Ecole Nationale des sciences

appliquées Khouribga

Rapport de projet de recherche

Sur les séquences de fabrication des transistors à
base de nitrure de gallium.

Réalisé par : Examiné par :

ELBAHLOUL Ayoub Pr. LMHAMDI
YOUSNI Mohamed. Mohamed.

Génie électrique.
Année universitaire 2018/2019.
 Génie électrique.
Année universitaire 2018/2019.
 Remerciement :

Ce travail nous a été trop bénéfique au niveau de la découverte des

nouveaux concepts relatifs à la compréhension des fonctionnements
des transistors à base de GAN ainsi il nous a permis de saisir des
notions théoriques présentés lors du cours de la technologie de
fabrication des circuits intégrés.
D’où on profite pour adresser notre sincère gratitude à notre
Professeur responsable du module M.LAMHAMDI Mohamed pour la
formation fournit ainsi l’effort et l’encadrement vis-à-vis les étudiants.
De même on tient à exprimer nos remerciements à tous les professeurs
du département Génie électrique a ENSA khouribga, et toutes les
personnes qui par leurs paroles, leurs écrits, leurs conseils ou leurs
critiques, nous ont présentés des directives durant notre recherche.
Nous témoignons aussi notre reconnaissance à nos chers parents pour
leur soutien constant et leurs encouragements.
 Table de matières :

1. Introduction Générale………………………………….2
2. Historique des HEMT gan…………………..................3
1.1 Contexte Historique d’innovation…….………..3
1.2 Evolution…………………………….…………...4
3. Nitrure de gallium……………………………................5
3.1 Structure cristalline……………….…………….5
3.2 Propriétés électriques…………….……………..6
3.2.1 Structure de bandes………………….......6
3.2.2 Mobilité électronique……………….........7
3.2.3 Champ de claquage…………………........7
3.3 Les techniques de croissance du GaN.................8
3.4 Épitaxie en Phase vapeur à partir
d’Hydrure……………..........................................8
4. Généralité HEMT et fonctionnements……..................9
4.1 Hétérojonction…………………………………..9
4.2 Fonctionnement physique d’une……...............11
4.3 Hétérostructure classique AlGaN/GaN………12
4.4 Gaz électronique à deux dimensions……....... 1 3
4.5 Transistor HEMT………………………….......14
4.6 Structure d’un HEMT……………………..….14
4.7 Principe de fonctionnement du HEMT
AlGaN/GaN…………………………….............17
5. L’approche technologique de la réalisation de
transistors HEMTs AlGaN/GaN Normally-OFF…….18
5.1 Les contacts ohmiques………………………...18
5.2 Protections des zones actives………………… 19
5.3 Isolation par implantation d’ions N+………...20
5.4 Retrait de la résine…………………………….20
5.5 Définition de la grille nitrure……………........20
5.6 Plots d’épaississement…………………………21
5.7 Dépôt de couche de passivation ou (couche anti-
scratch) ………………………………………...22

6. Conclusion…………………………………….……...22
 Liste des figures :
1. Figure : Structures cristallines du GAN
2. Figure : Largeur de la bande interdite en fonction du paramètre de maille pour
les matériaux III-V et leurs alliages.
3. Figure : Variation de la mobilité en fonction
4. De la température et du dopage du GaN wurtzite
5. FIGURE : diagramme des bandes d’une hétérojonction à l’équilibre
6. Figure : Les trois types d’hétérojonctions entre deux semi-conducteurs A et B
ayant des énergies de bande interdite Eg(A) et Eg(B). EC et EV désignent la
bande de conduction et la bande de valence. ΔEc et ΔEv sont les discontinuités
de bande de conduction et de valence.
7. Figure : Zone ZCE a l’état équilibre.
8. Figure : Canal d’électrons généré (gaz 2DEG).
9. Figure : Structure d’un transistor HEMT
10. Figure : Influence de tension de commande de grille sur le diagramme de
bande
11. Figure : Image des contacts ohmiques.
12. Figure : Schéma de la bicouche de résine après développement et implantation
ionique.
13. Figure : Schéma de procédé hydrogénation utilisé pour la gravure de la couche
Si3N4 Sous la grille.

Bibliographie :
https://fr.wikipedia.org/wiki/Nitrure_d%27aluminium-gallium.
https://scholar.google.com/scholar.
https://en.wikipedia.org/wiki/High-electron-mobility_transistor
http://www.polytech-lille.fr/cours-transistor-effet-champ/hemt/hemt.htm
https://ori-nuxeo.univ-lille1.fr/nuxeo/site/esupversions/08444c59-e390-
45e1-96a1-9277764fa032
42286210/dispositifs-hemt-a-base-de-gan-e1996/
https://fr.wikipedia.org/wiki/Nitrure_de_gallium
http://www.polytech-lille.fr/cours-transistor-effet-champ/techno/
technoiii-vc2.html
http://ori.univ-lille1.fr/notice/view/univ-lille1-ori-436019

