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‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬

République Algérienne Démocratique et Populaire


‫وزارة التعليـم العالــيوالبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫املركز اجلامعي أمني العقال احلاج‬
-Tamanghasset
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière


ème
Niveau 2 année ELN ELT durée : 45 min L’enseignant : LASKAR Bekkar

Interrogation 1
Electronique fondamentale 1
Sujet 1
Nom : Prénom : Filière :

R7 A1
A2

R10
I
R1 R2 R3 R6
R8
RL
R5

R4
I2 R9
E1 E2 E3 I1

B1 B2

On considère le montage de la figure ci-dessus. Le but est de calculer le courant I


qui travers la résistance RL
1. Déterminer le modèle équivalent de Thévenin de circuit placé à gauche de A1 et
B1
2. Déterminer le modèle équivalent de Norton de circuit placé à gauche de A2 et B2
3. Calculer le courant I.
R1=R2=R3= R4=4 kΩ, R5=R6=R7=1 kΩ, R8 =500 Ω, R9=R10=1 kΩ,
RL =500 Ω, E1= 18 V, E2= 12 V, E3= 6 V, I1= 3 mA, I2= 15 mA.

Bon courage
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليـم العالــيوالبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫املركز اجلامعي أمني العقال احلاج‬
-Tamanghasset
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière


ème
Niveau 2 année ELN ELT durée : 45 min L’enseignant : LASKAR Bekkar

Interrogation 1
Electronique fondamentale 1
Sujet 2
Nom : Prénom : Filière :

R7 A1
A2

R10
I
R1 R2 R3 R6
R8
RL
R5

R4
I2 R9
E1 E2 E3 I1

B1 B2

On considère le montage de la figure ci-dessus. Le but est de calculer le courant I


qui travers la résistance RL
1. Déterminer le modèle équivalent de Thévenin de circuit placé à gauche de A1 et
B1
2. Déterminer le modèle équivalent de Norton de circuit placé à gauche de A2 et B2
3. Calculer le courant I.
R1=R2=R3= R4=4 kΩ, R5=R6=R7=1 kΩ, R8 =500 Ω, R9=R10=1 kΩ,
RL =500 Ω, E1= 18 V, E2= 12 V, E3= 6 V, I1= 3 mA, I2= 15 mA.

Bon courage
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليـم العالــيوالبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
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EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
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ème
Niveau 2 année ELN ELT durée : 45 min L’enseignant : LASKAR Bekkar

Interrogation 1
Electronique fondamentale 1
Sujet 3
Nom : Prénom : Filière :

R7 A1
A2

R10
I
R1 R2 R3 R6
R8
RL
R5

R4
I2 R9
E1 E2 E3 I1

B1 B2

On considère le montage de la figure ci-dessus. Le but est de calculer le courant I


qui travers la résistance RL
1. Déterminer le modèle équivalent de Thévenin de circuit placé à gauche de A1 et
B1
2. Déterminer le modèle équivalent de Norton de circuit placé à gauche de A2 et B2
3. Calculer le courant I.
R1=R2=R3= R4=4 kΩ, R5=R6=R7=1 kΩ, R8 =500 Ω, R9=R10=1 kΩ,
RL =500 Ω, E1= 18 V, E2= 12 V, E3= 6 V, I1= 3 mA, I2= 15 mA.

Bon courage
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EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
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ème
Niveau 2 année ELN ELT durée : 45 min L’enseignant : LASKAR Bekkar
Interrogation 1
Electronique fondamentale 1
Sujet 4
Nom : Prénom : Filière :

R7 A1
A2

R10
I
R1 R2 R3 R6
R8
RL
R5

R4
I2 R9
E1 E2 E3 I1

B1 B2

On considère le montage de la figure ci-dessus. Le but est de calculer le courant I


qui travers la résistance RL
1. Déterminer le modèle équivalent de Thévenin de circuit placé à gauche de A1 et
B1
2. Déterminer le modèle équivalent de Norton de circuit placé à gauche de A2 et B2
3. Calculer le courant I.
R1=R2=R3= R4=4 kΩ, R5=R6=R7=1 kΩ, R8 =500 Ω, R9=R10=1 kΩ,
RL =500 Ω, E1= 18 V, E2= 12 V, E3= 6 V, I1= 3 mA, I2= 15 mA.

