)

146
1,210

144

1,205
142

1,200 140
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
2
Puissance d’excitation
Excitation power (W/cm(W/cm
2
) )

Fig.VI.3: Variation de l’émission de la transition fondamentale et de la largeur à mi-hauteur

en fonction de la densité d’excitation pour l’échantillon BQ4

En vue de répondre à cette question, nous avons utilisé les résultats de la simulation
numérique. La variation des transitions d‟énergie en fonction de la hauteur de la BQ donne
une estimation numérique de la taille moyenne des BQs présentes dans l‟échantillon BQ3.

La figure (VI.4.a) met en relief le spectre de PL de l‟échantillon BQ3 ainsi que la variation
des transitions énergétiques (fondamentale et excité) en fonction de la hauteur de la BQ. Il en
ressort que le pic P2 correspond à l‟état fondamental des BQs de faible taille (h=2.1nm) ainsi
qu‟au premier niveau excité des BQs de grande taille (h=2.7nm). Par contre, le pic P3
provient du premier niveau excité des BQs de faible taille et d‟une autre nanostructure. En
effet, ce pic persiste à basse puissance d‟excitation. Pour en avoir plus de clarté, nous avons
illustré schématiquement dans la figure VI.4.b les transitions issues de la structure BQ3.

98
Chapitre 6

1,6
InAs/GaAs(113) Ee1h1
Ee2h1
1,5

1,4 P3

P2
1,3
E(eV)

P1
1,2

1,1

1,0

0,9
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
h(nm)

Fig.VI.4.a : Variation de la transition d’énergie fondamentale et du premier niveau excité en

fonction de la hauteur et estimation de la taille de BQs de la structure BQ3

Autre
Petites Grandes
Nanostructure
BQs BQs

Figure VI.4.b : Représentation schématique de la structure de bande de conduction englobant les

états électroniques et les énergies de transitions.

En se basant sur le fait que la probabilité de présence des électrons, dans les différents états
de la bande de conduction (BC), renseigne sur la localisation des porteurs dans la BQ de
grande taille, on peut déduire que les porteurs sont bien localisés dans la BQ de grande
taille lorsque l≤2 et ce pour les deux structures BQ3 et BQ4 (figure VI-5). Par contre, on
peut confirmer que la fonction d‟onde correspondante au pic P3 (E=1.38eV où l=3) se
trouve en dehors de la BQ. Par conséquent, le pic P3 ne provient pas des BQs de grande
taille mais il émane des BQs de faible taille et d‟un autre type de confinement
(bidimensionnel ou unidimensionnel). D‟autre part, cette transition énergétique ne peut pas

99
Chapitre 6

être attribuée à la couche de mouillage, puisque son intensité de PL persiste même à une
faible densité d'excitation.

(a) l=0 (e) l=0

(b) l=1 (f) l=1

(c) l=2 (g) l=2

(d) l=3 (h) l=3

FigVI.5 : Fonctions d’ondes associées à la bande de conduction des BQ de hauteur 3nm et de

diamètre 20nm pour les orientations GaAs(114) (a-d), et GaAs(113) (e-h). « L’épaisseur de la couche
de mouillage est de 0.56nm ».

100
Chapitre 6

Des études antérieures ont prouvé que l'anisotropie des surfaces GaAs (113) A
et GaAs (114) A est très favorable à la formation de fils quantiques (FQs) [4,9]. Cela est dû à
la désorientation du substrat et aux différentes terrasses qui existent sur les surfaces des
substrats GaAs (113) A et GaAs (114) A. Cependant, dans le cas des échantillons que nous
avons utilisés, la quantité de matière d‟InAs déposée (2.5MC) n'est pas suffisante pour la
croissance des fils quantiques.

I.3.2. Caractérisation par la Photoluminescence Polarisée

Pour étudier l'anisotropie présente dans les échantillons BQ3 et BQ4, nous avons fait appel à
la photoluminescence polarisée linéairement (PPL). Les spectres PPL ont été enregistrés à
basse température et à faible densité d'excitation. Le degré de polarisation linéaire (DPL) est
défini comme étant:

𝑰[𝑵𝑵𝟐] − 𝑰[𝟏𝟏𝟎]
𝑫𝑷𝑳 =
𝑰[𝑵𝑵𝟐] + 𝑰[𝟏𝟏𝟎]

La figure VI.6 montre que le pic P3 a un DPL d'environ 20% pour la structure BQ4 et de 35%
pour la structure BQ3. Dans ce contexte, il a été montré, dans la littérature, que la polarisation
linéaire typique pour les fils quantiques d‟InGaAs est comprise entre 16 et 60% [11,129,130].
Par conséquent, le DPL du pic P3 est comparable à celui des fils quantiques de faibles
longueurs. Dans ce cas, le pic P3 peut-être attribué à l‟émission des chaines quantiques qui se
forment lors d‟une agrégation atomique le long d‟une seule direction. En effet, lorsque la
longueur de diffusion des atomes d‟Indium est suffisante pour atteindre les bords des marches
surfaciques, ces atomes peuvent être inhibés progressivement en raison de l'existence des
coins des marches surfaciques. Dans ce cas, les BQs se forment d‟une façon préférentielle le
long des bords des marches surfaciques. De plus, elles s‟élargissent et s‟associent entre elles
suivant la direction [NN𝟐], d‟où la formation des chaines quantiques. Nous avons résumé
dans la figure (VI.7) le mécanisme de formation de ces boîtes quantiques et des chaines
quantiques.

101
Chapitre 6

Taux de polarisation linéaire

Intensité PL (u.a)

Energie (eV)

Fig.VI.6 : (noir) Taux de polarisation linéaire pour BQ3, BQ4 et BQ5 ;(bleu) spectres de PL suivant
les directions [55-2], [22- 1], et [33-2] pour BQ3, BQ4 et BQ5 respectivement,(rouge) spectres de PL
suivant la direction [-110].

Figure VI.7 : Schéma du mécanisme de croissance des BQs et ChQs sur les substrats GaAs (113) A et
GaAs (114)A

D‟autre part, on remarque que le pic P3 présente un fort DPL pour la structure BQ3 par
rapport à celui de la structure BQ4. Cela montre que les chaines quantiques qui se forment sur
le substrat GaAs(113)A sont plus longues que celles édifiées sur le substrat GaAs(114)A.

102
Chapitre 6

Cet effet est dû au champ piézoélectrique interne qui est généralement plus important dans la
structure BQ3 (260 kV/cm) que dans la structure BQ4 (170 kV/cm). Cependant, la faible
anisotropie optique (DPL ~ 10%) présente dans l‟échantillon BQ5 (fig. VI.6.a) implique que
les BQs InAs élaborées sur le substrat GaAs (115) A sont légèrement allongées le long de la
direction [55𝟐]. Un comportement similaire a été observé par la microscopie à effet tunnel
(STM) et la microscopie à force atomique (AFM) sur des structures InGaAs/GaAs(113)A
[13, 131] et InAs/GaAs(211)B (fig.VI.8) [128]. Cet allongement des boîtes quantiques est
généralement accompagné d'un ordre latéral [13, 16, 128,131-133].

