Chapitre 3 éléments de cristallographie

Chapitre 3

ELEMENTS DE CRISTALLOGRAPHIE

1. Introduction
La cristallographie est la science qui étudie la structure des cristaux et l'organisation des
atomes. Nous allons donc voir ici comment les atomes s'empilent dans un cristal, ainsi que
quelques paramètres qui servent à caractériser ces empilements.

2. Notions de cristallographie
2.1. Réseaux cristallins
Une grande partie de la matière solide (métaux, oxydes, minéraux, sels...) est sous forme
cristalline.

Définition :
Cristal : c’est un empilement infini et régulier d'atomes.

 Infini : la distance entre deux atomes voisins d'un cristal est de quelques
angströms (1 Ao = 10-10 m), donc dans un cristal de 1µm3, il y a de l'ordre
de 1012 atomes, soit 10 000 milliards ;

 Régulier : les atomes sont empilés d’une manière ordonnée, selon un

schéma répétitif ou "réseau".

Un réseau est un ensemble de points, ou

"nœuds", en 3 dimensions, qui présente la
propriété suivante : lorsqu’on se translate
dans l'espace selon certains vecteurs, on
retrouve exactement le même
environnement. Il y a donc une périodicité
spatiale. Le réseau est donc un objet
mathématique descriptif. A chaque nœud
de ce réseau se trouve un "motif", c'est à Fig. 1 Invariance par translation dans un
dire un objet physique, souvent un atome. réseau

Dans certains cas, le motif peut être une

molécule, voir une molécule très complexe.

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On peut découper le réseau en mailles.

Une maille étant la plus petite portion du
réseau ayant les mêmes symétries que le
réseau lui-même. Une maille est donc un
prisme composé de plusieurs nœuds ; le Fig. 2 Exemple de mailles élémentaires dans
des réseaux à deux dimensions
réseau est un empilement de mailles
élémentaires.

Les motifs sont donc situés aux nœuds du

réseau, c'est à dire aux 8 sommets de la
maille élémentaire. Cependant, on a
parfois des motifs situés au centre de la
maille structure dite "centrée" ou aux
centres des faces structure dite "à faces
Fig. 3 Structures cubique centrée (CC) et
centrées". cubique à faces centrées (CFC)

En combinant ces différentes possibilités, on obtient les 14 réseaux de Bravais

Fig. 4 Les 14 réseaux de BRAVAIS

2.2. Paramètres de maille

Les paramètres de maille désignent les dimensions de la maille élémentaire. Dans le cas le
plus complexe, le réseau triclinique, on a 6 paramètres : trois dimensions a, b et c, et trois

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angles alpha, bêta et gamma. Dans le cas du réseau cubique, on ne cite qu'un seul
paramètre de maille, a (puisque a = b = c, et alpha = bêta = gamma = 90°).

Fig. 5 Paramètre de maille dans le réseau triclinique

2.3. Plans et directions cristallographique

2.3.1. Plans cristallographiques et indices de Miller
Définition :
on appelle un plan cristallographique l'ensemble des nœuds situés sur un plan de
l'espace. En cristallographie l’orientation des plans est entièrement défini par trois nombres
entiers mis entre parenthèse, dits "indices de Miller", et appelés h, k et l ; exemple : le
plans (100) (prononcer "un-zéro-zéro"),

2.3.1.1. Méthode de détermination des indices de Miller

Par définition, les indices de Miller sont les inverses des intersections du plan avec les trois
axes du cristal, ces intersections étant mesurées en fonction des longueurs a, b et c. il est
entendu que l’origine des axes ne doit pas être dans le plan à repérer. La démarche à suivre
pour déterminer les indices d’un plan est la suivante :