Bon courage
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Département de science de la matière

Solution : sujet 1
1)
R7 A1
1 1 1 1 −1 1 1 1 −1
𝑅𝑡ℎ = ( + + + ) +( + + )
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅5 𝑅6 𝑅7 R1 R3 R6
R2
𝑅𝑡ℎ = 1.33 kΩ R5
𝐸1 𝐸2 𝐸3 R4
+ − + 𝐼1
𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝐸𝑡ℎ = 1 1 1 1
+ + + R7 A1 B1
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4

𝐸𝑡ℎ = 9𝑉
R1 R2 R3 R6
Eth
R5
R4
2) E1 E2 E3 I1

B1
A1 A2 A1 A2
R10 I R10
I
Rth R8 Rth R8+ R9
RL RL
Eth Eth
I2 R9 R9I2

B1 B2
B1 B2

A1 A2
−1
1 1 R10
𝑅𝑁 = ( + ) + 𝑅10
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 + 𝑅9
Rth R8+ R9
𝑅𝑁 = 1.7 kΩ

B1 B2
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Département de science de la matière

𝑈 A1 A2
𝐼𝑁 =
𝑅10 R10
𝐸𝑡ℎ 𝑅9 𝐼2
+ Rth R8+ R9
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9
𝑈= 1 1 1 U IN
+ + Eth
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9 𝑅10
R9I2
𝑈 = 6.93 𝑉
𝐼𝑁 = 6.93 𝑚𝐴 B2
B1

3)

𝑅𝑁
𝐼= 𝐼𝑁 I
𝑅𝑁 + 𝑅𝐿
IN RN RL
𝐼 = 5.35 𝑚𝐴
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Département de science de la matière


Solution : sujet 2
1)
R7 A1
−1 −1
1 1 1 1 1 1 1
𝑅𝑡ℎ = ( + + + ) +( + + )
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅5 𝑅6 𝑅7 R1 R3 R6
R2
𝑅𝑡ℎ = 1.33 kΩ R5
𝐸1 𝐸2 𝐸3 R4
− + + 𝐼1
𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝐸𝑡ℎ = 1 1 1 1
+ + + R7 A1 B1
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4

𝐸𝑡ℎ = 6 𝑉
R1 R2 R3 R6
Eth
R5
R4
2)
E1 E2 E3 I1

B1
A1 A2 A1 A2
R10 I R10
I
Rth R8
Rth R8+ R9
RL RL
Eth Eth
I2 R9 R9I2

B1 B2
B1 B2

A1 A2
−1
1 1 R10
𝑅𝑁 = ( + ) + 𝑅10
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 + 𝑅9
Rth R8+ R9
𝑅𝑁 = 1.7 kΩ

B1 B2
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
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‫وزارة التعليـم العالــيوالبحث العلمـي‬
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Département de science de la matière

𝑈 A1 A2
𝐼𝑁 =
𝑅10 R10
𝐸𝑡ℎ 𝑅9 𝐼2
+ Rth
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9 R8+ R9
𝑈= 1 1 1 U IN
+ + Eth
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9 𝑅10
R9I2
𝑈 =6𝑉
𝐼𝑁 = 6 𝑚𝐴 B2
B1

3)

𝑅𝑁
𝐼= 𝐼𝑁 I
𝑅𝑁 + 𝑅𝐿
IN RN RL
𝐼 = 4.64 𝑚𝐴
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Département de science de la matière

Solution : sujet 3
1)
R7 A1
1 1 1 1 −1 1 1 1 −1
𝑅𝑡ℎ = ( + + + ) +( + + )
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅5 𝑅6 𝑅7 R1 R3 R6
R2
𝑅𝑡ℎ = 1.33 kΩ R5
𝐸1 𝐸2 𝐸3 R4
− + + + 𝐼1
𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝐸𝑡ℎ = 1 1 1 1
+ + + R7 A1 B1
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4

𝐸𝑡ℎ = 3 𝑉
R1 R2 R3 R6
Eth
R5
R4
2)
E1 E2 E3 I1

B1
A1 A2 A1 A2
R10 I R10
I
Rth R8 Rth R8+ R9
RL RL
Eth Eth
I2 R9 R9I2

B1 B2
B1 B2

A1 A2
−1
1 1 R10
𝑅𝑁 = ( + ) + 𝑅10
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 + 𝑅9
Rth R8+ R9
𝑅𝑁 = 1.7 kΩ

B1 B2
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليـم العالــيوالبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
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‫املركز اجلامعي أمني العقال احلاج‬
-Tamanghasset
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

𝑈 A1 A2
𝐼𝑁 =
𝑅10 R10
𝐸𝑡ℎ 𝑅9 𝐼2
+ Rth R8+ R9
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9
𝑈= 1 1 1 U IN
+ + Eth
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9 𝑅10
R9I2
𝑈 = 5.07 𝑉
𝐼𝑁 = 5.07 𝑚𝐴 B2
B1

