République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche

scientifique
Université Amar Thelidji – Laghouat

Faculté des Sciences
Département d’Electronique
Option : Master microelectronique

TP 1 : Simulation et analyse des caractérestiques d'un

transistor MOS

Réalisé par :
Grinat Hisham
debba ahmed badr eddine
Encadré par:
belkhdhar Aissa

Promotion : 2020/2021
Partie théorique :

1 -Les symboles électrique du transistor NMOS et PMOS

2-les différentes électrodes des transistor

le drain

la grille

la source

3- pour un transistor MOS W et L représente :

W : largeur du canal

L : longueur du canal

4- les conditions de conduction du NMOS et PMOS :

5- les conditions pour que le NMOS soit saturé :

6- le courant à travers le NMOS quand le transistor est en régime saturé ou

ohmique :
Partie Pratique :

1- MbreavkN3(NMOS)…VSRC(V1,V2)…GND_EARTH

2- Sauvegarda schéma (( IV curve ))

3- M1 (( Edit/Model))…((Edit Instance Model <<Text>>))

4- w/L=2u/2u
5- (V1=2v DC , V2=5v DC)
6-Simulation

7- IDS=f(VDS) pour different VGS

IDS=f(VDS) pour different

VGS
8-IDS=f(VGS) pour different VDS

IDS=f(VGS) pour different VDS