1. Déterminer les coordonnées des intersections du plan avec les axes OX, OY et OZ
en fonction des vecteurs périodes 𝑎⃗, 𝑏⃗⃗ et 𝑐⃗
2. Prendre l’inverse de chacune des intersections déterminées à l’étape 1 ;
3. Réduire les trois fractions obtenues au plus petit dénominateur commun ;
4. Les trois numérateurs ainsi obtenus représentent les trois indices h, k et l, par rapport
aux trois axes OX, OY et OZ. Z
Exemple : 
c
1. Les intersections selon OX, OY et OZ sont
respectivement : 1, 1/2, 1 ;
2. Les inverses : 1/1, 2/1 et 1/1 ;
3. Les fractions réduites au plus petit dénominateur 
O b Y
commun : 1/1, 2/1 et 1/1 ;
4. Les trois indices de Miller sont : h=1, k=2 et l=1 ;

a
X

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Remarques :
 Lorsqu’un indice est négatif le signe moins est placé au-dessus de l’indice ;
 Les plans parallèles ont les mêmes indices ;
 Les indices sont des entiers relatifs ;
 L’origine du repère employé pour l’indexation ne doit pas être contenue dans le
plan à indexer.

D’après les symétries des structures cubiques, les plans (100), (010) et (001) sont
équivalents. De manière plus générale, si l'on considère les plans (hkl), alors tous les plans
obtenus par permutation des indices et par leur changement de signe sont équivalents

((hlk ), (hkl ), (l kh),...) ; on parle alors de famille de plans {hkl} (notation entre
accolades).

Ainsi, la famille {110} comprend les plans (110), (110), (101), (101), (011), et (011) .
Dans le cas où il y a des nœuds au centre des mailles ou des faces, il peut y avoir des "sous
plans" d'indices supérieurs :

Fig. 6. "Sous plans" de type (002) dans une structure cubique centrée

2.3.2. Direction cristallographique

Définition :
On appelle direction cristallographique une droite de l'espace passant par des nœuds du
cristal.
Les indices de Miller d'une direction sont notés entre crochets [u v w]. u, v et w sont des
entiers relatifs et qui sont les composantes d'un vecteur de la droite partant de l’origine et
passant par le point de coordonnées u, v et w, et comme le choix de l’origine est arbitraire,

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toute les directions parallèles ont les même indices. Les indices négatifs sont notés avec une
barre au-dessus.

Fig. 7. Indice de Miller de quelques directions cristallographiques dans une maille triclinique

Les directions cristallographiques obtenues par permutation et changement de signe des

indices de Miller sont équivalentes, on parle donc de famille de directions <uvw> (notation

 
entre brackets). Ainsi, la famille <110> comprend les droites 110, 101, 101 , 011, et 011  
2.4. Calculs sur les mailles
Les mailles sont des motifs géométriques volumiques. On va voir dans ce qui suit quelques
grandeurs physiques qui caractérisent chaque maille.

2.4.1. Compacité
La compacité est définit comme étant le rapport entre le volume occupé par la matière
(atomes) et le volume géométrique de la maille, elle est donc toujours inférieure à 1.

Volume matière
C= Volume de la maille

2.4.2. Densité des nœuds et nœuds en propre

Dans un réseau cristallin, il est intéressant de déterminer la densité des nœuds, soit par
unité de longueur (densité linéique), soit par unité de surface (densité surfacique), soit par
unité de volume (densité volumique).

2.4.2.1. Densité linéique

Pour calculer la densité linéique de nœud dans une maille donnée et suivant une direction
cristallographique particulière, on choisit un segment de référence de cette direction borné
par deux nœuds. A ces deux nœuds, on attribue un coefficient de pondération égal à 1/2
puisque chaque nœud est partagé par deux segments contigus. Si d’autres nœuds sont
localisés à l’intérieur du segment de référence, on leurs attribue à chacun un coefficient de
pondération égal à 1, car il appartient en propre à ce segment.
nombre de noeuds en propredu segment
La densité linéique de nœud est donc : dl 
longeur du segment

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Exemple : calculons la densité linéique de nœuds suivant la direction [110] d’une maille
CFC de paramètre a.