Figure VI.8: Image AFM des BQs InAs/GaAs(211)B allongées suivant la direction [𝟏𝟏𝟏]. [128]

D‟une façon générale, on peut attribuer l‟allongement des BQs et des chaines quantiques, le
long des directions respectives [55𝟐], [22𝟏] et [33𝟐] pour les structures BQ5,BQ4 et BQ3, à
la localisation de la contrainte sur les bords des marches surfaciques ainsi qu‟au moment
dipolaire produit par le champ piézoélectrique. En effet, les semi-conducteurs polaires sont
caractérisés par un grand moment dipolaire dans la direction où le confinement est faible
[134]. Ils sont aussi distingués par une diffusion anisotrope des atomes sur la surface
[107,135]. Dans le cas des semi-conducteurs orientés (11N), la direction [NN𝟐] est plus
polaire que la direction [𝟏10]. La direction [NN𝟐] sera donc favorisée pour la nucléation des
atomes.

D'autre part, les figures (VI.6.b) et (VI.6.c) ne montrent aucune polarisation linéaire dans la
partie des basses énergies de spectres des échantillons BQ3 et BQ4. Ce comportement
suggère l'existence d‟une distribution inhomogène des BQs [136]. En effet, les atomes qui
n'ont pas suffisamment d‟énergie cinétique pour atteindre les bords des marches surfaciques

103
 Chapitre 6

vont s‟associer d‟une façon inhomogène sur les terrasses de surface. Ce phénomène conduit à
la croissance des BQs de différentes tailles. Ceci explique aussi l‟obtention d‟un spectre large
de PL pour les échantillons BQ3 et BQ4.

II. Comparaison entre les structures à BQs InAs/GaAs et les structures à BQs
InAs dans un Puits d’InGaAs (DWELL) élaborées sur le substrat GaAs(115)A

II.1. Présentation des structures

D‟après la section précédente, la structure BQ5 présente une qualité optique supérieure à
celles des autres (BQ3 et BQ4). Pour cette raison, on a choisi d‟étudier et comparer la
structure (BQ5) avec une autre structure englobant des BQs d‟InAs enterrées dans un Puits
d‟InGaAs. Cette dernière qui sera notée DWELL5 est aussi élaborée, avec les mêmes
conditions de croissance que la structure BQ5, sur le substrat GaAs(115)A. La figure VI.9
représente les schémas de ces deux structures.

Figure. VI.9 : Schémas des structures BQ5 et DWELL5

II.2. Comparaison des spectres de PL à basse température

La figure VI.10 représente les spectres normalisés de PL pour les structures à BQs
InAs/GaAs(115)A (BQ5) et à BQs InAs dans un Puits d‟In0.25Ga0.75As (DWELL5). Ces
spectres ont été enregistrés à très basse température (T=10K) et avec différentes puissances
d‟excitation (2 à 200W/cm2).

104
Chapitre 6

BQ5

Intensité PL normalisée (u.a)

DWELL5

Energie (eV)

Figure VI.10 : Spectre de photoluminescence des structures BQ5 et DWELL5 pour différentes
densités d’excitation et à une température égale à 10K.

Une large asymétrie du côté de haute énergie a été observée dans le spectre de PL issu de la
structure DWELL5. Cette asymétrie augmente lorsque la densité de puissance d'excitation
augmente, tandis que du côté de basse énergie du spectre reste invariant. Cet effet peut être
corrélé au couplage électronique latéral entre les boîtes quantiques [137].

Le spectre de la structure DWELL5 peut être décomposé en trois gaussiennes P1, P2 et P3

avec des positions énergétiques respectives 1.02eV (P1), 1.05eV (P2) et 1.12eV (P3). Dans la
suite de ce travail, on s‟intéressera principalement au pic le plus intense et le plus dominant
(P1).

Si on compare l‟émission du pic P1 par rapport à celle de la structure BQ5, on remarque un

grand décalage vers les basses énergies qui est de l‟ordre de 165 meV. Cette diminution de
l‟énergie peut être attribuée à la réduction de la contrainte et/ou à l‟augmentation de la taille
des boîtes quantiques. En effet, la couche d‟InGaAs au dessous et au dessus des BQs joue un
rôle très marquant dans la minimisation de la contrainte à cause de l‟adaptation du désaccord
de paramètre de maille entre le GaAs et l‟InAs.

105
Chapitre 6

BQ5 DWELL5

d‟encapsulation

Epaisseur de la
couche
D/h=7 D/h=7

Figure VI.11 : Variation des transitions Ee1→h1 et Ee2→h1 en fonction de la hauteur de BQ pour les
structures BQ5 et DWELL5 ainsi que les spectres de PL correspondants à basse température (10K).

Afin d‟estimer les tailles moyennes des BQs dans les deux structures, nous avons utilisé la
simulation numérique. La figure (VI.11) représente l‟évolution des transitions énergétiques
Ee1→h1 et Ee2→h1 en fonction de la hauteur des boîtes quantiques sous forme de lentille. Pour la
structure BQ5, la hauteur estimée est de 3 nm avec un diamètre D=21nm. Pour la structure
DWELL5, la hauteur moyenne des boîtes quantiques est estimée à 4.3 nm avec un diamètre
D = 30nm [138].

Généralement, l'augmentation de la taille des boîtes quantiques dans la structure DWELL5

provient de la couche de minimisation de la contrainte InGaAs qui se trouve au-dessous des
boîtes quantiques. En fait, cette couche d‟InGaAs provoque une diminution de l‟épaisseur de
la couche de mouillage [128]. Par conséquent, la quantité d‟InAs, qui contribue à la formation
des boîtes quantiques, devient plus élevée ce qui provoque l‟augmentation de taille des BQs.
D‟autre part, l‟encapsulation des boîtes quantiques par l‟InGaAs donne une limitation sur la
hauteur des BQs. En effet, si la hauteur des BQs est plus grande que l'épaisseur de la couche
d‟encapsulation d‟InGaAs, il se produit une diffusion du Ga vers le sommet de la BQs d‟InAs.
Par conséquent, les sommets des boîtes quantiques s‟aplatissent et leurs hauteurs deviennent
égales à l‟épaisseur de la couche d‟InGaAs [138]. Dans ce contexte, le résultat théorique de la
figure (VI.11) confirme que la hauteur moyenne des BQs est égale à l‟épaisseur de la couche
d‟encapsulation d‟In0.25Ga0.75As. Moyennant une représentation schématique, nous avons
illustré dans la figure VI.12, le phénomène d‟interdiffusion décrit ci-dessus.

