Capteurs Et Dispositifs Semiconducteurs

Capteurs et Dispositifs Semiconducteurs
Pascal Kleimann
Département GEP, Université Claude Bernard Lyon 1
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)
Pascal.Kleimann@univ-lyon1.fr
Année 2023-2024
Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 1

Sommaire
Introduction sur la place des semiconducteurs dans le domaine de l’électricité/électronique
Partie 1 : Etude des dispositifs semiconducteurs : Approche phénoménologique
Chapitre I : Dispositifs semiconducteurs élémentaires et fonctions capteurs.
Partie 2 : Etude des dispositifs semiconducteurs : Approches Physique et Technologique
Chapitre II : Théorie élémentaire de la conduction électrique dans les métaux.
Chapitre III : Conduction électrique dans les matériaux. Théorie des bandes. Cas des Semiconducteurs.
Chapitre IV : Jonctions à semiconducteurs
Chapitre V : Physique des transistors bipolaire et MOS

• Pourquoi un tel succès de l’électricité/électronique dans notre quotidien?

 L’électron est un formidable vecteur pour:
• Le transport d’énergie
• Les conversions d’énergies
Energie chimique et biochimique
Energie Nucléaire, éolienne, des marées, …
Batteries, électrolyseurs, …
Energie
Energie Mécanique Energie électrique Energie thermique
Electromagnétique
Effets Joule, Peltier, thermoélectriques …
Génératrices, moteurs, piézoélectricité, actionnement capacitif, …
LED, cellules photovoltaïques, …
Energie lumineuse
(évidemment de nature électromagnétique)
• Dans le domaine de l’information:

- Le transfert (filaire ou hertzien) sur de longues distances, quasiment à la vitesse de la lumière
- L’amplification des signaux
- Le traitement analogique ou numérique des signaux
- Le stockage d’informations
- Capter l’information (domaine de l’instrumentation et des capteurs)
- Actionnement (→ Conversion d’énergies)
 Deux ombres au tableau : Le stockage de l’énergie électrique + Stockage de l’information éphémère ?

• Dans tout cela, qu’apportent les semiconducteurs ?

Les semiconducteurs sont largement étudiés depuis la seconde moitié du XXème siècle. Ils ont, par rapport aux
conducteurs électriques et aux matériaux isolants, des propriétés uniques permettant de réaliser :
- Des dispositifs électroniques de type redresseurs (diode, …), utilisés notamment en modulation d’amplitude,
pour convertir une tension alternative en tension continue, pour réaliser des sources de tensions stables, …
- Des transistors (bipolaires ou à effet de champ) permettant d’amplifier des signaux ou de réguler des
courants et/ou tensions (dans le domaine des faibles puissances comme celui des fortes puissances)
- Des composants actifs comme l’amplificateur opérationnel.
- Des capteurs (fonctions sensorielles), des émetteurs de lumière (LED), …
- Des portes logiques, éléments de bases de l’électronique numérique et logique (microprocesseurs,
mémoires, …)
- …
 Formidable succès de la microélectronique depuis 1970
On dispose actuellement de systèmes de traitement et de stockage de l’information très performants:

- Processeurs d’ordinateur ≈ 300 Gigaflops (Floating Point Operation Per second)
- Processeurs de smartphone ≈ 30 Gigaflops
- Mémoires USB de plusieurs dizaines à centaines de Go
 Innombrables applications potentielles avec une forte demande (tous les domaines font intervenir l’électronique)
 Nécessité d’acquérir l’information et de systèmes d’actionnement
 Développement de fonctions sensorielles (capteurs) et d’actionneurs

• Quelques grandes dates dans l’histoire de l’électricité / électronique
Phénomènes électriques : Notion de fluide électrique (XIXème siècle)
https://www.sudouest.fr/sciences-et-technologie/qui-etait-thomas-edison-mort-il-y-a-90-ans-6614609.php
https://www.turbosquid.com/it/3d-models/barlows-wheel-model-1825468 https://myhero.com/samuel-morse
https://en.wikipedia.org/wiki/Alessandro_Volta https://johnstonsunrise.net/stories/risorgimento-and-telephones,63338 https://www.baesystems.com/en/marconi-company-page-part-1
https://www.alamy.com/deviation-of-the-magnetic-needle-by-current-of-battery-hans-christian-rsted-august-14-1777image246611864.html

• Quelques grandes dates dans l’histoire de l’électricité / électronique
Aire de l’électronique
Connaissance de l’électron, de l’atome et développement de la mécanique quantique (XXème siècle)
https://dailygeekshow.com/eniac-premier-ordinateur/ https://www.inneance.fr/il-y-a-50-ans-lordinateur-qui-emmena-lhomme-sur-la-lune/
http://labodingo.free.fr/1947.php https://www.researchgate.net/figure/23-Schema-dun-Transistor-MOS-a-canal-N_fig6_277045717

• Illustration de l’intérêt des semiconducteurs
Mémoires Microprocesseurs Analog Devices ADIS16460 6-axis MEMS


• A propos des propriétés uniques des matériaux semiconducteurs : Quelques réflexions !!!
 Qu’est-ce qu’un courant électrique?
 On considère un électrolyte. On plonge dans cet électrolyte deux électrodes métalliques que l’on polarise avec
un générateur de tension ou de courant. Décrire ce que se produit :

 L’électrolyte est parcouru par un courant de 100 mA. Qu’est ce que cela signifie ?

 On considère maintenant un matériau solide (métal, isolant, …), que l’on peut schématiser de la manière
suivante:
Décrire cette figure.

 Qui est responsable de la cohésion de la matière ?
 Quelle est la nature de la force entre les électrons et les noyaux atomiques ?

 On considère un matériau isolant (par exemple du verre). On polarise ce matériau avec un générateur de
tension ou de courant. Décrire ce qui se produit :


 On considère maintenant un métal. On polarise ce métal avec un générateur de tension ou de courant. Décrire
ce qui se produit :

 Quel est l’ordre de grandeur de la densité d’électrons libres dans un métal?

En admettant qu’il y ait 1 électron libre (aussi appelé électron de conduction) par atome pour les métaux, déterminez l’ordre de
grandeur de la densité d’électrons libres en nombre d’électrons par cm3, ainsi que l’ordre de grandeur de la distance interatomique.
Pour cela, on considérera les cas du Cuivre et du Platine pour lesquels on donne :
Cuivre : Masse volumique ρ=8.96 g.cm-3 et Masse atomique Ma=63.5 g/mole
Platine : Masse volumique ρ=21.5 g.cm-3 et Masse atomique Ma=195 g/mole
 Quel est l’ordre de grandeur de la vitesse de déplacement des électrons causée par le champ électrique
On considère un conducteur de cuivre, cylindrique, de diamètre 1mm, parcouru par un courant de 100mA. Déterminez l’ordre de grandeur de la
vitesse de dérive du nuage d’électrons. Expliquez en quoi les signaux électriques permettent de communiquer quasiment en temps réel…

Certains matériaux, que l’on appelle semiconducteurs, se comportent comme les isolants à 0 K. Ils ne sont donc
pas conducteurs d’électricité. Par contre, lorsqu’on leur fourni de l’énergie (en augmentant par exemple la
température, ou bien en les illuminant), certains électrons vont être libérés…. Ces matériaux vont donc devenir
conducteurs électriques. Nous étudierons l’effet de la température et de l’illumination sur les semiconducteurs.

 Que représente pour vous le 0 K ?
 La densité d’électrons libres que l’on aura dans un matériau semiconducteur, sera toujours bien inférieure à
celles des métaux.

• Origine physique des propriétés des matériaux semiconducteurs

Comme nous allons le présenter, la principale propriété des matériaux semiconducteurs est de pouvoir
contrôler la densité de porteurs libres.
- Dans un métal, la densité d’électrons libres est invariablement de l’ordre de 1022 à 1023 électrons / cm3, et
ceci quel que soit le métal considéré. Ces électrons libres sont à l’origine des propriétés de conduction.
- Dans un isolant, la densité d’électrons libres est théoriquement nulle. C’est pour cela qu’ils ne conduisent
pas l’électricité.
Dans un semiconducteur, la densité de porteurs libres pourra être ajustée par dopage, dans des gammes allant
de 1012 à 1019 électrons libres / cm3 (pour le silicium). Cette propriété, apparemment anodine, rendra possible la
réalisation de diodes, de transistors bipolaires, de transistors à effet de champs, … et donc la réalisation de
composants plus complexes comme les amplificateurs, les microprocesseurs, les mémoires, …
Dans certains cas, la densité de porteurs libres sera très sensible à la température, aux conditions d’éclairement,
…
 Fort intérêt des semiconducteurs dans le développement de fonctions sensorielles.
• En résumé
On retrouve les matériaux semiconducteurs (et notamment le silicium) dans tous les domaines de l’électronique
analogique, numérique et logique, mais aussi dans le domaine des fonctions sensorielles (capteurs), de part:
- Leurs propriétés intrinsèques, adaptées au domaine des capteurs.
- La possibilité d’utiliser les mêmes technologies pour réaliser les capteurs que celles utilisées pour réaliser les
composants électroniques (micro et nano-électronique), et ainsi diminuer les coûts de fabrication.
- La possibilité d’intégrer l’électronique de traitement de l’information proche du capteur et ainsi réaliser des
composants plus performants et à moindre coût.

• Objectifs du cours
 Comprendre et saisir:
- Les propriétés particulières des matériaux semiconducteurs.

- Leurs intérêts en électronique et en instrumentation (capteurs et montages associés).
 Pour cela :
- Acquérir les notions élémentaires de la physique du solide. Théorie des

- Comprendre ce qui différencie un métal, un isolant, et un semiconducteur. Bandes d’énergie
- S’intéresser aux mécanismes de conduction électrique dans les solides.
- S’intéresser aux propriétés des composants électroniques élémentaires (diode, transistors
bipolaires, transistors MOS) et comprendre leur intérêt.
- S’intéresser à des montages électroniques de base, utilisés en instrumentation et en électronique.

Partie 1 :
Etude des dispositifs semiconducteurs :

Approche phénoménologique


L’objectif de ce premier chapitre est de présenter les dispositifs semiconducteurs élémentaires qui composent
les circuits électroniques. Il a pour but de faire le lien avec d’autres cours du parcours EEEA, et de vous faire prendre
conscience de l’importance des matériaux semiconducteurs en électronique et dans le domaine de l’instrumentation.
Afin d’être plus complet, nous commencerons par rappeler l’intérêt des composants élémentaires dans les montages
électriques.
I.1) Rappels sur les composants élémentaires de l’électricité

I.1.a) La résistance
I.1.b) La capacité
I.1.c) La self
I.2) Les composants élémentaires de l’électronique

I.2.a) La jonction à semiconducteurs
I.2.b) Le transistor Bipolaire
I.2.c) Le transistor à effet de champ – Transistor MOS
I.3) Composants élémentaires pour l’instrumentation

I.1 : Rappels sur les composants élémentaires de l’électricité
● Rappel sur les circuits et composants.
- Les circuits électriques/électroniques sont formés de composants élémentaires (R, L, C, diode, transistors, …)
- Tout composant électrique/électronique agit « à sa manière» sur le flux d’électrons.