1
1. Introduction générale :
Durant ces dernières années, le développement des composées III-V a été
spectaculaire. En effet, ces composés présentent des performances bien
supérieures à celles des semi-conducteurs plus classiques comme le silicium.
Ce sont des matériaux de choix pour toutes les applications
microélectroniques et optoélectroniques. Or les caractéristiques de ces matériaux
et de leurs composants sont sensibles à l’état de surface et à l’interface. L’étude
du fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une
maîtrise préalable des phénomènes physiques régissant les propriétés des
électrons dans le semi-conducteur. Il est donc essentiel de comprendre les
mécanismes de formation des hétérostructures et des nanostructures pour maîtriser
au mieux la technologie des composants réalisés, à l'heure où les
nanotechnologies ouvrent de nouvelles voies. En effet, l’intérêt aux composées
III-V tels que l’arséniure de gallium (GaAs) ou le nitrure de gallium (GaN) a été
spectaculaire.
Cependant, de nos jours, la microélectronique et l’optoélectronique ne
cessent de se développer et de nombreuses études sont effectuées afin de disposer
de semi-conducteurs toujours plus performants. Le nitrure de gallium (GaN)
admet une bande interdite large et directe, une grande stabilité chimique et
thermique, de très bonnes propriétés mécaniques, et des propriétés physiques très
intéressantes pour opérer en haute température, haute puissance et haute
fréquence. Il est très prometteur pour des applications en microélectronique et en
optoélectronique. Allié éventuellement autres composés III-V, il permet de
réaliser divers dispositifs pour un très vaste domaine d’applications, entre autres
les transistors HEMT notre sujet d’étude.
Outre ces propriétés physiques, GaN présente la particularité d’être un
matériau pyroélectrique et piézoélectrique. Cette spécificité permet de réaliser des
transistors HEMT type AlGaN/GaN dont la densité d’électrons à l’interface peut
aisément dépasser 1.1013 cm -2 sans dopage intentionnel de la barrière AlGaN.
En contrepartie, les procédés de fabrication utilisés pour les HEMT AlGaN/GaN
sont complexes et entraînent la formation de nombreux défauts cristallins.
Des effets parasites de fonctionnement sont induits par des mécanismes
physiques qui pénalisent le transport des porteurs dans la structure.
A l’heure actuelle, ces effets parasites ont une influence négative sur les
performances de ces transistors. Ils sont principalement liés aux pièges à électrons

2
induits par des impuretés présentes dans le matériau ou des défauts cristallins. La
recherche suivante est consacrés aux séquences de fabrication d’un transistor
HEMT AlGaN/GaN en nitrure de gallium. Ce dernier est utilisé dans les
applications militaires, spatiales ou civiles, dans le domaine des hautes
fréquences.

2. Historique des transistors HEMT gan :

1.1 Contexte historique d’innovation :

Comme beaucoup d’autres découvertes, l’idée d’une structure HEMT est

le produit d’une recherche aux objectifs différents et plusieurs facteurs se sont
superposés. La fin des années 70 a vu l'évolution de la technique de croissance par
épitaxie par jet moléculaire et du dopage de modulation, ainsi qu'un vif intérêt
pour le comportement des structures à puits quantiques (Ce dernier point
culminant dans les travaux de Klitzing, Laughlin, Stomer et Tsui).
À cette époque, T. Mimura et ses collègues de Fujitsu travaillaient sur des
MESFET en GaAs. Confrontés à des problèmes de densité élevée d'états de
surface près de l'interface, ils ont décidé d'utiliser un super-réseau à hétérojonction
dopé par modulation et ont été en mesure de produire des MOSFET du type à
déplétion. Alors que ces structures étaient toujours en proie à plusieurs problèmes,
l’idée de contrôler les électrons dans le super-réseau lui était venu à l’esprit. Il y
parvint en introduisant un contact de grille Schottky sur une seule hétérojonction.
Ainsi, le HEMT AlGaAs / GaAs est né. Par la suite, le premier circuit intégré basé
sur HEMT a été rapporté. Aux côtés de Fujitsu, de nombreuses autres installations
de recherche ont collaboré au développement ultérieur des nouvelles structures :
Bell Labs, Thomson CSF, Honeywell, IBM. Afin de faire face à différents
problèmes, plusieurs conceptions ont été proposées : HEMT AlGaAs / GaAs,
HEMT pseudo morphes AlGaAs / InGaAs (pHEMT), AlInAs / InGaAs / InP
HEMT.
Cependant, jusqu'à la fin de la décennie, les HEMT trouvaient
principalement des applications militaires et spatiales ce n’est que dans les années
90 que la technologie est entrée sur le marché
grand public des récepteurs satellite et des systèmes de téléphonie mobile
émergents.
Au début de la dernière décennie, de nouvelles méthodes de dépôt de GaN
sur du saphir par MOCVD ont été développées. Ainsi, la production de HEMT à

3
base d'AlGaN / GaN était possible. Le GaN a une bande interdite large qui offre
les avantages de tensions de claquage plus élevées et d'une température de
fonctionnement plus élevée. En raison du grand déséquilibre de réseau entre AlN
et GaN, une contrainte dans la couche d’AlGaN est induite, ce qui génère un
champ piézoélectrique. Avec le grand décalage de bande de conduction et la
polarisation spontanée, cela donne des valeurs très élevées pour la densité de
charge de la feuille d'électrons. Ce potentiel important des structures AlGaN /
GaN (et l'avantage indirect de l'excellente conductivité thermique des substrats en
saphir) a été réalisé très rapidement et la recherche s'est partiellement déplacée des
dispositifs AlGaAs / GaAs aux dispositifs AlGaN / GaN.

