68 Dcembre 2006 n175 - Electronique

DOSSIER
Les modules
IGBT
Accrotre la fiabilit et la dure de vie
du module IGBT, minimiser les inductan-
ces parasites, diminuer le volume du bo-
tier tout en abaissant les cots dassem-
blage sont au centre des proccupations.
Quant aux dernires technologies
de puces embarques, elles visent opti-
miser lternel compromis entre pertes
en commutation et en conduction, et
augmenter la densit de courant.
Le raccordement des MiniSKiiP II de Semikron est ralis par simple
pression sur le circuit imprim. Les liaisons lectriques du module
au driver seffectuant par lintermdiaire de contacts ressorts. Les
produits sont disponibles en versions 600 et 1 200 V, jusqu 175A,
selon les configurations CIB, six-pack, et de pont redresseur triphas
avec hacheur de freinage.
L
es modules IGBT cou-
vrent aujourdhui une
large gamme, allant
dune dizaine quel-
ques milliers dampres
et de 300 6 500 V, afinde se con-
former aux desideratas dune
multitude dapplications, dans
les domaines des fortes et des
moyennes puissances. Sous di-
verses formes, on retrouve ainsi
le module IGBT dans la com-
mande industrielle de moteurs,
les alimentations ininterrupti-
bles (UPS), la tractionlectrique,
la gestion de sources dnergie
olienne ou solaire, les vhicules
lectriques, les ascenseurs, les
appareils domestiques
Dans unmodule, les puces IGBT
sont disposes en parallle afin
dobtenir le calibre en courant
dsir, tout en bnficiant dun
rendement satisfaisant en pro-
duction. Des associations plus ou
moins complexes sont envisa-
geables, allant du simple inter-
rupteur form dun IGBT avec
sa diode enantiparallle, enpas-
sant par le hacheur, le bras de
pont, les ponts en Hou triphas
(six-pack). Pour sacheminer
vers le module de puissance
complet, baptis CIB (converter,
inverter, brake) ou PIM (power
integrated module), runissant
dans un mme botier : un pont
redresseur diodes, un hacheur
de freinage, ainsi que les six
IGBT de londuleur avec leurs
diodes de roue libre. Quant aux
modules dits intelligents ou
IPM(intelligent power module),
ils incluent en sus le driver et
diffrents capteurs chargs de
mettre envidence unchauffe-
ment de temprature excessif,
une surcharge ou un court-cir-
cuit.
Les dernires avances techno-
logiques ont pour objectif dam-
liorer la fiabilit des modules, et
portent sur lternelle optimisa-
tiondu compromis entre les per-
tes en rgimes de commutation
et de conduction dans les l-
ments semiconducteurs. Pour ce
faire, de nouvelles variantes de
structures existantes sont rgu-
lirement dvoiles, permettant
au final daccrotre la densit de
courant, ou inversement de di-
minuer la surface de silicium
intensit donne.
Quant la tenue en tension, elle
ne semble gure pouvoir aller
bien au-del des 6 500 V actuels,
tant les perspectives offertes par
la technologie silicium semblent
limites.
Des puces pour tous
les usages
Afin de rpondre aux attentes
dun large ventail dapplica-
tions, chacune tant caractrise
par des conditions opratoires
(frquencedecommutation, ten-
sion de blocage) et des modes
de fonctionnement particuliers,
les fabricants de modules nh-
sitent pas recourir des puces
IGBT de natures diffrentes.
Historiquement, les structures
PT(punch through) et NPT(non
punch through) sont les plus
anciennes. Pour schmatiser, la
structure PT traditionnelle per-
met par principe dobtenir des
pertes en conduction rduites,
tandis que le procd NPTdon-
ne des composants intrinsque-
ment plus rapides avec de fai-
bles pertes en rgime de
commutation. On optait souvent
pour les premires dans les
gammes 600 et 1200 V, pour les
secondes en 1200 V et au-del.
Les progrs technologiques
aidant (incluant les procds de
ralisation sur wafer mince), la
donne a depuis t quelque peu
redistribue.
Sans entrer dans les dtails, pr-
cisons simplement que les diff-
rences se situent au niveau du
dessin et des dopages des cou-
ches basses de la cellule. Les
NPT sont dvelopps sur une
base de silicium homogne, sur
laquelle sont diffuss le collec-
teur et les autres couches. La
tension inverse est supporte
par une couchepaisse n-, ce qui
confre lIGBT une chute de
tensionltat passant assez le-
ve. Unproblme contourn par
les dernires gnrations de pu-
Dcembre 2006 n175 - Electronique 69
DOSSIER
ces sur wafer mince, caractri-
ses par une faible tension de
saturation, au prix dunecertaine
fragilit mcanique.
Dans lecas dune technologiePT,
une couche tampon fortement
dope n+ et une seconde faible-
ment dope n-, obtenues par
croissance pitaxie, reposent
sur un substrat p+. La minceur
de la couche n- se traduit par
lobtention dune chute de ten-
sion trs faible ltat passant.
Cependant, afin de rduire la
dure de vie des porteurs dans la
zone tampon, et ainsi conserver
de faibles pertes en commuta-
tion, ona recours des procds
dirradiation ou dinjection de
mtaux lourds qui ont le fcheux
inconvnient de remonter le
V
CE(sat)
et, par voiedeconsquen-
ce, les pertes en conduction.
Du fait des effets dautorgula-
tionnaturels facilitant la mise en
parallle des IGBT, les compo-
sants de type NPTbnficiaient
lorigine dun attrait suppl-
mentaire. Et ce grce un coef-
ficient de drive thermique de la
tensionV
CE(sat)
positif au courant
de travail, minimisant le risque
demballement thermique.
Les nouvelles technologies ap-
parues ces dernires annes ont
tent de runir les avantages des
structures PT et NPT. Ainsi en
est-il de lIGBT champ limit,
appel field stop par Infineon
et Fuji. Le profil de champ lec-
trique, de forme trapzodale, est
ici similaire celui dune puce
PT, tandis que le coefficient de
temprature est positif ltat
passant. Lors de louverture de
lIGBT, le champ lectrique est
arrt par une couche tampon
faiblement dope n, ce qui per-
met de rduire le phnomne de
queue de courant d laccumu-
lation des charges.