 Il est défini par une fonction électrique (U = R.I, Q = C.U, …)
Lorsque cette fonction électrique dépend de paramètres physiques extérieurs  Application capteurs.
- Il est le siège d’un transfert d’énergie avec l’extérieur (électrique ↔ thermique, électromagnétique, …).
 Il est défini par une fonction énergétique (P = R.I2, W = ½.C.U2, …)
- Un composant élémentaire peut être passif ou actif.
- Les composants élémentaires sont combinés (connectés) entre eux de manière à réaliser la fonction
électronique désirée, aussi complexe soit elle.

I.1) Rappels sur les composants élémentaires de l’électricité
I.1.a) La résistance
● Constituée d’un conducteur électrique (métal ou semiconducteur), caractérisé par sa conductivité σ ou sa
résistivité ρ = 1/ σ. La conductivité est d’autant plus grande que le conducteur possède des charges libres mobiles
(voir chapitre II).
● Rôle
-
-
● Fonction électrique (Loi d’Ohm)
● Fonction énergétique (Effet Joule)  Démonstration au chapitre II
● Associations
- Association série
- Association parallèle
- Equivalence triangle-étoile

● Applications électriques
 Activité 1.1: Le réseau R-2R
𝐿𝐿
● Applications capteurs: 𝑅𝑅 = 𝜌𝜌.
𝑆𝑆
Mesurande Matériaux
Température Métaux, Semiconducteurs
Flux lumineux Semiconducteurs
Déformation Mat. Piézorésistif
Champ d’induction Mat. Magnétorésistifs
Humidité Chlorure de Lithium
Thermistance
(http://www.e44.com)
Photo-résistance
Sonde Pt100 (https://www.jalankatak.com)
(https://fr.rs-online.com)
Jauge de contrainte
(https://www.hbm.com)

I.1.b) Le condensateur
● Constitué d’un isolant (diélectrique) caractérisé par sa permittivité ε, séparant 2 armatures conductrices. La
permittivité d’un isolant décrit sa réponse à une polarisation électrique. Pour une même charge électrique, plus la
permittivité ε est importante, et moins le champs électrique créé dans le diélectrique le sera.
https://fr.wikibooks.org/wiki/%C3%89lectricit%C3%A9/Le_condensateur
Condensateur planaire Condensateur cylindrique Condensateur sphérique
𝐴𝐴 2. 𝜋𝜋. 𝐿𝐿 4. 𝜋𝜋. 𝑅𝑅1 . 𝑅𝑅2
𝐶𝐶 = 𝜀𝜀. 𝐶𝐶 = 𝜀𝜀. 𝐶𝐶 = 𝜀𝜀.
𝑑𝑑 𝑙𝑙𝑙𝑙 𝑅𝑅2 ⁄𝑅𝑅1 𝑅𝑅2 − 𝑅𝑅1
● Rôle
-
-
-
● Fonction électrique (régime quelconque et régime sinusoïdal)
● Fonction énergétique
● Associations

 Activité 1.2 : Problématique du stockage de l’énergie électrique
 Activité 1.3 : Découplage d’alimentations électroniques
 Activité 1.4: Filtrage passif et actif
𝐴𝐴
● Applications capteurs 𝐶𝐶 = 𝜀𝜀.
𝑑𝑑
 Activité 1.5: L’accéléromètre et le gyroscope capacitif

I.1.c) La self (pour information, mais hors programme)

● Constituée d’un ensemble de spires plongées dans un milieu caractérisé par sa perméabilité magnétique µ. La
perméabilité décrit le comportement du milieu à une excitation magnétique.
https://fr.wikipedia.org/wiki/Inductance
𝑆𝑆. 𝑛𝑛2
𝐿𝐿 = µ.
𝑙𝑙
𝑙𝑙
● Rôle
- Siège des phénomènes d’induction magnétique (transformateur, charge par induction, …) Lenz-Faraday
- Générer un champ magnétique.
- Emmagasiner de l’énergie sous forme électromagnétique.
- S’opposer aux variations de courant (self-induction).
● Fonction électrique
● Fonction énergétique
● Associations

- Le transformateur.
- L’électroaimant.
- Le hacheur, …
● Applications capteurs
- Capteur de position et de déplacement
https://www.celeramotion.com/zettlex/fr/assistance/documents-techniques/capteurs-inductifs/
- Capteur de rotation et de vitesse angulaire

- Tête de lecture (et écriture) d’un disque dur.
- Antennes RMN
- Boussole électronique
- Capteur de champ d’induction, …
Remarque : Les capteurs inductifs sont réputés pour leur fiabilité et leur robustesse. Ils sont par contre volumineux
et difficilement intégrables (technologies MEMS). Leur principe de fonctionnement et leur mise en œuvre sont
aussi plus compliqués, ce qui fait que dans la pratique ils ne sont pas les plus largement utilisés.



I.2 : Les composants élémentaires de l’électronique
I.2) Les composants élémentaires de l’électronique

I.1.a) La jonction à semiconducteurs
La physique des jonctions fera l’objet du chapitre IV. Une jonction est simplement constituée de deux matériaux
différents en contact. Les jonctions composées au moins d’un matériau semiconducteur ont des propriétés
exceptionnelles, utilisées dans de très nombreux domaines de l’électronique:
- Redresseur, diode de roue libre, référence de tension, détecteur de crêtes, écrêteurs, …
- Emetteur (LED) et récepteur de lumière (photo-diode)
- Cellule photovoltaïque
- Thermojonction, ….
- Capacité variables (varicap), ….
Plusieurs types de diode, plusieurs symboles :

- Symbole générique - Diode Zener
- Diode Schottky - Varicap
- Diode électroluminescente - Photodiode
 La jonction à semiconducteurs la plus courante est la jonction PN. Elle est constituée d’un matériau
semiconducteur de type P et d’un matériau semiconducteur de type N. Son étude complète sera effectuée en TD.
Les matériaux semiconducteurs de type P et N seront présentés au chapitre III.

● Fonction électrique (qui sera démontrée en TD) :
𝑞𝑞. 𝑉𝑉
𝐼𝐼 = 𝐼𝐼𝑠𝑠 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 −1
η. 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
 Définir les différents termes de la caractéristique
 Dans toute la suite du cours, nous considérerons la diode idéale. Ainsi nous prendrons un facteur d’idéalité de 1.

 Tracé de la caractéristique électrique

● Modèle équivalent en statique: Diode idéale sans tension de seuil
● Modèle équivalent en statique: Diode idéale avec tension de seuil

● Modèle équivalent en statique: Diode idéale avec tension de seuil et résistance interne
- Modèle autour du point de fonctionnement (I0,V0)

 Vu en détail dans le cours
Composants et Circuits électroniques
(GEP3029L)

● Modèle équivalent en dynamique: Basse fréquence

- On superpose un signal constant (polarisation) et un signal variable (dit petit signal).
 En dynamique la diode se comporte comme une résistance rd.
Rth Rth Rth
I I0 i
= +
e
V Eth V0 e v rd
Eth
Polarisation Petits signaux

● Modèle équivalent en dynamique: Haute fréquence

- On superpose un signal constant (polarisation) et un signal variable (dit petit signal).
- Prise en compte de l’effet capacitif de la jonction (nous verrons en effet, lors de l’étude physique des jonctions,
qu’une jonction a un comportement capacitif).
 En dynamique la diode se comporte comme une résistance rd en parallèle à une capacité CD.
Rth Rth Rth
I I0 i
= +
e
V Eth V0 e v rd CD
Eth
Polarisation Petits signaux

 Activité 1.6 : Montages redresseurs
 Activité 1.7 : Diode Zener et régulation de tension
 Activité 1.8 : Détecteur d’enveloppe et démodulation d’amplitude
 Activité 1.9 : Diode Varicap
 Activité 1.10 : Diodes électroluminescentes
 Activité 1.11 : Cellule photovoltaïque
 Activité 1.12 : La photodiode
 Activité 1.13 : La thermojonction

I.2.b) Le transistor bipolaire

● Un transistor bipolaire est un dispositif semiconducteur constitué de 3 zones semiconductrices NPN ou PNP
disposées en série. Il existe ainsi des transistors NPN et PNP. Les 3 zones sont nommées respectivement émetteur
(E), base (B) et collecteur (C).
Collecteur Base Emetteur Collecteur Base Emetteur
C C
N P N P N P
B B
E E
Transistor NPN Transistor PNP
● L’effet transistor bipolaire, contrairement au transistors à effet de champ, a été découvert par hasard lors de
l’étude de la conductivité des matériaux semiconducteurs (Laboratoire Bell, 1947). Dans ce type de transistor, le
courant électrique entre l’émetteur et le collecteur est modulé par une barrière de potentiel. Cette barrière de
potentiel, constituée par la base, peut être contrôlée en appliquant un potentiel électrique sur cette dernière
(polarisation de la jonction BE).

● Le fait de polariser la jonction BE, fait circuler un courant IB dans cette dernière. Dans certaines conditions
(jonction BE polarisée en direct et jonction CB polarisée en inverse), on obtient l’effet d’amplification du courant
(Chapitre 5).
𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝜷𝜷. 𝐼𝐼𝐵𝐵

Où β est le gain en courant du transistor.
● Caractéristique idéale d’un transistor bipolaire
« Transistor Man »
P. Horowitz, W. Hill, The art of electronics
https://slideplayer.fr/slide/11231119

● Applications électriques : En mode amplificateur de courant
 Activité 1.14 : Amplificateur de tension
 Activité 1.15 : Amplificateur différentiel (vers l’AOP)
 Activité 1.16 : Miroir de courant
● Applications électriques : En mode bloqué saturé (équivalent à un interrupteur piloté par VB).
 Activité 1.17 : Portes logiques pour l’électronique numérique et logique
 Activité 1.18 : Le phototransistor
Remarque: Les chaînes de mesure font systématiquement appel à des montages électroniques pour la mise en forme des
signaux (amplification, décalages, linéarisation, conversions …), qui font intervenir les Amplificateurs Opérationnels.


