PARTIE III:

PRINCIPE DE LA CONVERSION PHOTOVOLTAÏQUE

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 Chapitre 1: Cellule photovoltaïque
I. Cellule photovoltaïque simple à base de Silicium
1- Structure d’une cellule solaire

La zone n est fortement dopée que p

et courte (0.3 mm): jonction n+p

Emetteur base
Le principe de fonctionnement d’une cellule solaire à base de Si fait appel à la physique d’une
jonction p-n à large surface et à épaisseur limitée. Le comportement dynamique des électrons
et des trous est régi par l’ensemble des équations suivantes:
Équation de continuité:

Équation de poisson:

Densité de courant de chaque type de porteurs:

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2- Interaction rayonnement - cellule solaire

Les photons incidents, d’énergie supérieure à Eg, créent des paires électron-trou dans
chacune des régions 1, 2 et 3.
❑ Dans les zones 1 ou 2, les photo-porteurs minoritaires diffusent vers la ZCE; ceux qui
atteignent celle-ci sont propulsés par le champ électrique interne vers la région où ils sont
majoritaires. Ces photo-porteurs créent un photo-courant de diffusion (𝑱𝑫 ).
❑ Dans la zone 3, les paires électron–trou créées par les photons sont dissociées par le
champ électrique interne; l’électron est propulsé vers la zone de type n et le trou vers la
zone de type p (où ils sont majoritaires). Ces photo-porteurs donnent naissance à un photo-
courant de génération (𝑱𝑮 ).

𝑰𝒑𝒉 = 𝑰𝑫 + 𝑰𝑮 𝒒𝑮𝑺(𝑳𝒏 + 𝑾 + 𝑳𝒑) 3

=
 4- Réponse spectrale d’une cellule PV
Le flux de photons à une distance x de la surface pour une longueur d’onde l,est:
on prend x0=0 à la surface de la cellule PV
Le taux de génération des paires électron-trou à une distance x de la surface est:

Coefficient d’absorption et le coefficient de réflexion.

Pour un Sc à gap direct:

1
le traçage de (𝛼ℎ𝜐) Τ2 𝑒𝑛 𝑓(ℎ𝜐) donne𝐸𝑔
Pour un Sc à gap indirect:

le traçage de (𝛼ℎ𝜐)2 𝑒𝑛 𝑓(ℎ𝜐) donne𝐸𝑔

A et B sont des constantes

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 Coefficient d’absorption a(Cm-1)

Longueur d’absorption La (Cm)

Energie des photons hv (eV)
Exemple d’absorption de Si (gap Indirect)

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Le photo-courant total est obtenu en intégrant sur l’ensemble du spectre solaire:

EQE est l’efficacité quantique externe (ou réponse spectrale ) donnée par:

Rapport entre le courant phot-

généré et la puissance lumineuse
incidente en fonction de l.

IQE est l’efficacité quantique interne:

: Rapport du nombre de charges

électroniques collectées sur le nombre
de photons incidents et absorbés

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Dans le modèle idéal, un photon absorbé fournit un électron d’où le rendement quantique est
égal à 1. Le nombre de photons N(l) contenu dans une tranche de longueur d’onde l et l+dl
d’un spectre f (l) est donné par :
N(l)= f(l) l dl/hc
L’intégration sur la totalité du spectre jusqu’à l de Eg du matériau donne Jcc.
Exemple :
Soit un échantillon de Si monocristallin ( Eg=1,12 eV) et pour f(l)= 560 W/m2. mm soit un flux
de 3,2 1017 photons /cm2.mm.s.
Jcc = 53 mA/cm2 pour le spectre AM0
et Jcc = 36 mA/cm2 pour AM1,5.

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EQE est déterminé expérimentalement comme suit:

Pertes dans la face avant

recomb. & absorption dans
les couches de passivation et
d’antireflet

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II- Paramètres de la cellule solaire : Caractéristique I-V
Le courant traversant une cellule solaire soumise à un potentiel extérieur V, lorsqu’elle est
éclairée est :

à l’obscurité

▪Is est le courant de saturation exprimé en A, de

valeur situé entre 10-18 et 10 -9 A, et il est fortement
dépendant de la température en raison de sa Sous éclairement
dépendance en ni.

▪ h est le coefficient d’idéalité, généralement proche

de 1 et prend la valeur 2 pour des densité de courant
élevées.
On prend dans la suite h =1

La puissance P=I.V <0 correspond à l’énergie fournie par la cellule au circuit extérieur (la charge R).
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Elle est caractérisée par les points particuliers: 𝐼𝐶𝐶 , 𝑉𝐶𝑂, et par le point de fonctionnement (Pm).
Les caractéristiques I-V et P-V sont :

Schéma du montage de détermination

expérimentale de la caractéristique I-V

Le caractéristique I-V varie en fonction de l’irradiation G et de la température T.

