Détecteurs Et Émetteurs Optoélectroniques À Semi-Conducteurs (Enregistrement Automatique)

UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI
FACULTE DES SCIENCES

TETOUAN
Détecteurs et émetteurs optoélectroniques à semi-conducteurs
 On répartit les détecteurs en deux catégories:

 Cellule photoconductrice ( basée sur un échantillon semiconducteur)
 Structures basées sur la jonction PN( photodiode, cellule
photovoltaïques et phototransistors).
 Les émetteurs optoélectroniques à jonction PN:
 Diode électroluminescente ou DEL ou LED en anglais(Light Emitting
Diode ).
 Diode Laser(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation).
Master TC Cours d'optoélectronique

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Interaction de la lumière avec le semiconducteur
Il y a deux type d’interaction:
 Absorption de la lumière par le semiconducteur si l’énergie du photon reçu, h𝛎, est supérieure ou égale à
son gap Eg ( h𝛎≥ 𝐸𝑔 ),h est la constante de Planck et 𝛎
𝐶
= 𝑐: 𝑣𝑖𝑡𝑒𝑠𝑠𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑙𝑢𝑚𝑖è𝑟𝑒, 𝝀 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑢𝑒𝑢𝑟 𝑑 ′ 𝑜𝑛𝑑𝑒 .
𝝀
ℎ𝑐 1.24
La longueur d’onde seuil est déduite à partir de h𝛎= 𝐸𝑔 = → 𝝀 𝝁𝑚 =
𝝀 𝐸𝑔 (𝑒𝑉)

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 Emission de la lumière
L’émission accompagne la transition inverse de

l’électron de E𝐶 vers EV qui peut être accompagnée
de l’émission d’un photon.

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Phénomène d’absorption de la lumière par le semi-

conducteur
 Si on éclaire un semi-conducteur par une lumière de fréquence υ , telle que l’énergie hυ du photon
est suffisante pour faire passer l’électron de la bande de valence à la bande de conduction, il y a
effet photoélectrique interne lié à la structure de bande interdite (figure).
 Si h𝝂<𝐸𝑔 , 𝑙𝑒 𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛 𝑛𝑒 𝑠𝑒𝑟𝑎 𝑝𝑎𝑠 𝑎𝑏𝑠𝑜𝑟𝑏é, 𝑙𝑒 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑒𝑠𝑡 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑝𝑎𝑟𝑒𝑛𝑡.

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Incidence, réflexion et réfraction de la lumière à l’interface air-semiconducteur

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Les relations entre les différents flux
• 𝜙𝑖= 𝜙𝑡 + 𝜙𝑟
• 𝜙𝑟= R 𝜙𝑖
• 𝜙𝑡 = (1 - 𝑅)𝜙𝑖
• R est le coefficient de réflexion air-semiconducteur.
(𝑛−1)2
• En incidence normale, 𝑅 =
(𝑛+1)2
• n:Indice de réfraction du semiconducteur( entre 3 et 5).
• L’indice de réfraction de l’air est égale à 1
4𝑛
• Le coefficient de transmission est : T=1-R=
(𝑛+1)2

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Coefficient d’absorption du matériau semiconducteur
 Au fur et à mesure que le flux transmis se déplace dans le semi-conducteur, il perd son
intensité à cause du phénomène d’absorption caractérisée par le coefficient d’absorption 𝛼(
𝑐𝑚-1).
݀∅𝑡 𝟏
 On définit le coefficient 𝛼 par : 𝛼(E, x)= - .
∅𝑡 𝒅𝒙
 ∅𝑡(𝑥) = ∅𝑖(1 - 𝑅)𝑒-𝛼𝑥.
 ∅𝑖(1 - 𝑅)= ∅𝑡(𝑥=0)
Les photons absorbés par le semiconducteur permettent la photo- génération des paires
électron-trou.
Exemple:
𝟐
Calculer
−𝟏
la distance
𝟒
à−𝟏
laquelle le semi-conducteur absorbe 90% du flux incident pour
𝜶 = 𝟏𝟎 𝒄𝒎 𝒆𝒕 𝜶 = 𝟏𝟎 𝒄𝒎 . Conclure.
Rép. : 0,0230cm et 2,30𝝁m,