1.2 Evolution :
Au cours du développement et de l'optimisation, diverses techniques ont
été adoptées. Une approche précédemment utilisée dans les jonctions p-n à haute
tension, l'électrode à plaque de champ, a considérablement amélioré les
performances du dispositif en réduisant les valeurs de crête du champ électrique
dans le dispositif. Ainsi, la tension de claquage pourrait être encore augmentée.
Cette technique a ensuite été affinée pour devenir des électrodes de grille en forme
de T, puis en forme de Y. Une autre étape dans l'optimisation de la structure est
l'ajout d'une barrière mince en Al entre le canal GaN et la couche d'AlGaN. Il
augmente le décalage de la bande de conduction et la densité bidimensionnelle du
gaz électronique (2DEG) et diminue la diffusion du désordre de l'alliage,
augmentant ainsi la mobilité. Une autre option pour améliorer les propriétés de
transport des gaz électroniques est la structure à double hétérojonction. La couche
InGaN sous le canal introduit une charge de polarisation négative à l'interface et
améliore ainsi le confinement de la porteuse dans le canal.
Bien que la technologie du mode d'appauvrissement (mode D) ait été
considérablement améliorée, aucun progrès comparable sur les contreparties
d'amélioration ne peut être noté. Toutefois, ces dispositifs présentent des
avantages dans certaines applications et sont donc au centre des activités de
recherche de ces dernières années. Plusieurs groupes ont proposé des approches
intéressantes. Des

dispositifs comportant des couches d'AlGaN très minces et un traitement au

plasma à base de fluorure ont été proposés, mais certains problèmes de stabilité
subsistent. Une méthode très prometteuse est la structure de grille en retrait
décrite par Kumar e Al. Récemment, d'excellents résultats ont également été
obtenus avec les dispositifs InGaN-cap.

4
 3. Nitrure de Gallium :
3.1 Structure cristalline :

Le nitrure de gallium croie essentiellement sous deux formes cristallines :

la structure zincblende (cubique), et la structure wurtzite (hexagonale). La
structure zinc-blende est métastable thermodynamiquement. Elle est obtenue par
hétéroépitaxie* sur des substrats avec des réseaux cristallins cubiques comme le
Si (001) ou SiC (100).
Les couches de GaN épitaxiées en phase zinc-blende présente une densité
de défaut très élevée, ce qui limite leurs utilisations.
La structure wurtzite est la plus stable thermodynamiquement. Elle a une
maille hexagonale de paramètres a= 0.3188 nm et c= 0.5185 nm à température
ambiante. Elle se compose de deux réseaux hexagonaux compacts, l’un contenant
les atomes de (Ga) et l’autre les atomes d’azote (N) décalés suivant l'axe c de 5/8
de la maille élémentaire, comme présenter dans la figue b. La structure wurtzite
est préférentiellement utilisée pour la fabrication des transistors car elle dispose
des propriétés physiques remarquables comme l’apparition de champs de
polarisations spontané et piézoélectrique.

Figure : Structures cristallines du GAN.

5
L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de
deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans
leurs réseaux cristallins.
On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un
cristal de nature chimique identique et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux
cristaux sont de natures chimiques différentes.

3.2 Propriétés électriques :

3.2.1 Structure de bande :

Le nitrure de gallium (GaN) wurtzite est un semi-conducteur à large

bande interdite. Sa valeur au centre de la zone de Brillouin (Γ) est de 3,39 eV à
300 K. Elle augmente avec la diminution de la température selon l’équation
décrite par Bougrov, et peut atteindre 3.47 eV à 0K.

Le nitrure de gallium est très intéressant pour les applications en

optoélectroniques étant donné son gap direct. Il offre la possibilité de former
plusieurs alliages de types ternaires ou quaternaires comme l’AlGaN ou l’InGaN
en ajoutant de l’aluminium (Al) ou l’indium (In). En variant le taux de ces
éléments, on pourra couvrir un large spectre de longueur d’onde allant de
l’infrarouge à l’ultraviolet profond comme le montre la figure.

6
 Figure : Largeur de la bande interdite en fonction du paramètre
de maille pour les matériaux III-V et leurs alliages.

3.2.2 Mobilité électronique :

La mobilité électronique est la capacité de déplacement des électrons et
des trous sous l'effet d'un champ électrique. Elle dépend fortement de la qualité
cristallographique du matériau, du dopage et de la température. En effet, l’ajout
d’atomes dopants et/ou l’élévation de température, créent des perturbations dans
le cristal et affectent la mobilité. La figure montre la variation de la mobilité en
fonction de la température et du dopage du GaN wurtzite. Pour du GaN non
intentionnellement dopé (courbe 1), la mobilité volumique des électrons est de
1000 cm2V-1s-1 à 300 K.