106
Chapitre 6

Figure. VI.12 : Représentation schématique du phénomène d’interdiffusion au sommet de la BQ

II.3. Evolution des spectres de PL en fonction de la température

II.3.1. Effet de la température sur les spectres de PL

Afin d'étudier le comportement thermique des porteurs dans les deux structures BQ5 et
DWELL5, nous avons effectué des mesures de PL en fonction de la température. La figure
VI.13 représente, relativement aux structures BQ5 et DWELL5, les spectres de PL enregistrés
à différentes températures. On remarque que l‟asymétrie du spectre de PL de la structure
DWELL5 diminue lorsque la température augmente. Ce résultat traduit que cette asymétrie
est due à la distribution inhomogène des BQs.

La figure (VI.14) illustre les variations de la position énergétique, la largeur à mi-hauteur

(LMH) et l'intensité intégrée des spectres de PL des structures BQ5 et DWELL5 en fonction
de la température. Pour la structure BQ5, les porteurs suivent deux comportements en
fonction de la température. Au-dessous de 100K, l‟émission énergétique E, l'intensité intégrée
IPL et la LMH ne sont pas très sensibles à la variation de la température. Cette observation
montre que les porteurs sont bien confinés dans les BQs d‟InAs/GaAs [81]. Par contre,
lorsque la température augmente au-dessus de 100K, on remarque que l‟émission énergétique,
l'intensité de PL et la largeur à mi-hauteur diminuent d‟une façon monotone. Cela est dû
principalement à l‟agitation thermique des porteurs qui facilite leur échappement en dehors
des BQs.

107
Chapitre 6

Intensité PL (u.a) BQ5 DWELL5

Energie (eV) Energie (eV)

Figure VI.13 : Spectres de photoluminescence des boîtes quantiques InAs et de DWELL en fonction
de la température à forte puissance d’excitation.

D‟autre part, la figure (VI.14.b) montre une évolution inhabituelle de l‟intensité intégrée et de
la LMH en fonction de la température pour la structure DWELL5. Tout d‟abord, l‟énergie
d‟émission, l‟intensité intégrée et la LMH diminuent légèrement lorsque la température
augmente jusqu‟à 70K. Ensuite, l‟intensité du PL reste constante et la LMH augmente
légèrement dans la gamme des températures intermédiaires (70-150K). Cependant lorsque la
température augmente au-dessus de 150K, les paramètres précédents décroissent de nouveau.

La diminution des paramètres de PL (E, IPL, LMH) à basse température peut être expliquée
par un faible confinement des porteurs dans les boîtes quantiques dans un puits. En effet, la
faible barrière de potentiel entre l‟InAs et la couche d‟InGaAs dans la structure DWELL5
(ΔEc = 0.45eV) comparée à celle qui existe entre l‟InAs et le GaAs dans la structure BQ5
(𝛥𝐸𝑐 = 0.53𝑒𝑉), laisse les porteurs s‟échapper des boîtes quantiques de faibles tailles vers
l‟InGaAs et la couche de mouillage dans la structure DWELL5, même si l‟excitation
thermique est faible.

108
Chapitre 6

Energie (eV)
Intensité intégrée (u.a)
LMH(meV) BQ5 DWELL5

Température (K) Température (K)

Figure VI.14 : Evolution de la position énergétique (carrés), de l’intensité intégrée (triangle) et de la

largeur à mi-hauteur (cercles) pour les structures : (a) BQ5 et (b) DWELL5

À très haute température, la réduction de la LMH a été observée dans les deux échantillons
(BQ5 et DWELL5). Ce comportement montre une opposition de l‟interaction des phonons
optique [140,141]. En général, lorsque la température augmente, les porteurs interagissent
avec le réseau cristallin et donnent lieu à un élargissement spectral de la LMH du spectre de
PL [142]. Ainsi, la diminution de la LMH à haute température peut être expliquée par
l‟activation thermique des porteurs et leur transfert à partir des BQs de faibles tailles vers les
BQs de grandes tailles [138,143-145]. En effet, les porteurs qui sont activés thermiquement
dans les petites BQs peuvent être recapturés par les BQs larges.

On va expliquer, par la suite, les comportements inhabituels de l‟intensité de PL et de la LMH

qui sont observés dans le domaine des températures intermédiaires.

II.3.2. Contribution des Phonons

Dans le deuxième chapitre nous avons introduit les trois modèles numériques qui portent sur
l'évolution de l'énergie en fonction de la température : le modèle de Varshni, le modèle
deVina et le modèle de Passler.

109
Chapitre 6

La figure (VI.15) représente les transitions d‟énergies expérimentales et théoriques (Ee1-h1) des
structures BQ5 et DWELL5 en fonction de la température selon les modèles de Varshni, Viña
et Passler. On constate que le modèle de Passler est le plus adapté pour les deux structures.
Cette observation révèle que la contribution des phonons acoustiques est plus importante que
celle des phonons optiques. Une observation similaire a été rapportée par Rojas-Ramirez et
al.[146] dans le cas des puits quantiques d‟InGaAs élaborés sur le substrat GaAs(311).
L‟interaction des phonons acoustiques avec les électrons dans les nanostructures élaborées sur
les substrats à hauts indices est probablement attribuée au champ piézoélectrique intense
[147-149]. Ainsi, Borri et al.[141] ont montré que la dispersion élastique entre les excitons et
les phonons acoustiques est le facteur principal qui influe sur l'élargissement spectral de PL
dans une BQ unique lorsque la température augmente de 50 à 100 K.

BQ5
Energie (eV)

DWELL5

Température (K)

Figure. VI.15 : Variation de l’énergie en fonction de la température pour les deux structures BQ5 et
DWELL5 suivant les modèles de Passler, Vina et Varshni.

L‟intervention des phonons acoustiques sur l‟élargissement spectral de la BQ unique doit

également être valable pour une distribution inhomogène des BQs [150]. Cependant, la figure
VI.14 montre que le mécanisme de l'élargissement dans le domaine de températures 70-150K
n‟est obtenu que pour la structure DWELL5, tandis que le modèle de Passler est commode
pour les structures BQ5 et DWELL5. Ce dernier résultat indique que les phonons acoustiques
ne constituent pas le seul facteur responsable de l'élargissement du spectre de PL en fonction
de la température. D‟autre part, l'intensité de PL de la structure DWELL5 reste constante dans

110
Chapitre 6

le domaine des températures intermédiaires, ce qui explique le transfert des porteurs par effet
tunnel des BQs de faibles tailles vers les BQs de grandes tailles [138].

Afin de montrer la contribution inhomogène des BQs dans le spectre de PL, nous avons
représenté, dans la figure VI.16, la différence ∆E entre la transition fondamentale d‟énergie
d‟une BQ unique (résultat théorique) et l'énergie d‟émission de chacune de deux structures
BQ5 et DWELL5 (résultat expérimental). On remarque que lorsque la température est
inférieure à 160K, le comportement des BQs dans les structures BQ5 et DWELL5 est
comparable à celui d‟une BQ unique. Néanmoins, lorsque la température est supérieure à
160K, ∆E augmente. A 250K, ∆E vaut respectivement 10 et 25meV pour les structures BQ5
et DWELL5.