Unprincipe similaire a t adop-
t par Mitsubishi et ABB pour
leurs puces baptises LPT(light
punch through) pour le premier,
SPT (soft punch through) pour
le second. Cependant, si le prin-
cipe reste similaire, la structure
peut tre bien diffrente. Ainsi,
si dunct Infineonmet enu-
vre une grille en tranche pour
ses IGBT
3
et IGBT
4
, ABB a re-
cours une construction pla-
naire plus classique. Notons que
cette dernire socit a introduit
lan dernier de nouvelles puces
SPT, dites SPT
+
. Celles-ci con-
servent les caractris-
tiques de leurs anes,
si ce nest leV
CE(sat)
r-
duit de quelque 30 % (cas dune
puce 3 300 V), ou la densit de
courant amliore (cas dune
puce 1 200 V).
Applique aux IGBT, la struc-
ture en tranche (trench) a pour
intrt dliminer leffet JFet pa-
rasite des cellules IGBT classi-
ques. La chute de tension ltat
passant et la rsistance de canal
de lIGBT sont galement rdui-
tes. La faible largeur de la grille
enterre, et nonplus dispose en
surface comme dans une cellule
planar conventionnelle, autorise
une densit de courant plus
importante, tandis que les effets
de latch-up sont minimiss.
Linconvnient principal est lac-
croissement de la capacit grille-
metteur qui modifie le compor-
tement dynamique de lIGBT.
Du fait de ses nombreux atouts,
la technologie trencha ouvert de
belles perspectives quant au d-
veloppement de modules perfor-
mants et compacts. La complexi-
t du procd de fabrication
tant ici compense par une
moindre quantit de silicium
consomm.
Un botier aux multiples
fonctions
Accrotre la fiabilit et la dure
de vie des modules, minimiser
les inductances parasites, dimi-
nuer le volume du botier tout en
abaissant le cot dassemblage,
sont galement au centre des
proccupations.
Le plus souvent, le module est
prsent dans un botier plasti-
que avec semelle mtallique. Les
puces relies aux connexions
mtalliques par des fils de bon-
ding reposent sur un substrat
cramique (figure). Celui-ci est
charg de lisolation lectrique
avec la semelle, elle-mme se
trouvant son autre extrmit
en contact avec le dissipateur,
au travers dun film
ou dune graisse ther-
mique. Le module est
rendu solidaire du
dissipateur par lin-
termdiaire de vis,
dont le couple de ser-
rage doit tre respec-
t.
Des joints de brasure
sont raliss entrepu-
ces et cramique iso-
lante, entrecramique
et semelle mtallique.
Classiquement, il est
fait appel un pro-
cd de type DCB(Direct copper
bonding) pour une bonne adh-
sion du cuivre sur la surface en
cramique.
La fatigue des joints de brasure
est une source potentielle dal-
as. Dun ct, les forces lectro-
magntiques cres chaque
impulsion de courant peuvent
crer des microfissures au ni-
veau de la liaison entre puce et
bonding. De lautre, lors des cy-
clages thermiques, les points de
raccordement entre puces et
substrat et entre ce dernier et la
semelle sont soumis de fortes
contraintes mcaniques, si les
coefficients de dilatation thermi-
ques (CTE, Coefficient of ther-
mal expansion) des diffrents
matriaux sont diffrents.
Le cuivre, du fait de son excel-
lente conductivit thermique, et
lAlSiC sont des matriaux cou-
rants pour la semelle. Pour les
isolants, lalumine (Al
2
O
3
) et le
nitrure daluminium (AlN) sont
les choix traditionnels.
Dans certaines applications, o
les modules sont soumis rude
preuve, les phnomnes de fa-
tigue thermique sont minimiss
en privilgiant lassociation
AlSiCet AlN. Le premier affiche
une conductivit thermique sa-
tisfaisante, certes infrieure
celledu cuivre, tout en sedilatant
dans les mmes proportions que
le nitrure daluminiumdu subs-
trat cramique.
Dans le cas de trs fortes puis-
sances et lorsque les conditions
sont particulirement svres
(applications de traction par
exemple), et ce linstar des
composants bipolaires (thyristor,
GTO), il est parfois fait usage de
botiers presss ou press-pack.
La dissipationdes calories est ici
optimisepar un refroidissement
double face.
Puce
Connexions
mtalliques
Isolant
Gel isolant
Semelle
Dissipateur Brasures
Graisse
thermique
Fils de bonding Botier
FIGURE
Il sagit l dune structure de module IGBT classique, dans laquelle
la rigidit mcanique et le transfert thermique vers lextrieur sont
assurs par la semelle.
Un module IGBT classique mont
sur son radiateur
Les modules IGBT
ciblent parfois des
applications bien
particulires exigeant
un haut niveau de
fiabilit. A linstar
des modules 600 et
1 200 V en botier plas-
tique hermtique HiRel
INT-A-Pak-2, uvre
dInternational Recti-
fier, destins lindus-
trie aronautique.
70 Dcembre 2006 n175 - Electronique
DOSSIER
Les modules IGBT
Pour sa part, partant du principe
que les interfaces brases entre
le substrat et lembase sont des
causes de dfaillance importan-
tes, Semikron privilgie lalter-
native sans semelle dans ses
modules SKiiP. Les contacts lec-
triques sont ici presss sur le
substrat, de mme que la cra-
mique directement sur le dissi-
pateur en de nombreux points.
Enlabsence de toute embase en
cuivre, lenombreainsi rduit des
interfaces thermiques est tout
bnfice pour abaisser la rsis-
tance thermique de lensemble.
Quant lacontrainteexerce sur
le joint de brasure, normalement
prsent entre la cramique et la
semelle, ellenexisteplus. Defait,
la tenue aux cycles de tempra-
ture de grande amplitude est
amliore.
Dans les MiniSKiiP de la mme
socit, ce principe des contacts
presss est combin la techno-
logiedes contacts ressorts. Ceux-
ci sont chargs dtablir toutes les
connexions lectriques entre le
module de puissance et la carte
de commande. Ce qui, vis--vis
des pratiques traditionnelles fai-
sant usage de connecteurs bro-
ches et de joints de brasure, se
rvle avantageux bien des
gards. Enpremier lieu, les cots
dinvestissement (aucunquipe-
ment de brasage nest en effet
requis) et de mise enuvre sont
rduits. En second lieu, lviction
des joints de brasure et des ph-
nomnes nfastes associs, tels
ceux causs par les vibrations
mcaniques, se traduit par une
fiabilit accrue.