Figure : Variation de la mobilité en fonction

De la température et du dopage du GaN wurtzite
A bas champ électrique, les électrons et les trous vont se déplacer avec
une vitesse υ appelée vitesse de dérive laquelle est proportionnelle au champ
appliqué selon l’équation :

7
 Lorsque le champ électrique augmente, les électrons ne sont plus en
régime de mobilité et l’équation n’est plus valable. En effet, au-delà d'un champ
électrique appelé champ critique, la vitesse des porteurs n'augmente plus avec le
champ appliqué.
L’augmentation du champ électrique entraine une augmentation de la
masse effective, donc une diminution de la mobilité et donc de la vitesse de
dérive.

3.2.3 Champ de claquage

Le champ de claquage est défini comme étant le champ électrique

maximal que le matériau peut supporter avant toute détérioration irréversible.
Il est proportionnel à la largeur de la bande interdite, c’est-à-dire, plus la
bande interdite est grande plus le champ de claquage est important.

3.3 Les techniques de croissance du GaN

La croissance d'hétérostructures binaires et ternaires à base de GaN est très

importante pour la réalisation des transistors à haute mobilité électroniques
HEMTs à haute performance.
Historiquement, l’épitaxie en Phase Vapeur à partir d’Hydrure HVPE (ou
Hydride Vapour Phase Epitaxy) a joué un rôle important dans le développement
des premières croissances de GaN cristallin. Mais la difficulté d’obtenir des
couches de bonne qualité a conduit le passage à d’autres techniques de croissance
tels que l’Épitaxie par Jet Moléculaire EJM (ou Molecular Beam Epitaxy MBE),
et l’Épitaxie en Phase Vapeur aux OrganoMétalliques (ou MetalOrganic Chemical
Vapour Deposition MOCVD).

3.4 Épitaxie en Phase vapeur à partir d’Hydrure

(Hydride Vapour Phase Epitaxy HVPE)

8
 L’épitaxie en Phase Vapeur à partir d’Hydrure HVPE est une technique de
croissance épitaxiale considérée comme la première technique utilisée pour la
croissance de couche de GaN en 1969 par Maruska et al. Cette technique est
restée la méthode la plus couramment utilisée jusqu'au début des années 1980. Le
GaN est obtenu en 2 étapes : la première consiste à la réaction de l'acide
chlorhydrique (HCl) avec le gallium liquide (Ga) à des températures comprises
entre 750 °C et 900 °C pour former du chlorure de gallium.
Ensuite, le GaCl est transporté par des gaz vecteurs comme l’hydrogène
vers le substrat, habituellement le saphir ou il réagit avec l'ammoniac (NH3) à des
températures entre 900°C et 1100 °C pour forme des couches de GaN selon les
réactions.

Les substrats généralement utilisés pour la croissance du GaN sont : le

silicium (Si), le saphir (Al2O3), le carbure de silicium (SiC). Dans cette partie,
nous allons discuter les avantages et les inconvénients de chaque substrat.

4. Généralités et fonctionnement du
transistor HEMT :

Le nitrure de gallium, grâce à sa bande d’énergie interdite importante et à

son champ de claquage élevé (supérieur à 3×106V/cm c.-à-d. 7 à 8 fois supérieur
à celui de GaAs), permet de réaliser des transistors possédant des tensions de
claquages importantes de l’ordre de 100V. Les stabilités thermique et chimique de
ce matériau font de lui, le candidat de choix pour la réalisation de transistors
fonctionnant dans des environnements très chauds et corrosifs comme les
réacteurs de fusées, ou encore dans les moteurs d’automobile. Outre ces propriétés
physiques, GaN présente la particularité d’être pyroélectrique et piézoélectrique.
Cette spécificité permet de réaliser des transistors HEMT type AlGaN/GaN dont
la densité d’électrons à l’interface peut aisément dépasser 1.1013(cm ^ (-2)) sans
dopage intentionnel de la barrière AlGaN.

9
 4.1 Hétérojonction :
Par définition, l’hétérojonction est obtenue lorsque deux matériaux semi-
conducteurs de gaps différents sont associés. Si les deux semi-conducteurs sont de
même type, on dira que l’hétérojonction est isotype, et s’ils sont différents, on dira
qu’elle est anisotype. La réalisation d’une hétérojonction s’effectue par croissance
cristalline d’un matériau sur l’autre et nécessite l’utilisation de semi-conducteurs
ayant des propriétés cristallines voisines (la taille des atomes doit être notamment
assez proche) de manière à minimiser la densité de dislocations parce que
l’épitaxie se réalise à haute température. L’intérêt d’une telle structure réside dans
la création d’un décalage entre les bandes d’énergie permises des deux semi-
conducteurs.
Les énergies de bande interdite des deux matériaux n’étant pas égales, il y
a création de discontinuités en bandes de conduction ΔEc et de valence ΔEv à
l’interface.

Explication :
Soit un semi-conducteur A et un semi-conducteur B on a donc une
différence de gap nom nulle des deux matériaux et qui est égal à :
ΔEG= EG(A)-EG(B)
Cette différence de gap résultante repartit alors deux discontinuités : la
discontinuité de valence(ΔEV) et celle de conductivité(ΔEC) de sorte que :
ΔEC+ ΔEV= ΔEG

FIGURE : diagramme des bandes d’une hétérojonction à

l’équilibre

10
En fonction de la position des bandes interdites, l’hétérojonction peut être de trois
types différents :
Type I : la bande interdite Eg(B) est entièrement dans Eg(A).
Type II : Une des discontinuités est plus grande que Eg(A)− Eg(B) mais
inférieure à Eg(A).
Type III : une des discontinuités est supérieure à Eg(A).

