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Chapitre III
Dispositif élémentaires :
En associant des S/C différents, métaux ou isolants, on peut crées des effets non linéaires qui
permettent de contrôler le flux d’électrons, ces effets permettent de réaliser des dispositifs
élémentaires qui sont à la base des composants électronique.
III. 1- la jonction PN :
Le dopage non uniforme d'un semi-conducteur, qui met en contact une région de type N avec
une région de type P, donne naissance à une jonction PN. Le semi-conducteur à dopage non
uniforme de la figure 01 présente une région P à nombre volumique d'atomes accepteurs
constant suivie immédiatement d'une région N à nombre volumique de donneurs également
constant. La surface de transition entre les deux régions est appelée jonction PN abrupte.

Accepteurs Y Nombre volumique d’impuretés

Donneurs

Régions P Régions N X
Jonction
Figues 01 : jonction PN abrupte
Lorsque le matériau semi-conducteur est le même pour les deux zones dopées différemment,
par exemple du silicium, cette jonction est appelée homojonction. Quand les matériaux sont
différents, c’est le cas dans des composants à base de composés semi-conducteur III-V ou II-
VI, on parle d’hétérojonction. Dans ce dernier cas, il faut une compatibilité des réseaux
cristallins, paramètres de maille voisins, pour considérer qu’il y ait continuité du cristal.

Nous nous limiterons dans le cadre de ce cours aux homojonctions, du fait de la continuité du
réseau cristallin, les trous de la région P et les électrons de la région N ont tendance à
uniformiser leur concentration dans tout le volume de la jonction. Cependant, la diffusion des
trous vers la région N et des électrons libres vers la région P provoque un déséquilibre
électrique. Donc, dans la zone proche de la jonction, la neutralité électrique n'est plus
satisfaite. On trouve, dans la région P, des atomes accepteurs et des électrons, soit une charge
locale négative, et dans la région N, des atomes donneurs et des trous, soit une charge locale
positive. Il s'est donc créé un dipôle aux abords de la jonction et, simultanément, un champ
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électrique. Une fois l'équilibre atteint, ce champ électrique est tel qu'il s'oppose à tout
déplacement global de charges libres.

III.1.1- Concentrations et types de porteurs dans la jonction

Nous considérons la jonction abrupte et donc les concentrations constantes de part et d’autre
de la jonction métallurgique. ND est la concentration de dopant dans la zone n, NA, la

concentration de dopant de la zone p. Nous avons vu précédemment que dans des conditions
normales de fonctionnement, autour de la température ambiante, tous les atomes dopants sont
ionisés et que les concentrations des porteurs libres dans les zones dopées de type affirmé
(vraiment n ou vraiment p), étaient quasiment égales aux concentrations des atomes dopants
ionisés.

Ainsi, à l’équilibre thermodynamique,

monojonction
Région n: les électrons sont les porteurs majoritaires, n= ND, N=ND p=NA
les trous sont les porteurs minoritaires, p= ni2/ND, e- e- e- e- h+ h+ h+ h+
e
les dopants sont ionisés positivement,
Région p: les trous sont les porteurs majoritaires, p= NA, + + + + - - - -

les électrons sont les porteurs minoritaires, n = ni2/NA, p=ni2/ND

n=ni2/NA

les dopants sont ionisés négativement. h+ e-

Jonction métallurgique
Figure 02 : Charges en présence dans la jonction PN. Les
électrons sont majoritaires en zone n et minoritaires en
zone p. Les trous sont majoritaires en zone p et
minoritaires en zone n

III.2-Jonction PN à l’équilibre thermodynamique :

Le dispositif le plus simple des S/C est le Junction PN, elle est constitués de deux zones
dopées différemment entraînerait un phénomène de diffusion. La structure va évoluer
instantanément vers une situation acceptable physiquement. Il y a donc obligatoirement un
phénomène de diffusion des porteurs depuis les zones où ils sont majoritaires vers les zones
où ils sont minoritaires, le rapport étant immense, c’est-à-dire départ des électrons de la
région n vers la région p et réciproquement pour les trous. Mais tout départ des porteurs libres
entraîne une modification de charge locale puisque les ions qui ont engendré ces porteurs sont
fixes dans le cristal à température ambiante. Dans la zone de contact, les électrons vont laisser
derrière eux des ions positifs alors que les trous des ions négatifs, comme représenté sur la
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figure 03. Ces charges non compensées de part et d’autre de la jonction créent deux
régions spatialement chargées et simultanément un champ électrique orienté depuis la région
n vers la région p, obligatoirement. Cette zone, s’appelle zone de charge d’espace de la
jonction ou zone de transition. Nous créons de la sorte un champ électrique qui va avoir
tendance à renvoyer les électrons de la zone p vers la zone n et les trous de la zone n vers la
zone p. Très rapidement, le système va tendre vers un équilibre entre le phénomène de
diffusion et le phénomène de dérive. Si cela n’était pas le cas, il serait possible de créer un
courant sans apport d’énergie, et cela serait exploité depuis longtemps !

Figure 03 : Mouvement des charges au niveau de la jonction. Les électrons très nombreux en
zone n diffusent vers la zone p ou ils sont minoritaires. Les trous de la zone p diffusent vers la
zone n. Les ions immobiles de part et d’autre de la jonction ne sont plus compensés
électriquement par les porteurs libres. Ils créent une zone de charge d’espace

A l’interface des deux semi-conducteurs, il apparait une variation d’énergie eV0(e charge
élémentaire positive), donc une variation de potentiel V0. Le potentiel de la zone p est
supérieur à celui de zone n ce qui est assez simple à retenir (p pour + et n pour négatif). On
peut calculer V0 en utilisant les résultats précédemment. Soit Na le nombre d’atomes
accepteurs et nd le nombre d’atomes donneurs. Dans la région n, loin de l’interface, nous

avons : EnF −EiF =¿ =KBT log ( Nd ¿ et dans la région p EiF −EFp =¿ =KBT log ( Na ¿ la quantité
¿ ¿
Na . Nd
eV0est définie par eV0= EnF −EFp =¿ =KBT log ( ¿
n2i

Le potentiel V0 est d’autant plus grand que le dopage est élevé.