I.2.c) Le transistor MOS (ou MOSFET)

● Un transistor MOS (Métal-Oxyde-Semiconducteur) ou MOSFET est un dispositif semiconducteur constitué de 3
zones semiconductrices NPN ou PNP, qui constituent la Source (S), le Bulk (B) et le Drain (D). Une quatrième
électrode (la Grille) est placée entre le Drain et la Source et est isolée par un oxyde (l’oxyde de grille). Il fait partie
des transistors à effet de champ. Dans ce type de transistor, la conduction électrique entre source et drain, est
modulée par la polarisation de la grille, qui modifie, par influence électrostatique, la concentration des porteurs
libres sous l’oxyde de grille. Il existe plusieurs type de transistors MOS (à enrichissement, à appauvrissement, …).
Nous nous contenterons ici de donner le principe.
Oxyde de grille
Source Grille Drain Source Grille Drain
N N P P
P N
Bulk Bulk
G G
S D S D
B B

● Le cœur du transistor MOS est la capacité MOS (Métal-Oxyde-Semiconducteur). En polarisant cette capacité
(entre la Grille et le Bulk), des charges apparaissent dans la grille et dans le semiconducteur (sous l’oxyde de grille).
Dans le semiconducteur, ces charges peuvent modifier la conduction électrique entre la source et le drain. La
conductance entre le Drain et la Source est donc pilotée par la tension VGS aux bornes de la capacité MOS (puisque
bulk et source sont reliés)
https://www.crowdsupply.com/open-music-labs/mosfet-girl
L’oxyde étant un isolant supposé idéal, il n’y a pas de courant au niveau de la grille. La caractéristique électrique du
transistor MOS est donc plus simple que pour un transistor bipolaire. N’apparaissent que IDS, VGS et VDS. Il existe 3
régimes : bloqué, actif linéaire, actif saturé.
𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅 𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎 𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙 → 𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷 = 𝐾𝐾. 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇 . 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷

IDS IDS VDSsat=VGS-VT
Régime Régime de saturation
« Mosfet Girl »
linéaire VGS4 > VGS3
VGS3 > VGS2

Régime bloqué
VGS2 > VGS1

Régime
linéaire VGS1 > VT
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 < 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷
VGS < VT
VT VGS VDS
Caractéristique idéale d’un transistor n-MOS à enrichissement

● Applications électriques : Au même titre que le transistor bipolaire, le transistor MOS a de nombreuses
applications (amplificateurs, AOP, miroir de courant,..). L’avantage du MOS est qu’il est contrôlé par une tension sur
une grille isolée électriquement. Il consomme donc moins d’énergie pour la commande.
Il est devenu au fil du temps LE transistor de l’électronique numérique et logique. Il permet en effet de réaliser des
portes logiques fonctionnant avec des consommations optimales (point fondamental lorsque les circuits font
intervenir des milliards de portes comme dans les microprocesseurs). De plus, une étude approfondie montre que
les performances du transistor MOS augmente lorsque l’on diminue ses dimensions.
http://icn13.alwaysdata.net/processeurs.html
 Activité 1.19 : Technologie CMOS, brique de base de l’électronique numérique et logique
 Activité 1.20: Le transistor ISFET


I.3 : Composants élémentaires pour l’instrumentation
I.3) Composants élémentaires pour l’instrumentation (TDs capteurs)

Lorsque la caractéristique électrique d’un composant est fonction d’une grandeur extérieure, cela réalise une
fonction capteur:
- Accéléromètre  Condensateur dont la distance inter-électrodes d dépend de l’accélération.
- Sonde Pt100  Résistance métallique dont la résistivité ρ dépend de la température.
- Thermistance  Résistance semi-conductrice dont la résistivité ρ dépend de la température.
- Photorésistance  Résistance semi-conductrice dont la résistivité ρ dépende de l’illumination.
- Photodiode  Diode traversée par un courant dépendant de l’illumination (photocourant).
- Phototransistor  Transistor bipolaire dont le courant de collecteur Ic dépend de l’illumination de la base.
- Capteur ISFET  MOSFET dont le courant Drain-Source dépend de la polarisation de la grille dans un électrolyte.
- …
Les semiconducteurs, de par leurs propriétés intrinsèques (voir partie 2) et la possibilité d’intégrer l’électronique
de traitement de l’information, sont particulièrement utilisés dans le domaine de l’instrumentation .
 Mais finalement, pourquoi développer différents capteurs de même type (exemples concernant les capteurs
de température : thermocouple, thermojonction, thermistance, sonde Pt100, …) ?
Un capteur est défini par des caractéristiques métrologiques (sensibilité, étendue de mesure, rapidité, grandeurs d’influences…). Tous les capteurs n’ont pas les
mêmes caractéristiques.
Les choix du capteur pour une application donnée sera guidé par le coût, la simplicité de mise en œuvre, mais surtout par le cahier des charges qui va
définir des conditions sur les paramètres métrologiques.
Exemple : Vous souhaitez étudier l’élévation de température d’un gaz lors d’une explosion. Il est évident que le capteur devra avoir un faible temps de réponse,
et une plage de mesure importante. Vous souhaitez réaliser un thermomètre médical, il devra être précis, mais l’étendue de mesure n’est pas un critère
fondamental.

Notes : L’intérêt des capteurs semiconducteurs sera traité en TDs capteurs. Le domaine de l’instrumentation a été
introduit en L2 (UE GEP2013L Capteurs et Chaînes Instrumentales), et fera l’objet de cours complets au niveau
Master. Dans le cadre de ce cours de L3 nous utiliserons principalement les notions de sensibilité, d’étendue de
mesure et d’incertitude de mesure. L’étude des montages fait appel aux lois de l’électrocinétique que vous devez
maitriser et L3.
Exercice : Photodiode en régime photoconducteur

Le montage ci-dessous représente une photodiode soumise à un rayonnement Φ à mesurer. Le capteur est
alimenté par une tension fixe E et délivre un photo-courant (IΦ=k.Φ) qui s’écoule dans la résistance R aux bornes de
laquelle est mesurée la tension de sortie Vs. On suppose que le courant d’obscurité est nul.
Q1) De quelle chaîne de mesure s’agit-il et quel est son principe de fonctionnement?
Q2) Exprimez l’étendue de mesure [0,ΦM] et la sensibilité s=∆Vs/∆∅ du montage en fonction de E, R et k.
Q3) On réalise le montage en utilisant une alimentation E = 5 volts et une résistance R = 1kΩ.
Φ
Le montage est étalonné pour 2 valeurs calibrées du flux Φ :
IΦ
Φ0 = 0 : Vs0 = 0,000 V ± 1 mV
Φ1 = 5 mW Vs1 = 0,500 V ± 1 mV
E R Vs
Q4) Calculez la sensibilité s et l’étendue de mesure.
Q5) Déterminez l’incertitude et l’incertitude relative sur s.
Q6) Déterminez k et l’incertitude sur k. On supposera que les erreurs de mesure du E et R sont respectivement de
1mV et de 1Ω.


Note sur le calcul d’incertitudes:
Soit une grandeur calculée à partir de deux autres 𝒚𝒚 = 𝒇𝒇(𝒂𝒂, 𝒃𝒃). Une variation da sur a et db sur b induit bien
évidemment une variation dy sur y.
𝜕𝜕𝑓𝑓 𝜕𝜕𝑓𝑓
Le calcul différentiel permet de poser : 𝑑𝑑𝑑𝑑 = . 𝑑𝑑𝑑𝑑 + . 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝜕𝜕𝑎𝑎 𝜕𝜕𝑏𝑏
Dans le domaine de la mesure, les variations da et db correspondent à des incertitudes de mesure ∆a et ∆b

(grandeurs positives). Il est possible de déterminer l’incertitude ∆y sur la détermination de la valeur de y, en
sommant les sources d’erreurs:
𝜕𝜕𝑓𝑓 𝜕𝜕𝑓𝑓
∆𝑦𝑦 = . ∆𝑎𝑎 + . ∆𝑏𝑏
𝜕𝜕𝜕𝜕 𝜕𝜕𝜕𝜕
 Déterminez ∆y dans les 3 cas suivants
𝑦𝑦 = 𝑎𝑎 + 𝑏𝑏
𝑦𝑦 = 𝑎𝑎. 𝑏𝑏
𝑦𝑦 = 𝑎𝑎/𝑏𝑏

Partie 2 :
Etude des dispositifs semiconducteurs :
Approches physique et technologique

Chapitre II : Théorie élémentaire de la conduction électrique dans les métaux.
Chapitre III : Conduction électrique dans les matériaux. Théorie des bandes. Cas des Semiconducteurs.
Chapitre V : Physique des transistors bipolaire et MOS

Chapitre II : Théorie élémentaire de la conduction dans les métaux
Au début du 20ième siècle, il est connu que certains matériaux conduisent bien l’électricité et d’autres non. Les
semiconducteurs ne sont pas encore connus. Suite à la découverte de l’électron (Joseph John Thomson – 1897), Paul
Drude a adapté la théorie cinétique des gaz aux électrons dans la matière de manière a expliquer les propriétés de
conductivités électriques et thermiques des métaux. Dans ce modèle l’électron libre est considéré comme une
particule classique soumis à l’agitation thermique.
On parle de gaz d’électrons.
II.1) Modèle de Drude (1900)  L’électron est une particule classique

II.1.a) Métal à l’équilibre thermodynamique
II.1.b) Métal sous polarisation
II.2) Limites du modèle de Drude
II.3) Signification énergétique du potentiel électrostatique

II.1 : Modèle de Drude (1900)  L’électron est une particule classique
II.1 : Modèle de Drude (1900)  L’électron est une particule classique

• Modélisation du comportement d’un conducteur électrique : Notion d’électrons libres
L
Atomes ionisés (ayant perdus ≈ 1 électron) Electrons quasi-libres

Densité atomique ≈ 1022 à 1023 cm-3 Densité n ≈ 1022 à 1023 cm-3
Soumis à l’agitation thermique
Les matériaux conducteurs possèdent des électrons libres contrairement aux isolants.
- Les électrons libres se comportent comme un gaz de particules classiques soumises à l’agitation thermique.
- Les électrons rentrent en collision avec les noyaux atomiques du réseau, qui sont eux même soumis à l’agitation
thermique (notion de phonon)  il y a à chaque instant un transfert d’énergie entre les électrons et les atomes et
entre les atomes et les électrons :  Notion d’équilibre thermodynamique

II.1.a) Métal à l’équilibre thermodynamique

• Agitation thermique : Statistique de Maxwell - Boltzmann
Les électrons libres se comportent comme un gaz de particules soumis à l’agitation thermique. Tous les
électrons libres n’ont pas la même vitesse 𝑣𝑣. La densité probabilité 𝑓𝑓 𝑣𝑣 (statistique de Maxwell –Boltzmann) donne
la distribution des vitesses: Energie cinétique de l’électron
1
𝑚𝑚 3/2 . 𝑚𝑚. 𝑣𝑣 2 Constante de Boltzmann k = 1,38.10-23 J/K
𝑓𝑓 𝑣𝑣 = 4. 𝜋𝜋. 𝑣𝑣 2 . . exp − 2
2. 𝜋𝜋. 𝑘𝑘. 𝑇𝑇 𝑘𝑘. 𝑇𝑇 Masse de l’électron m = 9,1.10-31 Kg
Energie thermique
1.0x10-5 2. 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝑣𝑣𝑝𝑝 = Vitesse de probabilité maximum
0°C 𝑚𝑚
8.0x10-6
6.0x10-6 400°C
f(v) (s/m)
 Quelle est la probabilité d’avoir un électron dans

4.0x10-6
une bande de vitesses dv ?
1000°C
2.0x10-6
0.0 𝑣𝑣2
0 1x105 2x105 3x105 4x105
 Que représente � 𝑓𝑓 𝑣𝑣 . 𝑑𝑑𝑑𝑑
v(m/s) 𝑣𝑣1

 Que représente la température T ?
 Que représente la température 0 K ?
 Que représente k.T ?
 Commentez l’évolution de 𝑓𝑓(𝑣𝑣) en fonction de la température
∞
 On peut montrer que : � 𝑓𝑓 𝑣𝑣 . 𝑑𝑑𝑑𝑑 = 1 Commentez.
0

• Notion de libre parcours moyen
• Notion de temps de relaxation

1
𝜏𝜏 ∝
𝑣𝑣
• Notion d’équilibre thermodynamique

∞
8. 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
• Vitesse moyenne des électrons 𝑣𝑣 = � 𝑣𝑣. 𝑓𝑓 𝑣𝑣 . 𝑑𝑑𝑑𝑑 = → 𝝉𝝉 ∝ 𝑻𝑻−𝟏𝟏/𝟐𝟐
0 𝜋𝜋. 𝑚𝑚
• Vitesse de dérive du nuage d’électrons 𝑣𝑣⃗ = 0
• Energie cinétique moyenne des électrons

∞
1 3. 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝐸𝐸𝑐𝑐 = . 𝑚𝑚. � 𝑣𝑣 2 . 𝑓𝑓 𝑣𝑣 . 𝑑𝑑𝑑𝑑 =
2 2
0

II.1.b) Métal sous polarisation

• Courant de conduction
Le nuage d’électrons libres peut se déplacer sous l’action de la force de Lorenz.