Figure : Les trois types d’hétérojonctions entre deux semi-

conducteurs A et B ayant des énergies de bande interdite
Eg(A) et Eg(B). EC et EV désignent la bande de
conduction et la bande de valence. ΔEc et ΔEv sont les
discontinuités de bande de conduction et de valence.

4.2 Fonctionnement physique d’une

hétérojonction :

Lorsqu'une hétérojonction est formée, la bande de conduction et la bande

de valence sur tout le matériau doivent se plier pour former un niveau continu.

11
La mobilité des porteurs et la vitesse de commutation exceptionnelles des HEMT
proviennent des conditions suivantes : l'élément à bande large est dopé avec des
atomes donneurs ; ainsi, il a des électrons en excès dans sa bande de conduction.

Ces électrons vont se diffuser dans la bande de conduction du matériau à

bande étroite adjacent en raison de la disponibilité d’états à plus basse énergie. Le
mouvement des électrons provoquera un changement de potentiel et donc un
champ électrique entre les matériaux. Le champ électrique repoussera les
électrons dans la bande de conduction de l’élément à large bande. Le processus de
diffusion se poursuit jusqu'à ce que la diffusion des électrons et la dérive des
électrons s'équilibrent, créant une jonction à l'équilibre similaire à une jonction p-
n. Notez que le matériau à bande interdite étroite non dopé a maintenant des
porteurs de charge majoritaires en excès. Le fait que les porteurs de charge soient
majoritaires donne des vitesses de commutation élevées et le fait que le semi-
conducteur à faible
bande interdite ne soit pas dopé signifie qu'il n'y a aucun atome donneur
susceptible de provoquer une diffusion, ce qui engendre une mobilité élevée.

A l’équilibre thermodynamique :
Lorsque deux semi-conducteurs différents sont en contact, les électrons du
semi-conducteur de type n diffusent vers celui de type p et les trous diffusent dans
le sens inverse. La diffusion des porteurs de charge, est traduite par un courant
électrique de porteurs majoritaires, appelé courant de diffusion. Les électrons qui
arrivent dans la zone p se recombinent avec les trous au voisinage de la jonction,
les trous libres disparaissent et il reste des accepteurs ionisés par des charges
négatives. Du côté n, les électrons libres disparaissent et il reste des donneurs
ionisés par des charges positives. De ce phénomène, découle une zone déplétée de
charges libres : c’est la zone de charges d’espace (la ZCE). A l’équilibre
thermodynamique, les niveaux de Fermi s’alignent. Un champ électrique est
engendré à l’interface et une courbure de bande apparaît à son voisinage. Une
barrière de potentiel est créée, s’opposant à la diffusion des porteurs et définissant
l’état d’équilibre (la tension de diffusion Vd). Quatre grandeurs fondamentales
gouvernent le fonctionnement de la jonction, à savoir : le champ électrique, le
potentiel, la largeur de la ZCE et la capacité différentielle.

12
 Figure : Zone ZCE a l’état équilibre.

4.3 Hétérostructure classique AlGaN/GaN :

C’est hétérojonction formée par la juxtaposition de deux matériaux dont

les largeurs de bande interdite sont différentes entraîne la formation d’une
discontinuité de la bande de conduction à l’interface (EC). AlGaN présente un
gap supérieur à 3,4eV et allant jusqu’à 6,2eV, et GaN admet un gap un peu plus
faible égal à 3,4eV.
Cette structure permet la création d’un gaz d’électrons dans un canal peu dopé
favorisant ainsi la montée en fréquence.

4.4 Gaz électronique à deux dimensions :

Ce gaz électronique à deux dimensions est aussi appelé « gaz d’électrons »,

« canal d’électrons » ou « gaz 2DEG » pour « Two-Dimensional Electron Gas ».
Celui-ci se forme à l’interface AlGaN/GaN grâce à l’effet cumulé de la
polarisation spontanée et de la polarisation piézoélectrique qui règnent dans les
semi-conducteurs AlGaN et GaN.
Un point fort du HEMT AlGaN/GaN est la facilité de réaliser un gaz
bidimensionnel d’électrons à l’interface avec une concentration d’électrons
supérieure à 1013cm -2 sans doper intentionnellement la couche AlGaN. Cette
forte densité s’obtient grâce aux polarisations spontanée et piézoélectrique. Ces
concentrations d’électrons dans le gaz 2D ne peuvent être atteintes avec les semi-
conducteurs conventionnels comme le GaAs, même si la couche donneuse est
fortement dopée.

13
 Figure : Canal d’électrons généré (gaz 2DEG).

4.5 Transistor HEMT :

Le HEMT (High Electron Mobility Transistors) appartient à la famille

des transistors à effet de champ. Il est un cas particulier du MESFET (Metal
Semi-conducteur Field Effect Transistor). Ce composant possède plusieurs
dénominations dans la terminologie anglo-saxonne, TEGFET (Two-dimensional
Electron Gas Field Effect Transistor), MODFET (Modulation Doped Field Effect
Transistor) mais également HFET (Heterojunction Field Effect Transistor).
Ce dernier terme est toutefois généralement plutôt réservé à un autre
composant à hétérostructure dans lequel le transport s’effectue dans un matériau
dopé alors qu’il est non dopé pour le HEMT.

