Année universitaire 2022-2023

Master 1 Physique Pr I. ZERBO

UJKZ/UFR-SEA
DEVOIR DE CONVERSION PV
(Durée:3 h)
doivent être éteints
Documents non autorisés. Calculatrices autorisées. Les téléphones portables

2 Exercice1 d'une jonction PN (cellule PV) éclairée

1. Le courant total aux frontières de la zone de charge d'espace l'éclairement et le second terme est le
où I est le courant généré par
est: I=I,-I exp gV,/k,T)-1
courant de ia diode formée par la jonction PN.
est identique au courant de court-circuit
Pour V=0, on obtient le courant total produit Ig qui, dans ce cas
Ise de la cellule PV.
1.1 Donner le schéma électrique équivalent et la caractéristique I-V d'une cellule PV idéale.
puis établir
1.2.Donner la caractéristique I-V d'une cellule PV réelle, son schéma électrique équivalent
léquation de.cette caractéristique.
1.3 Que représentent les deux résistances du modèle électrique équivalent de la cellule PV ?
la forme: g =aSE où E est la puissance
2.Le courant généré par l'éclairement peut se mettre sous
de la cellule PV.
lumineuse reçue par unité de surface, a un coefficient positif et S la surface
Données relatives au comportement électrique de la photopile
T 300 K; E- I kW.m , = 0,1 nA; S=4.10 m? eta=0,35A. W-l, Vco =0,54 V, Ioc
=
0,136 4
2.1 Calculer le photocourant Ig pour une puissance E de 1 kW/m*
Putilisation optimale du
2.2 Une résistance de charge Rz étant placée aux bornes de la cellule PV,
maximale VM et une intensité
dispositif consiste à faire fonctionner cette charge sous une tension
maximale IM. Les valeurs de VM et IM sont respectivement 0,5 V et 0, 13 A. Calculer la résistance de charge

optimale Ropt
2.3 Clcu!er le rendement de conversion de la celluie PV.
2.4 Calculer le facteur de forme de la cellule PV.
Vn1
2.5 En utilisant les formules, sh et R, = m , calculer les résistances série et shunt
I Imax . max
de la cellule PV.

Exercice 2 On considère une cellule PV au silicium polycristallin à

Emerteur (n
Grill es Joncton (ZCE) Zone surdopée (p) champ arrière (B.S.F) de structure n-p-p polarisée par
un générateur de tension continue. L'étude, à une
Lumière
Base (p) dimension, sera menée uniquement dans la base de la
incidente cellule PV car sa contribution au photocourant est plus
importante que celle de l'émetteur. L'étude sera menée
dans l'hypothèse de la base quasi-neutre (Q.N.B) en
X=U
négligeant le champ cristallin qui existe au sein de la
cellule PV.

Figure 1:CellulePVau silicium sous polarisation électrique

1,Décrire le comportement des porteurs minoritaires de charge dans la base de la cellule PV
2. Etablir 1'équation aux densités de courant des porteurs minoritaires dans la base de la cellule PV
3. En déduire 1l'équation de continuité des porteurs minoritaires. Quel phénomène physique la présence de
de continuité met en évidence ?
la dérivé première dans l'équation
4. Résoudre I'équation précédente en supposant que la cellule PV est éclairée par une lumière
multispectra'e
fonction de la vitesse la jonction et
5.1 Donner l'expression de la densité de photocourant en dynamique à
r des paramétres de migration.
de la densite de photocourant en circuit ouvert. Où passe ce courant ?
5.2 En déduire l'expression