1 1
Nombre des nœuds en propre = (2 + 2
+ 1) = 2

La densité linéique :
2 √2
𝑑𝑙(𝐶𝐹𝐶)[110] = 𝑎√2 = [𝑎𝑡/𝑢𝑛𝑖𝑡é 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑢𝑒𝑢𝑟]
𝑎

2.4.2.2. Densité surfacique

On procède de façon analogue pour calculer la densité surfacique des nœuds dans un plan
cristallographique. Dans ce plan, on choisit une maille de référence plane sous la forme d’un
parallélogramme puis on attribue les coefficients de pondérations comme suit. Si un nœud
est situé à un sommet de cette maille plane, on lui attribue un coefficient de 1/4 car le
sommet est partagé par 4 plans mitoyens. Si le nœud est situé sur une arrête de la maille on
lui attribue un coefficient de 1/2 car une arrête commune est partagé par deux mailles planes
mitoyennes. Enfin si le nœud est situé à l’intérieur de la maille plane, on lui attribue un
coefficient égal à 1 car il appartient en propre à cette maille.
nombre de noeuds en propredu plan
La densité surfacique des nœuds et donc ds 
surface du plan

Exemple : calculons la densité surfacique des nœuds dans les plans (100) et (111) dans un
CFC de paramètre de maille a.

1
Le nombre des nœuds en propre = (4 × ) + 1 = 2
4

La densité surfacique des nœuds dans le plan (100) est :

2
𝑑𝑆(𝐶𝐹𝐶)(100) = 𝑎2 [𝑎𝑡/𝑢𝑛𝑖𝑡é 𝑑𝑒 𝑠𝑢𝑟𝑓𝑎𝑐𝑒]

Le nombre des nœuds en propre =

1 1
(4 × ) + (4 × ) + 1) = 4
4 2

La densité des nœuds dans (111) est :

4
𝑑𝑆(𝐶𝐹𝐶)(111) = [𝑎𝑡/𝑢𝑛𝑖𝑡é 𝑑𝑒 𝑠𝑢𝑟𝑓𝑎𝑐𝑒]
𝑎2 √3
NB : la surface du parallélogramme
𝒂√𝟔
𝑺 = 𝒃𝒂𝒔𝒆 × 𝒉𝒂𝒖𝒕𝒆𝒖𝒓 = 𝒂√𝟐 × = 𝒂𝟐 √𝟑
𝟐

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2.4.2.3. Densité volumique

Le même raisonnement peut aussi s’appliquer dans le calcul de la densité volumique de
nœuds.

Dans une maille tridimensionnelle, les coefficients de pondérations sont comme suit :
- Égal à 1/8 pour les nœuds aux sommets de la maille parallélépipédique.
- Egal à 1/4 pour les nœuds situés sur une arrête de la maille.
- Egal à 1/2 pour les nœuds situés sur une surface de la maille.
- Egal à 1 si les nœuds sont situés à l’intérieur de la maille.

nombre de noeuds en proprede la maille

La densité volumique des nœuds et donc : dv 
volume de la maille

2.4.3. Les sites interstitiels

La forme sphérique des atomes justifie l’existence d’un certain vide dans les mailles et c’est
d’ailleurs pour cette raison que la compacité ne peut jamais être égale à 1, alors des atomes
étrangères de rayon inférieur à celui des atomes de base viennent se faufiler dans ces vides
et occupent alors des sites interstitiels de type tétraédriques ou octaédriques.

2.4.3.1. Sites tétraédriques

Le tétraèdre régulier est formé par l’empilement d’une sphère sur un triangle de trois sphères
tangentes entre-elles. La plus grande sphère possible à l’intérieur (de rayon r, de centre M)
sera tangente à 2 sphères (de rayon R) d’une arête.

2 3 3
HA  ( AD 2  HD 2 )1/ 2 et HD 
KD avec KD  CD  2R R 3
3 2 2
2 4R 2 1 2 2
donc : HD  R 3 et HA  (4 R 
2
)  2R
3 3 3
Dans un tétraèdre régulier les hauteurs se coupent à ¼ de la base

A.U. 2014/2015 17 TLILI A.

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3 3 2 R 6
Comme MA  HA  2 R  et MA  R  r
4 4 3 2
R 6 6
d' ou r   R  R(  1) et r  0.225R
2 2
D’après ce calcul on voit donc qu’un site tétraédrique peut supporter au maximum un atome
de rayon 𝒓 = 𝟎. 𝟐𝟐𝟓 × 𝑹, avec R rayon des atomes qui créent ce site.

2.4.3.2. Sites octaédriques

L’octaèdre régulier est formé par l’empilement d’un triangle de trois sphère tangentes entre-
elles sur un autre triangle identique mais tourné de 120°.