Au-del du simple module
de puissance
Dans les convertisseurs de puis-
sance, les modules IGBT sont
coupls une carte de comman-
de, dont la mission est non seu-
lement depiloter les IGBT(cest-
-dire initier et contrler les
passages de ltat passant ltat
bloqu), mais aussi den assurer
lintgrit en cas danomalies
diverses. Auquel cas, le driver
doit en informer lorgane de
commande globale.
Dans un module IPM, ltage de
puissance et le circuit de com-
mande de grille cohabitent dans
le botier. Lappariement entre
les deux entits est alors ralis.
De surcrot, tout un ventail de
protections contre les surinten-
Les critres de choix
Tenir compte des
contraintes lectriques,
thermiques et
mcaniques
Evoluant souvent dans des conditions
environnementales et opratoires diffici-
les, le module IGBT doit tre correctement
dimensionn, en tenant compte des con-
traintes tant lectriques que thermiques.
Bien que robuste, il ne doit jamais sortir
des aires de scurit, ni outrepasser les
valeurs maximales critiques spcifies.
Son intgration dans un convertisseur de
puissance fait par ailleurs intervenir des
considrations mcaniques.
en srie de composants. Enfin,
un botier six-pack conviendra
pour un onduleur triphas la
tension du rseau, tandis que le
format hacheur se rencontre
couramment dans la commande
de moteur DC et les convertis-
seurs de tension lvateurs
(boost) ou abaisseurs (buck).
Pour le concepteur, le choix dun
module dont les performances
ont t juges conformes ses
attentes doit tre en accord avec
ses objectifs principaux. Ceux-ci
sits, les tempratures excessi-
ves, les sur et sous-tensions est
fourni. Ce type de module est
trs en vogue dans les applica-
tions grand public (rfrigra-
teurs, machines laver), o
une politique de prix agressive
est de mise, ou plus gnrale-
ment pour la commande de mo-
teurs de puissance modeste.
Dans cette catgorie, nous cite-
rons par exempleles SPM(Smart
power module) de Fairchild, les
nombreuses sries proposes
par Mitsubishi ou Fuji
Lheure est aussi la mise en
placedeplates-formes par appli-
cation, associant le driver, cette
fois-ci sous forme de carte, et le
botier depuissance. Plus encore,
les condensateurs de filtrage, les
capteurs, des fonctions de super-
vision additionnelles, le systme
de refroidissement peuvent alors
tre aisment greffs afin de
constituer un sous-ensemble de
puissance complet et reproduc-
tible. Et ce pour des applications
mettant enuvre des variateurs
de vitessedemoteurs lectriques,
ou touchant des domaines aussi
varis que la gestion de sources
dnergie renouvelable olienne
ou solaire, la traction ferroviaire,
les ascenseurs
Unepolitiquequi se rvleavan-
tageuse en termes de temps de
dveloppement et de cot.
Philippe Corvisier
L
es topologies des modules
IGBT sont fort nombreuses
et cette diversit, illustre
par lecatalogueimposant decer-
taines socits, leur permet de
sadapter aux contraintes parti-
culires de chaque application.
Le botier dual jouit ainsi dune
grande popularit car il se prte
bien la ralisationdonduleurs.
Pour sa part, le module IGBT
simple est intressant dans les
environnements haute tension,
dans la mesure oil vite la mise
Spcialiste des IPM, Mitsubishi
en propose dans des petits
botiers destins aux onduleurs
utiliss dans les appareils do-
mestiques. Les derniers mod-
les tirent profit de la technologie
RC-IGBT, dans laquelle lIGBT
et sa diode de roue libre sont
intgrs sur la mme puce.
Dcembre 2006 n175 - Electronique 71
DOSSIER
seront gnralement de dimi-
nuer lecot, lepoids et le volume
de sonconvertisseur, tout en res-
pectant les contraintes CEM.
Une fois la topologie retenue, la
prslection rapide du module
seffectue selonles deux param-
tres lmentaires que sont la
tensiondeblocageV
CES
, et lecou-
rant maximal de collecteur. Des
tenues en tension de 600, 1 200
et, un degr moindre, 1 700 V
sont classiques pour une multi-
tude de systmes de conversion
dnergie. Ces valeurs sont ali-
gnes sur les niveaux obtenus en
sortie dun pont redresseur mo-
nophas ou triphas, aliment
par les diffrentes tensions r-
seau en usage dans le monde.
En lectronique de forte puis-
sance, ona affaire des modules
de type traction. Une appella-
tion qui trouve son origine dans
lefait queces composants taient
initialement destins la trac-
tion ferroviaire.
Ensuite, la classification
en diffrentes sries des
produits est dpendante
du constructeur. Selonla
primeur donne la vi-
tesse de commutationou
aux pertes statiques, les
puces seront gnrale-
ment diffrentes.
Le module IGBT est
avant tout uncomposant
de puissance, par cons-
quent sujet lchauffe-
ment. En tant que tel, de
nombreux paramtres et
courbes donns dans les
feuilles de spcifications
voluent selon la seule
temprature. De fait, il
semble inutile de prci-
ser que la temprature,
de jonction ou de botier,
doit tre imprativement
indique ds quil est
question de tenue en
courant, de pertes ner-
gtiques, de temps de
commutation, dedissipa-
tion maximale de puis-
sance, etc.
Cela est en particulier le
cas pour le courant de
collecteur dont la valeur
maximale admissible volue for-
tement en fonction de la temp-
rature de jonction. Une autre
intensit maximale de collecteur
ICMest galement mentionne.
Cette dernire correspond la
valeur crte que peut soutenir
lIGBTpendant unmode opra-
toire impulsionnel.
Quant aux reprsentations gra-
phiques des aires de scurit
RBSOA (Reverse biased safe
operating area) et FBSOA (For-
wardbiased safe operating area)
en polarisation inverse et direc-
te respectivement, elles fixent
les valeurs limites du couple
(V
CE
, I
c
) en fonction de diverses
contraintes.
