Exercices Corrigés Sur Les Photoconducteurs (Série 4)

‫جامعة عبد المالك السعدي‬
UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI ‫كلية العلوم‬

FACULTE DES SCIENCES ‫تطوان‬
TETOUAN Année : 2020/2021
Master TC/S3 Prof. MOHAMED
TD d’optoélectronique, série 4 AGHOUTANE
Exercices corrigés sur les photoconducteurs

Exercice 1 :
Considérons un photoconducteur de longueur L (distance entre les contacts) de
largeur D et d’épaisseur t=5𝝁m. Le matériau semiconducteur est supposé au
silicium intrinsèque (𝑛𝑖 = 1010 𝑐𝑚−3 ). La durée de vie est supposée identique
pour les électrons et les trous et égale à 𝝉=10−6 𝑠.
Le semiconducteur en question est soumis à une radiation monochromatique de
longueur d’onde 𝝀=0.83𝝁m et de densité de puissance 𝐼𝑜𝑝 = 0.1𝑊/𝑐𝑚2 . Le
coefficient d’absorption du silicium à cette longueur d’onde est 𝛼 = 103 𝑐𝑚−1 .
On suppose que le taux de génération en profondeur est constant et égal à sa valeur
moyenne.
1) Calculer l’énergie du photon incident et conclure sur le résultat.
2) Déterminer le flux, ∅0 , des photons incidents.
3) En déduire la valeur moyenne du taux de générations des paires électron-
trou.
𝑅𝑜𝑏𝑠𝑐
4) Calculer le rapport où 𝑅𝑜𝑏𝑠𝑐 𝑒𝑡 𝑅é𝑐𝑙 sont respectivement les
𝑅é𝑐𝑙
résistances du semiconducteur à l’obscurité et sous éclairement.
1010 𝑐𝑚
On donne : h=6.62𝑥10−34 𝐽. 𝑠; 𝑐 = 3. 𝑒𝑡 𝑞 = 1.6𝑥10−19 𝐶.
𝑠
Réponses :
1)
2)
3)
Exercice 2 :
Considérons un échantillon de silicium intrinsèque de longueur 𝑳=𝟏c𝒎, de
largeur 𝑾=𝟎.𝟐𝒄𝒎 et d’épaisseur 𝒅=𝟓𝟎𝝁𝒎. Un courant d'obscurité très faible
𝑰𝒐 circule entre ses bornes lorsqu'une tension de 𝟏𝟎𝟎 𝑽 est appliquée. Ensuite,
nous éclairons l'échantillon avec un rayonnement monochromatique de longueur
d'onde 𝝀=𝟖𝟑𝟎 𝒏𝒎 et densité de puissance de 𝟎. 𝟏 𝑾/ 𝒄𝒎𝟐. En raison de la
lumière incidente, le courant dans le photoconducteur augmente d'une quantité
∆𝑰. La durée de vie des électrons et des trous est de 𝝉=𝟏𝟎𝝁𝒔.On peut supposer
que l'échantillon est suffisamment épais pour absorber tous les photons incidents.
En outre, il est également assez long de négliger l'influence des contacts dans la
distribution des porteurs.
a) Calculez la valeur moyenne du taux de génération des porteurs dans le semi-
conducteur. À partir de maintenant, supposons que le taux de génération est
uniforme avec la profondeur et égal à la valeur moyenne calculée.
b) Calculez l'augmentation du courant ∆𝑰 dans le photoconducteur due à
l'éclairement. Comparez le avec courant 𝑰𝒐 qui circule à l'obscurité.
c) Compte tenu de la dérive des porteurs de charge due à la tension appliquée,
calculer le temps de transit des électrons (tn) et des trous (tp). Ce sont les temps
mis par les porteurs de charge respectifs pour parcourir la longueur 𝑳 du

photoconducteur.
d) Exprimer l'augmentation du courant ∆𝑰 en termes de temps de transit pour les
deux porteurs charges.
e) Trouvez une expression pour le rapport entre l'augmentation du nombre de
porteurs de charges et le nombre total de photons incidents sur l'échantillon par
unité de temps.
f) Le résultat trouvé en e) pourrait-il être supérieur à 1 ? Pourriez-vous donner une
interprétation physique de ce résultat ?
Réponses :
a)
On O
On a négligé 𝑒 −𝛼𝑑 𝑑𝑒𝑣𝑎𝑛𝑡 1.

b)
c)
d)
e)
f)
Le rapport calculé est en effet supérieur à 1. Cela signifie qu'un seul photon générant une paire
électron-trou peut entraîner la circulation de plusieurs porteurs de charge entre les contacts.
Notez que le gain est donné par le rapport entre la durée de vie et le temps de transit effectif.
Ce rapport peut être supérieur à un si nous avons une longue durée de vie avec des temps de
transit courts. En général, le porteur de charge pourrait circuler plus d'une fois avant de se
recombiner.

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mis par les porteurs de charge respectifs pour parcourir la longueur 𝑳 du

On a négligé 𝑒 −𝛼𝑑 𝑑𝑒𝑣𝑎𝑛𝑡 1.

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