25
QDs
BQ5
DWELL
DWELL5
20

15
E(meV)

10

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260

Temperature (K)
Température (K)

Figure.VI.16: Séparation entre l'énergie théorique (boîte unique) et les résultats expérimentaux pour
les BQ5 et DWELL5.

La variation importante de l‟énergie pour la structure DWELL5 par rapport à celle de la BQ

unique montre que la distribution inhomogène des BQs est plus importante dans la structure
DWELL5 que dans la structure BQ5. Cet effet est dû à l‟activation thermique des porteurs qui
se déplacent à partir des BQs de faibles tailles vers les BQs de grandes tailles [138]. Cela
entraine une diminution de l‟énergie car l‟émission des BQs de grandes tailles est inférieure à
celle des BQs de faibles tailles.

111
Chapitre 6

II.3.3. Activation thermique des porteurs

Pour déterminer l‟énergie d‟activation des porteurs, nous avons représenté le diagramme
d‟Arrhenius dans la figure VI.17. L‟équation d‟Arrhenius qui traduit la variation de l‟intensité
intégrée en fonction de la température est donnée par l‟équation ci-dessous [151-153].

I0
I (T ) 
1  a exp(  E a1
K BT )  b exp(
Ea 2
K BT )

où I0 représente l'intensité de PL à 0K, a et b sont des paramètres qui traduisent la vitesse de la

diminution de l‟intensité de PL. Ea1 et Ea2 sont respectivement les énergies d'activation
thermique pour les basses et les hautes températures.

BQ5 DWELL5
Intensité intégrée (u.a)

Figure.VI.17 : Variation de l’intensité intégrée en fonction de l’inverse de la température (diagramme

d’Arrhenius) pour les deux structures BQ5 et DWELL5

Les paramètres d‟ajustement qui correspondent à la variation de l‟intensité de PL en fonction

de la température sont donnés dans le tableau VI.2.

112
Chapitre 6

Tab.VI.2 : Paramètres d’ajustement de l’équation d’Arrhenius pour les deux structures BQ5 et
DWELL5

Echantillons I0 a Ea1 (meV) b Ea2 (eV)

BQ5 0.195 0.98 6 9.55x105 160

DWELL5 0.243 2.486 11 1.7x105 174

Les énergies d‟activation à basses et à hautes températures pour la structure DWELL5

sont respectivement Ea1 = 11meV et Ea2 = 174 meV. Pour la structure BQ5, les énergies
d‟activation sont Ea1 = 6 meV et Ea2 = 160 meV. On note que les énergies d‟activation à
basses températures Ea1 sont très faibles. Cependant, les énergies d‟activation Ea2 sont très
proches de la différence entre l‟émission de l'état fondamental des BQs de faibles tailles et
celle des BQs de grandes tailles. Ceci permet aux porteurs de s‟échapper des BQs de faibles
tailles vers les BQs de grandes tailles. On peut aussi remarquer que les énergies d‟activation
dans la structure DWELL5 sont supérieures à celles de la structure BQ5. Ceci explique une
diminution de l‟émission de PL plus rapide dans la structure DWELL5 que dans la structure
BQ5. En effet, cette diminution de l‟intensité de PL qui se traduit par la diminution de la
largeur à mi-hauteur peut être expliquée par l'ionisation thermique des porteurs de boîtes
quantiques InAs vers les centres de recombinaisons non radiatives qui sont localisés dans le
Puits d‟InGaAs et dans le matériau massif (GaAs) [154,155]. D‟autre part, il a été démontré
par Torchynska et al.[ 153] et Zhou et al.[154] que, lorsque la concentration d‟Indium dans le
Puits d‟InGaAs augmente de 0 à 0.25, il se forme des défauts à l‟interface entre les BQs
d‟InAs et le Puits d‟InGaAs. De même, l'augmentation de la taille des boîtes quantiques qui a
été observée dans la structure DWELL5 provoque davantage la formation des défauts à
l‟interface. Ces derniers peuvent agir en tant que centres de recombinaison non radiative.
Ainsi, à hautes températures, les porteurs ont suffisamment d'énergie (Ea = 174meV) pour
qu‟ils s'échappent à partir des boîtes quantiques de grandes tailles vers les centres de
recombinaison non radiative qui sont localisés dans la barrière d‟InGaAs.

113
Conclusion générale
Conclusion

Conclusion générale

Ce travail de thèse consiste à modéliser et étudier les propriétés optiques des structures
à boîtes quantiques InAs élaborées sur les substrats GaAs(11N)A, où N=3,4,5. Certes, ces
structures sont d‟une grande utilité dans les applications photovoltaïques et pour la
cryptographie quantique mais leur problème majeur réside dans la forte contrainte qui
favorise la formation des défauts d‟interfaces.
La première partie de ce travail a été consacrée à la modélisation des BQs mettant en jeu la
méthode des éléments finis qui constitue une technique de choix très précise pour l‟ingénierie
des hétérostructures complexes. Cette modélisation nous a permis d‟identifier les principaux
paramètres clefs contribuant à l‟obtention des BQs de bonne qualité optique et structurale, à
savoir, la contrainte, le champ piézoélectrique, le substrat, l‟épaisseur de la couche de
mouillage, l‟épaisseur de la couche d‟encapsulation d‟InGaAs et la concentration d‟Indium.
Dans un second temps, nous avons montré que la transition d‟énergie fondamentale est
influencée aussi bien par l'orientation du substrat que par l'épaisseur de la couche de
mouillage. De plus, il s‟est avéré que, d‟une manière générale, l‟émission d‟énergie des BQs
diminue avec l‟augmentation de l‟épaisseur de la couche de mouillage principalement pour
les BQs de faible taille. En outre, le champ piézoélectrique, étant plus important dans les BQs
de grande taille, participe à une légère augmentation de l‟énergie quand l‟angle de
désorientation du substrat augmente.
Nous avons aussi démontré que, dans le cas des BQs de faible taille, l‟énergie pseudo-
éxcitonique n‟est pas affectée par l‟orientation du substrat alors qu‟elle diminue avec
l‟augmentation de l‟épaisseur de la couche de mouillage.
Par ailleurs, la simulation numérique de la distribution de la contrainte dans les BQs, que
nous avons effectuée, a révélé que la contrainte extensive à l‟interface des BQs est le facteur
principal responsable de la difficulté de formation des BQs auto-assemblées sur le substrat
GaAs (111). Toutefois, nous avons prouvé qu‟il est théoriquement possible de faire croitre des
BQs InAs auto-assemblées sur le substrat GaAs(111) si on met une couche de minimisation
de la contrainte (InGaAs). La composition d‟indium bien appropriée dans le puits d‟InGaAs
est de 0.3 pour la structure InGaAs/InAs/InGaAs/GaAs(11N), N=1,3,5.