Lestimation des pertes :
un passage oblig
Les pertes occasionnes lors des
cycles decommutationet decon-
duction doivent tre values,
uneentreprisequi ne savrepas
immdiate. Etant entendu que
dans les applications hautefr-
quence de commutation, les pre-
mires sont prdomi-
nantes. Certains outils
permettent cependant
de simplifier la tche du
concepteur. Par exem-
ple, une socit comme
Mitsubishi met dispo-
sition, sur son site web,
le logiciel Melcosim
pour le calcul des pertes
et lanalyse de la mon-
te en temprature des
modules en fonction de
diverses conditions
opratoires. Les pertes
sont ici diffrencies en
rgime statique(V
CE(sat)
)
et en commutation, tant pour
lIGBT que pour sa diode.
En tout tat de cause, la signifi-
cation des temps de commuta-
tionfigurant dans toutes les data
sheets doit tre bien comprise.
Comme lindique la figure, la
conduction de lIGBT (ferme-
ture), le t
d(on)
(turn-on delay
time) dfinit le temps sparant
linstant ola commandeV
GE
est
applique et le dbut de crois-
sance de lintensit dans le col-
lecteur. Le temps de monte de
ce dernier courant, entre 10 et
90 % de sa valeur finale, est ex-
prim par t
r
(rise time). Dans
certaines spcifications, le temps
t
on
(turn-on time) indiqu repr-
sente la somme des deux quan-
tits prcdentes, soit t
d(on)
+ t
r
. A
louverture, les quivalents sont
t
d(off)
(turn-off delay time), t
f
(fall
time) et leur somme t
off
(turn-off
time).
Les pertes totales en rgime de
commutationE
ts
(total switching
loss) rsultent de la somme des
pertes lafermetureet louver-
ture, respectivement E
on
(turn-
on switching loss) et E
off
(turn-
off switching loss). Toutes ces
donnes sont dpendantes de la
temprature de jonction, de la
rsistance de grille, du courant
de collecteur, de la nature de la
charge (inductive)
Afinde dterminer la dissipation
totale de puissance, les pertes
dans la diode monte en anti-
parallle avec lIGBT doivent
tre calcules. Cette diode qui,
rappelons-le, nexiste pas de fa-
on intrinsque dans un IGBT,
0 V
10 %
10 %
t
d (on)
t
d (off)
t
on
E
on
= i
c
.v
ce
dt
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
4
t
1
t
r
t
f
90 %
90 %
90 %
10 %
t
off
E
off
= i
c
.v
ce
dt
t
8
t
5
t
8
V
ge
i
C
V
ce
FIGURE
Formes dondes du courant de collecteur et de la tension collecteur-metteur en rgime de commutation. Ces
temps sont susceptibles dvoluer en fonction de nombreux paramtres, et notamment de la temprature. Les
pertes totales en commutation sont Eon+Eoff.
Les temps de commutation
Prsents lors de la der-
nire dition de PCIM,
les modules PrimePACK
dInfineon bnficient
dune conception inno-
vante visant abaisser
la rsistance thermi-
que et diminuer les
inductances parasites.
Conus pour les appli-
cations industrielles, ils
sont disponibles en ver-
sions 1 200 et 1 700 V et
embarquent la dernire
gnration de puces
en tranche (IGBT
4
) de
lallemand.
72 Dcembre 2006 n175 - Electronique
DOSSIER
Les modules IGBT
prend la forme dune puce addi-
tionnelle. Ellejouele rlede roue
libre dans les onduleurs de ten-
sion commutation dure, et
doit se montrer la hauteur de
lIGBTquelle sert, sous peine de
dgrader les performances de
lensemble. Cette complmenta-
rit explique que les deux tech-
nologies ont tendance voluer
de concert.
Les caractristiques gnrale-
ment mises en exergue sont la
tension directe (V
F
) de la diode,
la rsistance thermiquejonction-
botier et les donnes relatives
au recouvrement inverse.
En fonction du courant qui la
traverse, des charges sont accu-
mules dans la diode pendant la
conduction. Avant le blocage ef-
fectif de la tension, lvacuation
ncessaire desdites charges n-
cessite un courant inverse. On
parle alors de recouvrement in-
verse dans la diode. Les param-
tres en rapport sont le courant
crte de recouvrement inverse
(I
RM
), le temps de recouvrement
inverse (t
rr
) et la charge recou-
vre (Q
rr
) en C, fortement d-
pendants de la temprature. Un
tel comportement induit des per-
tes nergtiques en recouvre-
ment inverse (E
rec
).
Le profil de la diode se traduit
par une courbe de dcroissance
du courant inverse (aprs I
RM
)
particulire, dont il faut gale-
ment tenir compte. Le dit/dt, re-
prsentatif de la pente de cette
courbe, en conjonction avec les
inductances parasites, est en ef-
fet la source de surtensions et
dinterfrences haute frquence.
Le stress subit par le couple
diode/IGBT est aussi plus s-
vre. De fait, on privilgie un
recouvrement progressif ou doux
(soft recovery).
Un module sous haute
surveillance
Dans un module IGBT, le botier
revt une importance capitale. Il
assure en effet la liaison lectri-
que entre les diffrentes puces,
lisolation lectrique entre les
connexions, la protection des
puces, le maintien mcanique et
linsertion dans un quipement.
Les modes de raccordement sont
varis au niveau des contacts de
puissance: picots brass, systme
vis ds que les intensits de-
viennent importantes (200A),
contacts presss.
A cet gard, les utilisateurs sont
sensibles au cot de montage.
Moins de vis et peu de brasures
induisent galement un mini-
mum de risques derreurs. On
apprciera ds lors un module
pour sa facilit de raccordement
au dissipateur, au bus-barre, la
carte de commande
Si le botier se charge de faciliter
le transfert des calories vers lex-
trieur, il doit aussi assurer une
isolation lectrique suffisante et
prsenter de faibles inductances
de cblage internes. Certaines
conceptions de modules IGBT
mettent laccent sur ce dernier
point. En effet, comme nous
lavons indiqu, lors de louver-
ture de lIGBT il y a apparition
dune surtension lie la d-
croissance du courant dans les
inductances de cblage, et les
problmes dIEM se posent avec
plus dacuit. Un phnomne
amplifi par les temps de com-
mutation devenus de plus en
plus courts. L, intervient le sa-
voir-faire du fabricant afin de
ramener ces inductances para-
sites quelques nH.
