‫الجمهوريـة الجزائريـة الديمقراطيـة الشعبيـة‬

République Algérienne Démocratique et Populaire

‫وزارة التعليـم العالــيوالبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫المركز الجامعي أمين العقال الحاج‬
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique
-Tamanghasset ‫ تامنغست‬- ‫موسى أڨ أخموك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

Niveau 2ème année ELN ELT durée : 45 min L’enseignant : LASKAR Bekkar

Interrogation 2
Electronique fondamentale 1
Sujet 1
Nom : Prénom : Filière :

R1

R2 VS
DZ
E

On considère le montage de la figure ci-dessus. Il contient deux résistances R1 et

R2, une diode zener Dz et une alimentation variable E.

1. Déterminer la tension Vs en fonction de E

2. Trace la courbe Vs=f(E)
3. Calculer la puissance dissipée dans la diode lorsque E = 0.9 Emax .
DZ : Vz=9 v
E : varie entre 0 v et 30 v
R1=R2=1 kΩ.

Bon courage
 ‫الجمهوريـة الجزائريـة الديمقراطيـة الشعبيـة‬
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Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫المركز الجامعي أمين العقال الحاج‬
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique
-Tamanghasset ‫ تامنغست‬- ‫موسى أڨ أخموك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

Niveau 2ème année ELN ELT durée : 45 min L’enseignant : LASKAR Bekkar

Interrogation 2
Electronique fondamentale 1
Sujet 2
Nom : Prénom : Filière :

R1

R2 VS
DZ
E

On considère le montage de la figure ci-dessus. Il contient deux résistances R1 et

R2, une diode zener Dz et une alimentation variable E.

1. Déterminer la tension Vs en fonction de E

2. Trace la courbe Vs=f(E)
3. Calculer la puissance dissipée dans la diode lorsque E = 0.9 Emax .
DZ : Vz=6 v
E : varie entre 0 v et 20 v
R1=R2=2 kΩ.

Bon courage
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‫المركز الجامعي أمين العقال الحاج‬
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique
-Tamanghasset ‫ تامنغست‬- ‫موسى أڨ أخموك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

Niveau 2ème année ELN ELT durée : 45 min L’enseignant : LASKAR Bekkar

Interrogation 2
Electronique fondamentale 1
Sujet 3
Nom : Prénom : Filière :

R1

R2 VS
DZ
E

On considère le montage de la figure ci-dessus. Il contient deux résistances R1 et

R2, une diode zener Dz et une alimentation variable E.

1. Déterminer la tension Vs en fonction de E

2. Trace la courbe Vs=f(E)
3. Calculer la puissance dissipée dans la diode lorsque E = 0.9 Emax .
DZ : Vz=5 v
E : varie entre 0 v et 18 v
R1=R2=500 Ω.

Bon courage
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Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫المركز الجامعي أمين العقال الحاج‬
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique
-Tamanghasset ‫ تامنغست‬- ‫موسى أڨ أخموك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

Niveau 2ème année ELN ELT durée : 45 min L’enseignant : LASKAR Bekkar

Interrogation 2
Electronique fondamentale 1
Sujet 4
Nom : Prénom : Filière :

R1

R2 VS
DZ
E

On considère le montage de la figure ci-dessus. Il contient deux résistances R1 et

R2, une diode zener Dz et une alimentation variable E.

1. Déterminer la tension Vs en fonction de E

2. Trace la courbe Vs=f(E)
3. Calculer la puissance dissipée dans la diode lorsque E = 0.9 Emax .
DZ : Vz=3.33 v
E : varie entre 0 v et 12 v
R1=R2=200 Ω.