115
Conclusion

D‟autre part, nous avons établi que, pour assurer la relaxation complète de la contrainte
dans la couche d‟encapsulation de GaAs, l‟épaisseur du puits quantique InGaAs doit être
supérieure ou égale à la hauteur de la BQ (d≥h).
En outre, nous sommes parvenus à montrer que le champ piézo-électrique, l'énergie de
liaison pseudo-excitonique et la transition d‟énergie fondamentale ne sont pas affectés par
l'épaisseur du puits quantique InGaAs. Néanmoins, l'augmentation de la composition
d‟indium conduit à la réduction de la contrainte et du champ piézoélectrique. Concernant
l'énergie de liaison pseudo-excitonique et la transition d‟énergie fondamentale, notre calcul a
décelé qu‟elles diminuent avec l'augmentation de la composition d‟In en raison de la
réduction de la hauteur de la barrière. Ces résultats théoriques montrent la possibilité de
contrôler la taille des BQs et de l'énergie d'émission en ajustant l'épaisseur de la couche
d‟encapsulation d'InGaAs et la composition d‟In.
Dans la seconde partie de ce travail, nous nous sommes attachés à l‟étude des propriétés
optiques de nanostructures InAs/GaAs (11N)A en utilisant des mesures de Photoluminescence
stationnaire (PL) et polarisée (PPL). La photoluminescence des BQs InAs enterrées dans une
matrice de GaAs a montré que, dans le cas du substrat GaAs(115)A, les BQs ont une
meilleure qualité optique par rapport à celles élaborées sur les autres substrats. Un décalage
énergétique vers les hautes énergies a été observé en passant de l‟orientation (115)A à
l‟orientation (113)A. Ce décalage est attribué à la diminution de taille des BQs et à la
contrainte hydrostatique accentuée dans les structures à hauts indices.
Nous avons réussi, par la suite, à mettre en évidence un fort degré de polarisation et la
persistance à basse puissance d‟excitation d‟un pic additionnel localisé à 1.39eV dans les
deux échantillons (114)A et (113)A. Ce pic est associé à la formation des chaines quantiques
suivant la direction [NN2]. Nous avons expliqué ce comportement par la cinétique des
adatomes en surfaces contrôlée par la contrainte surfacique et le champ piézoélectrique auto-
induit qui est plus important dans les substrats GaAs(114)A et GaAs(113)A que dans le
substrat GaAs(115)A.

Dans la troisième partie, nous avons introduit, dans les calculs numériques, l‟effet de la
température sur les transitions énergétiques (En→ Em) dans les BQs InAs/GaAs(11N) et dans
les structures DWELL en utilisant trois modèles (le modèle de Varshni, le modèle de Vina et
le modèle de Passler). Les résultats obtenus par le modèle de Passler se sont révélés les plus
adaptés aux résultats expérimentaux ce qui explique l‟intervention des phonons acoustiques
dans les BQs élaborées sur les substrats à hauts indices. D‟autre part, la caractérisation

116
Conclusion

optique par PL sur l‟échantillon DWELL (115) a signalé un comportement inhabituel

concernant l‟évolution de la largeur à mi-hauteur et de l‟intensité intégrée en fonction de la
température. Ce comportement est expliqué par l‟intervention de plusieurs phénomènes
physiques liés à la distribution inhomogène des BQs. Cependant, à des températures élevées,
l'effet de l'activation thermo-ionique des porteurs est plus important que celui des phonons.
Pour améliorer l'intensité de PL on peut élaborer un empilement des BQs tout en faisant un
recuit thermique afin de réduire les défauts qui annulent l‟intensité de PL à haute température.

Comme perspectives de ce travail, nous envisageons l‟élaboration et la simulation numérique

des structures empilées InAs/GaAs (113)A, (114)A, (115)A, afin d‟améliorer l‟auto-
organisation latérale des îlots quantiques d‟InAs. Par ailleurs, des expériences
complémentaires, telles que la caractérisation structurale par microscopie à transmission
électronique (TEM) seront utiles pour la détermination de la forme et la taille exacte des BQs
élaborées.

117
Bibliographie
Bibliographie

Bibliographie

[1] Y. Arakawa and H. Sakaki. Appl. Phys. Lett. , 40, 939 (1982)
[2] E. Stock, T. Warming, I. Ostapenko, S. Rodt, A. Schliwa, J. A. Töfflinger, A. Lochmann, A.
I. Toropov, S. A. Moshchenko, D. V. Dmitriev, V. A. Haisler, and D. Bimberg, Appl. Phys.
Lett. , 96, 093112 (2010)
[3] D. Bimberg, E. Stock, A. Lochmann, A. Schliwa, J. A. Töfflinger, W.
Unrau, M. Münnix, S. Rodt, V. A. Haisler, A. I. Toropov, A. Bakarov, and
A. K. Kalagin, IEEE Photonics Journal 1, 58, (2009)
[4] Sh. Seydmohamadi, H. Wen, Zh. M. Wang, and G. J. Salamo, Mater. Res. Soc.
Symp. Proc. U.1.8 854 (2005)
[5] K.Young and A.Kahn, J.Vac.Sci.Technol.B 4 1091 (1986)
[6] J. F. Nye, Physical Properties of Crystals. Oxford University Press (1985)
[7] X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, C.M. Lieber, Nature, 409 66 (2001)
[8] W. Ma, R. Nötzel, A. Trampert, M. Ramsteiner, H. Zhu, H.P. Schönherr et al. Appl Phys
Lett, 78 1297 (2001)
[9] H. Wen, Z.M. Wang and G.J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 84, 1756 (2004)
[10] D. Alderighm, M. Zamfirescu, A. Vinattieri, M. Guridi, S. Sanguinetti, Appl Phys Lett, 84,
786 (2004)
[11] V.G. Dorogan, V.G. Dorogan, Zh.M. Wang, Vas.P. Kunets, M. Schmidbauer, Y.Z. Xie,
M.D. Teodoro, P.M. Lytvyn, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo, Materials Letters 65 1427 (2011)
[12] J. H. Lee, Zh. M. Wang, E. S. Kim, N. Y. Kim, S. H. Park, and G. J. Salamo, Phys. Status.
Solidi A 207 348 (2010)
[13] Weihong Jiang,Huaizhe Xu, Bo Xu, Wei Zhou, Qian Gong, Ding Ding, Jiben
Liang,and Zhanguo Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 19 197 (2001)
[14] S. Sanguinetti, S.C. Fortina, A. Miotto, E. Grilli, M. Guzzi, M. Henini, A. Polimeni, L.
Eaves, Thin Solid Films 336 9 (1998)
[15] K. Jacobi, Progress in Surface Science 71 185 (2003)
[16] B.L.Liang, Zh.M.Wang, Yu.I.Mazyr, V.V.Strelchuck,K.Holmes,J.H.Lee and
G.J.Salamo, Nanotechnology 17 2736 (2006)
[17] Yasushi Shoji, Ryuji Oshima, Ayami Takata, Yoshitaka Okada, Journal of Crystal Growth,
312 226 (2010)
[18] L. Sfaxi, L. Bouzaiene, H. Sghaier, H. Maaref, Journal of Crystal Growth 293 330 (2006)
[19] M.Bennour, Mastère de Physique.FSM.(2010)
[20] S. Sanguinetti, G. Chiantoni, E. Grilli, M. Guzzi,A. Polimeni,A.Patan , L. Eavesand P. C.
Main, M. Henini, Europhys. Lett. 47 701 (1999)
[21] B.L.Liang, Zh.M.Wang, K.A.Sablon,Yu.I.Mazur,G.J.Salamo, Nanoscale Res.Lett 2
609 (2007)
[22] K.Young and A.Kahn, J.Vac.Sci.Technol.B 4 1091 (1986)
[23] N N Ledentsov Semicond. Sci. Technol. 26 014001 (2011)
[24] W. Shockley and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 32 510 (1961)
[25] A. Luque and A. Marti, Phy. Rev. Lett. 78 5014 (1997)
[26] K. A. Sablon, J. W. Little, K. A. Olver, Zh. M. Wang, V. G. Dorogan,Yu. I. Mazur,
G. J. Salamo and F. J. Towner, J. Appl. Phys. 108 074305 (2010)
[27] R. B. Laghumavarapu, A. Moscho, A. Khoshakhlagh, M. El-Emawy, L. F. Lester and D. L.