 La plus grande sphère (de rayon r) possible à l’intérieur sera tangente à 2 sphères (de
rayon R) de l’octaèdre situées aux extrémités d’une diagonale.
 Le module de l’arête de l’octaèdre est égal à 2R (les sphères sont tangentes sur les
arêtes).

 Le module de la diagonale est égal à 2R 2 . Le long de cette diagonale on a la relation :

2 R 2  2 R  2r
d ' où r  R( 2  1)  0.414 R
D’après ce calcul on voit de même qu’un site octaédrique peut supporter au maximum un
atome de rayon 𝐫 = 𝟎. 𝟒𝟏𝟒 × 𝐑, avec R rayon des atomes qui créent ce site.

3. Structure cristalline des métaux et alliages

3.1. Métaux purs
La propriété fondamentale de la structure cristalline des métaux réside dans le mode
d'empilement des atomes qui offre une compacité optimale. Elle peut être caractérisée par la
coordinence Nc du réseau cristallin qui s'exprime par le nombre des premiers voisins à un
atome donné. Parmi les quatorze réseaux de Bravais, seuls trois types de réseaux
répondent à ce critère de compacité. Ce sont les réseaux cubiques centrés (CC), cubique à
faces centrées (CFC), et l’hexagonal compact (HC).

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3.1.1. Structure cubique centrée (CC)

Les atomes sont situés aux 8 sommets d'un cube d'arête "a" (paramètre du réseau), ainsi
qu'au centre du cube, le diamètre des atomes étant tel que l'atome central soit tangent aux 8
atomes des sommets (Fig. 8), ce qui offre une coordinance égale à 8

Fig. 8. Représentations schématiques du réseau cubique centré

La relation qui lie le paramètre a au rayon atomique r des atomes dans une maille cubique
centré (CC) est donné par 𝒂 = 𝟒𝒓/√𝟑. Le nombre d'atomes en propre par maille CC est
égal à (𝟖/𝟖 + 𝟏) = 𝟐.
On peut donc, à partir d'une seule maille, calculer la masse volumique ρ d'un métal cubique
2𝐴
centré au moyen de la relation = , où A est la masse atomique de l'élément
(𝑁𝑎 ×𝑎3 )

métallique et Na le nombre d'Avogadro (6,02 1023 mol-1).

3.1.2. Structure cubique faces centrées (CFC)

Les atomes sont situés aux 8 sommets d'un cube d'arête "a" ainsi qu'au centre des 6 faces
du cube (Fig. 9). Chaque atome situé à un sommet est tangent aux atomes occupant le
centre des faces passant par ce sommet. La coordinance dans le réseau CFC est égale à 12
donc un arrangement d'atomes plus dense que le réseau cubique centré, ce que confirme le
nombre d'atomes en propre par maille égal à (8/8 + 6/2) = 4, ce qui donne pour la masse
4𝐴
volumique 𝜌 = (𝑁 3 ). La diagonale d'une face du cube correspond à 4 rayons atomiques
𝑎 ×𝑎

soit pour le paramètre de maille : 𝒂 = 𝟒𝒓/√𝟐

Fig. 9. Représentation schématique du réseau cubique à faces centrées

A.U. 2014/2015 19 TLILI A.

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3.1.3. Structure hexagonale compacte

Les atomes sont situés aux 12 sommets d'un prisme droit à base hexagonale, aux centres
des deux plans de base, et sur un plan intermédiaire entre les deux plans de base sur lequel
se trouvent trois atomes décalés de telle sorte qu'ils soient au contact des atomes des plans
de base (Fig. 10). Chaque atome situé sur un plan de base a pour voisins immédiats les 6
atomes situés aux sommets de l'hexagone formant ce plan, et les 2 fois 3 atomes des 2
plans intermédiaires situés au-dessus et au-dessous du plan de base considéré. Ces
derniers contacts avec les atomes des plans intermédiaires ne sont possibles que si le
rapport c/a de la hauteur "c" du prisme au paramètre de maille "a" (côté de l'hexagone) est
égal à 𝟏, 𝟔𝟑𝟑 × √(𝟖/𝟑).
Il existe en fait deux types de métaux à structure hexagonale compacte, ceux pour lesquels
𝒄/𝒂 = 𝟏, 𝟔𝟑𝟑 donc 𝑵𝒄 = 𝟏𝟐, et ceux pour lesquels 𝒄/𝒂 > 𝟏, 𝟔𝟑𝟑 donc 𝑵𝒄 = 𝟔.