3)

𝑅𝑁
𝐼= 𝐼𝑁 I
𝑅𝑁 + 𝑅𝐿
IN RN RL
𝐼 = 3.92 𝑚𝐴
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
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Département de science de la matière


Solution : sujet 4
1)
R7 A1
−1 −1
1 1 1 1 1 1 1
𝑅𝑡ℎ = ( + + + ) +( + + )
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅5 𝑅6 𝑅7 R1 R3 R6
R2
𝑅𝑡ℎ = 1.33 kΩ R5
𝐸1 𝐸2 𝐸3 R4
+ − + 𝐼1
𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝐸𝑡ℎ = 1 1 1 1
+ + + R7 A1 B1
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4

𝑡ℎ = 6𝑉
R1 R2 R3 R6
Eth
R5
R4
2) E1 E2 E3 I1

B1
A1 A2 A1 A2
R10 I R10
I
Rth R8
Rth R8+ R9
RL RL
Eth Eth
I2 R9 R9I2

B1 B2
B1 B2

A1 A2
−1
1 1 R10
𝑅𝑁 = ( + ) + 𝑅10
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 + 𝑅9
Rth R8+ R9
𝑅𝑁 = 1.7 kΩ

B1 B2
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Département de science de la matière

𝑈 A1 A2
𝐼𝑁 =
𝑅10 R10
𝐸𝑡ℎ 𝑅9 𝐼2
+ Rth
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9 R8+ R9
𝑈= 1 1 1 U IN
+ + Eth
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9 𝑅10
R9I2
𝑈 =6𝑉
𝐼𝑁 = 6 𝑚𝐴 B2
B1

3)

𝑅𝑁
𝐼= 𝐼𝑁 I
𝑅𝑁 + 𝑅𝐿
IN RN RL
𝐼 = 4.64 𝑚𝐴
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
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Département de science de la matière


ème
Niveau 2 année ELN ELT durée : 45 min L’enseignant : LASKAR Bekkar

Interrogation 1
Electronique fondamentale 1
Sujet 1
Nom : Prénom : Filière :

R7 A1
A2

R10
I
R1 R2 R3 R6
R8
RL
R5

R4
I2 R9
E1 E2 E3 I1

B1 B2

On considère le montage de la figure ci-dessus. Le but est de calculer le courant I


qui travers la résistance RL
1. Déterminer le modèle équivalent de Thévenin de circuit placé à gauche de A1 et
B1
2. Déterminer le modèle équivalent de Norton de circuit placé à gauche de A2 et B2
3. Calculer le courant I.
R1=R2=R3= R4=4 kΩ, R5=R6=R7=1 kΩ, R8 =500 Ω, R9=R10=1 kΩ,
RL =500 Ω, E1= 18 V, E2= 12 V, E3= 6 V, I1= 3 mA, I2= 15 mA.

Bon courage
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EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
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Département de science de la matière


ème
Niveau 2 année ELN ELT durée : 45 min L’enseignant : LASKAR Bekkar

Interrogation 1
Electronique fondamentale 1
Sujet 2
Nom : Prénom : Filière :

R7 A1
A2

R10
I
R1 R2 R3 R6
R8

RL
R5

R4
I2 R9
E1 E2 E3 I1

B1 B2

On considère le montage de la figure ci-dessus. Le but est de calculer le courant I


qui travers la résistance RL
1. Déterminer le modèle équivalent de Norton de circuit placé à gauche de A1 et B1
2. Déterminer le modèle équivalent de Thévenin de circuit placé à gauche de A2 et
B2
3. Calculer le courant I.
R1=R2=R3= R4=4 kΩ, R5=R6=R7=1 kΩ, R8 =500 Ω, R9=R10=1 kΩ,
RL =500 Ω, E1= 18 V, E2= 12 V, E3= 6 V, I1= 3 mA, I2= 15 mA.

Bon courage
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
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Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière


Interrogation 1
Electronique fondamentale 1
Sujet 3
Nom : Prénom : Filière :

R7 A1
A2

R10
I
R1 R2 R3 R6
R8
RL
R5

R4
I2 R9
E1 E2 E3 I1

B1 B2

On considère le montage de la figure ci-dessus. Le but est de calculer le courant I


qui travers la résistance RL
1. Déterminer le modèle équivalent de Thévenin de circuit placé à gauche de A1 et
B1
2. Déterminer le modèle équivalent de Norton de circuit placé à gauche de A2 et B2
3. Calculer le courant I.
R1=R2=R3= R4=4 kΩ, R5=R6=R7=1 kΩ, R8 =500 Ω, R9=R10=1 kΩ,
RL =500 Ω, E1= 18 V, E2= 12 V, E3= 6 V, I1= 3 mA, I2= 15 mA.

