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UED 2.

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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR
ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

Cour : Technologie et fabrication des circuits intégrés

Enseignant : Dr. Nouicer Ilyès. Spécialité : Electronique


Chapitre 1: Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Bref rappel de l’historique des circuits intégrés (le 1 er transistor, le 1er circuit intégré,
Loi de Moore).
Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques (Technologies SSI, MSI,
LSI, VLSI, ULSI).
Salle blanche. Effet de la contamination.
Les plus importants fabricants de CI dans le monde. Statistiques économiques.
Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs (Métal, Isolant, SC, Silicium
intrinsèque, Si dopé type n, Si dopé type p). Description schématique des étapes
technologiques (cycle complet de fabrication d’un circuit intégré).

Chapitre 2: Purification du silicium et Fabrication du cristal.

Préparation et purification du matériau semi-conducteur. Tirage et croissance du cristal


(Techniques de Czochralski, fusion de zone, …). Découpage des plaquettes de Si
(wafers).
Chapitre 3: Les techniques de dépôt.

Les Procédés d’apport de matériaux : Evaporation. Epitaxie par jets moléculaires (MBE).
Dépôt par ‘’ Implantation ionique’’ (sputtering).
Dépôt en phase vapeur (CVD). Croissance thermique. Différents types de dépôts : dépôt
des matériaux semi-conducteurs (dopage), dépôts d’isolants (oxydation), dépôts de
conducteurs (métallisation).
Procédés de dopage : Phénomène de diffusion. Procédés de diffusion (sources gazeuses,
liquides, solides). Profil de concentration. Valeurs typiques des coefficients de diffusion de
quelques dopants (Bore, Phosphore, Arsenic, Antimoine).
Définition de l’implantation ionique. Avantages et inconvénients. Profil de concentration.
Oxydation : Principe de l’oxydation. Oxydation thermique. Technique d’oxydation rapide.
Oxydation anodique. Oxydation Plasma.
Métallisation : couches minces (Si polycristallin, siliciure, aluminium, titanium, cuivre,
…).
Chapitre 4 : La photolithographie et les techniques de gravure.

Les procédés de retrait de matériaux : gravure chimique (gravure sèche, gravure humide).
Gravure de Si, Gravure de l’oxyde de Si, Gravure du nitrure de silicium, Gravure du
métal.
Photolithogravure : Principe. Masquage. Résines positive et négative. Insolation.
Nouvelles techniques de lithogravure (Lithographie par rayons x, Lithographie par jet
d’électrons, …).

Chapitre 5 : Assemblage et test des composants.

Test électrique des composants, Assemblage et isolation électrique des composants,


Encapsulation (ou Packaging) : boitiers TO, DIL, boitiers PGA, boitiers plats, …,
Productivité des composants.

Chapitre 6 : Exemples de fabrication des composants passifs et actifs.

Fabrication des composants passifs : Fabrication d’une résistance. Fabrication d’une


capacité.
Fabrication des composants actifs : Fabrication d’une diode. Fabrication d’un transistor
bipolaire. Fabrication d’un transistor MOS.
Fabrication d’un circuit intégré (porte logique).
Chapitre 1: Introduction à la technologie des semi-conducteurs.

Bref rappel de l’historique des circuits intégrés (le 1 er transistor, le 1er circuit intégré, Loi de
Moore). Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques (Technologies SSI,
MSI, LSI, VLSI, ULSI).
Salle blanche. Effet de la contamination. Les plus importants fabricants de CI dans le
monde. Statistiques économiques.
Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs (Métal, Isolant, SC, Silicium
intrinsèque, Si dopé type n, Si dopé type p). Description schématique des étapes
technologiques (cycle complet de fabrication d’un circuit intégré).
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

I-1. Bref rappel de l’historique des circuits intégrés :

1- Le premier tube à vide.


2- Le premier transistor.
3- Le premier circuit intégré.
4- Loi de Moore.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

John Ambrose Fleming (anglais), conseiller scientifique à la société Marconi invente, en


novembre 1904, la diode à vide basée sur une observation de Thomas Edison qui permet de
créer un courant unidirectionnel à partir d'un courant alternatif.

Un tube électronique (thermionic
valve en anglais ou vacuum tube aux États-Unis),
également appelé tube à vide ou même lampe,
est un composant électronique actif,
généralement utilisé
comme amplificateur de signal. Le tube à vide
redresseur ou amplificateur a été remplacé dans
beaucoup d'applications par différents semi-
conducteurs, mais n'a pas été remplacé dans
certains domaines comme l'amplification de
forte puissance ou des hyperfréquences.

