Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
L'organe d'amplification est un tube électronique ou un transistor, alimenté par une source de
tension stabilisée, et associé à des circuits électroniques; l'ensemble constitue un étage
d'amplification. Le rapport d'amplification du signal (ou gain) étant limité pour un étage (env.
103 en puissance), on couple souvent plusieurs étages afin d'obtenir un gain élevé. Les
amplificateurs sont utilisés, en radio ou en télévision, pour produire, à partir d'un signal très
faible, un courant suffisant pour alimenter le haut-parleur; en télécommunications (V.
répéteur); dans l'industrie, pour amplifier les signaux de commande fournis par des capteurs
(jusqu'à 109).
le transistor
Chronologie (1948)
Plusieurs décennies après l'invention des tubes électroniques (diode de Fleming, triode de De
Forest…), le problème s'est posé d'inventer, au niveau microscopique, un système ayant une
fonction équivalente à celle accomplie par la grille dans les tubes. Cette grille va créer de
façon permanente, en termes d'échanges microscopiques d'électrons, des points d'attraction
pour les électrons ou un excès local d'électrons, libres de se déplacer, de telle sorte qu'on
constate, au niveau macroscopique, un flux constant de courant.
Le transistor indissociable des semi-conducteurs
Cela est possible lorsque des solides dopés différemment sont mis en contact. Si l'on met un
semi-conducteur dopé p (accepteur d'électron) entre deux semi-conducteurs dopés n
(donneurs d'électron), ou un de type n entre deux de type p, on produit un déplacement
d'électrons. C'est l'idée à la base du transistor. Son fonctionnement peut ainsi être décrit:
l'émetteur laisse échapper des charges qui sont capturées par le collecteur, mais ces charges
doivent passer outre la surface de séparation. Le sens de circulation du courant dépend de la
différence de potentiel appliquée, mais aussi du type de transistor. L'élément clé est donc la
partie centrale, la base, laquelle fonctionne comme une barrière. Si on lui applique certaines
valeurs du potentiel, cette barrière devient infranchissable; à valeurs du potentiel constantes,
elle peut devenir infranchissable quand son épaisseur augmente. Deux paramètres, l'un
dépendant de la conception de la base, l'autre du potentiel, permettent d'obtenir un large
spectre de produits.
Les premiers transistors étaient fabriqués avec du germanium, mais ce matériau s'avéra peu
fiable dans certaines applications militaires et dans des conditions d'utilisation extrêmes (de
température notamment). Le silicium semblait mieux correspondre aux besoins. Dès 1951,
deux stratégies sont clairement envisagées: la mise au point de transistors au silicium, réussie
en 1954, et la miniaturisation de plus en plus poussée, pensée dans un premier temps comme
la réduction de la taille du transistor. La miniaturisation selon cette perspective montra vite
ses limites; la solution vint de la maîtrise technique d'un autre procédé de fabrication: les
circuits imprimés ou intégrés.
Transistors de jonction, ou bipolaires Deux morceaux de silicium, l'un dopé n et l'autre dopé
p, sont superposés. Ce principe permet d'avoir recours à plusieurs procédés de fabrication de
transistors utilisés dans des circuits «rapides» ou «de puissance».
La plupart des microphones sont de type électrodynamique. Sous leur membrane est fixée une
bobine de fil métallique, elle-même entourée d'un aimant. Les vibrations de la membrane
entraînent la bobine. Ces mouvements au cœur d'un champ magnétique induisent un courant
électrique dans la bobine.
Plus un microphone est sensible, plus il délivre un signal électrique important à pression
acoustique égale. Plus un microphone est directif, plus il accentue les sons venant d'une
direction bien précise.
Le microphone électrostatique L'onde sonore fait vibrer l'une des deux électrodes d'un
condensateur sous tension; il en résulte une différence de capacité du condensateur qui
engendre une intensité variable.