La principale cause de destruc-
tiondunmodule IGBTest dori-
gine thermique. Les consquen-
ces sont alors dsastreuses
lorsquelle entrane la perte dun
convertisseur ou dun quipe-
ment complet. Une lvation
anormale de la temprature r-
sultera dun court-circuit, dun
amorage dynamique, duneffet
davalanche ou sera lie au cy-
clage et la fatigue thermique.
La temprature peut tre mesu-
re au niveau du dissipateur,
mais cette mthode fait interve-
nir des constantes de temps pro-
hibitives. Pour une plus grande
efficacitet uneprcisionaccrue,
la mesure seffectuera au niveau
du botier, en tirant profit de la
thermistance embarque dans le
module. En tout tat de cause,
seule une estimation de la tem-
prature de jonction des puces
sera donne. Obtenir cette der-
nire informationest nanmoins
envisageable, condition que la
lourdeur de la mise en uvre
soit tolrable (convertisseur A/N
et traitement numrique).
Outre la temprature, bien
dautres phnomnes sont sus-
ceptibles de mettre la vie du mo-
dule en danger. Ainsi en est-il
des courts-circuits, des surinten-
sits et des surtensions. LIGBT
est en court-circuit lorsque le
courant, suprieur la valeur
nominale, est limit par ledit
IGBT. Ce rgime se distingue de
celui de surintensit, o cest le
circuit extrieur qui limite ou
impose le courant.
Si le rgime de court-circuit est
support par la grande majorit
des modules IGBT, il nest pas
conseill de rester dans cet tat
pendant un laps de temps nex-
cdant gnralement pas une
dizaine de microsecondes. A
charge pour le driver, prpos
la scurit rapproche du mo-
dule, de couper lIGBT et den-
voyer un signal de dfaut au
contrleur.Acet effet, se reporter
laire de scurit en court-cir-
cuit ou SCSOA (Short-circuit
safe operating area) du produit
incrimin. Il est galement tabli
quune successionde courts-cir-
cuits se traduit par une diminu-
tionde la dure de vie des puces.
Une raison supplmentaire pour
prendre toutes les dispositions
ncessaires afin de les viter, ou
tout du moins, raccourcir leur
dure.
Une autre cause de destruction
de lIGBT est la surtension aux
bornes de celui-ci, se traduisant
par une tensioncollecteur sup-
rieure celle admissible par le
composant. Pour sen prmunir,
une dmarche classique con-
siste placer une diode Transil
de clamping entre grille et col-
lecteur.
Une conception simplifie
avec lIPM
Un module intelligent IPMpr-
sente lintrt dintgrer outre
ltage de puissance, le circuit de
pilotage, tout en assurant la d-
tection de multiples alas (mise
en conduction simultane des
branches basse et haute dun
pont, prsence dimpulsions pa-
rasites). Lechoix delIMPpeut
se justifier pour des raisons de
cot, de fiabilit et de simplifica-
tion de conception. Cependant,
le manque de flexibilit circons-
crit bien souvent le champduti-
lisation dun IPM des applica-
tions bien cibles.
Outre les caractristiques lec-
triques et thermiques, il convient
dtudier lventail des fonctions
en rapport avec la gestion des
courts-circuits, des surintensits,
des surtensions, des sous-ten-
sions, des tempratures excessi-
ves. Selon sa complexit, unIPM
diposera de plusieurs shunts de
courant, de miroirs de courant
qui dlivreront au systme une
image du courant traversant les
IGBT, dune thermistance pour
la mesure de la temprature du
botierSignalons que, dans ce
dernier domaine, certains IPM
de Fuji et de Mitsubishi sont ap-
tes mesurer directement la
temprature de jonction des
transistors par lintermdiaire
dune diode implante sur la
puce. Philippe Corvisier
Les modules HiPak dABB asso-
cient un substrat en nitrure dalu-
minium et une semelle AlSiC pour
une fiabilit accrue lors
des cyclages thermiques. Ils
couvrent la plage 1200 6500V,
pour des tenues en courant
schelonnant entre quelques
centaines et quelques milliers
dampres.
Suite p.74
74 Dcembre 2006 n175 - Electronique
DOSSIER
Loffre des socits en matire de modules IGBT
Les modules IGBT
Fabricant Description de loffre
ABB
Parmi bien dautres composants de puissance (thyristors, diodes, GTO, IGCT), ABB commercialise des IGBT (les StakPak) en botiers presss (press-pack), ainsi que des modules
embarquant ses propres puces. Ces dernires sont ralises en technologie SPT ou SPT
+
. Les secondes, dites de nouvelle gnration, prsentent des pertes rduites en conduction,
ou une densit de courant plus importante. Notons par ailleurs que lon retrouve lesdites puces dans certains produits manant de la concurrence (Semikron).
Deux grandes familles de modules IGBT constituent le catalogue dABB. Dun ct, les LoPak en botiers compacts bas profil (LoPak4 ou LoPak5) utilisent un substrat DCB, et sont
proposs dans la seule configuration de pont triphas (soit avec 6 IGBT, leurs diodes et une thermistance). Et ce pour des tenues en courant de 300 A 1 200 V et de 225A 1 700 V.
La mise en parallle des produits permettant daller au-del.
De lautre, les modules HiPak sadressent aux applications de forte puissance, avec une aire de scurit tendue. Le botier est standard avec des empreintes de 130 x 140 mm
(HiPak1) ou 190 x 140 mm (HiPak2). La semelle est ici en AlSiC et lisolant en nitrure daluminium, pour une fiabilit accrue lors des cyclages thermiques. Pour les contraintes dIEM,
des caractristiques de commutation progressive sont galement lordre du jour. Les topologies sont diverses : mono-interrupteur, double IGBT, chopper. Les versions affubles du
suffixe HV (High voltage) supportent une tension disolation de 10,2 kV rms, au lieu de 6 kV rms. Lensemble couvre la plage 1 200 V (800 3 600 A par IGBT) 6 500 V (400 ou
600 A), avec tous les paliers usuels intermdiaires (1 700 V, 3 300 V, 4500 V).
Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor a dvelopp sa propre technologie IGBT, et fabrique ses wafers dans son usine de Lincoln (Royaume-Uni), lui garantissant ainsi une totale matrise du process,
de la puce au module test. La socit dispose dun catalogue de modules couvrant la plage 600 6 500 V, avec des tenues en courant de 100 3 600 A. Les fonctions de base sont
reprsentes : interrupteur simple ou double, chopper, demi-pont.