Rq : Pour comparer le rendement de différentes cellules, on établit les caractéristiques I-V de ces cellules dans les
conditions de test standard (STC =Standard Test Conditions). Ces conditions sont : émission lumineuse de
1 000 W/m², température de 25 °C, conditions spectrales Air Mass 1.5 (composition du spectre identique au spectre
solaire lorsqu’il traverse une épaisseur et demie d’atmosphère, ce qui correspond à un angle d’incidence de 41.8° par
rapport à l’horizontale).
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1- Courant de court-circuit 𝑰𝑪𝑪
En court-circuitant les deux bornes de la cellule éclairée à travers un ampèremètre, les électrons
drainés par le champ interne de la jonction vont donner naissance à un courant de court-circuit
Icc qui correspond au photo-courant Iph généré par le rayonnement. Iph est proportionnel à
l'irradiance du rayonnement incident et à la surface active de captation. Il dépend très légèrement
de la température.
L’expression de 𝑰𝑪𝑪 est déduite de la caractéristique 𝑰 − 𝑽 en prenant 𝑉 = 0:

𝑰𝑪𝑪 = - 𝑰𝒑𝒉

Ampèremètre

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2- Tension à circuit ouvert Vco
Si la cellule est en circuit ouvert (I=0), les porteurs générés par le rayonnement et séparés par le
champ interne vont s'accumuler de part et d'autre de la jonction, induisant une auto polarisation
de la jonction dans le sens passant. Cette auto polarisation induit un courant de diode dans le sens
direct égal et opposé au photo courant. La tension alors mesurée aux bornes des électrodes est
appelée tension de circuit ouvert Vco c'est la tension qu'il faudrait appliquer à la diode dans le
sens passant pour générer un courant égal au photo courant. L’expression de Vco est:

Pour IL donné, Vco augmente logarithmiquement avec la diminution de Is or:

Is diminue exponentiellement avec Eg , ainsi pour obtenir une importante Vco , il faut une
grande valeur de Eg.
A cause des pertes, Vco dépasse rarement la valeur Eg/2.

Vco Eg/2 12
Puissance de fonctionnement maximale

MPP (maximal power point)

C'est la valeur de la charge R aux bornes de la cellule PV qui impose le point de fonctionnement de celle-ci.
Il est déterminé par l’intersection de la caractéristique I = I(V ) et de la droite I = V/R.
La valeur maximale, Pop, de la puissance est obtenue pour une valeur R = Rop lorsque la caractéristique I =
I(V ) est tangente à l’hyperbole I = Pop/V . On a alors :
On a: q

Pmax est obtenue pour dP/dV=0, ce qui donne pour Im et Vm les expressions: (b=e/kT)

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La puissance maximale délivrée par la cellule PV est :

où FF est le facteur de forme (Full Factor) qui caractérise la forme de la caractéristique I =I(V); il
détermine la qualité électrique de la cellule PV et représente les pertes provoquées par les
résistances série Rs et parallèle Rp de la cellule. Pour une caractéristique rectangulaire FF =1, en
pratique, un bon FF est autour de 0.80.
L’expression empirique du facteur de forme FF est:

Ou tout simplement: avec:

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3- Rendement de conversion
Le rendement de conversion, h, est le paramètre le plus important pour une cellule solaire. Il est
défini comme étant le rapport entre la puissance maximale délivrée par la cellule PV et la
puissance photonique reçue par unité de surface, comme suit:

h est très inférieur à 1. En effet, toute l’énergie lumineuse reçue par la cellule n’est pas
transformée en électricité à cause des phénomènes de pertes suivants :
• réflexion sur la face avant R= (n1 – n2/n1+n2)2,
(limitée à 10% grâce à la couche antireflet)
• absorption incomplète des photons,
• ombrage de la surface active par les grilles de collecte, (bloque 5 à 15% du flux incident)
• certains photons ne sont pas assez énergétiques pour créer des paires électron–trou (hu< Eg);
• excès d’énergie par rapport au gap,
• recombinaison de certaines paires avant d’avoir fournies leurs énergies,
• Facteur de forme comprenant dans le cas d’une cellule solaire: Rp, Rs et le facteur
d’idéalité. 15
Rendement théorique
Sachant que le courant décroit avec le gap Eg, le rendement maximal d’une cellule est donné par
la relation :
Er énergie de l’éclairement

Rendement idéal

Rendement en tenant
compte des pertes

0.8 1.4
Rendement théorique pour différents absorbeurs (AM1.5)

Les pertes limitent le rendement théorique à 25 % pour c-Si. Pour celles au silicium p-Si, elles
ont un rendement de l’ordre de 10 à 15 % alors que celles au silicium amorphe (a-Si) ne
dépasse guère 10 %.
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4 Schéma électrique équivalent d’une cellule solaire
Une cellule solaire ne peut pas être assimilée à aucun générateur classique. C’est un générateur
à tension constante dans la partie verticale de la caractéristique et une source de courant
constant dans la partie horizontale de la caractéristique.