Fig. 10. Représentations schématiques du réseau hexagonal compact

3.2. Alliages métalliques

Du point de vue de leur structure cristalline, on peut répartir les alliages métalliques selon
quatre types :

3.2.1. Solutions solides de substitution primaire

Lorsque les rayons atomiques du "solvant" et du "soluté" sont peu différents l'un de l'autre,
en pratique Δr/r du solvant soit < 15% (1ère règle de Hume-Rotery), les atomes du soluté "B"
remplacent un par un les atomes du solvant "A" sur son réseau propre. Si de plus les deux
réseaux cristallins sont les mêmes, la substitution peut être totale. Il y a alors solubilité
mutuelle complète avec variation continue du paramètre de maille en fonction de la teneur
croissante en "B".

A.U. 2014/2015 20 TLILI A.

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3.2.2. Solutions solides de substitution secondaire

Le réseau cristallin de ces alliages est en général différent de celui des éléments purs "A" et
"B", et leur domaine d'existence en composition se situe autour d'une valeur correspondant à
un alliage de composition stœchiométrique tel que AB, AB2, A2B, A2B3, ou A3B2.
Par exemple, dans le cas des alliages légers tels Al-Cu ou Al-Mg, les phases responsables
du "durcissement structural" sont respectivement Al2Cu et Al3Mg2. Contrairement aux
composés définis, ces alliages peuvent présenter des écarts aux stœchiométries
relativement importantes.

3.2.3. Solutions solides d'insertion

Malgré la grande compacité des réseaux

cristallins que nous venons de décrire, il
existe des vides entre les sphères
représentant les atomes. A condition que
leur rayon atomique soit plus faible que
celui des atomes constituant le réseau
initial, des atomes supplémentaires
peuvent venir occuper ces vides. Fig. 12. Insertions tétraédrique et octaédrique
dans le réseau cubique centré
Il existe deux types d'insertion possibles
(Fig. 12 et Fig. 13), l'insertion en site
tétraédrique où l'atome inséré occupe le
centre d'un tétraèdre dont les sommets
sont formés par des atomes du solvant
métallique, et l'insertion en site
octaédrique où les atomes insérés
occupent le centre d'un octaèdre. Fig. 13. Insertions tétraédrique et octaédrique
dans le réseau cubique faces centrées

Seuls 4 éléments ont des rayons atomiques inférieurs à celui des atomes métalliques et sont
donc susceptibles de s'insérer dans ces sites. Ce sont respectivement l'hydrogène,
l'oxygène, le carbone et l'azote.

3.2.4. Composés définis

De structure cristalline très différente de celle des métaux purs, ils se distinguent des autres
types d'alliages par des liaisons interatomiques soit ioniques soit covalentes qui rappellent
celles des composés définis de la chimie. C'est le cas par exemple des carbures, des

A.U. 2014/2015 21 TLILI A.

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oxydes, ou des nitrures. Ainsi pour les aciers on trouvera la cémentite Fe3C, les nitrures
Fe4N, et pour les aciers inoxydables les carbures Cr23C6.

4. Défauts des réseaux cristallins

L'état cristallin a été jusqu'ici considéré comme un empilement parfait d'atomes

régulièrement répartis selon un système propre au matériau considéré. Les cristaux
métalliques sont en réalité imparfaits et présentent des défauts locaux. Ces défauts peuvent
être classés d'un point de vue géométrique en défauts ponctuels, défauts linéaires et défauts
répartis sur une surface interne.

4.1. Défauts ponctuels

Ils peuvent se répartir en quatre catégories selon leur géométrie, les lacunes ponctuelles,
atomes étrangers, cristaux ordonnés et les atomes interstitiels.