En 600 V, les modules de la srie S font usage de puces planar classiques, et les botiers semelle en cuivre ont une empreinte de 107 x 62 mm. En 1 200 et 1 700 V, des puces NPT
(srie A) ou trench avec field stop (srie E) sont intgres dans des modules semelle cuivre ou AlSiC, dont les dimensions sont de 107 x 62, 140 x 130 ou 190 x 140 mm.
Pour ce qui est des tensions suprieures, les botiers semelle AlSiC exclusivement embarquent des puces NPT (en 3 300 V) ou SPT (en 3 300, 4500 et 6 500 V).
Dynex ralise galement des modules la demande, allant dune simple variante dune rfrence existante au produit full custom, pour la traction ferroviaire, les vhicules
lectriques, les gnrateurs pour oliennes, etc.
Fairchild Semiconductor
Le catalogue de Fairchild comporte une trentaine de modules IGBT 600 V, essentiellement destins la commande moteur, aux alimentations ininterruptibles et aux onduleurs dusage
gnral pour lesquels une bonne rsistance aux courts-circuits est exige. Le V
CE(sat)
est ici typiquement de 2,1 ou 2,2 V.
Les produits en botier 25PM-AA (82,2 x 37,9mm) broches affichent des valeurs de courant collecteur modestes, puisquelles schelonnent entre 10 et 20 A 100C. Ils incluent un
pont redresseur diodes, un pont IGBT triphas, une thermistance et ventuellement un hacheur de freinage.
Les hacheurs et bras de pont en botiers mouls 7PM-GA (93 x 35mm), 7PM-HA (94 x 48mm) et 7PM-IA (108 x 62 mm) couvrent globalement la plage 50 400 A. Deux modules
tension de saturation rduite (1,4V) sont prdestins aux applications de soudage.
Quant aux modules intelligents SPM(Smart power module) en botiers compacts, ils intgrent un tage IGBT, le driver et les protections. Ils sont typiquement destins la com-
mande des moteurs de petite puissance en usage dans les applications domestiques (les machines laver et les conditionneurs dair par exemple).
Fuji Electric
Fuji propose diffrentes sries de modules IGBT dans les gammes 600, 1 200 et 1 700 V. Et ce, du simple IGBT avec sa diode en antiparallle, au module de puissance intgr (PIM,
Power integrated module). Les puces sont de type planar PT en 600 V, NPT en 600 V ou 1 200 V, en tranche avec field stop en 1 200 V et 1 700 V. Selon la configuration, chaque IGBT
supporte un courant maximal entre 10 et 600 A en 600 V, entre 10 et 800 A en 1 200 V, entre 100 et 450 A en 1 700 V.
Les modules haute puissance trench-FS existent pour leur part dans les configurations un, deux ou six IGBT. A cet gard, les dveloppements en cours permettront daller jusqu
3 600 A, tant en 1 200 quen 1 700 V, pour des interrupteurs simples.
Le japonais est galement un grand spcialiste des modules de puissance intelligents, avec pas moins dune soixantaine de rfrences, de 15 300 A en 600 V, et de 15 150 A
en 1 200 V. Ces IPMintgrent les six IGBT du pont avec leur driver, et ventuellement un hacheur de freinage additionnel. Une protection est fournie en mesurant directement la
temprature de jonction des IGBT.
Hitachi
Au catalogue dHitachi figurent les modules de la srie GR, dits de quatrime gnration. Par rapport aux produits de la famille GS antrieure, ceux-ci bnficient de performances
amliores, notamment des pertes en commutation moindres. Dans une configuration donduleur ou de convertisseur AC-DC classique, le gain est en effet estim aux alentours de
20 %. Ces modules sont disponibles dans les gammes standard 600 et 1 200 V, pour des courants et de 200 400 A, et de 100 1 200 A respectivement. Chaque botier intgre un
ou deux IGBT avec leurs diodes de roue libre. Ces dernires, dites USFD (Ultra soft and fast recovery diode), sont caractrises par un faible bruit du fait de leur recouvrement trs
doux.
La socit propose galement une vingtaine de modules haute tension et forte puissance jusqu 2 400 A. Et ce, dans les configurations de simple interrupteur de 1 700 4500 V,
ou dIGBT double et de chopper en versions 1 700 et 3 300 V.
Infineon Technologies
Le fabricant bien connu de puces IGBT commercialise sous la marque Eupec une multitude de modules sur la plage 600 6 500 V. Ceux-ci couvrent un large spectre, englobant les
applications de petite, de moyenne et de forte puissance.
En 600 et 1 200 V, pour des calibres en courant de 6 200 A et de 10 150 A respectivement, la socit propose ainsi des modules compacts EasyPIMet EasyPACK sans semelle,
faible cot, de surcrot adapts aux lignes de production hautement automatises. Il est ici fait appel la troisime gnration de puces IGBT en tranche avec field stop dInfineon
(IGBT
3
). Tout comme pour les membres des sries EconoPIMet EconoPACK, dont lembase est en cuivre, et qui supportent des tensions de 600 V (10 A 200 A), 1 200 V (10 A 200 A)
ou 1 700 V (50 100 A). Les applications vises : variateurs de vitesse, alimentations UPS, soudage, chauffage par induction,etc.
Les EconoPACK+ et EconoDUAL, disponibles en 1 200 et 1 700 V, permettent quant eux de raliser des onduleurs de grande compacit, pour des puissances comprises entre 20
et 200 kVA. Ils bnficient dune construction symtrique afin doptimiser la rpartition du courant dans les branches.