𝐹𝐹⃗ = 𝑞𝑞. 𝜉𝜉⃗ + 𝑣𝑣⃗ ∧ 𝐵𝐵
Par la suite nous ne considèrerons que l’effet du champ électrique (ainsi nous tiendrons compte que de la force de
Coulomb).
𝐹𝐹⃗ = 𝑞𝑞. 𝜉𝜉⃗
Le gaz d’électrons libres se déplace dans la direction opposée du champ électrique. Sa vitesse moyenne devient non
nulle. On peut définir une vitesse de dérive 𝒗𝒗𝑫𝑫 du gaz d’électrons.
 En considérant les électrons comme des particules de masse m, non soumis à l’agitation thermique (pour
simplifier), et soumis à un champ électrique 𝝃𝝃, représentez l’évolution de leur vitesse au cours du temps.

 En déduire que l’on peut définir une vitesse moyenne, qui correspond à la vitesse de dérive 𝒗𝒗𝑫𝑫 définie
précédemment.
𝑞𝑞. 𝜏𝜏
𝑣𝑣𝐷𝐷 = . 𝜉𝜉
2. 𝑚𝑚
Remarque: Le même raisonnement pourrait être fait en considérant l’agitation thermique. Notons que : 𝑣𝑣𝐷𝐷 ≪ 𝑣𝑣
 Montrez que la densité de courant traversant une section de conducteur est donnée par la relation:
𝐽𝐽 = 𝑛𝑛. 𝑞𝑞. 𝑣𝑣𝐷𝐷

• Notion de mobilité
𝑞𝑞. 𝜏𝜏 𝑞𝑞. 𝜏𝜏
𝑣𝑣𝐷𝐷 = . 𝜉𝜉 = µ. 𝜉𝜉 → µ= [I.1]
2. 𝑚𝑚 2. 𝑚𝑚
• Courant de conduction – Conductivité électrique
𝐽𝐽 = 𝑛𝑛. 𝑞𝑞. 𝑣𝑣𝐷𝐷 = 𝑛𝑛. 𝑞𝑞. 𝜇𝜇. 𝜉𝜉 = 𝜎𝜎. 𝜉𝜉 𝜎𝜎 = 𝑛𝑛. 𝑞𝑞. µ [I.2]
• Expression générale des courants : Courant de conduction et courant de diffusion
𝑑𝑑𝑑𝑑(𝑥𝑥) 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝐽𝐽 = 𝑛𝑛. 𝑞𝑞. 𝜇𝜇. 𝜉𝜉 + 𝑞𝑞. 𝐷𝐷. 𝐷𝐷 = .µ [I.3]
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑞𝑞
 Définir tous les termes de l’équation [I.3]

• Effet Joule
 Montrer que la puissance dissipée par effet Joule dans une résistance électrique R parcourue par une courant I
est 𝑃𝑃 = 𝑅𝑅. 𝐼𝐼 2 = 𝑈𝑈. 𝐼𝐼. On considéra pour simplifier que les électrons ne sont pas soumis à l’agitation thermique. Le
raisonnement aboutirait cependant au même résultat en considérant l’agitation thermique.

II.2 : Limites du modèle de Drude

Le modèle de Drude permet d’avoir une approche phénoménologique des conductions électrique et thermique
des matériaux conducteurs. Il permet de définir les notions de conductivité, de temps de relaxation, de mobilité, … Il
ne permet pas, en revanche, de rendre compte correctement de l’évolution de la conductivité électrique en fonction
de la température.
 D’après les équations précédentes, comment devrait évoluer la conductivité d’un métal avec la température ?

 On considère le cas du platine. Le fabricant d’une sonde Pt100 donne la fonction de transfert suivante:
𝑅𝑅𝑐𝑐 𝜃𝜃 = 100. 1 + 3,85. 10−3 . 𝜃𝜃
En déduire comment évolue la conductivité électrique en fonction de la température absolue. Conclure.
Ainsi le modèle de Drude ne peut rendre compte correctement de l’évolution de la conductivité électrique des
métaux avec la température. Pour aller plus loin il est important de prendre en compte le comportement particuliers
des électrons. L’électrons ne peut être vu comme une particule classique. Son comportement ne peut être décrit que
dans le cadre de la mécanique quantique … Enfin le modèle de Drude a été développé pour les métaux, et ne permet
pas de modéliser le comportement particulier des matériaux semiconducteurs.

II.3 : Signification énergétique du potentiel électrostatique

Comme nous venons de le voir, les charges libres dans un matériau conducteur sont déplacées par l’action d’un
champ électrostatique ξ , ce qui crée un courant électrique.
Dans l’étude des circuits électriques, nous parlons cependant rarement de champ électrostatique. Les circuits sont
étudiés en faisant appel à la notion de différence de potentiel aux bornes d’un élément.
En effet, nous savons tous qu’une résistance électrique R, soumise à une différence de potentiel V, est parcoure par
un courant I, donné par la loi d’Ohm 𝑉𝑉 = 𝑅𝑅. 𝐼𝐼
Mais que représente physiquement la différence de potentiel ?
En mécanique, lorsque l’on désire étudier la trajectoire d’un élément de masse m, deux approches sont possibles:
- L’approche par les forces et la relation fondamentale de la dynamique.
1
- L’approche énergétique et de conservation de l’énergie. On définit pour cela l’énergie cinétique ( . 𝒎𝒎. 𝑣𝑣 2 ) et
2
l’énergie potentielle de l’élément (𝒎𝒎. 𝑔𝑔. ℎ).
Un élément se déplace naturellement dans le sens des énergies potentielles décroissantes.
Il en est en fait de même pour l’étude du déplacement de charges électriques. En électrostatique on montre que
l’énergie potentielle d’une charge q placée dans une région où règne un champ électrostatique ξ est donnée par la
relation 𝐸𝐸𝑝𝑝 = 𝒒𝒒. 𝑉𝑉 , où V représente le potentiel électrostatique ou électrique. Le potentiel électrique est défini
mathématiquement par la relation: ξ = − 𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺(𝑉𝑉)

Ainsi la notion de potentiel électrique est intimement liée à la notion d’énergie. C’est ce que nous allons utiliser
dans l’étude des propriétés de conduction électrique des matériaux. Ceci apparaîtra aussi de manière intuitive dans
l’étude des matériaux semiconducteurs, dans la théorie des bandes d’énergie.
Soit le circuit électrique suivant, où U = 1V et R = 100 Ω
 Déterminez l'énergie potentielle des électrons en B.
 Déterminez l’énergie potentielle des électrons en A.
 Est-il pertinent d’exprimer l’énergie des électrons en Joule ?
 Précisez le sens de déplacement des électrons.
 Quelle est l’énergie perdue par un électron lorsqu’il traverse la résistance.
 En déduire l’expression de la puissance perdue dans la résistance par effet Joule.

Chapitre III : Conduction électrique dans les semiconducteurs. Théorie des bandes. Application aux SC.
Chapitre III : Conduction électrique dans les solides – Théorie des Bandes - SC
Depuis la découverte de l’électrons et des premières études de l’énergie des électrons dans les atomes (début
du XXème siècle), il apparait clairement que leur comportement ne peut être décrit dans le cadre de la mécanique
classique. Dans certaines expériences, l’électron (comme le photon) se comporte comme une particule (pour le
photon: effet photoélectrique, …). Dans d’autres il se comporte comme une onde (pour le photon: diffraction par les
fentes d’Young). On parle de dualité onde-corpuscule.
https://thequantumphysics.wordpress.com/interpretation-de-lexperience-des-fentes-de-young/
C’est Louis de Broglie en 1923 qui découvre la nature ondulatoire de l’électron. En 1926, Erwin Schrödinger publia
plusieurs articles sur la mécanique ondulatoire, qui ont abouti à la célèbre équation de Schrödinger qui décrit « le
comportement » de l’onde associée à l’électron.
Le comportement « particulier » de l’électron est décrit dans le cadre de la mécanique quantique (nous n’irons pas
plus loin dans le cadre de ce cours de licence).
D’une manière simplifiée, lorsque l’électron, non

relativiste (vitesse très inférieure à celle de la lumière), se
déplace dans un volume infini il peut être vu comme une
particule classique pouvant prendre toutes les énergies
1
(𝐸𝐸𝑐𝑐 = . 𝑚𝑚. 𝑣𝑣 2 ). C’est le cas dans les tubes cathodiques 
2
Dès qu’il est « contraint » (par exemple piégé dans un petit volume comme dans
l’atome, se propageant dans un réseau cristallin, ou traversant des fentes (expérience
des fentes d’Young avec un faisceau d’électrons), …) son comportement ne peut plus
être expliqué dans le cadre de la mécanique classique.
 https://www.youtube.com/watch?v=JlsPC2BW_UI

C’est exactement le cas des électrons dans la matière. La matière, et
https://www.researchgate.net/figure/The-electronic-band-
notamment un cristal, peut être vue comme un agencement périodique de
structure-derived-from-the-Kronig-Penney-model-E-is-
charge positives (les noyaux des atomes) dans lequel « baignent » les
électrons. En partant de l’équation de Schrödinger, il est possible de montrer
que, dans ce cas, les électrons ne peuvent avoir toutes les énergies (Modèle
de Kronig-Penney). Il y a des bandes d’énergies permises et des bandes
electron-energy_fig5_319278856
d’énergies interdites. C’est à partir de cette théorie des bandes que l’on peut
expliquer pourquoi certains matériaux sont conducteurs, d’autres isolants, et
enfin d’autres semiconducteurs.
III.1) Introduction à la théorie des bandes
III.2) Conduction électrique dans les semiconducteurs

II.2.a) Effet de la température
II.2.b) Effet de l’illumination
II.2.c) Notion de courants d’électrons et de trous
III.3) Les semiconducteurs intrinsèques
II.3.a) Semiconducteur intrinsèque à l’équilibre thermodynamique
II.3.b) Semiconducteur intrinsèque sous illumination. Notion de recombinaison
III.4) Les semiconducteurs extrinsèques

II.4.a) Notion de dopage (sans dopage on ne contrôle rien, on subit l’effet de la température)
II.4.b) Dopage de type n.
II.4.c) Dopage de type p.
II.4.d) Effet de la température sur la densité de porteurs libres : cas du silicium de type n
II.4.e) Calcul des densités de porteurs dans le régime d’épuisement et conductivité.
II.4.f) Techniques de dopage

III.1 : Introduction à la théorie des bandes

• Supposons un cristal formé de N atomes identiques séparés les uns des autres d’une distance d.
• Si d est "grande", chaque atome peut être considéré comme isolé des autres.
https://nuclearsafety.gc.ca/fra/resources/radiation/introduction-to-radiation/atoms-nuclides-radioisotopes.cfm
→ Les niveaux d’énergie permis pour les électrons correspondent au modèle de Bohr.
→ Sur chaque niveau d’énergie, il y a au maximum 2.n2 électrons.
Cas de deux atomes isolés de silicium
3d 3d
3p 3p
3s 3s
Energie
2p 2p
2s 2s
1s 1s
Distance d

• Si d est "petite" (quelques Å dans la matière) les

électrons d'un atome sont influencés par la
présence des autres atomes.
→ Il y a une modification des niveaux d'énergie

permis.
• Lorsque les atomes se rapprochent, les niveaux

d’énergie forment des bandes d’énergie. Le gap
entre deux bandes représente les niveaux
d’énergie interdits pour les électrons.
• Dans chaque bande d’énergie permise il y a un

nombre de places par cm3. Il n’est pas possible
d’y mettre plus d’électrons.