4.1.1. Lacunes
Une lacune c'est l'absence du motif dans
un nœud du réseau. Certains cristaux sont
composés d'ions. Dans un cristal parfait,
les charges s'équilibrent, il y a autant de
charges positives que de charges
négatives, il y a une neutralité électrique
qui s’établie entre les charges. S’il y a
Fig. 14 Lacune : absence d'un atome
localement un manque en cation ou en
anion on parle alors de lacune cationique
ou de lacune anionique.

4.1.2. Atomes étrangers

Un atome ne faisant pas partie de la
composition chimique du cristal parfait
peut s'y insérer ; il s'agit d'impuretés ou
bien d'éléments d'alliage. Il peut prendre la
place d'un atome "normal", on dit alors
qu'il est en "substitution". Ou si il est de
taille petite il peut se glisser dans les Fig. 15 Atomes étrangers : a - atome en
interstices ; l'atome est alors dit "en substitution ; b - atome en insertion

insertion" ou en "position interstitielle".

A.U. 2014/2015 22 TLILI A.

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4.1.3. Cristaux ordonnés

Si un cristal est composé de deux (ou
plus) types d'atomes différents et que leur
disposition est ordonnée (sels, oxydes...),
on peut avoir un atome à la mauvaise
position. On parle de défaut d'«antiphase»
ou d'«antisite».

Fig. 16 Cristaux ordonnés : défaut d'antiphase

4.1.4. Atomes interstitiels

Le défaut ponctuel, atomes interstitiels,

peut être représenté par le schéma de la
Fig. 17 où on constate la présence d'un
atome interstitiel dans la rangée L1 qui
comporte un atome de plus que la rangée
L2. Fig. 17. Atome interstitiel dans un réseau

4.2. Défauts linéaires ou dislocations

4.2.1. Dislocation coin

La Fig. 18a représente un empilement atomique dans lequel on observe distinctement une
imperfection. On remarque que cet empilement défectueux peut être déformé jusqu'à former

un empilement correct (Fig. 18.b) par un glissement représenté par le vecteur b des
rangées d'atomes situées à droite de A. Cette imperfection linéaire est appelée dislocation
coin et représente la frontière séparant la zone ayant glissé de celle n'ayant pas encore
glissé. La ligne passant par A et perpendiculaire au plan de la figure est appelée ligne ou

axe de dislocation. Le vecteur b est le vecteur de Burgers de la dislocation il représente

la grandeur et la direction du glissement (perpendiculaire à la ligne de dislocation dans le cas
d'une dislocation coin).

A.U. 2014/2015 23 TLILI A.

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Fig. 18. Dislocation coin

4.2.2. Dislocation vis

Il existe une deuxième espèce de dislocation appelée dislocation vis caractérisée par un
vecteur de Burgers parallèle à la ligne de dislocation (Figure 19).

Fig. 19 Dislocation vis

4.3. Défauts plans

4.3.1. Joints de grain
Dans la plupart des cas, la matière cristalline est composée de plusieurs cristaux accolés
(Fig. 21), qui ont une orientation différente ; on dit qu'elle est «polycristalline». L'interface
entre deux cristaux s'appelle un «joint de grain» (grain Boundry).

A.U. 2013/2014 24 TLILI A.

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Fig. 21 Matière polycristalline et joints de grain

Lorsque la différence d'orientation entre deux cristaux voisins est faible (Fig. 22), le joint de
grain peut se décrire comme une succession de dislocations coin ; on parle alors de «paroi
de dislocations» ou encore de «joint de faible désorientation».

Fig. 22 Joint de faible désorientation - paroi de dislocations

Si la désorientation est importante (Fig. 23), alors seuls restent à l'interface les atomes dont
la position est commune aux réseaux des deux cristaux.
On constate que :

- Il y a des espaces vides dans le joint de grain par rapport au cristal parfait ;
- Les atomes du joint de grain ont moins de voisins qu'au cristal parfait.

Il en résulte que

- La diffusion est plus rapide dans les joints de grain, puisqu'il y a plus de place pour
circuler ;
- De même que pour les surfaces libres, l'énergie des atomes des joints de grain est
plus importante que celle des atomes du cristal parfait, et donc des impuretés vont
pouvoir se lier aux joints de grain (phénomène de «ségrégation»).

Fig. 23 Joint de grande désorientation - atomes communs aux deux réseaux

A.U. 2013/2014 25 TLILI A.