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F.S.

I- Departement EEA Session 1, 2011-2012

L3 EEA, parcours R.E.L

Epreuve de Physique des Composants


Durée : 1h30 (Documents autorisés)

L’unité de longueur est le cm dans les 2 exercices.

Exercice 1 : Propriété de conduction des semi-conducteurs


On s’intéresse au Phosphure d’Indium (InP)

I- Le matériau est supposé intrinsèque

On donne à l’ambiante (T =300K = 27°C) :


Densités d’état : N c = N v = 10 18 cm –3
Hauteur de la bande interdite : E g = Ec – Ev = 1,35 eV
Mobilité des électrons de la bande de conduction : µn = 8000cm2/V.s
Mobilité des trous de la bande de valence : µp = 400cm2/V.s
KT = 26.10 –3 eV
Rappel des expressions des concentrations en porteurs libres :
nN C exp  Ec EF et p N V exp EF EV
kT kT
1) Etablir l’expression de la concentration intrinsèque n i sachant que le produit pn
vaut : pn=ni2 et calculer sa valeur à 300K.

2) Calculer la conductivité intrinsèque i et la résistivité ρi.

II- Le matériau est maintenant dopé et de type N (semi-conducteur


extrinsèque).
La concentration en atomes dopants vaut : N D = 5.10 15 cm-3, la mobilité des
électrons est alors de 4000 cm2/V.s.

1) Calculer la conductivité  et la résistivité ρ.


2) La température est portée à T1 = 400K.
Dans ces conditions, la concentration intrinsèque vaut : ni1 = 5.10 9 cm3, calculer
la concentration en trous p1. Que peut-on dire du caractère N du Semi-conducteur ?

II- Diode à Jonction PN

On considère une Jonction PN aux régions courtes, réalisée avec du InP


(Phosphure d’Indium).
Ses caractéristiques à 300K sont :
Aire de la jonction : A = 1 cm 2
Bande Interdite : E g = 1,35 eV
Concentration intrinsèque su semiconducteur: n i = 5.10 6 cm-3
Unité thermodynamique : UT = kT/q = 26 mV
Charge élémentaire : q =1,6.10 –19 C

Région P Région N
Dopage (cm-3) N A= 5.10 17 N D =10 17
Epaisseur (cm) W P=10-4 W N=10-4 (1µm)
(1µm)
Cte de diffusion des Dn=100 Dp=10
minoritaires (cm2/s)

Sous polarisation directe, on impose une densité de courant égale à : J = 1000


A/cm 2.

1) Rappeler l’expression de l’efficacité d’injection  = Jp / Jn et calculer sa valeur ;


en déduire les valeurs de Jn et Jp à partir de la densité de courant J imposée.