119
Bibliographie

Huffaker Appl. Phys. Lett. 90 173125 (2007)

[28] J. Shi , P.Zhao, X. Wang, Adv. Mater. 25 916 (2013)
[29] M.S. Al-Ghamdi, A. Sayari, L. Sfaxi, Journal of Alloys and Compounds, in press (2016)
[30] Yasushi Shoji, Kohei Narahara, Hideharu Tanaka, Takashi Kita, Katsuhiro Akimoto,
and Yoshitaka Okada, J.Appl.Phys. 111, 074305 (2012)
[31] Manuel J. Romeroa et al. J. Appl. Phys. 93 626 (2003)
[32] B. Alloing, C. Zinoni, V. Zwiller, L. H. Li, C. Monat, M. Gobet, G. Buchs, and A. Fiore, E.
Pelucchi and E. Kapon, Appl. Phys. Lett. 86, 101908 (2005)
[33] R. M. Stevenson, R. M. Thompson, A. J. Shields, I. Farrer, B. E. Kardynal, D. A. Ritchie,
and M. Pepper, Phys. Rev. B 66, 081302 (2002)
[34] J. Treu, C. Schneider, A. Huggenberger, T. Braun, S. Reitzenstein, S. Höfling,
and M. Kamp, Appl. Phys. Lett. 101, 022102 (2012)
[35] B. F. Levine, J. Appl. Phys 74 81 (1993)
[36] A.Schliwa, M.Winkelnkemper, and D. Bimberg, PHYS. REV. B 79, 075443 (2009)
[37] A. Schliwa, M. Winkelnkemper, A.Lochmann, E. Stock, and D. Bimberg, PHYS.REV. B
80, 161307 (2009)
[38] T.Mano,T.Kuroda,K.Mitsuishi,T.Noda,K.Sakoda, J. of Cryst. Growth 311 1828
(2009)
[39] Jong Su Kima, and Nobuyuki Koguchi, Appl. Phys. Lett. 85 5893 (2004)
[40] Nathalie Perret, Thèse de doctorat. Sherbrooke (Québec), Canada, (2001)
[41] S. Fafard, D. Leonard, J. L. Merz and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 65, 1388
(1994).
[42] J. Kim, L.-W. Wang and A. Zunger, Phys. Rev. B 57, 9408 (1998)
[43] Z.Zaaboub, Thèse de doctorat. FSM. (2010)
[44] M. Grundmann, R. Heitz, N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S.
Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gösele and J. Heydenreich,
Superlatt. & Microstruc. 19, 81 (1996)
[45] M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, J. Böhrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P.
S. Kop'ev and Z. I. Alferov, Phys. Rev. B 53, 10 509 (1996)
[46] N. Perret, D. Morris, L. Franchomme-Fossé, R. Côté, S. Fafard, V. Aimez and J.
Beauvais, Phys. Rev. B 62, 5092 (2000)
[47] S. Fafard, Z. R. Wasilewski, C. N. Allen, D. Picard, P. G. Piva et J. P. McCaffrey,
Superlatt. & Microstruc. 25, 87 (1999)
[48] P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors 3 Rd Edition ,Springer
Berlin Heidelberg New York, (2005)
[49] R. Enderlein and N. J. M. Horing, Fundamentals of Semiconductor Physics and
Devices ,World Scientific Publishing, (1997)
[50] E. L. Ivchenko and G. E. Pikus, Superlattices and Other Heterostructures:
Symmetry and Optical Phenomena 2nd Edition ,Springer-Verlag Berlin Heidelberg,
(1997)
[51] G. C. Dente and M. L. Tilton, Phys. Rev. B 66, 165307 (2002)
[52] A. J. Williamson and A. Zunger, Phys. Rev. B 64, 1978 (2000)
[53] R. Magri and A. Zunger, Phys. Rev. B 68, 155329 (2003)
[54] J. C. Slater and G. F. Koster, Phys. Rev. 94, 1498 (1954)
[55] D. L. Smith and C. Mailhiot, Rev. Mod. Phys. 62, 173 (1990)

120
Bibliographie

[56] E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solids 1, 249 (1957)

[57] T. B. Bahder, Phys. Rev. B 41, 11992 (1990)

[58] T. B. Bahder, Phys. Rev. B 45, 1629 (1992)
[59] P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors 3rd Edition, Springer
Berlin Heidelberg New York, (2005)
[60] T. Saito, J. N. Schulman, and Y. Arakawa, Phys. Rev. B 57, 13016
(1998).
[61] S. Lee, J. Kim, L. J• onsson, J. W. Wilkins, G. W. Bryant, and G. Klimeck,
Phys. Rev. B 66, 235307 (2002).
[62] R. Santoprete, B. Koiller, R. B. Capaz, P. Kratzer, Q. K. K. Liu, and
M. Scheffler, Phys. Rev. B 68, 235311 (2003).
[63] W. Sheng, S.-J. Cheng, and P. Hawrylak, Phys. Rev. B 71, 035316
(2005).
[64] S. Schulz and G. Czycholl, Phys. Rev. B 72, 165317 (2005)
[65] C. M. Goringe, D. R. Bowler, and E. Hernández, Rep. Prog. Phys. 60, 1447 (1997)
[66] T. B. Boykin, G. Klimeck, R. C. Bowen, F. Oyafuso, Phys. Rev. B 66, 125207
(2002)
[67] C. Pryor, Phys. Rev. B 57, 7190 (1998)
[68] G. Bastard, Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures, John-Wiley
& Sons, (1991)
[69] K. F. Brennan, The Physics of Semiconductors with applications to optoelectronic
devices ,Cambridge University Press (1999)
[70] O. Stier, M. Grundmann, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 59, 5688 (1999)
[71] C. Pryor, Phys. Rev. B 57, 7190 (1998)
[72] H. Jiang and J. Singh, Phys. Rev. B 56, 4696 (1997)
[73] M.Baira, , Thèse de doctorat (2009)
[74] Y.P. Varshni, Physica 34, 149 (1967)
[75] L. Viña, S. Logothetidis, M. Cardona, Phys. Rev. B 30, 1979 (1984)
[76] R. Pässler, Phys. Stat. Sol. b 200, 155 (1997)
[77] R. Pässler ,Phys. Stat. Sol. b 216, 975 (1999)
[78] J. Y. Marzin, G. Bastard, Sol. State. Com. 92, 437 (1994).
[79] G. Bastard, Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures, ed. Les
éditions de physique (1992).
[80] M.Baira, L.Bouzaïene, L.Sfaxi, H.Maaref,O.Marty, and C.Bru-Chevallier, J.Appl.Phy. 105,
094322(2009)
[81] M.Grundmann, O.Stier, and D.Binmberg, Phys.rev.B.52, 11969 (1995)
[82] D. El-Moghraby , R.G. Johnson, P. Harrison, Computer Physics Communications 150, 235
(2003)
[83] M.Califano and P.Harrison, J.Appl.Phys, 86, 5054 (1999)
[84] L.Bouzaïene, L.Sfaxi, H.Sghaeïr and H.Maaref, J.Appl.Phys.85, 8223 (1999)
[85] Paul Harrison,” Quantum Wells, Wire and Dots: Theoretical and Computational Physics of
SemiconductorNanostructures “, Second Edition, Wiley Interscience John Wiley &
Sons(2005)

121
Bibliographie

[86] L. Bouzaïene, S. rekaya, H. sghaier, L. sfaxi, and H. maaref, Appl.Phys.A

80, 295(2005)
[87] Valeria-Gabriela Stoleru, Debdas Pal, Elias Towe, Physica E 15, 131 (2002)
[88] S. Sanguinetti, M. Gurioli, E. Grilli, M. Guzzi, M. Henini, Thin Solid Films 380, 198 (2000)
[89] M. Bennour , L. Bouzaïene, F. Saidi , L. Sfaxi and H. Maaref, J Nanopart Res 13, 6527
(2011)
[90] K. H. Schmidt, G. Medeiros-Ribeiro, J. Garcia, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 70, 1727
(1997)

[91] Sh.Hinouda , Thèse de doctorat (1999)

[92] Turner, M.J., R.W. Clough, H.C. Martin and L.C. Topp Journal of the Aeronautical
Sciences, 23,805 (1956)
[93] A. E. Romanow, G. E. Beltz, W. T. Fischer, P. M. Petroff, and J. S. Speck, J. Appl.
Phys. 89, 4523 (2001)
[94] H. T. Johnson, L. B. Freund, C. D. Akyüz, and A. Zaslavsky, J. Appl. Phys. 84,
3714 (1998)
[95] Y. Wang, J. Wang, and H. Guo, Phys. Rev. B 49, 1928 (1994)
[96] T. Inoshita and H Sakaki, J. Appl. Phys. 79, 269 (1996)
[97] W. Lee, J. M. Myoung, Y. H. Yoo, and H. Shin, Solid State Comm. 132, 135 (2004)
[98] D.B. Laks, L.G. Ferreira, S. Froyen and A. Zunger, Phys.Rev.B 46, 587 (1992)
[99] M. Henini, S.Sanguinetti, L. Brusaferri, E. Grilli, M. Guzzi, M. D. Upward, P. Moriarty and
P. H. Beton, Microelectronics. J. 28, 933, (1997)
[100] H. Yamaguchi, M. R. Fahy, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 69, 776 (1996)
[101] E. Stock, T. Warming, I. Ostapenko, S. Rodt, A. Schliwa, J. A. Töfflinger, A. Lochmann, A.
I. Toropov, S. A. Moshchenko, D. V. Dmitriev, V. A. Haisler, and D. Bimberg, Appl. Phys.
Lett. , 96, 093112 (2010)
[102] J.S. Lee, H. Isshiki, T. Sugano and Y. Aoyagi, J. Appl. Phys. 83, 5525 (1998)
[103] F. Saidi, L. Bouzaïene, L. Sfaxi, H. Maaref, Journal of Luminescence, 132, 289 (2012)
[104] Y. Temko, T. Suzuki, and K. Jacobi, Appl. Phys. Lett. 82, 2142 (2003)
[105] S. Lee, O. L. Lazarenkova, P. von Allmen, F. Oyafuso, and G. Klimeck. Phys. Rev. B, 70,
125307 (2004)
[106] C.Sun, P Lu, Zh. Yu, H. Cao and L. Zhang, Physica B 407, 4440 (2012)
[107] S.Sanguinetti, M. Gurioli, E. Grilli and M. Guzzi, Appl. Phys. Lett. 77, 1982 (2000)
[108] A. Schliwa, M. Winkelnkemper, A. Lochmann, E. Stock, and D. Bimberg,
Phys. Rev. B 80, 161307 (2009)
[109] O. Benson, C. Santori, M. Pelton, and Y. Yamamoto, Phys. Rev. Lett. 84, 2513 (2000)
[110] J.B. Xia, Phys.Rev.B 43, 9856 (1991)
[111] W. Xiong and S-S. Ki, J. Appl. Phys. 104, 094310 (2008)
[112] A.V. Barve, S. Sengupta, J.O. Kim, Y.D. Sharma, S. Adhikary, T.J. Rotter, S.J. Lee,
Y.H. Kim, S. Krishna, Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 191110.
[113] R. Chen, H.Y. Liu, H.D. Sun, J. Appl. Phys. 107 (2010) 013513.
[114] T.V. Torchynska, J.L. Casas Espinola, L.V. Borkovska, S. Ostapenko, M. Dybiec,
O. Polupan, N.O. Korsunska, A. Stintz, P.G. Eliseev, K.J. Malloy, J. Appl. Phys.
101(2007) 024323.
[115] V.Mlinar, Nanotechnology 24, 042001 (2013)

122
Bibliographie

[116] A. Sayari, M.Ezzidini, B.Azeza, S.Rekaya, E.Shalaan, S.J.Yaghmour, A.A.Al-Ghamdi,