Par ailleurs, toujours entre 600 et 1 700 V, la socit offre galement une ligne de modules IGBT standard en botier de 34 ou 62 mm de largeur dans les configurations de
mono-interrupteur, de demi-pont et de chopper de 25 800 A. Selon le modle, les puces IGBT font appel une technologie planar ou en tranche.
Les modules IHV haute tension 3 300 V (de 200 1 200 A) et 6 500 V (de 200 600 A), avec semelle AlSiC, sadressent pour leur part aux applications de variation de vitesse
industrielle et de traction lectrique.
Les modles IHM sont galement caractriss par une forte densit de puissance. Tant en 1 200 quen 1 700 V, ils supportent des courants trs levs, stageant entre 400 et 3 600 A.
Enfin, les PrimePACK tirent profit dune conception innovante, visant abaisser la rsistance thermique et les inductances parasites, et de la toute dernire technologie de puce en
tranche IGBT
4
. Ils sont disponibles en 1 200 et 1 700 V, jusqu 2 400 et 1800 A respectivement.
International Rectifier
Outre ses IGBT sous forme discrte, la socit met disposition de nombreux composants de type Co-Packs, soit lassociation dun IGBT et de sa diode en antiparallle, et plus dune
vingtaine de modules IGBT 600 et 1 200 V. Les topologies courantes sont reprsentes : interrupteur simple, demi-pont, pont triphas, chopper. Les produits les plus rapides sont dots
de puces NPT Warp et de diodes Hexfred recouvrement inverse ultra-doux, autorisant une frquence de commutation jusqu 100 kHz.
Quant aux modules intelligents 600 V, ils sont lune des composantes de la plate-forme iMotion de lamricain, visant simplifier et acclrer la conception dun systme de
commande moteur.
En marge, et dans la continuit dOmnirel, socit quil a rachete en 1999, International Rectifier propose galement un couple de modules destins aux applications exigeantes en
matire de fiabilit. Ce qui est notamment le cas dans laronautique. Ces produits sont prsents dans des botiers plastique propritaires protgs de lhumidit et rpondent aux
spcifications relatives aux tests effectus dans les environnements difficiles.
Dcembre 2006 n175 - Electronique 75
DOSSIER
Loffre des socits en matire de modules IGBT
Fabricant Description de loffre
Ixys
Ce spcialiste amricain du composant de puissance (et notamment des IGBT press-pack, suite au rachat de Westcode opr en 2002) dispose dune large palette de modules. Et
ce essentiellement dans les gammes 600 et 1 200 V (avec nanmoins quelques produits 1 700 V) pour les topologies complexes, et jusqu 6 500 V pour les interrupteurs de forte
puissance.
Ainsi, les modules rfrencs MUBW sont proposs en configuration CBI (converter, brake, inverter), jusqu 80 ou 85A ( 80C) par IGBT, en trois types de botiers. Dans cette
catgorie, les derniers modles 1 200 V des sries E et T font usage de puces NPT
3
de troisime gnration ou en tranche, respectivement. Les premires sont caractrises
par des pertes en conduction et en commutation diminues de quelque 10 % vis--vis des NPT prcdentes. Les secondes affichent une tension de saturation rduite, et sont bien
adaptes aux applications de commande de moteur.
Les modules en configuration six-pack avec ou sans thermistance, rfrencs MWI, existent pour leur part sous quatre formats de botiers pour des courants collecteurs atteignant
155A (600 V), 440 A (1 200 V) et 405A (1 700 V) 80C. Les mmes varits de puces sont employes.
Le catalogue de la socit comprend en outres toutes les autres les topologies conventionnelles : interrupteurs de forte puissance (1 700 V/2 400 A, 6 500 V/600 A) avec semelle
AlSiC et substrat AlN, bras de pont, ponts en H, choppers (buck et boost).
Enfin, pour adresser le segment de march de la petite puissance, la socit a rcemment introduit une famille de modules IGBT 600 et 1200 V (de 10 30 A) en petits botiers
MiniPack 2. Ceux-ci embarquent les puces NPT et trench de dernire gnration. La srie recouvre pour lheure la configuration six-pack, avec un pont redresseur diodes monophas
ou triphas, une thermistance et ventuellement un hacheur de freinage.
Microsemi
Microsemi a hrit du vaste catalogue dIGBT discrets (NPT, PT, trench) et de modules dAPT (Advanced Power Technology). Ces derniers couvrent les gammes 600, 1 200 et 1 700 V.
Toutes les topologies sont reprsentes : du simple commutateur au module intgrant le pont redresseur diodes, le hacheur additionnel, le pont triphas et la thermistance.
Les puces sont en technologie NPT ou trench en 600 et 1 200 V, trench uniquement en 1 700 V. La plage des intensits de collecteur va dune dizaine quelques centaines dampres.
La socit propose galement des facilits pour dvelopper des modules de puissance pour applications spcifiques (ASPM, Application specific power module), en fonction du cahier
des charges du client. Ces modules peuvent aussi bien tre de type full custom que semi custom, rsultant dans cette dernire hypothse dun produit standard modifi (choix
du substrat, des semiconducteurs, du matriau employ pour la semelle).
En sus des applications traditionnelles, par un choix appropri des matriaux, Microsemi supporte celles exigeant un niveau de fiabilit maximal dans une gamme de temprature
tendue (- 60 + 200C).
Mitsubishi
Mitsubishi (qui a, rappelons-le, absorb lactivit modules IGBT de Toshiba en 2004) est lun des leaders mondiaux en matire de modules intelligents IPMet AS-IPM(IPMpour
applications spcifiques) 600 et 1 200 V. Ceux-ci embarquent toute une lectronique priphrique (driver, protections) dans un botier, de type Dip ou mini-Dip notamment. En
particulier, la socit a rcemment introduit des IPM tirant profit de sa dernire technologie RC-IGBT (Reverse conducting IGBT). Pour une fiabilit et une densit de puissance
accrues, lIGBT et sa diode de roue libre, intgre dans la structure verticale du transistor, prsentent la particularit de partager la mme puce.