Bon courage
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Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
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et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique
-Tamanghasset ‫ تامنغست‬- ‫موسى أڨ أخموك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

Solution : sujet 1
1) (5 pts)
R1
𝑉𝐷𝑍 𝑉𝑠 VDZ DZ R2 VS
E
1). Dz bloquée : 𝑉𝐷𝑍 < 𝑉𝑧 (Fig 2)

𝑅 Fig 1
𝑉𝑠 𝐸 5𝐸
𝑅 𝑅
R1
𝑉𝐷𝑍 < 𝑉𝑧 > 𝑉𝑠 < 𝑉𝑧 > 𝐸< 𝑉𝑧
VDZ R2 VS
𝐸< 𝑉 E
Dz passante : 𝐸 > 𝑉 (Fig 3)
Fig 2
𝑉𝑠 𝑉𝑧 𝑉 I
R1 IZ IR2
VZ
R2 VS
E

2). (2 pts) Fig 3

Vs(V)
Vs(V)

E(V)
Vs=f(E)
3). (3 pts)
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Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫المركز الجامعي أمين العقال الحاج‬
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique
-Tamanghasset ‫ تامنغست‬- ‫موسى أڨ أخموك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

Solution : sujet 2
1) (5 pts)
R1
𝑉𝐷𝑍 𝑉𝑠 VDZ DZ R2 VS
E
1). Dz bloquée : 𝑉𝐷𝑍 < 𝑉𝑧 (Fig 2)

𝑅 Fig 1
𝑉𝑠 𝐸 5𝐸
𝑅 𝑅
R1
𝑉𝐷𝑍 < 𝑉𝑧 > 𝑉𝑠 < 𝑉𝑧 > 𝐸< 𝑉𝑧
VDZ R2 VS
𝐸< 𝑉 E
Dz passante : 𝐸 > 𝑉 (Fig 3)
Fig 2
𝑉𝑠 𝑉𝑧 𝑉 I
R1 IZ IR2
VZ
R2 VS
E

2). (2 pts) Fig 3

Vs(V)

E(V)
Vs=f(E)
3). (3 pts)
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Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫المركز الجامعي أمين العقال الحاج‬
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-Tamanghasset ‫ تامنغست‬- ‫موسى أڨ أخموك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

Solution : sujet 3
1) (5 pts)
R1
𝑉𝐷𝑍 𝑉𝑠 VDZ DZ R2 VS
E
1). Dz bloquée : 𝑉𝐷𝑍 < 𝑉𝑧 (Fig 2)

𝑅 Fig 1
𝑉𝑠 𝐸 5𝐸
𝑅 𝑅
R1
𝑉𝐷𝑍 < 𝑉𝑧 > 𝑉𝑠 < 𝑉𝑧 > 𝐸< 𝑉𝑧
VDZ R2 VS
𝐸< 𝑉 E
Dz passante : 𝐸 > 𝑉 (Fig 3)
Fig 2
𝑉𝑠 𝑉𝑧 5𝑉 I
R1 IZ IR2
VZ
R2 VS
E

2). (2 pts) Fig 3

Vs(V)

E(V)
Vs=f(E)
3). (3 pts)
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Ministère de L’Enseignement Supérieur
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Département de science de la matière

Solution : sujet 4
1) (5 pts)
R1
𝑉𝐷𝑍 𝑉𝑠 VDZ DZ R2 VS
E
1). Dz bloquée : 𝑉𝐷𝑍 < 𝑉𝑧 (Fig 2)

𝑅 Fig 1
𝑉𝑠 𝐸 5𝐸
𝑅 𝑅
R1
𝑉𝐷𝑍 < 𝑉𝑧 > 𝑉𝑠 < 𝑉𝑧 > 𝐸< 𝑉𝑧
VDZ R2 VS
𝐸< 𝑉 E
Dz passante : 𝐸 > 𝑉 (Fig 3)
Fig 2
𝑉𝑠 𝑉𝑧 𝑉 I
R1 IZ IR2
VZ
R2 VS
E

2). (2 pts) Fig 3

Vs(V)

E(V)
Vs=f(E)
3). (3 pts)