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Coefficient d’absorption( suite)

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Effet de 𝜶 sur la profondeur de pénétrations des photons dans le semiconducteur

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Effet du rendement quantique interne
La perte de flux, qui se produit dans le 𝜼𝑖 est le rendement quantique interne de

matériau, par absorption, correspond à un l’effet photoélectrique. Dans le cas idéal, il
certain taux de génération g(x) de paires correspond à :
électron-trou. Si une partie des photons génère
des paires électron-trou, g(x) s’exprime par:

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Taux de génération des paires électron-trou
Chaque photon absorbé conduit à la création d’une paire électron-trou. Le nombre de paires
créées sur une distance dx par unité de seconde et de surface dydz est donnée par :
𝒅∅𝒕
𝒈 𝑬, 𝒙 = − = 𝜶(𝟏 − 𝑹)∅𝒊 𝒆𝒙𝒑−𝜶𝒙
𝒅𝒕

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Signification de chaque terme de l’équation de continuité

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L’équation de continuité pour les trous dans N

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Régime de faible injection et absence du champ électrique.
En régime de faible injection, concentration des majoritaires reste inchangée et celle des majoritaires change
considérablement, et en absence d’un champ électrique externe, les concentrations des porteurs minoritaires obéissent
aux équations ci-dessous :

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Eclairement constant ou régime permanent.

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Calcul de la concentration des porteurs photo-générés.
Pour calculer ∆𝒏 𝒐𝒖 ∆𝑷, on résout les équations différentielles ci-dessous qui

sont des équations différentielles de second degré en ∆𝒏 𝒆𝒕 ∆𝒑.
Considérons un semi-conducteur de type P. On s’intéressera alors au calcul de ∆𝑛(𝑥) .

Sans second membre, on a l’équation :

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Résolution de l’équation de continuité (suite)
L’équation différentielle s’écrit encore:

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Calcul des constantes A et B
 Pour déterminer A et B, considérons deux cas limites :

Echantillon épais : 𝐿 ≫ 𝐿𝑛 𝑒𝑡 𝐿 ≫ 1/𝛼 avec 1/ 𝛼 est la longueur de pénétration des photons dans le
semi-conducteur.
 Echantillon mince : L≪ 𝐿𝑛 𝑒𝑡 𝐿 ≪ 1/𝛼
𝑫𝒏 𝒅∆𝒏
 On désignera par S la vitesse de recombinaison; avec 𝑺 = en surface.
∆𝒏 𝒅𝒙

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Cas d’un échantillon épais

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Cas d’un échantillon mince

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Charges photo-crées dans tout le volume du semi-conducteur épais.

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Charges photo-crées dans tout le volume du semi-conducteur

mince.

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Partes par réflexion

Si on tient compte des pertes par réflexion, le
rendement sera:
𝜼𝑜𝑝 = (1 − 𝑅): Rendement optique.

𝜂𝑖 = (1 − 𝑒 −𝛼𝑑 ): Rendement interne.

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Cellule photoconductrice

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Cellule sous éclairement

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Distribution des photo-porteurs

 Considérons un semi-conducteur de type P
 Considérons l’hypothèse de faible injection: La concentration des majoritaires reste inchangée ( p=𝑝0 ) → ∆𝑝 = 0 →
𝑠𝑒𝑢𝑙𝑒 𝑛 𝑣𝑎𝑟𝑖𝑒 𝑑𝑒 ∆𝑛.

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Distribution des porteurs ( suite)
Pour déterminer A et B, considérons deux cas limites :

 Echantillon épais : 𝐿 ≫ 𝐿𝑛 𝑒𝑡 𝐿 ≫ 1/𝛼 avec 1/ 𝛼 est la longueur de pénétration des
photons dans le semi-conducteur.
 Echantillon mince : L≪ 𝐿𝑛 𝑒𝑡 𝐿 ≪ 1/𝛼

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Calcul de A et B pour un échantillon épais ou semi-infini

 Lorsque x tend vers l’infini, ∆𝑛 → 0 → 𝐵 = 0.
𝐷𝑛 𝑑∆𝑛
 On calcule A en imposant une condition en x=0,soit 𝑆0 = ( )pour x=0
∆𝑛(0) 𝑑𝑥