4.6 Structure d’un HEMT

La structure d’un HEMT (Figure) est constituée essentiellement de trois

matériaux différents le substrat, un matériau à large bande interdite et un matériau
à plus faible bande interdite. Comme nous l’avons vu précédemment, la jonction
de ces deux derniers matériaux engendre la formation du gaz bidimensionnel
d’électrons à l’interface, dont la densité est modulée par la tension appliquée à la
grille du composant. L’autre phénomène caractéristique du fonctionnement d’un

14
HEMT, outre l’existence d’un gaz d’électrons, c’est la jonction Schottky créée par
la jonction métal de grille et semi-conducteur du substrat.

Figur
e : Structure d’un transistor HEMT.

Le substrat : C’est la couche sur laquelle on fait croître les matériaux par
épitaxie. Dans notre cas un bulk GaN n’est pas à ce jour disponible à faible coût et
en grande taille, les substrats de nitrure de gallium sont encore très peu utilisés ;
on a alors recours à des substrats autres que GaN. Un mauvais choix de substrat
peut causer lors de la croissance, des dislocations qui peuvent rendre le composant
non fonctionnel. Les matériaux souvent utilisés sont le silicium, le saphir et le
carbure de silicium.
La couche de nucléation : C’est une couche mince de GaN qui sert à minimiser
le désaccord de maille entre la couche tampon et le substrat, et pour s’assurer
d’avoir une bonne qualité cristallographique afin de faire croître la couche du
cristal de GaN.
La couche tampon ou « buffer » : Cette couche est constituée du matériau de
plus faible largeur de bande interdite, dans notre cas il s’agit du nitrure de gallium
(3.4eV) ; c’est dans la partie supérieure de cette couche que le gaz bidimensionnel
est formée. Elle permet d’améliorer le confinement des électrons dans le canal en
réduisant l’injection des porteurs vers le substrat.
Le canal : Le canal est situé dans la couche de matériau à petit gap non
intentionnellement dopée. C’est la plus importante partie du HEMT : c’est là où se
crée le gaz bidimensionnel d’électrons. C’est la couche qui détermine les
Performances du composant à travers les propriétés de transport des électrons
dans le matériau.
L’espaceur : En anglais spacer ; cette couche est réalisée dans notre cas par le
matériau de plus large gap (le nitrure de gallium-aluminium AlGaN). Ce film non

15
intentionnellement dopé possède une épaisseur de quelques nanomètres et permet
de réduire les interactions électrons donneurs entre le gaz d’électrons et la couche
dopée (donneuse). En effet, la proximité de ces particules entraînerait une
interaction électrostatique connue sous le nom de Coulomb Scattering. Sans cette
couche, les électrons du canal seraient fortement attirés par les atomes donneurs
de la couche donneuse et seraient donc confinés à l’interface AlGaN/GaN. Cette
zone d’interface présente des défauts cristallins qui limitent la mobilité des
électrons. Plus cette couche est fine plus la concentration des charges dans le
canal augmente, présentant ainsi une forte densité de courant, et réduisant aussi la
résistance de source. Plus elle est épaisse, plus la densité des porteurs de charge
diminue, augmentant ainsi la mobilité des électrons. Il y a donc un compromis par
rapport à son épaisseur.
La couche donneuse : C’est dans cette couche que la zone d’espace de charge se
forme au niveau de la jonction Schottky de grille ainsi qu’aux abords de
l’hétérojonction. C’est une couche de matériau grand gap AlGaN dopée et qui
fournit des électrons libres à la structure. Son dopage est généralement élevé, en
utilisant le silicium qui y joue un rôle important car il contribue à l’augmentation
de la concentration des électrons fournis.
La couche Cap layer : C’est une couche superficielle fine, formée par un
matériau de faible bande interdite (le nitrure de Gallium), sur laquelle sont réalisés
de bons contacts ohmiques de drain et de source. Cette couche est généralement
fortement dopée, la finesse de son épaisseur permet de réduire la valeur des
résistances de contact et donc celle des résistances d’accès. Elle permet aussi
d’empêcher l’oxydation de la couche AlGaN. Afin d’obtenir une bonne jonction
Schottky de grille, un recess complet de cette épaisseur doit être réalisé sous le
contact de grille.