La ligne de produits traditionnels couvre un large spectre dapplications par le biais de diffrentes sries. Ainsi, les modules des sries NF et A tirent profit des dernires avances
du japonais en matire de puces IGBT en tranche de cinquime gnration. Ici, sont combines les technologies CSTBT (Carrier stored trench gate bipolar transistor) et LPT (Light
punch through). Les caractristiques principales : un faible V
CE(sat)
, une haute rsistance aux courts-circuits et une capacit de grille rduite. La srie NF couvre les topologies
double IGBT (jusqu 600 A en 600 V, 1400 A en 1 200 V, 1 200 A en 1 700 V), et six-pack avec ou sans hacheur. La srie A ne concerne que des modules avec un ou deux IGBT dans
les gammes 1 200 et 1 700 V.
Pour leur part, les simples et doubles IGBT des familles NFM(1 200 V) et NFH (600 et 1 200 V) combinent la technologie CSTBT et un contrle de la dure de vie des porteurs.
Prsentant des pertes rduites en commutation, ils sont optimiss pour des frquences de commutation jusqu 30 et 50 kHz respectivement.
Enfin les nombreux modles de la srie F font usage de puces IGBT en tranche de gnration prcdente, et couvrent une large gamme de tensions (de 250 1 200 V) et de
configurations.
Powersem
Fonde en 1985, la socit allemande se consacre exclusivement la conception, au dveloppement et la production automatise de modules de puissance multipuces (IGBT,
Mosfet, thyristors, diodes). Son catalogue inclut une cinquantaine de modules IGBT, dont les botiers Eco-Pac 1 ou Eco-Pac 2 sont caractriss par des dimensions et un poids
rduits. Les broches sont directement soudes sur la carte. Loffre de Powersemcomprend une srie de modles puces IGBT en tranche, dans les configurations simple ou triple
interrupteur et demi-pont. Dans les gammes 600, 800 et 1 200 V, les tenues en courant schelonnent entre 25 75A 75C. Le V
CE(sat)
est ici typiquement de 1,9 V et la tension
disolation de 3 000 V rms.
Les agencements bras de pont, pont en H, chopper (boost ou buck) et pont triphas sont par ailleurs proposs en 600 et 1 200 V, pour des courants collecteurs dune centaine damp-
res max. par IGBT.
Plus rcemment, la socit a introduit des modules en botier Eco-Top 1 au format six-pack avec capteur de temprature en 600 et 1 200 V, auxquels sajoutent un pont redresseur et
un tage chopper en 1 600 V.
Semikron
Employant quelque 2 500 personnes dans le monde, Semikron est organise en un rseau de 45 socits, afin de garantir un service rapide et de haut niveau lensemble de ses
clients. En particulier, Semikron conoit, fabrique et commercialise une vaste gamme de modules IGBT en 600 V, 1 200 V et 1 700 V, de 10 2 400 A. De nombreuses topologies sont
couvertes, depuis les classiques mono-interrupteurs ou bras de pont, jusquaux configurations plus labores, ddies des applications particulires, incluant les CIB et les IPM
avec commande intgre.
Pour rpondre de faon optimale aux besoins particuliers de chaque application, un grand choix de puces IGBT est propos: NPT, SPT, SPT
+
, Trench3 et 4, ultrafast.
Chaque technologie de puces est intgre dans une large gamme de botiers, afin de sadapter au mieux au choix du client, que ce soit dans la conception de son produit que dans
le procd de mise en uvre: contact direct sur circuit imprim (SEMITOP, MiniSKiiP), ou raccordement par bornes (modules standard SEMITRANS, SEMiX, SKiMet SKiiP).
Enfin, la socit privilgie la technologie des contacts presss, tant au niveau de linterface thermique par un pressage direct de lhybride de puissance sur le dissipateur, quau
niveau des contacts lectriques de puissance (interne et externe) et/ou de petits signaux (technologies SKiiP, MiniSKiiP et contacts ressorts). De nombreux essais, et une exprience
de plus de quinze ans dans les systmes oprant dans des conditions environnementales svres, ont montr que la technologie des contacts presss amliore considrablement
les rsistances thermiques et la fiabilit, notamment la tenue aux cycles thermiques et aux chocs et vibrations. En outre la simplicit de la mise en uvre de ces modules (simple
pression sur le dissipateur et le circuit de commande, limination des joints de brasure) contribue largement la rduction des cots dintgration.
Lexpertise acquise par sept centres baptiss Solution centers , rpartis sur tous les continents est exploite au sein dun rseau commun pour dvelopper et fabriquer des
sous-ensembles rpondant des applications et exigences spcifiques.
Sensitron
La firme amricaine offre quelques modules IGBT tension de blocage de 600 V pour la commande de moteurs. Des produits qui intgrent un pont triphas, la circuiterie de
commande de grille, mais galement une isolation optique par photocoupleurs. Les tenues en courant schelonnent entre 60 et 250 A. Des configurations particulires ou
caractrises par des puissances maximales plus leves sont ralises la demande.
Tyco Electronics
Tyco dispose de nombreuses familles de modules IGBT, prsents dans une douzaine de botiers diffrents, quil est ici naturellement impossible de dcrire ici dans leur totalit.
Ainsi, les modules flowPIM(power integrated modules) 600 et 1 200 V visent les applications de commande de moteur. Ils associent un pont redresseur dentre diodes, les six
IGBT de sortie, une thermistance et ventuellement un hacheur de freinage. Cependant, selon les applications vises, dautres composants sont intgrs dans le botier. Cela peut
tre des rsistances shunt pour les applications de contrle moteur, une circuiterie transistor et diode pour la correction du facteur de puissance, un condensateur. Ces flowPIM
sont proposs dans la gamme de courant 5 75A. Ils conviennent pour des frquences de commutation nexcdant pas 30 kHz.
Pour le mme type dapplications, mais couvrant une plage nettement plus consquente (jusqu 600 A en 600 V et 450 A en 1 200 V), les flowPHASE et flowPACK existent en
configurations six-pack ou demi-pont. Il est ici fait usage de puces en tranche avec field stop pour de faibles pertes en saturation.
Les sries rapides, baptises fastPACK, fastPIMet fastPHASE, sont conues pour un fonctionnement frquence de commutation leve. Soit jusqu 200 kHz en 600 V et 50 kHz
en 1 200 V. Les inductances parasites sont minimises par conception. Les topologies en pont en H et bras de pont avec thermistance sont ventuellement compltes par un pont
redresseur diodes et des condensateurs. Le courant maximal support est ici de 100 A.