Solar Energy Materials and Solar Cells 113,1 (2013)
[117] M. V. Maximov, A.F. Tsatsul‟nikov, B.V Volovik, D.S. Sizov, Y.M. Shernyakov, I.N.
Kaiander, A.E. Zhukov, A. R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Z. I. Alferov, R.
Heitz, V.A. Shchukin, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, Y. G. Musikhin and W. Neumann,
Phys. Rev. B 62, 16671 (2000)
[118] M.Bennour, L. Bouzaiene, F.Saidi, L.Sfaxi and H. Maaref, Journal of Alloys and
Compounds,647,110 (2015).
[119] H.B.Wu, S. J. Xu and J. Wang, Phys. Rev. B, 74, 205329 (2006)
[120] E. Steimetz, T. Wehnert, K. Haberland, J.T. Zettler and W. Richter J. Cryst. Growth 195,
530 (1998)
[121] H. Sghaier, L. Bouzaiene, L. Sfaxi, H. Maaref ,Sensor. Actuat. A-Phys. 121, 95
(2005)

[122] M.Bennour, F.Saidi, L. Bouzaïene, L. Sfaxi, and H. Maaref, Physica E, 50 83 (2013)

[123] M. D. Kim, T. W. Kim, Y. D. Woo, J.Cryst.Growth. 265, 41 (2004)
[124] L. Sfaxi, L. Bouzaiene, H. Sghaier, H. Maaref, J. Cryst. Growth, 293, 330 (2006)
[125] L. Bouzaïene, F. Saidi, L. Sfaxi, and H. Maaref, Physica B, 405, 744 (2010)
[126] J.H.Neave,P.J.Dobson and B.A.Joyce and J.Zhang, Appl.Phy.Lett,47, 100 (1985)
[127] PB Joyce, TJ Krzyzewski, GR Bell, BA Joyce, TS Jones Phys. Rev. B 58, 15981
(1998)
[128] Dialynas, G. E. Kalliakos, S. Xenogianni, C. Androulidaki, M. Kehagias, T.
Komninou, P. Savvidis, P. G. Hatzopoulos, Z. and Pelekanos, N. T., J.Appl.Phys.
108, 103525 (2010)
[129] W. Ma, R. No¨tzel, A. Trampert, M. Ramsteiner, H. Zhu, H.-P. Schönherr,
and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 78, 1297 (2001).
[130] P. Ils, Ch. Gre´us, and A. Forchel, Phys. Rev. B 51, 4272 (1995)
[131] M.Hanini, Phys. Rev. B 57, 6815 (1998)
[132] Zh. M. wang, Y.I Mazur, Sh. Seydmohamadi and G.J.Salamo, Appl. Phys. Lett. 87,
213105 (2005)
[133] Zh. M. wang, Y.Z. Xie, V. P. Kunets, V.G.Dorogan, Y.I. Mazur, G. J.Salamo,
Nanoscale. Res. Lett. 5, 1320 (2011)
[134] S. Noda, T.Abe and M.Tamura, Phys. Rev. B 58, 7181 (1998)
[135] S. A. Blokhin, A. M. Nadtochiy, A. A. Krasivichev, L. Ya. Karachinsky, A. P. Vasil‟ev, M.
V. Maximov, A. E. Zhukov, N. N. Ledentsov and V. M. Ustinov,Technical Physics Letters
36,1079 (2010)
[136] P.Yu, W. Langbein, K.Leosson, J.M.Hvam, N.N.Ledenstov, D.Bimberg,
V.M.Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E.Zhukov, A.F. Tsatsul‟nikov and Yu. G. Musikhin,
Phys.Rev.B 60, 16680 (1999)
[137] M. A. Migliorato, L. R. Wilson, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, M. Al-Khafaji, A. G.
Cullis, and M. Hopkinson , J. Appl. Phys. 90, 6374 (2001)
[138] M.Bennour, L.Bouzaiene, F. Saidi, L.Sfaxi and H.Maaref J. of Luminescence 148, 207
(2014).
[139] L. Wang, M. Li, W. Wang, H. Tian, Z. Xing, M. Xiong, and L. Zhao, Appl. Phys. A 104,
257 (2011)
[140] M. Bayer, A. Forchel, Phys. Rev. B 65, 041308 (2002)
[141] P. Borri, W. Langbein, S. Schneider, U. Woggon, R.L. Sellin, D. Ouyang, D. Bimberg,
Phys. Rev. Lett. 87, 157401 (2001)

123
Bibliographie

[142] Lee HS, Lee JY, Kim TW, Lee DU, Choo DC, Jung M, Kim MD
J Appl Phys 91, 5195 (2002)
[143] R. Chen, H.Y. Liu, and H.D. Sun, J. Appl. Phys. 107, 013513 (2010)
[144] H. Khmissi, M. Baira, L. Sfaxi, L. Bouzaiene, F. Saidi, C. Bru-Chevallier, H. Maaref, J.
Appl. Phys. 109, 054316 (2011)
[145] D.I. Lubyshev, P.P. Gonzalez-Borrero, E. Marega, E.J. Petitprez, N. La Scala, P.J. Basmaji,
Appl. Phys. Lett. 68, 205 (1996)
[146] J.S. Rojas-Ramirez, R. Goldhahn, P. Moser, J. Huerta-Ruelas, J. Hernandez-Rosas, M.
Lopez-Lopez, J. Appl. Phys. 104, 124304 (2008)
[147] L. Besombes, K. Kheng, L. Marsal, H. Mariette, Phys. Rev. B 63, 155307 (2001)
[148] M.I. Vasilevskiy, E.V. Anda, S.S. Makler, Phys. Rev. B. 70, 035318 (2004)
[149] D. Sarkar, H.P. Van der Meulen, J.M. Calleja, J.M. Meyer, R.J. Haug, K. Pierz, Phys. Rev.
B 78, 241305 (2008)
[150] M.B. Smirnov, V.G. Talalaev, B.V. Novikov, S.V. Sarangov, N.D. Zakharov, P. Werner, U.
Gösele, J.W. Tomm, G.E. Cirlin, Phys. Stat. Sol. b 247, 347 (2010)
[151] N. M. Gasanly, A. Aydinli, N.S. Yuksek, J. Phys. Condens. Matter. 14, 13685 (2002)
[152] J. Krustok, H. Collan, K. Hjelt, J. Appl. Phys. 81,1442 (1997)
[153] T.V. Torchynska, J.L. Casas Espinola, L.V. Borkovska, S. Ostapenko, M. Dybiec, O.
Polupan, N. O. Korsunska, A. Stintz, P.G. Eliseev, K.J. Malloy, J. Appl. Phys. 101, 024323
(2007)
[154] X. Zhou, Y. Chen, B. Xu, Nanoscale Research Letters 6, 317 (2011)
[155] E. C. Le Ru, J. Fack, and R. Murray, Phys. Rev. B 67, 245318 (2003)

124