III- 3. La jonction PN polarisé :

III.3.1 Jonction PN non polarisée :

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A voisinage de la jonction, les électrons libres (porteurs majoritaires) de la zone Nfranchissent

la jonction et diffusent vers les trous (porteurs majoritaires) de la zone P laissant enplace des
ions fixes (positif côté N, négatif côté P).Cette diffusion des électrons et des trous donne
naissance à un courant de majoritaires IMappelé courant de diffusion. Ce phénomène va
s’arrêter quand un champ électrique Ed, crée parles ions fixes sera suffisant pour s’opposer au
mouvement des porteurs majoritaires. Il apparaît,alors, entre les semi-conducteurs de type N
et de type P, une différence de potentiel V0, appeléebarrière de potentiel.
Celle-ci maintient les porteurs majoritaires dans leurs zones respectives, sauf pour ceux qui
possèdent une énergie W0=eV0 nécessaire pour franchir la barrière. Le courant dû à ces
−e V 0
porteurs est de la forme : I M =I 0 exp( )
KT

Fig 4 : Jonction PN en régime transitoire.

Fig 5 : Jonction PN en régime d’équilibre

Par contre, cette barrière de potentiel va favoriser le passage des porteurs minoritaires
(lesélectrons côte P, les trous côté N) conduisant à un courant I strès faible, appelé courant de
saturation Is. Ce courant ne dépend que du nombre des porteurs minoritaires se trouvant au
voisinage de la jonction et indépendant de V0.
Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires)
s’équilibrent et leur somme est nulle en régime permanent et en absence de champ électrique
extérieur. I M −I 0 =0
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−e V 0
Et le courant de saturation s’écrit alors : I s=I 0 exp( )
KT
Les phénomènes qui gouvernent la dynamique des porteurs de charge sont la diffusion et la
dérive. La force qui s’exerce sur les porteurs de charge provenant du processus du diffusion a
pour origine la différence du potentiel chimique entre les zones n et p, le gradient de
concentration entre ces deux zones. La force issue du processus de dérive provient du champ
électrique qui est présent au voisinage de l’interface. Les deux forces conduisent à des
courants opposés. Pour un porteur de charge, électron ou trou, l’équilibre est éteint lorsque le
courant de diffusion est égal et opposé au courant de dérivé. Le sens du flux des particules
provenant des processus de diffusion et de dérivé est indiqué dans la figure ci-dessous.

P n

Flux de diffusion Sens du courant

Électrons
Flux de dérive Sens du courant

Flux de diffusion Sens du courant

Trous
Flux de dérive Sens du courant

III.3.2. Polarisation directe (v>0) :

Supposons que le potentiel du semi-conducteur de type N restant constant, on relève, à l’aide
d’une source d’énergie externe, le potentiel du semi-conducteur de type P, la barrière de potentiel
passe, alors, de V0 à V0 - VD.
Le courant dû aux porteurs majoritaires devient :
I 0 exp ¿
En tenant compte du courant inverse (courant des minoritaires) il circule dans la diode (de
Pvers N) un courant appelé courant direct :

( eKTV )−1)=I exp( eKTV )

I D =I s exp ( D
s
D
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III-3.2. Polarisation inverse (v<0):

Si on branche le générateur dans le sens inverse du cas précédant, on renforce le champ électrique
interne, et on empêche le passage des porteurs majoritaires : les électrons libres sont repoussés
dans la zone N et les trous dans la zone P ; on assure la séparation des charges (zone de déplétion
ou de transition). La barrière de potentiel s’établit à V 0+VD. Il circule dans la diode (de N vers P)
un courant Ii appelé courant inverse qui est dû aux porteurs minoritaires.

(
I i=I s exp 1−(
−e V D
KT )
) =I s

Comme conclusion :
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Qu’est ce qui se passe ? Quand on est dans le sens de la polarisation directe, la borne positive
attire les charges négatives, les électrons, à travers la semi-conductrice p. Les trous, quant à
eux, ne se déplacent pas, mais comme les électrons sont attirés, ils laissent derrière eux des
trous inoccupés, d’où l’impression qu’ils se déplacent également vers la borne négative. Mais
quand on applique la tension dans l’autre sens (polarisation inverse), rien ne va plus ! Les
électrons, toujours attirés par la borne positive, se déplacent dans cette direction, laissant des
trous dans le semi-conducteur p derrière eux, et les électrons du semi-conducteur n font de
même, laissant derrière eux une zone appelée zone de déplétion et qui contient les porteurs de
charges minoritaires (de signes opposés, mais en nombre moins importants). Autrement dit,
dans ce sens-là, les porteurs de charge majoritaires s’éloignent de la jonction, ce qui a pour
effet que le courant ne passe plus dans le matériau.

On a donc un matériau qui laisse passer le courant dans un sens (quand le semi-conducteur p
est relié à la borne Positive et le semi-conducteur n est relié à la borne Négative, notez la mise
en évidence) et pas dans l’autre, ce qu’on appelle aussi une diode.

Schéma très clairement inspiré de celui de Wikipédia)