Pour tenir compte des différentes limitations, une cellule PV sous éclairement est représentée
par un modèle à 1 , 2 ou plus diodes comportant un générateur de courant Iph, une combinaison
de résistances Rs et Rp et les diodes ; pour le modèle à 2 diodes : D1 de diffusion et D2 de
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génération/ recombinaison
Modèle à 1 diode
I
I1 I2
V R
R

Modèle à 2 diodes
La caractéristique I(V) de la cellule PV, cad de 2 diodes, est donnée par:

- La diode (D1) modélise la diffusion des porteurs dans la base et l’émetteur de la cellule PV, le
facteur d’idéalité n1 vaut généralement 1.
- D2 modélise la génération et la recombinaison des porteurs dans la ZCE, n2 peut prendre l’une
des valeurs suivantes:
▪ n2 =1 : la ZCE est dépeuplée,
▪ 1<n2 <2: le niveau de le niveau piège est peu profond dans la ZCE et dépend de la polarisation
▪ n2 = 2 : les centres de recombinaison sont distribués uniformément dans la ZCE et sur un seul
niveau au milieu de la bande interdite
▪ 2<n2 <4 : les centres de recombinaison sont distribués de façon non uniforme avec une densité
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réduite au centre de la ZCE par rapport à la surface.
Rs: résistance série due à la résistivité propre du matériau et aux résistances des contacts
métalliques. Elle doit être la plus faible possible.
Rp: ou résistance shunt caractérise le courant de fuite de porteurs entre la grille supérieure et le
contact arrière. Elle doit être la plus élevée possible.

Rs et Rp sont déterminées respectivement à partir de de la pente au voisinage de Vco et Icc.

La caractéristique I(V) de la cellule PV réelle sous obscurité , en échelle logarithmique, illustre les
différents paramètres précités.

I(V) à l’obscurité

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II- Effet de certains paramètres sur la caractéristique I-V
1- Influence de l'éclairement

Icc est pratiquement égal au photo-courant (Iph), lui même proportionnelle à la surface éclairée et
à l’irradiance pour un spectre donné. Quant à Voc, lorsque Rs =0 et Rsh infinie, elle est égale à :

Pour T constante on a Vco proportionnelle à ln(Iph). Elle s’ensuit qu’elle varie peu. La
caractéristique I-V est donc:

Remarque
Problème d'adaptation d'impédance en fonction
de l'éclairement. En particulier, pour une charge
résistive, il est clair qu'une parfaite adaptation
d'impédance ne peut s'obtenir que pour une seule
valeur de l'éclairement. On constate aussi que les
points de puissance optimale (MPP) se situent sur
une courbe dont l’allure est assez proche d'une
droite verticale
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2- Influence de la température

T est un paramètre très important dans le comportement des cellules PV (80% d’un rayonnement
est dissipé en chaleur). L’augmentation de T entraine:

-Augmentation de Iph, notamment à cause de la diminution de Eg. Cette augmentation est de

l'ordre de 25 mA/cm2K, soit une variation de +0,l % par °C.

-Augmentation du courant direct de diode, entraînant une diminution nette de Vco ( -2,3mV/°C,
soit une variation relative de -0,4 %/°C). De même, le FF décroit avec l’augmentation de T

Donc: l'augmentation de T se traduit donc au total pour c-Si par une baisse relative de la
puissance disponible de - 0,30 %/ °C et une légère modification de la valeur de la charge
permettant d’extraire cette puissance maximale .

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3- Influence de la résistance série
Rs agit sur la pente de la caractéristique dans la zone où la cellule PV se comporte comme un
générateur de tension. Elle ne modifie pas la tension Vco, mais lorsqu'elle est anormalement
élevée, elle peut diminuer notablement la valeur du courant de court-circuit. La valeur de Rs est
gouvernée par la résistivité du matériau, par les résistances de contact des électrodes et par la
résistance de la grille collectrice..
Détermination de Rs ; Pour deux
Intensités d’irradiation

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4- Influence de la résistance shunt
Il s'agit le plus souvent d'une conductance de fuite. C'est comme si l'on devait soustraire à Iph,
outre le courant de diode, un courant supplémentaire proportionnel à la tension développée. La
résistance shunt (Rp) est en général très élevée. Sur la caractéristique on a la présence d'une
légère pente au voisinage du point Icc. Une résistance shunt trop faible aura un impact sur la
tension Vco de la cellule; en outre, une cellule ayant Rp faible ne donnera plus de tension sous
faible éclairent.

• Paramètres caractérisant une cellule

Solaires au Si cristallin 23