Bon courage
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليـم العالــي والبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫املركز اجلامعي أمني العقال احلاج‬
-Tamanghasset
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière


ème
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Nom : Prénom : Filière :


Interrogation 1
Electronique fondamentale 1
Sujet 4

R7 A1
A2

R10
I
R1 R2 R3 R6
R8

RL
R5

R4
I2 R9
E1 E2 E3 I1

B1 B2

On considère le montage de la figure ci-dessus. Le but est de calculer le courant I


qui travers la résistance RL
1. Déterminer le modèle équivalent de Norton de circuit placé à gauche de A1 et B1
2. Déterminer le modèle équivalent de Thévenin de circuit placé à gauche de A2 et
B2
3. Calculer le courant I.
R1=R2=R3= R4=4 kΩ, R5=R6=R7=1 kΩ, R8 =500 Ω, R9=R10=1 kΩ,
RL =500 Ω, E1= 18 V, E2= 12 V, E3= 6 V, I1= 3 mA, I2= 15 mA.

Bon courage
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليـم العالــي والبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫املركز اجلامعي أمني العقال احلاج‬
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EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière


Solution : sujet 1
1)
R7 A1
−1 −1
1 1 1 1 1 1 1
𝑅𝑡ℎ = ( + + + ) +( + + )
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅5 𝑅6 𝑅7 R1 R3 R6
R2
𝑅𝑡ℎ = 1.33 kΩ R5
𝐸1 𝐸2 𝐸3 R4
+ − + 𝐼1
𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝐸𝑡ℎ = 1 1 1 1
+ + + R7 A1 B1
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4

𝐸𝑡ℎ = 9𝑉
R1 R2 R3 R6
Eth
R5
R4
2) E1 E2 E3 I1

B1
A1 A2 A1 A2
R10 I R10
I
Rth R8
Rth R8+ R9
RL RL
Eth Eth
I2 R9 R9I2

B1 B2
B1 B2

A1 A2
−1
1 1 R10
𝑅𝑁 = ( + ) + 𝑅10
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 + 𝑅9
Rth R8+ R9
𝑅𝑁 = 1.7 kΩ

B1 B2
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليـم العالــي والبحث العلمـي‬
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Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

𝑈 A1 A2
𝐼𝑁 =
𝑅10 R10
𝐸𝑡ℎ 𝑅9 𝐼2
+ Rth
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9 R8+ R9
𝑈= 1 1 1 U IN
+ + Eth
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9 𝑅10
R9I2
𝑈 = 6.93 𝑉
𝐼𝑁 = 6.93 𝑚𝐴 B2
B1

3)

𝑅𝑁
𝐼= 𝐼𝑁 I
𝑅𝑁 + 𝑅𝐿
IN RN RL
𝐼 = 5.36 𝑚𝐴
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
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et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

Solution : sujet 2

1)
R7 A1
1 1 1 1 −1 1 1 1 −1
𝑅𝑁 = ( + + + ) +( + + )
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅5 𝑅6 𝑅7 R1 R3 R6
R2
𝑅𝑁 = 1.33 kΩ
R5
1 1 1 R4
𝐼𝑁 = ( + + )𝑈
𝑅5 𝑅6 𝑅7

𝐸1 𝐸2 𝐸3 R7 A1 B1
+ − + 𝐼1
𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝑈= 1 1 1 1 1 1 1
+ + + + + +
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅5 𝑅6 𝑅7 R1 R3
R2 R6
𝑈 = 2.25 𝑉
R5 IN
𝐼𝑁 = 6.75 𝑚𝐴
U
E1 E2 E3 I1 R
4
2)
B1
A1 A2 A1 A2
R10 I R10
I
R8 RN
R8+ R9
RN RL RL
IN RNIN
I2 R9 R9I2

B1 B2
B1 B2

A1 A2
−1
1 1 R10
𝑅𝑡ℎ = ( + ) + 𝑅10
𝑅𝑁 𝑅8 + 𝑅9
Rth R8+ R9
𝑅𝑡ℎ = 1.7 kΩ

B1 B2
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليـم العالــي والبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫املركز اجلامعي أمني العقال احلاج‬
-Tamanghasset
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