4.7 Principe de fonctionnement du HEMT

AlGaN/GaN :

Le principe de fonctionnement du HEMT est basé sur la modulation de

la conductance entre les deux contacts ohmiques source et drain, par l’action
électrostatique d’une électrode de commande dénommée grille (jonction de type
Schottky) pouvant contrôler en nombre la densité de porteurs présents dans le gaz
bidimensionnel. La variation de cette conductance est proportionnelle au nombre
de porteurs libres dans le canal, et donc au courant entre source et drain. C’est

16
l’effet d’amplification transistor qui permet de transformer un faible signal
appliqué sur la grille en un signal plus fort récupéré sur le drain. La différence
avec le transistor classique est que le HEMT utilise une hétérojonction.
L’hétérojonction repose sur le principe de création et de contrôle d’un gaz
d’électrons dans un matériau faiblement dopé où les électrons peuvent se déplacer
plus rapidement (mobilité d’électrons élevée). Cette couche appelée gaz
d’électrons à deux dimensions (origine du nom TEGFET) est la conséquence des
polarisations spontanée et piézoélectrique
La qualité de la commande dépend en grande partie de la qualité du
contact Schottky, à l’interface entre la barrière AlGaN et le métal de grille
(rappelons que parfois, la couche superficielle est un cap de GaN ; le cas échéant,
elle est gravée localement de sorte que le métal se dépose directement sur
AlGaN). On a donc intérêt à rechercher les alliages métalliques présentant les
meilleures caractéristiques, et se prêtant au mieux à leur dépôt sur le semi-
conducteur. Cet effet de contrôle du gaz bidimensionnel à l’hétérojonction trouve
son explication physique dans l’exploitation des diagrammes de bandes d’énergie
suivant la direction verticale.

a. Figure : Influence de tension de commande de grille sur le

diagramme de bande
A, Vgs > 0
B, Vgs < 0
C, structure couche d’un HEMT

Il apparaît clairement que la zone constitutive du canal de porteurs

s’amoindrit localement, par l’application d’un potentiel négatif sur le métal (à

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gauche sur le schéma). On devine donc que pour des tensions de grille inférieures
à une valeur seuil, la densité surfacique de charge deviendrait négligeable et ne
pourrait guère plus participer à la conduction. Cette valeur particulière du
potentiel est appelée « tension de pincement ».
Ainsi, les électrons constituant le courant drain-source dans un semi-
conducteur non dopé ont un temps de transit très faible, ce qui permet des
performances en fréquence remarquables. La structure favorable aux applications
hautes fréquences ainsi que l’utilisation de matériaux grand gap de forte
conductivité thermique, tel que GaN par exemple, font de ce composant un
candidat très intéressant pour les applications de puissance micro-ondes.

5. l’approche technologique du réalisation

de
transistors HEMTs AlGaN/GaN
Normally-OFF :
5.1 Les contacts ohmiques :

Pour réaliser les contacts ohmiques, une photolithographie est utilisée pour
définir les contacts de source et de drain. Un bicouche PMMA/S1813 est utilisé
pour obtenir un profil casquette. Après exposition et développement de la résine,
la couche de cap SiN est gravée sous plasma CF4. Une désoxydation de la surface
est réalisée en utilisant une solution d’acide chlorhydrique dilué HCl - H2O
(1 :10) juste avant d’introduire l’échantillon dans le bâti de métallisation. Le
multicouche métallique Ti/Al/Ni/Au est ensuite déposé par évaporation sous vide
à canon à électrons. Après soulèvement, un recuit rapide à haute température
(RTA : Rapid Thermal Annealing) à 875°C pendant 30 sec sous N2 est réalisé
pour former le contact ohmique.
Après recuit au-delà de 700 °C, le titane réagit avec les atomes d’azotes
constituant la couche barrière AlGaN pour former une couche de TiN à l’interface
métal-AlGaN. Ce métal présente un travail de sortie inférieur au titane favorisant
le comportement ohmique sur semi-conducteur à dopage résiduel de type N. De
plus, la formation de cette couche génère des lacunes d’azote en surface de la
couche barrière AlGaN lesquelles agissent comme des états donneurs facilitant le
passage des électrons par effet tunnel.
Au cours du recuit thermique et après formation de la lacune d’azote, les
ions Ga instables, migrent au travers de la couche de TiN et de Ti vers la surface

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du contact métallique pour former un alliage. Ceci a pour conséquence la
formation de trous latéraux qui ont tendance à s’agglomérer avec la température
pour finalement dégrader fortement la résistivité spécifique de contact, voire
d’éliminer l’électrode métallique au complet. Pour réduire la forte réactivité de Ti
avec l’azote en surface de la couche barrière à base de GaN, une couche
d’aluminium en aval de la couche de titane est utilisée. Le contrôle de cette
réactivité est obtenu en fonction de l’épaisseur de cette couche de titane et du taux
d’aluminium présent dans la couche barrière de AlGaN. On observe alors la
formation d’agrégats métallique de type TixAly sur la couche de TiN préservant
ainsi la forte concentration en lacune d’azote à l’interface TiN/AlGaN.
Le nickel joue un rôle de couche barrière entre l’aluminium et l’or. Il
empêche la formation d’alliage Al-Au lors du recuit à haute température. Cet
alliage est friable et présente une adhérence médiocre sur GaN.
L’or est la dernière couche de l’empilement métallique. Il permet
d’empêcher l’oxydation de l’Al et assure une bonne conductivité électrique.
Après dépôt du multicouches métalliques, les contacts électriques
subissent un recuit rapide à haute température. Le procédé de recuit comporte 3
zones temporelles ayant chacune leur fonction (cf. figure)
• Une montée rapide en température jusqu’à 875 °C pendant 20 sec au cours de
laquelle les contacts ohmiques se forment.
• Une phase de stabilisation (30 sec) pendant laquelle se forme les agrégats.
• Une période de refroidissement jusqu’à température ambiante durant laquelle la
structure métallique se compacte et se stabilise.