1. Filament chauffé par une source électrique auxiliaire.


2. Cathode : chargée négativement.
3. Flux d'électrons se déplaçant de la cathode vers l'anode.
4. Anode : chargée positivement.
5. Courant électrique mesuré dans le circuit.
6. Source de tension permettant de charger positivement l'anode.
29 novembre 1849 -  18 avril 1945
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Lee De Forest (Américain), 1907 en ajoutant une électrode


intermédiaire, de commande, a permis le développement du
premier composant électronique amplificateur : la triode. La
triode se compose d'une cathode émettrice d'électrons,
d'une anode réceptrice, et d'une grille, placée entre les deux.

En modulant la tension appliquée sur la grille par rapport à la


cathode, un nombre plus ou moins grand d'électrons émis
par la cathode arrivent jusqu'à l'anode, créant un courant
variable entre l'anode et la cathode. Une charge en série
dans l'anode convertit la variation de courant en variation de
tension et de puissance : l'amplification est réalisée.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la


famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN,
l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible
courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant
beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant.
Le transistor bipolaire est un composant électronique utilisé comme : interrupteur
commandé, amplificateur, stabilisateur de tension, modulateur de signal…
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs
I-1. Bref rappel de l’historique des circuits intégrés (le 1 er transistor, le 1er circuit intégré,
Loi de Moore).
Introduction : La découverte du transistor bipolaire a permis de remplacer efficacement les
tubes électroniques dans les années 1950 et ainsi de perfectionner la miniaturisation et la
fiabilisation des montages électroniques.
1946, l'ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer) est le premier ordinateur
électronique programmable. Pour le programmer, il faut brancher à la main des câbles jack.
L'électronique est encore tangible et visible.

La première machine mathématique (machine PC) qui occupait une salle entière, était équipé
de 17 468 tubes électroniques (un tube était nécessaire pour représenter chaque bit).
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Histoire du transistor :
1947 : John BARDEEN et Walter BRATTAIN
inventent le transistor à contact (transistor) au
laboratoire de physique de la société BELL
(USA). Cette découverte est annoncée en juillet
1948. Ces chercheurs ont reçu pour cette
invention le prix Nobel de physique en 1956.

Le premier transistor conçu en 23 décembre
1947. Il va rapidement remplacer les relais et les
tubes à vide et ouvrir la voie à la miniaturisation
de l'électronique. John BARDEEN Walter BRATTAIN
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

1948 : Herbert MATARE et Heinrich WELKER inventent (indépendamment de BELL)


aussi le transistor à contact en juin 1948 (en France). Ce transistor sera appelé le
Transistron pour le distinguer de celui de BELL.

Herbert MATARE Heinrich WELKER


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

En janvier 1948 : William SHOCKLEY invente le transistor à jonction (bipolaire) mais la


technique de fabrication ne sera maitrisée qu’en 1951.

William SHOCKLEY
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Conclusion :

Le transistor est considéré comme un énorme


progrès face au tube électronique : beaucoup plus
petit, plus léger et plus robuste, fonctionnant avec
des tensions faibles, autorisant une alimentation par
piles, et il fonctionne presque instantanément une
fois mis sous tension.

contrairement aux tubes électroniques qui


demandaient une dizaine de secondes de chauffage,
généraient une consommation importante et
nécessitaient une source de tension élevée (plusieurs
centaines de volts).
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Bref rappel de l’historique des circuits intégrés :


Histoire des premiers circuits intégrés :
1960 : production de la première mémoire Flip Flop par la société Fairchild Semi-conductor.
1960 : Premier circuit intégré : utilisation de la
technologie Planar (dopage avec des gaz pour
assembler plusieurs transistors sur une puce) Robert
Noyce et Jack Kilby.
1963 : Le premier circuit intégré CMOS sort
simultanément des laboratoires R.C.A. (Radio
Corporation of America).
1968 : production en masse des circuit intégrés.

Robert Noyce and Jack Kilby.


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Les applications du transistor juste après l’invention :


Les transistors remplacent les contacteurs électromécaniques des centraux téléphoniques et
les tubes dans les calculateurs.
Apparition des premiers véritables calculateurs électromécaniques :
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Apparition des premiers véritables calculateurs électromécaniques :


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Apparition des premiers ordinateurs :


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Apparition des premiers calculatrices électronique :


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Les premiers micros réellement utiles, les (home computers) :


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Les premiers micros réellement utiles, les (home computers) :


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Les premiers micros à usage professionnel (personal computers) :


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Apparition des premiers micros avec environnement graphique :


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Loi de Moore :

Le premier microprocesseur (Intel 4004) a été inventé


en 1971. Il s’agissait d’une unité de calcul de 4 bits,
cadencée à 740 kHz et intégrant 2300 transistors. La
capacité d’intégration des transistors et l'augmentation de
la finesse de gravure ont amélioré les performances des
processeurs.

1- La loi de Moore a été exprimée en 1965 dans le magazine Electronics par Gordon


Earle Moore, ingénieur de Fairchild Semi-conducteur, un des trois fondateurs d'Intel.
Constatant que la « complexité des semi-conducteurs proposés en entrée de gamme »
doublait tous les ans à coût constant depuis 1959, date de leur invention, il postulait la
poursuite de cette croissance (en 1965, le circuit le plus performant
comportait 64 transistors). Cette augmentation exponentielle fut rapidement nommée
« loi de Moore » ou, compte tenu de l'ajustement ultérieur, « première loi de Moore ».
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

2- En 1975, Moore réévalua sa prédiction en posant que le nombre


de transistors des microprocesseurs (et non plus de simples circuits intégrés moins
complexes ) sur une puce de silicium double tous les deux ans. Bien qu'il ne s'agisse pas
d'une loi physique mais seulement d'une extrapolation empirique, cette prédiction s'est
révélée étonnamment exacte. Entre 1971 et 2001, la densité des transistors a doublé
chaque 1,96 année. En conséquence, les machines électroniques sont devenues de moins en
moins coûteuses et de plus en plus puissantes.

3- Une version commune, variable et sans lien avec les énoncés réels de Moore est :
« quelque chose » double tous les dix-huit mois, cette chose étant « la puissance », « la
capacité », « la vitesse », « la fréquence d'horloge » et bien d'autres variantes mais très
rarement la densité des transistors sur une puce. Ces pseudo « lois de Moore » sont celles le
plus souvent diffusées, car elles fleurissent dans des publications grand public et sur de
nombreux sites Internet. Leur seul point commun est donc ce nombre de dix-huit mois,
qu'on ne trouve pourtant dans aucun des deux énoncés de Moore.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Loi de Moore :
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques :

Introduction : On considère aujourd’hui que l’arrivée du circuit intégré dans le domaine


d’électronique à marquer une évolution au moins aussi importante que celle marquée
par la naissance du transistor.
Il est alors devenu possible d’associer, dans un seul bloc de silicium de l’ordre de
millimètre de côté, des composants actifs (diodes, transistors) et passifs (résistances,
capacités).
Il existe deux larges classifications des circuits intégrés, les circuits hybrides et les circuits
monolithiques. Les circuits monolithiques sont devenus tellement communs que, par
l'expression circuit intégré, on entend plutôt un circuit monolithique.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques :

Les circuits intégrés Monolithique veut dire d'une seule pierre, ce qui veut dire que tout le
circuit est contenu dans un seul morceau monocristallin de silicium. Les éléments
(transistors, résistors, condensateurs et diodes) sont isolés les uns des autres par des
jonctions p-n en opposition, obtenues par diffusion d’impuretés dans un morceau de
silicium monocristallin.

Les circuits intégrés sont souvent classés suivant le nombre d'éléments ou le nombre de
fonctions intégrés sur un seul morceau, ils sont nommés par des abréviations
d'expressions américaines : SSI (small scale integration), MSI (medium scale integration),
LSI (large scale integration), VLSI (very large scale integration) et ULSI
(ultra large scale integration).
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques :

Les limites qui séparent ces catégories sont basées sur le nombre de fonctions ou
d’éléments dans un seul circuit.

Les circuits SSI (small scale integration: Intégration à petite échelle ): comportent moins
de 12 fonctions ou moins de 50 éléments et de 1 à 10 transistors , date de sortie est
1964.

Les circuits MSI (medium scale integration: Intégration à moyenne échelle ): comportent
de 12 à 100 fonctions ou de 50 à 500 éléments et de 10 à 500 transistors , date de sortie
est 1968.

Les circuits LSI (large scale integration: Intégration à grande échelle ): comportent de 100
à 1000 fonctions ou de 500 à 10 000 éléments et de 500 à 20 000 transistors , date de
sortie est 1971.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques :

Les circuits VLSI (very large scale integration: Intégration à très grande échelle ):
comportent de 1000 à 10000 fonctions ou de 10 000 à 99 999 éléments et de 20 000 à 1
000 000 transistors , date de sortie est 1980.

Les circuits ULSI (ultra large scale integration: Intégration à très très grande échelle) :
comportent plus de 100000 fonctions et plus de 1 000 000 transistors , date de sortie est
1984.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques :

Des dates importante :

- 1961 Début de la production en série des CI.


- 1964 Intégration à petite échelle (SSI de 1 à 10 transistors).
- 1968 Intégration à moyenne échelle (MSI de 10 à 500 transistors).
- 1971 Intégration à grande échelle (LSI de 500 à 20 000 transistors).
- 1980 Intégration à très grande échelle (VLSI plus de 20 000 à 1000 000 transistors).
- 1984 Intégration à très grande échelle (ULSI plus de 1000000 transistors).
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques :

Classification des circuits intégrés :

Les circuits intégrés sont aussi classés par leur technologie :

 le type de transistors,
 la manière dont les transistors sont connectés,
 la technique utilisée pour fabriquer les transistors.

Cette dernière classification est plus significative. Deux exemples de cette classification :
les circuits TTL (transistor-transistor logic) et les circuits MOS (metal-oxide-semi-
conductor).
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques :

Les circuits intégrés TTL utilisent des transistors bipolaires et sont souvent de la
catégorie SSI ou MSI. inventée dans les années 1960. Cette famille tend à disparaître
du fait de sa consommation énergétique élevée (comparativement aux circuits MOS).

La technologie TTL est normalisée


pour une tension d'alimentation de 5
V. Un signal TTL est défini comme
niveau logique bas entre 0 et 1,4 V, et
comme niveau logique haut entre 2,4
V et 5 V.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques :

Les circuits intégrés MOS sont à base de transistors MOS à effet de champ (MOSFET) et
sont de la catégorie LSI ou VLSI.

Les circuits intégrés hybrides sont construits sur un substrat isolant. Le cœur du circuit
est une puce monolithique qui est fixées sur le substrat, la puce est connecté à d'autres
éléments qui ont été fabriqués directement sur le substrat. Les circuits hybrides sont
classés selon la manière dont sont fabriqués les autres éléments (résistor,
condensateur, ...), on a ou bien un “thin film” ou bien un “thick film”.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

La salle blanche :

Une salle blanche (ou plus exactement salle propre selon la norme ISO 14644-1) est une
pièce ou une série de pièces où la concentration particulaire est maîtrisée
afin de minimiser l'introduction, la génération, la rétention de particules à l'intérieur,
généralement dans un but spécifique industriel ou de recherche scientifique. Les
paramètres tels que la température, l'humidité et la pression relative sont également
maintenus à un niveau précis (définition selon la norme ISO 14644-1).
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

La salle blanche :

L’utilisations des salles blanches :

Les salles blanches sont utilisées dans les domaines sensibles aux contaminations
environnementales : la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs,
les biotechnologies et d'autres domaines de la biologie, l'industrie agroalimentaire,
généralement dans les salles de tranchage, la construction d'engins spatiaux, la
préparation des produits pharmaceutiques stériles, la construction d'optique ou de
micro-mécanismes, dans les hôpitaux pour les bloc opératoires ou de bactériologie.

Dans ces domaines, les objets et substances manipulés ont des tailles de l'ordre du
micromètre ou du nanomètre et les particules présentes dans l'air non purifié peuvent
être bien plus grosses et se fixer dessus.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

La salle blanche :
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Les plus importants fabricants de CI dans le monde :


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Les plus importants fabricants de CI dans le monde :


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs (Métal, Isolant, SC, Silicium intrinsèque,
Si dopé type n, Si dopé type p) :

La théorie des bandes d'énergie :


Les semi-conducteurs appartiennent à la classe plus générale des matériaux électroniques.
La conductivité électrique des semi-conducteurs est comprise entre celle des métaux
conducteurs et celle des céramiques isolantes, soit approximativement entre 10 -6 et
103 S/cm. La majorité des semi-conducteurs est à base de silicium et de germanium. C'est
ces matériaux qui sont à l'origine de l'âge du numérique et de l'informatique, et donc des
nombreuses technologies qui aujourd'hui font partie intégrale de notre vie quotidienne.
A côté des éléments purs Si et Ge, les semi-conducteurs peuvent être aussi des composés :
- CdS, CdSe, CdTe ... (appelés semi-conducteurs II-VI car formés d'éléments du groupe 2B et
du groupe 6B).
-GaN, GaAs, AlAs, AlP, InP .... (appelés semi-conducteurs III-V car formés d'éléments du
groupe 3B et du groupe 5B).

-Les propriétés électriques particulières de ces matériaux solides, mais aussi des autres


matériaux électroniques, sont expliquées actuellement par la théorie des bandes d'énergie.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs
Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs (Métal, Isolant, SC, Silicium intrinsèque,
Si dopé type n, Si dopé type p) :
La théorie des bandes d'énergie :
Dans un atome isolé, les électrons occupent des niveaux d'énergie particuliers et distincts.
Quand des atomes se rapprochent pour former un solide, le principe d'exclusion de Pauli
indique que pas plus de deux électrons dans le solide peuvent avoir la même énergie.
Quand deux atomes se réunissent pour former une liaison covalente, le même principe de
Pauli serait violé si les niveaux énergétiques des deux électrons de la liaison étaient les
mêmes. Par conséquent les niveaux énergétiques de ces électrons se divisent en
deux niveaux d'énergie différents. Si le nombre d'atomes augmente, ces deux niveaux se
subdivisent eux mêmes en d'autres niveaux d'énergie très voisins ce qui donne finalement
des bandes d'énergie (figure ci-dessous).

Élargissement des niveaux


énergétiques des électrons de
valence lorsque le nombre
d'atomes rassemblés
augmente (schéma simplifié).
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

• Pour les conducteurs, la bande de valence et la bande de conduction se chevauchent.


Les électrons peuvent donc passer directement dans la bande de conduction
et circuler dans tout le solide. La conductivité est bonne.
• Pour les isolants, la bande de valence et la bande de conduction sont séparées par un
gap (bande interdite) de l'ordre de 6 eV. Cette valeur est trop élevée pour que les
électrons passent dans la bande de conduction.
• Pour les semi-conducteurs, la bande de valence et la bande de conduction sont
séparées par un gap plus faible, compris entre 0,5 et 4 eV, mais le plus souvent voisin
de 1 eV. Si on apporte cette énergie aux électrons, certains pourront passer dans la
bande de conduction et circuler dans le matériau. L'apport d'énergie peut se faire par
chauffage, par application d'un champ électromagnétique ou par illumination. A
température ambiante la conduction est faible, elle augmente rapidement avec la
température.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Les bandes d'énergie correspondent donc aux niveaux d'énergie qui sont permis,


ou interdits, aux électrons des éléments ou des composés formant le matériau solide. La
dernière bande remplie est appelée bande de valence, la bande immédiatement
supérieure bande de conduction. La bande d'énergie comprise entre ces deux bandes est
appelée bande interdite ou plus simplement « gap » .
C'est la valeur de l'énergie de cette bande qui va fixer les propriétés électriques du
matériau (figure ci-dessous) :

Position des bandes d'énergie pour un métal, un semi-conducteur et un isolant (schéma simplifié).
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs
Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs (Métal, Isolant, SC, Silicium intrinsèque,
Si dopé type n, Si dopé type p) :
Les Métaux :
En chimie, les métaux sont des matériaux dont les atomes sont unis par des liaisons
métalliques. Il s'agit de corps simples ou d'alliages le plus souvent durs, opaques,
brillants, bons conducteurs de la chaleur et de l'électricité. Ils sont généralement
malléables, c'est-à-dire qu'ils peuvent être martelés ou pressés pour leur faire changer
de forme sans les fissurer ni les briser. 
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs (Métal, Isolant, SC, Silicium intrinsèque,
Si dopé type n, Si dopé type p) :
Les Métaux :
Propriétés physiques :
Les métaux purs ont le plus souvent une conductivité électrique,
une conductivité thermique et une masse volumique élevées.
L'argent est ainsi le meilleur conducteur électrique (6,30×107 S·m-1),
suivi par le cuivre (5,96×107 S·m-1), l'or (4,10×107 S·m-1) et
l'aluminium (3,50×107 S·m-1). La conductivité électrique du fer est
de 107 S·m-1, tandis que celle de l'acier au carbone 1010 (fer à 0,10 %
de carbone) est de seulement 6,99×106 S·m-1, ce qui illustre l'effet des
impuretés sur la conductivité des métaux.
Applications des métaux :
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs (Métal, Isolant, SC, Silicium intrinsèque,
Si dopé type n, Si dopé type p) :

Isolants électrique :

Un milieu est diélectrique (mot composé du préfixe dia (δια)- (au travers)


et électrique) s'il ne contient pas de charges électriques susceptibles de se déplacer de
façon macroscopique. Le milieu ne peut donc pas conduire le courant électrique, et
est par définition un isolant électrique. Quelques exemples de milieux diélectriques :
le vide, le verre, le bois sec, de nombreux plastiques, etc.

En électricité comme en électronique, un isolant électrique est une partie


d'un composant ou un organe ayant pour fonction d'empêcher le passage de
tout courant électrique entre deux parties conductrices soumises à une différence
de potentiel électrique. Un isolant est constitué d'un matériau diélectrique qui
possède peu de charges libres.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Exemples et utilisation des diélectriques :

Solides :

Les diélectriques étant de bons isolants électriques et thermiques, et sont donc utilisés


pour gainer les câbles électriques afin d'éviter des contacts avec d'autres câbles ou des
personnes.
Les diélectriques sont utiles dans les condensateurs. Dans le cas, très simple,
du condensateur plan, on peut rapprocher les plaques sans risque de contact ou
de claquage. On insère ainsi des couches de diélectriques dans les condensateurs
industriels, ce qui permet d'augmenter la capacité en diminuant l'encombrement.
D'autre part, si on la soumet à un champ électrique suffisamment puissant, toute
substance s'ionisera et deviendra conductrice. Les diélectriques étant plutôt difficiles à
ioniser, l'air ambiant devient conducteur avant eux : on peut les employer pour des
condensateurs à haute tension.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

La plupart des diélectriques sont également transparents dans de larges gammes de


fréquences, et sont parfois utilisés en optique pour constituer une couche anti-reflet,
par exemple sur certains modèles de verres de lunette.
le verre, utilisé pour faire des isolateurs de lignes haute tension;
la céramique, très utilisée pour les matériels HTB des postes électriques;
la plupart des plastiques, en particulier polyéthylène sous sa forme réticulée (XLPE)
et PVC, tous deux utilisés pour les câbles;
le Polypropylène, utilisé en particulier dans les condensateurs en HTA ou HTB;
le mica, qui n'est guère plus utilisé de nos jours dans l'industrie électrotechnique ;
la bakélite, autrefois très utilisée pour l'appareillage électrique basse tension ;
le téflon, utilisé pour certaines pièces des disjoncteurs à haute tension.
certains matériaux sous forme cristalline pérovskite comme le PZT qui sont
actuellement en cours de développement pour être utilisés comme condensateur à
capacité variable.
la résine d'époxy est utilisée dans les traversées électriques et dans les circuits
imprimés.
le papier imprégné d'huile minérale sert à former l'isolation des transformateurs.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Liquides :
l'huile minérale, utilisée dans les transformateurs.
l'huile de silicone.
l'huile végétale, innovation récente dans l'isolation diélectrique dans les transformateurs
électriques.
le pyralène (PCB), autrefois utilisé dans les transformateurs, mais depuis interdit dans la
plupart des pays à cause de sa toxicité.
l'eau pure. Si l'eau est habituellement conductrice, une eau parfaitement pure est un très
bon isolant. La difficulté de garder une eau très pure (sans aucune impureté) rend toute
utilisation industrielle difficile.
l'azote liquide, l'hélium liquide ou le SF6 permet d'isoler des
composants supraconducteurs à très basse température.

Gazeux :
l'air sec, qui a l'avantage d'être abondant.
l'hexafluorure de soufre (SF6), qui sous pression a une meilleure rigidité diélectrique que
l'air.
le di-azote, qui n'est pas aussi isolant que le SF6 mais, étant présent dans l'air, n'a pas
d'effet néfaste sur l'environnement en cas de fuite.
Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Description schématique des étapes technologiques (cycle complet de fabrication d’un


CI) :
1- Purification du silicium et Fabrication du cristal.

2- Techniques de fabrication des circuits : oxydation, métallisation …etc.


3- Photolithographie : la résine (+ ou - ), la gravure, la diffusion…etc.
4- Encapsulation (packaging)

5- Teste des composants


Chapitre I : Introduction à la technologie des semi-conducteurs

Merci de votre
attention