• Théorie des bandes simplifiée
 Il existe des bandes d’énergies permises et des bandes d’énergies interdites. Chaque bande d’énergie permise
comporte un nombre de place pour les électrons (on parle de densité d’états en cm-3).
𝐸𝐸𝑇𝑇 = 𝐸𝐸𝑐𝑐 + 𝐸𝐸𝑝𝑝 Energie totale des électrons
𝐸𝐸0
Bande permise
Bande interdite
Bande permise Rappel : Pour un électron
𝐸𝐸𝑝𝑝 = −𝑞𝑞. 𝑉𝑉
Bande interdite
Bande permise
𝑞𝑞. 𝑉𝑉 x
 Les énergies sont généralement exprimées en eV. Qu’est ce qu’un eV ?
 On distingue 2 cas de structure de bande d’énergie, suivant le remplissage des bandes à 0 K :

Le cas des métaux : La dernière bande est incomplètement remplie: on l’appelle la bande de conduction.
Le cas des isolants et semiconducteurs: La dernière bande est totalement remplie: on l’appelle la bande de valence. La
bande suivante est la bande de conduction. Ces deux bandes sont séparées par un gap Eg.

• Théorie des bandes simplifiée : 2 cas sont possibles à 0 K, selon le remplissage de la dernière bande
Cas des métaux Cas des semiconducteurs et isolants

• A propos de la théorie des bandes
La théorie des bandes permet de comprendre très simplement les propriétés électriques, optiques, et électro-
chimique des matériaux. Ces propriétés dépendent des électrons présents dans la dernière couche.
 Pourquoi les électrons des bandes plus profondes n’interviennent pas dans ces propriétés ?
• Quelle est la principale différence entre le diagramme de bande d’un métal et d’un isolant à 0K ?
 Dans ce modèle comment peut-on expliquer simplement que les métaux possèdent des électrons libres
contrairement aux isolants ?

 Pourquoi la dernière bande remplie d’un matériau isolant s’appelle-t-elle la bande de valence ?
 Quelle est la différence entre un matériau isolant et un matériau semiconducteur ? Faire un rapprochement
avec le modèle simplifié présenté page 17 de ce cours…

III.2 : Conduction électrique dans les semiconducteurs

Dans l’étude des propriétés de conduction électrique, ou optique, ou chimique, on ne s’intéresse qu’aux bandes
de plus fortes énergies. Dans les cas des semiconducteurs, on s’intéressera à la bande de conduction et à la bande de
valence. Pour mieux comprendre, partons d’un semiconducteur à 0k → Le matériau est isolant.
Bande de Conduction
𝐸𝐸𝑐𝑐
𝐸𝐸𝑔𝑔
𝐸𝐸𝑣𝑣
Bande de Valence
 La propriété principale d’un matériau semiconducteur est son gap. Rappeler à quoi correspond le gap ?

III.2.a) Effet de la température

• A 0 K, un semiconducteur intrinsèque est un isolant.
• En augmentant la température, des électrons de la bande de valence peuvent passer dans la bande de
conduction. Il y a en effet un transfert permanent d’énergie entre le réseau cristallin et les électrons et
réciproquement. Le semiconducteur devient conducteur.
Bande de Conduction
Eg
Bande de Valence
 La résistivité d’un semiconducteur intrinsèque décroît avec la température.
 Plus le Gap du semiconducteur est important, moins la population d’électrons dans la

bande de conduction est importante à une température donnée.

III.2.b) Effet de l’illumination

• Lorsqu’un matériau semiconducteur absorbe un photon d’énergie E=hν > Eg, un électron de la bande de valence
peut passer dans la bande de conduction.
Application : Capteur de lumière
• Inversement, lorsqu’un électron passe de la bande de conduction à la bande de valence il y a émission d’un
photon de longueur d’onde E=hν=Eg.
Application : Diode électroluminescente
Phénomène de photo-génération Phénomène de recombinaison

dans un semiconducteur dans un semiconducteur
h.ν Eg h.ν

 L’énergie d’un photon dépend de la longueur d’onde et est donnée par :

𝑐𝑐 1.24
𝐸𝐸 = ℎ. 𝜈𝜈 = ℎ. 𝐸𝐸(𝑒𝑒𝑒𝑒) =
𝜆𝜆 𝜆𝜆 (µ𝑚𝑚)
D’après le tableau suivant donnant le gap des matériaux semiconducteurs, déduire si le silicium peut être utilisé
comme capteur de lumière visible ( 380nm – 780 nm). Quels sont les matériaux semiconducteurs pouvant être
utilisés pour réaliser des émetteurs de lumière dans le bleu ?
Remarque : Gap du GaN (Nitrure de Gallium)= 3.4 eV

III.2.c) Notions de courants d’électrons et de trous

• Lors de l’application d’une différence de potentiel aux bornes d’un matériau semiconducteur (T>0K ou illuminé), le
courant total a une composante due au déplacement d’électrons dans la bande de conduction et au déplacement
d’électrons dans la bande de valence. Les électrons se déplacent dans le sens des potentiels croissants. Vous
noterez cependant que seuls les électrons ayant une place disponible proche peuvent se déplacer dans la bande
de valence.
Jn
Jn
Jp
𝐽𝐽 = 𝐽𝐽𝑛𝑛 + 𝐽𝐽𝑝𝑝 = 𝜎𝜎. 𝜉𝜉 [III.1]
Dans la bande de valence, il sera plus simple de parler de déplacement « des places disponibles », qui vont en sens
inverse des électrons. Ainsi, tout se passe comme s’il existait un courant d’électrons dans la bande de conduction et
un courant de trous (charges positives) dans la bande de valence.
1
𝜎𝜎 = = 𝑛𝑛. 𝑞𝑞. µ𝑛𝑛 + 𝑝𝑝. 𝑞𝑞. µ𝑝𝑝 [III.2]
𝜌𝜌
Remarque : Dans le cas d’un métal, il y a uniquement un courant d’électrons

 Définissez n, p, µn et µp.
 Le tableau suivant montre que µn<>µp. Comment peut-on l’expliquer simplement ?

III.3: Les semiconducteurs intrinsèques
III.3 : Les semiconducteurs intrinsèques

• Semiconducteur intrinsèque : C’est un semiconducteur pur (sans aucune impureté). On distingue les
semiconducteurs intrinsèques des semiconducteurs extrinsèques (semiconducteurs dopés (III.4), dans lesquels ont
été ajoutées une quantité maitrisée d’impuretés).
• Un semiconducteur intrinsèque n’existe pas. Dans la pratique il y a toujours des impuretés. Dans le cadre du
développement de composants électroniques des technologies ont été mises en place pour purifier au mieux le
silicium  On parle de silicium de qualité électronique.
La pureté du silicium de qualité électronique est de 12 N : 99.999 999 999 9%
 Calculez la densité d’impureté du silicium de qualité électronique (en impureté par cm3). On donne pour le
silicium : Masse atomique 28.05 g.mol-1, Masse volumique 2.33 g.cm-3.


III.3.a) Semiconducteur intrinsèque à l’équilibre thermodynamique

Il y a en permanence un transfert d’électrons entre la bande de valence et la bande de conduction. En effet,
un électron présent dans la bande de conduction a naturellement tendance à revenir dans la bande de valence.
En parallèle, le transfert d’énergie entre le réseau et les électrons fait passer en permanence des électrons de la
bande de valence à la bande de conduction. Il se produit un équilibre, qui fixe les densités d’électrons et de trous
pour une température donnée T. C’est l’équilibre thermodynamique.
Bande de
Conduction
n
𝐸𝐸𝑐𝑐 𝐸𝐸𝑐𝑐
𝐸𝐸𝑔𝑔
𝐸𝐸𝑣𝑣 𝐸𝐸𝑣𝑣
p
Bande de
Valence
• Loi d’action de masse (notion provenant de la chimie et des équilibres chimiques)

 Admettons qu’il y ait une densité de places (densité d’états) NC (cm-3) dans la bande de conduction, et une
densité NV dans la bande de valence. On note n et p les densités d’électrons libres et de trous libres.
Donnez une expression « intuitive » (sans la démontrer) de la densité d’électrons qui passent de la bande de
conduction à la bande de valence par seconde (en cm-3.s-1) . Faire la même chose pour la densité d’électrons
passant de la bande de valence à la bande de conduction. Que peut on en déduire sur le produit n.p à l’équilibre
thermodynamique.

C’est équilibre dépend de la température. C’est la loi d’action de masse

• Principe du calcul de n et p en fonction de la température (voir TD n°01 Semiconducteurs)

- Dans chaque bande permise, il y a un nombre fini de places pour les électrons. Il n’est pas possible d’y mettre un
électron de plus.
- Pour chaque bande permise, la mécanique quantique nous donne la densité d’états N(E) par unité d’énergie.
- N(E) est donnée en nombre de places / cm3 / J.
- La densité d’états quantiques (ou places disponibles) entre un niveau d'énergie E et E +dE est N(E).dE
- La probabilité d’occupation des états permis est donnée par la statistique de Fermi-Dirac.
1
0 ≤ 𝑓𝑓 𝐸𝐸 = ≤1 [III.3]
𝐸𝐸 − 𝐸𝐸𝐹𝐹
Bande de conduction 1 + 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒
𝑘𝑘. 𝑇𝑇
dE
N(E).F(E).dE électrons présents dans la bande d’énergie dE
EF
Le niveau de Fermi EF est le niveau d’énergie pour lequel la probabilité

d’occupation est de 50%.
Bande de valence

𝑬𝑬𝑭𝑭 − 𝑬𝑬𝑪𝑪
𝑛𝑛 = � 𝑁𝑁 𝐸𝐸 . 𝑓𝑓 𝐸𝐸 . 𝑑𝑑𝑑𝑑 = ⋯ = 𝑵𝑵𝑪𝑪 . 𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆 [III.4]
𝒌𝒌. 𝑻𝑻
𝐵𝐵𝐶𝐶
Statistique de Boltzmann pour le niveau EC
NC est la densité effective d’états dans la bande de conduction
𝑬𝑬𝑽𝑽 − 𝑬𝑬𝑭𝑭
𝑝𝑝 = � 𝑁𝑁 𝐸𝐸 . 1 − 𝑓𝑓 𝐸𝐸 . 𝑑𝑑𝑑𝑑 = ⋯ = 𝑵𝑵𝑽𝑽 . 𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆 [III.5]
𝒌𝒌. 𝑻𝑻
𝐵𝐵𝑉𝑉
Statistique de Boltzmann pour le niveau EC
NV est la densité effective d’états dans la bande de valence

• Interprétation physique
 Que pouvez-vous dire de l’énergie des électrons  et  sur le digramme simplifié suivant. Même question
pour les trous  et .