𝑅9 𝐼2 A1 A2
𝐼𝑁 +
𝑅8 +𝑅9 R10
𝐸𝑡ℎ = 1 1
+ RN
𝑅𝑁 𝑅8 +𝑅9 R8+ R9
Eth
𝐸𝑡ℎ = 11.82 𝑉 RNIN
R9I2

3)
B1 B2
𝐸𝑡ℎ
𝐼=
𝑅𝑡ℎ + 𝑅𝐿 A2

𝐼 = 5.36 𝑚𝐴
Rth
RL
I
Eth

B2
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليـم العالــي والبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫املركز اجلامعي أمني العقال احلاج‬
-Tamanghasset
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière


Solution : sujet 3
1)
R7 A1
−1 −1
1 1 1 1 1 1 1
𝑅𝑡ℎ = ( + + + ) +( + + )
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅5 𝑅6 𝑅7 R1 R3 R6
R2
𝑅𝑡ℎ = 1.33 kΩ R5
𝐸1 𝐸2 𝐸3 R4
− + + 𝐼1
𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝐸𝑡ℎ = 1 1 1 1
+ + + R7 A1 B1
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4

𝐸𝑡ℎ = 6𝑉
R1 R2 R3 R6
Eth
R5
R4
2) E1 E2 E3 I1

B1
A1 A2 A1 A2
R10 I R10
I
Rth R8
Rth R8+ R9
RL RL
Eth Eth
I2 R9 R9I2

B1 B2
B1 B2

A1 A2
−1
1 1 R10
𝑅𝑁 = ( + ) + 𝑅10
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 + 𝑅9
Rth R8+ R9
𝑅𝑁 = 1.7 kΩ

B1 B2
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليـم العالــي والبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫املركز اجلامعي أمني العقال احلاج‬
-Tamanghasset
et de la Recherche
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Département de science de la matière

𝑈 A1 A2
𝐼𝑁 =
𝑅10 R10
𝐸𝑡ℎ 𝑅9 𝐼2
+ Rth
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9 R8+ R9
𝑈= 1 1 1 U IN
+ + Eth
𝑅𝑡ℎ 𝑅8 +𝑅9 𝑅10
R9I2
𝑈 =6𝑉
𝐼𝑁 = 6 𝑚𝐴 B2
B1

3)

𝑅𝑁
𝐼= 𝐼𝑁 I
𝑅𝑁 + 𝑅𝐿
IN RN RL
𝐼 = 4.64 𝑚𝐴
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
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Département de science de la matière


Solution : sujet 4

1)
R7 A1
−1 −1
1 1 1 1 1 1 1
𝑅𝑁 = ( + + + ) +( + + )
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅5 𝑅6 𝑅7 R1 R3 R6
R2
𝑅𝑁 = 1.33 kΩ
R5
1 1 1 R4
𝐼𝑁 = ( + + )𝑈
𝑅5 𝑅6 𝑅7

𝐸1 𝐸2 𝐸3 R7 A1 B1
− + + 𝐼1
𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝑈= 1 1 1 1 1 1 1
+ + + + + +
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅5 𝑅6 𝑅7 R1 R3
R2 R6
𝑈 = 1.5 𝑉
R5 IN
𝐼𝑁 = 4.5 𝑚𝐴
U
E1 E2 E3 I1 R
4
2)
B1
A1 A2 A1 A2
R10 I R10
I
R8 RN
R8+ R9
RN RL RL
IN RNIN
I2 R9 R9I2

B1 B2
B1 B2

A1 A2
−1
1 1 R10
𝑅𝑡ℎ = ( + ) + 𝑅10
𝑅𝑁 𝑅8 + 𝑅9
Rth R8+ R9
𝑅𝑡ℎ = 1.7 kΩ

B1 B2
‫اجلمهوريـة اجلزائريـة الدميقراطيـة الشعبيـة‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليـم العالــي والبحث العلمـي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur
Centre Universitaire Amine Elokkal Elhadj Moussa
‫املركز اجلامعي أمني العقال احلاج‬
-Tamanghasset
et de la Recherche
EgAkhamouk Scientifique ‫ اتمنغست‬- ‫موسى أڨ أمخوك‬
Institut des sciences et de la technologie ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬

Département de science de la matière

𝑅9 𝐼2 A1 A2
𝐼𝑁 +
𝑅8 +𝑅9 R10
𝐸𝑡ℎ = 1 1
+ RN
𝑅𝑁 𝑅8 +𝑅9 R8+ R9
Eth
𝐸𝑡ℎ = 10.24 𝑉 RNIN
R9I2

3)
B1 B2
𝐸𝑡ℎ
𝐼=
𝑅𝑡ℎ + 𝑅𝐿
A2
𝐼 = 4.64 𝑚𝐴
Rth
RL
I
Eth

B2

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