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Echantillon mince

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Rendement quantique externe, 𝜼,pour un échantillon mince

• Soit l’échantillon:
• La distribution des porteurs selon Z est:
• Le rendement quantique externe est:

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Photo-courant pour un échantillon mince

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Réponse du photoconducteur

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Variation de la conductance
Considérons
Considérons que
que la
la cellule
cellule est
est soumise
soumise simultanément
simultanément àà l’éclairement
l’éclairement àà une
une différence
différence de
de potentiel
potentiel comme
comme le
le
montre
montre la
la figure
figure ci-dessous
ci-dessous ::

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La variation ∆𝑔 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑢𝑛 é𝑐ℎ𝑎𝑛𝑡𝑖𝑙𝑙𝑜𝑛 é𝑝𝑎𝑖𝑠

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La variation ∆𝑔 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑢𝑛 é𝑐ℎ𝑎𝑛𝑡𝑖𝑙𝑙𝑜𝑛 𝑚𝑖𝑛𝑐𝑒

Pour S (0) = S (d),∆𝑛 𝑥 = ∅𝑎 𝛼𝜏, d’où :

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Gain de la cellule
Nombre de photons Nombre de charges
incidents/seconde débitées/seconde
• f0 Z l ∆I/q = ∆g.Vs/q

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Commentaire sur le gain

• Le gain de la cellule est directement donné par le
rapport de la durée de vie des photo-porteurs, à
leur temps de transit à travers la cellule.

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Rendement quantique de la cellule

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Réponse de la cellule photoconductrice

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Réponse ( suite)

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Photodiode et cellule photovoltaïque

• Ce sont des composants qui utilisent l’interaction entre
la lumière et une jonction PN polarisée ou non. Pour
une jonction PN à l’obscurité, le courant en inverse est
dû à un courant des minoritaires dans les régions
neutres d’un part et d’un courant de génération de
paires électron-trou dans la zone de charge d’espace,
ZCE. Une photodiode est une jonction PN polarisée en
inverse et soumise à un éclairement. Le flux de photons
a pour effet d’augmenter le courant inverse. Une cellule
photovoltaïque est une diode à jonction PN nom
polarisée et soumise à l’éclairement. Le phototransistor
est un transistor à base ouverte et soumise à
l’éclairement.
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Photodiode
Structure:

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Diagramme énergétique de la structure

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Fonctionnement
• Les photons incidents créent des porteurs dans chacune des
régions 1, 2 et 3. Le comportement de ces porteurs libres
diffère suivant le lieu de leur création. Dans les régions
électriquement neutres P et N, les photo-porteurs
minoritaires diffusent, ceux qui atteignent la zone de charge
d'espace sont propulsés par le champ électrique vers la
région où ils deviennent majoritaires. Ces photo-porteurs
contribuent donc au courant par leur diffusion, ils créent un
photocourant de diffusion. Dans la zone de charge d'espace,
les paires électrons-trous créées par les photons sont
dissociées par le champ électrique, l'électron est propulsé
vers la région de type N et le trou vers la région de type P.
Ces porteurs donnent naissance à un photocourant de
génération. Ces différentes contributions s'ajoutent pour
créer un photocourant résultant Iph qui contribue au courant
inverse de la diode.
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Caractéristique I-V de la photodiode

𝑞𝑉
• 𝐼 = 𝐼𝑆 exp ( − 1) − 𝐼𝑝ℎ
𝐾𝑇
• IS : Courant de saturation
• V : tension de polarisation, négative en inverse
• q : charge d’un électron
• KT : 26mV à 300°K
• La caractéristique de la photodiode est représentée sur la figure ci-dessous. Le
photocourant est pratiquement indépendant de la tension de polarisation.
Dans la pratique, on mesure soit le photocourant débité par la diode, soit le
photovoltage qui apparaît aux bornes de la diode.