Bande de
Conduction
n
𝐸𝐸𝑐𝑐 𝐸𝐸𝑐𝑐
𝐸𝐸𝑔𝑔
𝐸𝐸𝑣𝑣 𝐸𝐸𝑣𝑣
p
Bande de
Valence



• Répartition énergétique des électrons à T > 0 K
E E E
𝑛𝑛 𝐸𝐸 = 𝑁𝑁𝑐𝑐 𝐸𝐸 . 𝑓𝑓(𝐸𝐸)
EC
N c (E) = Cc . (E − E c )
EF
EV N v (E) = C v . (E v − E)
p 𝐸𝐸 = 𝑁𝑁𝑉𝑉 𝐸𝐸 . 1 − 𝑓𝑓(𝐸𝐸)
N(E) F(E) n(E) ou p(E)
Remarque : La mécanique quantique donne :

Pour le bas de la bande de conduction: ( )3 / 2 / h 3.
N c (E ) = 8π 2. m*n (E − E c )
Pour le haut de la bande de valence : 2.(m*p ) / h 3 .
3/ 2
N v ( E ) = 8π (E v − E)

• Neutralité électrique pour un semiconducteur intrinsèque

𝑛𝑛 = 𝑝𝑝 [III.6]
• Loi d’action de masse – Densité de porteurs intrinsèque
𝐸𝐸𝐹𝐹 − 𝐸𝐸𝐶𝐶 𝐸𝐸𝑉𝑉 − 𝐸𝐸𝐹𝐹 𝐸𝐸𝑔𝑔

𝑛𝑛𝑖𝑖2 = n. p = 𝑁𝑁𝐶𝐶 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 . 𝑁𝑁𝑉𝑉 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 = 𝑁𝑁𝐶𝐶 . 𝑁𝑁𝑉𝑉 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 −
𝑘𝑘. 𝑇𝑇 𝑘𝑘. 𝑇𝑇 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝐸𝐸𝑔𝑔
𝑛𝑛𝑖𝑖 = 𝑁𝑁𝐶𝐶 . 𝑁𝑁𝑉𝑉 . exp − [III.7]
• Position du niveau de Fermi d’un semiconducteur intrinsèque
𝐸𝐸𝐹𝐹 − 𝐸𝐸𝐶𝐶
𝑛𝑛 𝑁𝑁𝐶𝐶 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑘𝑘. 𝑇𝑇 𝐸𝐸𝐶𝐶 + 𝐸𝐸𝑉𝑉 𝑘𝑘. 𝑇𝑇 𝑁𝑁𝑉𝑉 𝑘𝑘. 𝑇𝑇 𝑛𝑛
= 𝐸𝐸𝐹𝐹 = + . 𝑙𝑙𝑙𝑙 + . 𝑙𝑙𝑙𝑙 [III.8]
𝑝𝑝 𝑁𝑁 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝐸𝐸𝑉𝑉 − 𝐸𝐸𝐹𝐹 2 2 𝑁𝑁𝐶𝐶 2 𝑝𝑝
𝑉𝑉 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝐸𝐸𝐶𝐶 + 𝐸𝐸𝑉𝑉 𝑘𝑘. 𝑇𝑇 𝑁𝑁𝑉𝑉
III.6  𝐸𝐸𝐹𝐹𝐹𝐹 = + . 𝑙𝑙𝑙𝑙 [III.9]
n 2 2 𝑁𝑁𝐶𝐶
𝐸𝐸𝑐𝑐
𝐸𝐸𝐹𝐹𝐹𝐹
𝐸𝐸𝑣𝑣
p

 Déterminez la conductivité électrique du silicium intrinsèque à 300 K. Vous comparerez cette conductivité à celle
du cuivre : 𝜎𝜎𝑐𝑐𝑐𝑐 = 60. 106 𝑆𝑆. 𝑚𝑚−1 .
On donne NC = 3,2.1019 cm-3; NV =1,8.1019 cm-3; Eg = 1.1 eV;

µn= 1400 cm²/V/s; µp=500 cm²/V/s
k.T= 26 meV à 300 K

III.3.b) Semiconducteur intrinsèque sous illumination. Notion de recombinaison

On considère un semiconducteur illuminé avec un rayonnement dont l’énergie des photons est supérieure au
gap. On considère pour simplifier que tout photon incident donne naissance à une paire électron – trou.
h.ν
n
𝐸𝐸𝑐𝑐
𝐸𝐸𝑣𝑣
p
Ainsi n et p sont supérieurs aux valeurs hors illumination. On dit que le semiconducteur est hors équilibre
thermodynamique. On appelle:
- n0 la concentration des électrons dans la bande de conduction à l’équilibre thermodynamique.

- p0 la concentration de trous dans la bande de valence à l’équilibre thermodynamique.
Si n<>n0 et/ou p<>p0 le semiconducteur est dit hors équilibre thermodynamique.

 On illumine un barreau (1mm de longueur et 1mm² de section) de silicium avec un rayonnement continue de
puissance P = 1mW. On considère, pour simplifier, que tous les photons ont une énergie de 2.5eV, que chaque
photon donne naissance à une paire électron-trou, et que les photons sont absorbés d’une manière homogène.
Représenter qualitativement l’évolution de n et p en fonction du temps. Commentez:

• Notion de génération de paires électron-trou.
• Notion de recombinaison de paires électron-trou
• Régime d’équilibre
• Notion de quasi-niveau de fermi h.ν
n
𝐸𝐸𝑐𝑐 𝐸𝐸𝐹𝐹𝐹𝐹
𝐸𝐸𝑣𝑣 𝐸𝐸𝐹𝐹𝐹𝐹
p

 Au regard de cette notion de recombinaison, reprendre le problème précédent. Calculez n et p sous illumination
(on considère un temps de recombinaison τ de 1µs pour les électrons comme pour les trous). En déduire la
conductivité du silicium sous illumination. Comparer cette conductivité à celle du silicium non illuminé. Conclure.

III.4: Semiconducteurs extrinsèques
III.4 : Semiconducteur extrinsèque
III.4.a) Notion de dopage
Dans le cas d’un semiconducteur pur, c’est la température (ou l’illumination) qui « fixe » la conduction
électrique. Impossible dans ces conditions de faire des composants électroniques, car pour cela il faut maitriser la
conduction électrique. Les composants électroniques doivent fonctionner indépendamment de la température (nous
rediscuterons de ce point).
La maîtrise de la conductivité va être réalisé par le dopage qui consiste à rajouter dans le semiconducteur une faible
quantité d’impuretés. On remplace en effet typiquement 1 atome de semiconducteur / 106 par des impuretés. Dans
le cas de forts dopages on remplacera 1 atome/1000.
Il est déjà important de noter que nous ne sommes donc pas dans les conditions d’un alliage. Le dopage est
suffisamment faible pour que le matériau semiconducteur dopé conserve ses propriétés électroniques.
 Pour mémoire, rappeler ici la densité d’électrons libres dans les métaux. La conduction est elle aussi assurée par
les trous ?

On distinguera deux type de dopages:
● Le dopage de type n, pour lequel on rajoute des impuretés pentavalentes (5 atomes sur la couche périphérique).
Nous allons montrer que cela permet de contrôler la densité d’électrons libres dans la bande de conduction. On
appelle ND la densité d’impuretés pentavalentes (ou Donneur d’électrons) rajoutées dans le semiconducteur (en
nombre d’impuretés par cm3).
Dans la pratique ND est comprise entre 1012 et 1019 cm-3
● Le dopage de type p, pour lequel on rajoute des impuretés trivalentes (3 atomes sur la couche périphérique). Nous
allons montrer que cela permet dans ce cas de contrôler la densité de trous libres dans la bande de valence. On
appelle NA la densité d’impuretés trivalentes (ou Accepteurs d’électrons) rajoutées dans le semiconducteur (en
nombre d’impuretés par cm3).
Dans la pratique NA est comprise entre 1012 et 1019 cm-3
Au-delà d’un dopage de 1019 cm-3 , le semiconducteur commencera a avoir les mêmes propriétés de conduction
qu’un métal… On parlera de semiconducteur dégénéré (hors programme de licence).

III.4.b) Dopage de type n

Un semiconducteur de type n est un semiconducteur pour lequel la conduction électrique est majoritairement
assurée par les électrons dans la bande de conduction. Les électrons sont les porteurs majoritaires. Pour obtenir du
silicium de type n on remplace, dans le cristal, quelques atomes de silicium par des atomes pentavalents (Phosphore
ou Arsenic). Le niveau de dopage (ND) correspond à la quantité d’impuretés rajoutée par unité de volume
(typiquement de 1012 à 1019 cm-3).
E E E
Si Si Si
n(E)
EC
ED ND ND
Si P Si EF
EV
p(E)
Si Si Si
Neutralité électrique
 
 1 
𝒏𝒏 = 𝒑𝒑 + 𝑵𝑵+
𝑫𝑫
+
ND = N D .1 − 
 1 + 1 . exp  E D − E F  
  
2  k.T  

III.4.c) Dopage de type p

Un semiconducteur de type p est un semiconducteur pour lequel la conduction électrique est majoritairement
assurée par les trous dans la bande de valence. La concentration des trous est ajustée précisément par dopage.
Pour obtenir du silicium de type p on remplace, dans le cristal, quelques atomes de silicium par des atomes trivalents
(Bore). Le niveau de dopage (NA) correspond à la quantité d’impuretés rajoutée par unité de volume.
E E E
Si Si Si
EC n(E)
Si B Si EF
EA NA NA
EV
p(E)
Si Si Si
Neutralité électrique
− 1
𝒏𝒏 + 𝑵𝑵−
𝑨𝑨 = 𝒑𝒑
NA = NA.
 E − EF 
1 + 4. exp  A 
 k.T 

III.4.d) Effet de la température sur la densité de porteurs libres : cas du silicium de type n → TD SC n°2
𝐸𝐸𝑔𝑔
𝑛𝑛 = 𝑛𝑛𝑖𝑖 = 𝑁𝑁𝐶𝐶 . 𝑁𝑁𝑉𝑉 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 −
Régime d’épuisement
ND
𝑛𝑛 = 𝑁𝑁𝐷𝐷
𝐸𝐸𝐷𝐷 − 𝐸𝐸𝐶𝐶
𝑛𝑛 = 𝑁𝑁𝐶𝐶 . 𝑁𝑁𝐷𝐷 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒
𝑇𝑇1 𝑇𝑇2 T
Les composants électroniques fonctionnent dans le régime d’épuisement, là où la concentration des porteurs
majoritaires est fixée par le dopage.

 A partir des expressions de n dans les trois régions, déterminez la plage de température [T1 , T2] correspondant
au régime d’épuisement.
Calculer T1 et T2 dans le cas d’un silicium de type n, pour ND=1015 cm-3, EC-ED=0.05 eV, NC = 3,2.1019 cm-3,
NV =1,8.1019 cm-3; Eg = 1.1 eV

 Tracer l’évolution de ln(n) en fonction de 1/T. En déduire une méthode permettant de déterminer le gap du
semiconducteur ainsi que la position du niveau ED.

 La plage de dopages utiles du silicium va de 1012 à 1019 impuretés par cm3. Serait-il intéressant d’envisager des
dopages plus fort ou plus faibles ?