Figure : Image des contacts ohmiques.

L’isolation permet de délimiter la zone active des composants afin de

confiner les lignes de courant entre la source et le drain et d’éviter les courants de
fuites L’isolation des composants se fait en trois étapes :

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5.2 Protections des zones actives :

Les zones actives sont protégées par un bicouche de résine LOR3A et

AZ9245 définie préalablement par photolithographie
Après exposition et développement, la bicouche de résines adopte un profil
casquette comme illustré dans la figure ci-dessous Ce bicouche de résines a pour
avantage de faciliter le dérésinage après implantation.

5.3 Isolation par implantation d’ions N+ :

Cette étape consiste à bombarder l’échantillon avec des ions d’azote à

différentes énergies et différentes doses qui assurent une amorphisation du
semiconducteur.

Figure : Schéma de la bicouche de résine après

développement et implantation ionique.

5.4 Retrait de la résine :

Après implantation, l’échantillon est nettoyé dans un bain chaud au
remover1165, Puis dans des bains d’acétone et d’isopropanol pour éliminer toutes
traces de résine. Pour valider l’implantation, une mesure de courant entre deux
contacts isolés est réalisée.

20
5.5 Définition de la grille nitrure :
C’est l’étape la plus critique du procédé de fabrication puisqu’elle conditionne
les performances du transistor via la qualité de l’interface sous la grille entre le
diélectrique d’isolation et le semi-conducteur. La définition de l’électrode de grille
débute par la gravure de la couche de cap SiN laquelle va définir la largeur du pied de
grille.
Une couche de Si3N4 peut être gravée par voie humide avec des solutions
chimiques comme l’acide phosphorique H3PO4 entre 140 °C et 170°C ou dans une
solution d’acide fluorhydrique HF.
La couche Si3N4 peut aussi être gravée à l’aide d’un plasma fluoré comme le
CHF3 ,CF4 , CH3F/O2 , ou le SF6 L’inconvénient majeur de cette gravure sèche est que
le bombardement ionique inhérent aux processus par plasma, endommage la surface
de AlGaN, détériorant ainsi les caractéristiques électriques de la commande de grille.
Pour minimiser la génération d’états de surface néfastes au bon fonctionnement du
transistor, un nouveau procédé qui mixte les avantages des deux méthodes de gravure
sèche et humide est opté pour éviter les inconvénients. Ce nouveau procédé à la fois
doux et sélectif est réalisé au moyen d’un plasma hydrogène.

Figure : Schéma de procédé hydrogénation utilisé pour la

gravure de la couche Si3N4 Sous la grille.

5.6 Plots d’épaississement :

Après la définition de la grille, les plots d’épaississement sont déposés. Ils
sont utilisés pour la caractérisation électrique sous pointes des transistors. La
première étape consiste à graver l’oxyde de grille préalablement déposé dans les

21
zones des plots d’épaississement. La gravure est réalisée dans un bâti ICP avec un
mélange gazeux constitué de CF4, H2 et O2. La deuxième étape consiste à définir
les zones des pads avec une photolithographie au moyen d’une bicouche de résine
PMMA/S1813. Après exposition et développement de la résine, un profil
casquette est obtenu. Les plots d’épaississements sont ensuite déposés par
évaporation sous vide à canon d’électrons suivant le séquentiel métallique Ni/Au.

5.7 Dépôt de couche de passivation ou (couche

anti-scratch) :

Le dépôt de la couche anti-scratch est la dernière étape de fabrication des

composants. Cette couche diélectrique sert comme couche de protection et a pour
but d’encapsuler le composant afin de limiter l’impact de l’environnement
extérieur et améliorer sa fiabilité.

6. Conclusion :

Certes les transistor HEMT AlGaN/GaN ont plusieurs points forts qui se
manifestent dans la facilité de réaliser un gaz bidimensionnel d’électrons à
l’interface avec une concentration d’électrons supérieure à (1013cm ^ (-2)) sans
doper intentionnellement la couche AlGaN. Cette forte densité s’obtient grâce aux
polarisations spontanée et piézoélectrique. Ces concentrations d’électrons dans le
gaz 2D ne peuvent être atteintes avec les semi-conducteurs conventionnels comme
le GaAs, même si la couche donneuse est fortement dopée.
De plus la vitesse de saturation des porteurs libres dans GaN est beaucoup
plus importante que dans GaAs, ce qui est parfaitement adapté pour des
applications de puissance en hyperfréquence. Les transistors HEMTs AlGaN/GaN
permettent aussi de fournir une puissance importante jusqu’en bande Ka (40GHz)
et au-delà.
Le point faible de ce type de composant par rapport aux autres filières est
son prix. Les hétérostructures à base de GaN sont fabriquées sur des substrats en

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carbure de silicium SiC (2000$ la plaquette 2 pouces) ou en saphir Al2O3 (70$ la
plaquette 2 pouces) qui sont très coûteux. Ces dernières années, on a réalisé des
couches d’AlGaN/GaN sur des substrats silicium de type Si (111) ou Si (001) qui
sont moins chers. La société Nitronex vient d’annoncer un transistor HEMT GaN
sur silicium destiné aux applications WiMax dans la bande de fréquence 2,3GHz à
2,7GHz.

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