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Caractéristique I-V (suite)

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Variation de VCO et Iph en fonction de l’intensité

lumineuse

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Fonctionnement sans et avec charge RL

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Calcul du photocourant

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Calcul du photo–courant de génération dans la ZCE

• En régime permanent et en négligeant la recombinaison dans la ZCE, l’équation
de continuité se réduit à:

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Calcul du courant diffusion des trous en x=xn

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Calcul du courant diffusion des trous en x=xn (suite)

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Calcul du courant de diffusion des électrons en x=xp
Les conditions aux limites, permettant de calculer les constantes A et B, sont ici définies
en x=xp et en x=0 à la surface de l'échantillon. En x=xp, Δn(x=xp) =0, car les électrons
qui atteignent ce point sont propulsés à travers la zone de charge d'espace.
En x=0, la densité de photoélectrons est conditionnée par la vitesse de recombinaison
en surface. On peut donc déterminer les constantes A et B. Le calcul ne présente aucune
difficulté mais les expressions de ces constantes sont assez lourdes, nous les appellerons
simplement An et Bn. On obtient alors le courant de diffusion d'électrons en x=xp en
dérivant l'expression de ∆𝑛, et en faisant x=xp, soit :

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Calcul du photocourant
On obtient le photocourant Jph en additionnant les expressions des trois composantes.
On simplifie considérablement l'expression de Jph en se plaçant dans le cas pratique où
la région frontale (région 1) de la photodiode, est d'épaisseur beaucoup plus faible qu1/α.
Cette condition doit être remplie en pratique si l'on veut que le nombre de photoporteurs
créés dans la zone de charge d'espace soit important. Dans ce cas, le courant de diffusion
d'électrons est négligeable et d'autre part on peut faire les approximations xp≅0 et xn≅w
dans les expressions des deux autres courants, qui s'écrivent alors :

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Remarques sur Jph

Le signe (-) montre tout simplement, compte tenu de l'orientation de
l'axe x sur la figure (7), que le photocourant à travers la jonction est
dirigé de la région de type N vers la région de type P, c'est-à-dire que
c'est un courant inverse. Pour obtenir un photocourant important on a
intérêt à réaliser la condition αw >>1, dans ce cas le photocourant est
maximum et simplement donné par :
Cette expression traduit tous simplement le fait que dans ces

conditions optimales le flux d'électrons débités par la photodiode,
Jph/q, est égal au flux ∅ de photons d'énergie supérieure au gap du
semi-conducteur, qui pénètrent dans le détecteur. Le rendement de la
photodiode est maximum.

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Diode PIN
Pour une photodiode rapide, les mécanismes de diffusion doivent être
éliminés en réduisant la photogénération des porteurs à l’extérieur de la
zone de déplétion en une photodiode PIN à hétérojonction.

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Photocourant dans une photodiode PIN

• On a supposé que le flux est incident ∅0 parvient sur la surface de la
zone P+ qu’on suppose tellement mince pour confondre Wp avec zéro. Le
flux incident apparait totalement à l’interface P+-zone i. La variation du
flux dans la zone intrinsèque est :
• Le photocourant généré dans la région intrinsèque est :
• Pour obtenir cette expression, on a supposé l’absence de la

recombinaison dans la zone i et que photon absorbé crée une paire
électron-trou.

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Réponse d’une photodiode
La réponse d’une photodiode est définie par :

𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑐𝑜𝑢𝑟𝑎𝑛𝑡
ℜ=
𝑝𝑢𝑖𝑠𝑠𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑖𝑛𝑐𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑒
Le photocourant est calculé précédemment, soit :
La puissance incidente est :
A est la section de la jonction.

La réponse de la photodiode est alors :

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Rendement quantique de la photodiode

• On définit le rendement quantique de la photodiode par :
𝝶=(flux de photo-porteurs)/(flux des photons incidents), soit :

16/02/2021 59
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Cas où la génération est uniforme dans la structure
Dans le cas plus général où les photons sont absorbés dans les
régions P et N neutres ainsi que dans la région de déplétion le
photocourant s’exprime par :

16/02/2021 60
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Cellule solaire ou photovoltaïque

• Une cellule solaire est un dispositif à jonction PN sans polarisation externe. La
cellule solaire convertit la puissance lumineuse en puissance électrique et délivre
cette puissance à une charge RL. Ce dispositif a longtemps été utilisé pour
l'alimentation des satellites et les véhicules spatiaux, ainsi que comme
alimentation électrique de certaines calculatrices. Nous allons d'abord considérer
la simple cellule solaire à jonction PN avec une génération uniforme de porteurs
excédentaires. La structure de la cellule solaire est représentée sur la figure ci-
dessous:

16/02/2021 61
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Caractéristique IV de la cellule
• La circulation du courant I développe aux bornes de la charge la tension V qui
auto-polarise la jonction PN en direct et donne naissance au courant direct 𝐼𝐹 =
𝑞𝑉
𝐼𝑆 (𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 − 1)
• 𝐼𝐿 = 𝐼𝑝ℎ : Photocourant.
• Le courant total I est alors :
𝑞𝑉
• I= 𝐼𝑝ℎ - 𝐼𝑆 (𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 − 1) ; 𝐼𝑆 : courant de saturation.
• En réalité le courant est pris dans l’autre sens, soit :
𝑞𝑉
• I= 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝 − 1 − 𝐼𝑝ℎ , cette expression correspond à la caractéristique I-V de
𝐾𝑇
la cellule photovoltaïque.
• Le diagramme énergétique de la structure sous éclairement est représenté sur
la figure qui va suivre,

16/02/2021 62
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TETOUAN
Diagramme énergétique
VCO est la tension en circuit ouvert.

16/02/2021 63
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Schéma électrique équivalent d’une cellule idéale

16/02/2021 64
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TETOUAN
Tracé de la caractéristique I-V

16/02/2021 65
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TETOUAN
Commentaires sur la caractéristique I-V

• Vmax et Imax sont les coordonnées du point où la puissance
électrique générée par la cellule est maximale. La puissance,
pour V>0, est négative, donc il s’agit d’une puissance fournie
donc non dissipée.
• En circuit-ouvert, c’est-à-dire la charge RL infinie et I=0, la
cellule fournit une tension VCO.
• En court-circuit, RL=0, la cellule génère un courant ICC. Au
point M, la cellule fournit le maximum de puissance.
• On représente généralement la caractéristique par la courbe
(b).Par un choix judicieux de la valeur de la charge, on peut
générer 80% du produit VCOxICC. L’aire hachurée représente
le rectangle de puissance maximale. La puissance maximale
récupérée est Pmax=Imax.Vmax.
16/02/2021 66
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Calcul de VCO
𝑞𝑉𝑐𝑜
• Pour I=0, on a : 0= 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 − 1 − 𝐼𝑝ℎ , d’où :
Pour un Iph donné, VCO augmente lorsque IS diminue.

16/02/2021 67
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TETOUAN
Puissance fournie par la cellule

On définit la puissance par : P=VxI, soit :
𝑑𝑃
La condition de puissance maximale est obtenue lorsque =0,soit :
𝑑𝑉
La puissance maximale de sortie est :

16/02/2021 68
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TETOUAN
Rendement de conversion et facteur de forme
On définit le rendement de conversion par :

𝑉𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑚𝑎𝑥
𝝶= ; 𝑃𝑖𝑛𝑐 est la puissance lumineuse incidente.
𝑃 𝑖𝑛𝑐
Ou encore :
FF est appelé facteur de forme proche de un dans le cas idéal.

16/02/2021 69
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TETOUAN
Effets de la résistance série

De nombreux facteurs dégradent l'efficacité idéale de la cellule. L'un des principaux
facteurs est la résistance en série Rs due aux contacts et aux résistances des zones
neutres. Le circuit équivalent est illustré sur la figure 16.
La caractéristique I-V s’écarte de celle idéale et prend la forme de la figure 17.
Cette caractéristique est décrite par l’équation :

𝑞𝑉 𝐷
I=𝐼𝐷 − 𝐼𝑝 ℎ = 𝐼𝑆 (𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 − 1) - 𝐼𝑝 ℎ avec 𝑉𝐷 = 𝑉 − 𝑅𝑆 𝐼, d’où :
𝑞 𝑉 −𝑅 𝑆 𝐼
I= 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 − 1 − 𝐼𝑝 ℎ

16/02/2021 70
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TETOUAN
Effets de la résistance shunt

16/02/2021 71
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TETOUAN
Influence de la température et de l’éclairement

16/02/2021 72
Prof.M.AGHOUTANE
TETOUAN
Puissance en fonction de V
• La puissance délivrée par la cellule a pour
expression P = V.I. Pour chaque point de la courbe
caractéristique, on peut calculer la puissance P et
tracer la courbe P = f(V). Cette courbe a l’allure
suivante :

16/02/2021 73
Prof.M.AGHOUTANE
TETOUAN
Groupement série et parallèle des cellules
Pour éviter que les cellules ne débitent les

unes sur les autres, on ajoute des diode
anti-retour.