III.4.e) Calcul des densités de porteurs dans le régime d’épuisement et conductivité
𝐸𝐸𝐹𝐹 − 𝐸𝐸𝐶𝐶 𝐸𝐸𝑉𝑉 − 𝐸𝐸𝐹𝐹

𝑛𝑛 = 𝑁𝑁𝐶𝐶 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑝𝑝 = 𝑁𝑁𝑉𝑉 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 [III.10]
𝑘𝑘. 𝑇𝑇 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝐸𝐸𝑔𝑔
𝑛𝑛. 𝑝𝑝 = 𝑁𝑁𝐶𝐶 . 𝑁𝑁𝑉𝑉 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 − = 𝑛𝑛𝑖𝑖2 [III.11]
𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝐸𝐸𝐶𝐶 + 𝐸𝐸𝑉𝑉 𝑘𝑘. 𝑇𝑇 𝑁𝑁𝑉𝑉 𝑘𝑘. 𝑇𝑇 𝑛𝑛

𝐸𝐸𝐹𝐹 = + . 𝑙𝑙𝑙𝑙 + . 𝑙𝑙𝑙𝑙 [III.12]
2 2 𝑁𝑁𝐶𝐶 2 𝑝𝑝
1
𝜎𝜎 = = 𝑛𝑛. 𝑞𝑞. µ𝑛𝑛 + 𝑝𝑝. 𝑞𝑞. µ𝑝𝑝 [III.13]
𝜌𝜌
Silicium de type n Silicium de type p
Porteurs majoritaires 𝑛𝑛 = 𝑁𝑁𝐷𝐷 𝑝𝑝 = 𝑁𝑁𝐴𝐴 [III.14]
𝑛𝑛𝑖𝑖2 𝑛𝑛𝑖𝑖2
Porteurs minoritaires 𝑝𝑝 = ≪ 𝑛𝑛 𝑛𝑛 = ≪ 𝑝𝑝 [III.15]
𝑛𝑛 𝑝𝑝
Neutralité électrique 𝑛𝑛 = 𝑁𝑁𝐷𝐷+ + p 𝑛𝑛 + 𝑁𝑁𝐴𝐴− = 𝑝𝑝 [III.16]
1 1
Conductivité 𝜎𝜎 = ≈ 𝑛𝑛. 𝑞𝑞. µ𝑛𝑛 𝜎𝜎 = ≈ 𝑝𝑝. 𝑞𝑞. µ𝑝𝑝 [III.17]
𝜌𝜌 𝜌𝜌

 Soit deux matériaux dont on mesure les résistivités.

- Matériau 1 : (Si)p ρ = 0.28 Ω.cm
- Matériau 2 : (Si)n ρ = 4.46 Ω.cm
Calculez pour chaque matériau n, p et la position du niveau de Fermi. Représentez leur diagramme de bande à
l’équilibre thermodynamique.
On prendra les valeurs suivantes pour les mobilités : µn = 1400 cm2.V-1.s-1 et µp = 500 cm2.V-1.s-1
On donne aussi : Eg = 1,1eV NC = 3.2 1019 /cm3 et NV = 1.8 1019/cm3

k.T = 26 meV à 300 K



III.4.f) Techniques de dopages
• Le wafer : Matériau de base de la microélectronique
https://www.tomshardware.fr/pour-le-3-nm-tsmc-vise-une-production-de-100-000-wafers-par-mois-des-2023/

• Notions sur la fabrication des wafers de silicium.

(hors programme)
Tirage de lingots par la

méthode Czochralski
http://smartwebsite.info/hostsimage-semiconductor-wafer-fabrication.htm

• Notions sur la fabrication des puces électroniques (hors programme).
Technologie centrale : La photolithogravure
http://www.semiconductorchiller.com/manufacturing-of-semiconductor/

https://perso.esiee.fr/~francaio/intromems/html_techno/sld005.htm
Les technologies de la microélectronique seront étudiées dans le cadre du Master EI² (UE MEMS/NEMS).

• 1ère méthode : Dopage dans la masse lors de la réalisation du lingot de silicium
Consiste à rajouter des impuretés (trivalentes ou pentavalentes) dans le creuset contenant le silicium lors du
tirage du lingot. La quantité d’impuretés est déterminée en fonction du dopage désiré.
 On désire réaliser un lingot de silicium de type n, avec un dopage ND= 1015 cm-3.
Calculer la masse de phosphore a rajouter par kilogramme de Silicium.
On donne :
Pour le silicium : Masse atomique = 28.05 g.mol-1 Masse volumique = 2.33 g.cm-3
Pour le phosphore : Masse atomique = 30.97 g.mol-1 Masse volumique = 1.82 g.cm-3
https://www.sciencephoto.com/media/482610/view/czochralski-silicon-crystal-growth


• 2ème méthode : Dopage par implantation ionique d’une plaquette de silicium
Consiste à créer un faisceau d’ions (correspondant aux impuretés que l’on désire implanter), et de bombarder le
wafer que l’on désire doper. En contrôlant l’accélération des ions on définit la profondeur d’implantation. En
contrôlant le courant, on définit la quantité d’impuretés implantées.
http://www.zeitoun.net/articles/implantatio
n-ionique-par-immersion-plasma/start
https://airliquidebodycote.files.wordpress.com/2018/07
/prc3a9sentation-sc3a9minaire-a-liquide-10-12-yvan-
corre-ppt.pdf

 On dispose d’une plaquette de silicium 4 pouces de type n (dopé au Phosphore), de dopage ND = 1015 cm-3.
On désire doper la face supérieure, de manière à réaliser une zone de type n de 1 µm d’épaisseur avec un dopage
NA= 5.1016 cm-3. Pour cela on utilise l’implantation ionique, en utilisant un faisceau d’ions Bore. On considèrera,
pour simplifier, que l’énergie des ions est telle qu’ils s’implantent d’une manière homogène sur le premier
micron.
Calculer la quantité totale d’ions Bore à implanter. Sachant que le courant électrique correspondant au faisceau
d’ions est de 10 µA, calculer la durée d’implantation.

• 3ème méthode : Dopage par diffusion
Méthode haute température qui consiste à mettre en contact une source dopante (solide, liquide ou gazeuse)
avec l’échantillon à doper, de manière à permettre aux impureté de diffuser dans l’échantillon. Le niveau de dopage
atteint dépend de la température et du temps du procédé. Ceci est parfaitement connu, mais sort du cadre de ce
cours.
https://microelectronique.univ-rennes1.fr/fr/chap5d.htm https://www.crystec.com/klldifff.htm
Diffusion des impuretés (ex: phosphore)
Caisson dopé type n

Silicium (p)

https://docplayer.fr/47727817-Partie-1-techniques-de-dopage-i-introduction-ii-
diffusion-iii-implantation-ionique-iv-conclusion.html

III.5: Semiconducteurs et capteurs résistifs
III.5 : Semiconducteurs et capteurs résistifs
 Activité 3.1: La thermistance
 Activité 3.2: LDR (Light Dependent Resistor)
 Activité 3.3: Jauge de contrainte semiconductrice

III.5: Semiconducteurs et capteurs résistifs

Chapitre IV : Les jonctions à semiconducteurs

Une jonction est constituée par la mise en contact de deux matériaux différents. Il existe plusieurs types de jonction :
- Hétérojonction : Jonction entre deux matériaux différents (M/SC ; SC/SC ; M/I, I/SC…)
- Homojonction : Jonction entre deux matériaux semiconducteurs identiques (l’un de type n, l’autre de type p).
Les jonctions semiconductrices (faisant intervenir au moins un semiconducteur ex: SC/SC, M/SC et M/I/SC) sont
à la base du fonctionnement de tous les composants électroniques. Les « perturbations » créés par les jonctions sur
le transport électrique vont en effet permettre de réaliser des diodes, des transistors, des LED, des diodes lasers, des
cellules photovoltaïques, … Les jonctions ont aussi un fort intérêt dans le domaine des capteurs (photodiodes,
thermojonctions, phototransistors, ISFET, …).
Cellules solaires Capteur CMOS

Diodes Varicap
Transistor MOS
LEDs Laser Semiconductor Transistor bipolaire

Il est fondamental de comprendre que lorsque deux matériaux de nature différente sont mis en contact, il y a un
échange de charges entre ces matériaux (pour les solides ce sont des électrons qui s’échangent). Ceci n’est pas une
propriété propre des matériaux semiconducteurs, mais de tous les matériaux. Un matériau se charge donc
positivement et l’autre négativement. Il apparaît donc une différence de potentiel entre les matériaux, et un champ
électrostatique à l’interface.
Comme énoncé plus haut, lorsque l’un des matériaux est un semiconducteur, la barrière de potentiel à l’interface va
perturber significativement le transport des électrons. Ceci est à la base du fonctionnement des diodes et des
transistors bipolaires. Comme nous le verrons, les phénomènes électriques aux interfaces sont aussi à la base du
fonctionnement des transistors MOS.
Nous nous intéresserons cette année aux jonctions silicium pn. Il est aussi possible de réaliser des jonctions
métal/semiconducteur (diode Schottky), ou des jonctions entre matériaux semiconducteurs de nature différente
(exemple GaAlAs/GaAs ou InGaP/GaAs), qui permettent de réaliser des dispositifs électroniques aux performances
améliorées (ceci sera abordé au niveau Master).

Chapitre IV : Jonctions à semiconducteurs.
IV.1 : Schéma de bande d’une homojontion pn à l’équilibre thermodynamique (TD SC n°3)
La compréhension du fonctionnement des dispositifs semiconducteurs nécessite de tracer le diagramme de

bande du dispositif, à l’équilibre thermodynamique (sans polarisation), puis le diagramme de bande sous
polarisation.
Le tracer du diagramme de bande à l’équilibre thermodynamique suit la règle suivante :
Conseil : Avant le raccordement, comparer les diagrammes de bande en égalisant les niveaux du vide (ou de Ec et Ev
dans le cas d’une homojonction)  Cela permet de comprendre l’échange de charges entre les matériaux sachant
que les électrons occupent les niveaux de plus faibles énergies.
Lors du raccordement :
- Echange de charges entre les matériaux, mais la jonction reste globalement neutre électriquement.
- Un matériau se charge positivement (son diagramme de bande « descend »).  A justifier
- Un matériau se charge négativement (son diagramme de bande « monte »).  A justifier
- Echange de charges jusqu’à égalisation des Niveaux de Fermi (Admis en L3).
- Les charges localisées proches de l’interface « déforment » les potentiels et donc les niveaux d’énergie (sauf
le niveau de Fermi qui est un niveau mathématique)  La déformation doit satisfaire l’équation de Poisson.
- Raccordement sans discontinuité du niveau du Vide (ou de Ec et Ev dans le cas d’une homojonction). Tous les
autres niveaux se déforment parallèlement.
Equation de Poisson (1D) Relation Champ-Potentiel

d 2V ρ ( x) dV ( x) d 2V dξ
+ =0 ξ ( x) = − ρ ( x) = −ε . = ε.
dx 2 ε dx dx 2 dx

• Schéma de bande des matériaux p et n avant contact
 Que peut-on dire sur le transfert de charges lorsque les deux matériaux sont mis en contact ?

• Schéma de bande de la jonction (Voir TD n°03 pour les détails)
2.ε.VD N D + N A
w = wn + wp = .
q N D .N A
𝜉𝜉
2.ε.VD ND 2.ε.VD NA
wp = . wn = .
q N A .( N D + N A ) q N D .( N D + N A )

• Notion de zone de charge d’espace (ZCE) ou zone déplétée ou zone désertée.
• Type des charges dans la ZCE côté p et dans la ZCE côté n.
• Notion de largeur de la ZCE – Equation de neutralité de la jonction
• Notion de zones neutres (du côté p et du côté n)  non affectées par le transfert de charge entre les matériaux p
et n.

• Charges dans la ZCE  Création d’un champ électrostatique ξ à l’interface
• Influence du champ électrostatique de la ZCE sur les porteurs majoritaires
• Influence du champ électrostatique de la ZCE sur les porteurs minoritaires
• Notion de barrière de potentiel à l’interface (ou de potentiel de diffusion)
• Le potentiel de diffusion VD

• Pourquoi le courant traversant la jonction à l’équilibre thermodynamique est nul ?
→ Equilibre entre les courants de diffusion et de conduction

IV.2 : Homojontion pn sous polarisation directe (complément du TD n°03)
IV.2: Homojontion pn sous polarisation directe (complément du TD n°03)
𝐿𝐿𝑛𝑛 Jn
𝐿𝐿𝑛𝑛 = 𝐷𝐷𝑛𝑛 . 𝜏𝜏𝑛𝑛 𝐿𝐿𝑝𝑝 = 𝐷𝐷𝑝𝑝 . 𝜏𝜏𝑝𝑝 [IV.1]
Jp
𝑞𝑞. 𝑉𝑉𝑎𝑎
𝐿𝐿𝑝𝑝 𝑞𝑞. 𝑉𝑉𝑎𝑎
𝑛𝑛𝑝𝑝 0 = 𝑛𝑛𝑝𝑝𝑝 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑝𝑝𝑛𝑛 0 = 𝑝𝑝𝑛𝑛𝑛 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒
pn(x)
np(x)
𝑥𝑥 𝑥𝑥

• Effet de la polarisation
• Focus sur les diodes électroluminescentes
• Notion de longueur de diffusion
• Effet de la polarisation Va sur les zones neutres
• Effet de la polarisation Va sur la barrière de potentiel

• Polarisation directe : Cas d’une jonction longue des deux côtés 𝐿𝐿𝑛𝑛 ≪ 𝑑𝑑𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 ≪ 𝑑𝑑𝑛𝑛
𝐿𝐿𝑛𝑛 = 𝐷𝐷𝑛𝑛 . 𝜏𝜏𝑛𝑛

dp dn
𝐿𝐿𝑝𝑝 = 𝐷𝐷𝑝𝑝 . 𝜏𝜏𝑝𝑝

pn(x)
np(x)

𝑞𝑞. 𝐷𝐷𝑛𝑛 . 𝑛𝑛𝑝𝑝𝑝 𝑞𝑞. 𝑉𝑉𝑎𝑎

𝐽𝐽𝑛𝑛 = . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 −1
𝐿𝐿𝑛𝑛 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝑞𝑞. 𝐷𝐷𝑝𝑝 . 𝑝𝑝𝑛𝑛𝑛 𝑞𝑞. 𝑉𝑉𝑎𝑎

𝐽𝐽𝑝𝑝 = . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 −1
𝐿𝐿𝑝𝑝 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝐽𝐽 = 𝐽𝐽𝑛𝑛 + 𝐽𝐽𝑝𝑝 = 𝐽𝐽𝑠𝑠 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 −1
𝑘𝑘. 𝑇𝑇 [IV.2]

• Polarisation directe : Cas d’une jonction courte des deux côtés 𝐿𝐿𝑛𝑛 ≫ 𝑑𝑑𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 ≫ 𝑑𝑑𝑛𝑛

dp dn
𝐿𝐿𝑝𝑝 = 𝐷𝐷𝑝𝑝 . 𝜏𝜏𝑝𝑝 pn(x)

np(x)


𝑑𝑑𝑝𝑝 𝑘𝑘. 𝑇𝑇

𝑑𝑑𝑛𝑛 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝐽𝐽 = 𝐽𝐽𝑠𝑠 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 −1
𝑘𝑘. 𝑇𝑇

• Polarisation directe : Cas d’une jonction courte côté p longue côté n 𝐿𝐿𝑛𝑛 ≫ 𝑑𝑑𝑝𝑝 𝐿𝐿𝑝𝑝 ≪ 𝑑𝑑𝑛𝑛

dp dn
𝐿𝐿𝑝𝑝 = 𝐷𝐷𝑝𝑝 . 𝜏𝜏𝑝𝑝

np(x) pn(x)


𝑑𝑑𝑝𝑝 𝑘𝑘. 𝑇𝑇

𝐿𝐿𝑝𝑝 𝑘𝑘. 𝑇𝑇
𝐽𝐽 = 𝐽𝐽𝑠𝑠 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 −1
𝑘𝑘. 𝑇𝑇

 Une homojonction pn est réalisée à partir d’un wafer de silicium de type n (ND = 1015 cm-3) de 500 µm
d’épaisseur, sur lequel est formée une couche de 1 µm dopée type p (NA = 5.1016 cm-3).
On donne aussi : Eg = 1,1 eV NC = 3.2 1019 /cm3 et NV = 1.8 1019/cm3
k.T = 26 meV à 300 K

µn = 1400 cm²/V/s µp = 500 cm²/V/s
τn = τp = 1 µs
Déterminez les densités de courants de trous et d’électrons.

IV.3 : Homojontion pn sous polarisation inverse
𝑞𝑞. 𝑉𝑉𝑎𝑎 𝑞𝑞. 𝑉𝑉𝑎𝑎

𝑛𝑛𝑝𝑝 0 = 𝑛𝑛𝑝𝑝𝑝 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑝𝑝𝑛𝑛 0 = 𝑝𝑝𝑛𝑛𝑛 . 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒

• Effet de la polarisation sur la barrière de potentiel
• Effet de la polarisation sur le courant d’électrons
• Effet de la polarisation sur le courant de trous

• Effet de la polarisation sur le champ électrostatique à l’interface
• Caractéristique I = f(V) et claquage

IV.4 : Jonction Schottky
IV.4 : Jonction Schottky (hors programme de l’examen)

Une jonction (ou diode) Schottky est une jonction entre un métal et un semiconducteur. Elle a des propriétés
particulière (que nous allons introduire), mais surtout elle se retrouve dans tous les composants électroniques
puisque les liaisons entre diodes et transistors dans un circuit électronique sont réalisées avec des métaux.
Un métal est caractérisé par son travail de sortie Φm.
 Quelle est la signification physique du niveau de Fermi pour un métal ?

 D’après ce diagramme de bande, quelle est la signification physique du travail de sortie d’un métal.
● Travaux de sortie de quelques métaux.

 On considère une jonction Schottky réalisée par une couche d’or déposée sur un wafer de silicium de type n,
dopé avec ND = 1015 cm-3.
Tracer le digramme de bande des matériaux avant contact, puis tracez le diagramme de bande de la jonction à
l’équilibre thermodynamique. Sans le démontrer, que pourriez-vous dire du comportement de la jonction sous
polarisation.
Donnée : Affinité électronique du silicium χ =E0-EC= 4.05 eV


• Jonction Métal – Si de type n

• Décrire le cas où φm > φSC
• Décrire le cas où φm < φSC
• Quel type de porteur participe à la conduction électrique en cas de polarisation de la jonction

• Jonction Métal – Si de type p

• Décrire le cas où φm < φSC
• Décrire le cas où φm > φSC
• Quel type de porteur participe à la conduction électrique en cas de polarisation de la jonction

• Jonction Schottky sous polarisation

• Décrire la polarisation directe
• Décrire la polarisation inverse
• Décrire le cas du contact ohmique. Quel est l’intérêt d’un contact ohmique ?

• Caractéristique I=f(Va) d’une jonction Schottky

Jthermo
Passage par effet thermoionique : Concerne les
charges ayant une énergie > à la barrière de
Jtunnel potentiel.
q.φB nn0 Passage par effet tunnel: Concerne les charges
ayant une énergie < à la barrière de potentiel, et la
Ec
EF traversant par effet tunnel. Cet effet, prépondérant
lorsque la barrière est fine, sort du cadre de ce
cours.
A l’équilibre thermodynamique :
q.φB
J thermoionique.Sc / M = A*.T 2 . exp(− ) = J thermoionique.M / Sc
k.T
Constant de Richardson = 250 A/cm²/K² pour le Si-n
Sous polarisation :
φB − Va
J thermoionique.Sc / M = A*.T 2 . exp(−q. )
k.T φB  q.V 
 J = A*.T 2 . exp(−q. ).exp( a ) − 1
φB k.T  k.T 
J thermoionique.M / Sc = A*.T 2 . exp(−q. )
k.T


Capteurs Et Dispositifs Semiconducteurs

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Capteurs Et Dispositifs Semiconducteurs

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Capteurs et Dispositifs Semiconducteurs

Département GEP, Université Claude Bernard Lyon 1

Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 1

Introduction sur la place des semiconducteurs dans le domaine de l’électricité/électronique

Partie 1 : Etude des dispositifs semiconducteurs : Approche phénoménologique

Chapitre I : Dispositifs semiconducteurs élémentaires et fonctions capteurs.

Partie 2 : Etude des dispositifs semiconducteurs : Approches Physique et Technologique

Chapitre II : Théorie élémentaire de la conduction électrique dans les métaux.

Chapitre IV : Jonctions à semiconducteurs

Chapitre V : Physique des transistors bipolaire et MOS

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 2

• Pourquoi un tel succès de l’électricité/électronique dans notre quotidien?

• Dans le domaine de l’information:

 Deux ombres au tableau : Le stockage de l’énergie électrique + Stockage de l’information éphémère ?

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 3

• Dans tout cela, qu’apportent les semiconducteurs ?

On dispose actuellement de systèmes de traitement et de stockage de l’information très performants:

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 4

• Quelques grandes dates dans l’histoire de l’électricité / électronique

Phénomènes électriques : Notion de fluide électrique (XIXème siècle)

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 5

• Quelques grandes dates dans l’histoire de l’électricité / électronique

Connaissance de l’électron, de l’atome et développement de la mécanique quantique (XXème siècle)

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 6

• Illustration de l’intérêt des semiconducteurs

Mémoires Microprocesseurs Analog Devices ADIS16460 6-axis MEMS

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 7

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 8

 Qu’est-ce qu’un courant électrique?

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 9

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 10

Décrire cette figure.

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 11

 Qui est responsable de la cohésion de la matière ?

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 12

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 13

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 14

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 15

 Quel est l’ordre de grandeur de la densité d’électrons libres dans un métal?

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 16

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 17

 Que représente pour vous le 0 K ?

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 18

• Origine physique des propriétés des matériaux semiconducteurs

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 19

- Les propriétés particulières des matériaux semiconducteurs.

- Acquérir les notions élémentaires de la physique du solide. Théorie des

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 20

Etude des dispositifs semiconducteurs :

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 21

Chapitre I : Dispositifs semiconducteurs élémentaires et fonctions capteurs.

I.1) Rappels sur les composants élémentaires de l’électricité

I.2) Les composants élémentaires de l’électronique

I.3) Composants élémentaires pour l’instrumentation

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 23

● Rappel sur les circuits et composants.

- Tout composant électrique/électronique agit « à sa manière» sur le flux d’électrons.

- Un composant élémentaire peut être passif ou actif.

Licence EEEA : UE Capteurs et Dispositifs semiconducteurs 24

I.1) Rappels sur les composants élémentaires de l’électricité

● Fonction électrique (Loi d’Ohm)

● Fonction énergétique (Effet Joule)  Démonstration au chapitre II