16/02/2021 74
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TETOUAN
Installation photovoltaïque en site isolé

• En site isolé le champ photovoltaïque peut fournir l’énergie électrique nécessaire
pour faire fonctionner les récepteurs (éclairage et équipement domestique). Un
système de régulation et une batterie d’accumulateurs permettent de stocker
l’énergie électrique en l’absence de soleil. Un exemple d’installation est
représenté par la figure ci-dessous:
Les batteries sont utilisées pour stocker
l’énergie électrique sous une forme chimique.
Elles restituent l’énergie électrique selon les
besoins de l’utilisateur.
Le régulateur de charge a pour fonction
principale de protéger la batterie contre les
surcharges et les décharges profondes. Il est un
élément essentiel pour la durée de vie de la
batterie.
L’onduleur permet d’alimenter les récepteurs
fonctionnant en alternatif.
16/02/2021 75
Prof.M.AGHOUTANE
TETOUAN
Site connecté au réseau

• Pour ce type de site, le champ photovoltaïque est connecté au réseau
par l’intermédiaire d’un onduleur. Le particulier peut revendre tout ou
partie de l’électricité qu’il produit. Dans ce cas, il n’est pas nécessaire
d’installer de batteries de stockage de l’énergie produite. Un exemple
d’installation est représenté sur la figure:

16/02/2021 76
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TETOUAN
Filière silicium

16/02/2021 77
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TETOUAN
Filière silicium (suite)

16/02/2021 78
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TETOUAN
Filière silicium (suite)

16/02/2021 79
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TETOUAN
Filière couches minces ( suite)

 Technologie à couches minces

16/02/2021 80
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TETOUAN
Phototransistor

16/02/2021 81
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UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI

FACULTE DES SCIENCES

Détecteurs et émetteurs optoélectroniques à semi-conducteurs

 On répartit les détecteurs en deux catégories:

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L’émission accompagne la transition inverse de

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Phénomène d’absorption de la lumière par le semi-

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 ∅𝑡(𝑥) = ∅𝑖(1 - 𝑅)𝑒-𝛼𝑥.

 ∅𝑖(1 - 𝑅)= ∅𝑡(𝑥=0)

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La perte de flux, qui se produit dans le 𝜼𝑖 est le rendement quantique interne de

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Signification de chaque terme de l’équation de continuité

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L’équation de continuité pour les trous dans N

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Régime de faible injection et absence du champ électrique.

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Eclairement constant ou régime permanent.

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Calcul de la concentration des porteurs photo-générés.

Pour calculer ∆𝒏 𝒐𝒖 ∆𝑷, on résout les équations différentielles ci-dessous qui

Considérons un semi-conducteur de type P. On s’intéressera alors au calcul de ∆𝑛(𝑥) .

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Résolution de l’équation de continuité (suite)

L’équation différentielle s’écrit encore:

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Calcul des constantes A et B

 Pour déterminer A et B, considérons deux cas limites :

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Cas d’un échantillon épais

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Cas d’un échantillon mince

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Charges photo-crées dans tout le volume du semi-conducteur épais.

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Charges photo-crées dans tout le volume du semi-conducteur

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Partes par réflexion

𝜼𝑜𝑝 = (1 − 𝑅): Rendement optique.

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Cellule sous éclairement

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Distribution des photo-porteurs

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Distribution des porteurs ( suite)

Pour déterminer A et B, considérons deux cas limites :

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Calcul de A et B pour un échantillon épais ou semi-infini

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Rendement quantique externe, 𝜼,pour un échantillon mince

• La distribution des porteurs selon Z est:

• Le rendement quantique externe est: