EHTP 2021

ÉLECTRONIQUE
ANALOGIQUE LINÉAIRE
1GE A. EL RHARRAS

1
 PLAN
• 1. INTRODUCTION
• 2. SEMI CONDUCTEURS
• 3. LES DIODES
• 4. APPLICATIONS DES DIODES
• 5. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

2
INTRODUCTION

3
L’ÉLECTRONIQUE ?

4
 L’ÉLECTRONIQUE ?

• PHYSIQUE APPLIQUÉE

• EXPLOITE LES VARIATIONS DE GRANDEURS ÉLECTRIQUES POUR

• CAPTER
• TRANSMETTRE
• ANALYSER
5
CIRCUIT ÉLECTRONIQUE ?

6
 CIRCUIT ÉLECTRONIQUE ?

• UN ENSEMBLE DE COMPOSANTS

• RÉSISTANCES, CONDENSATEURS, DIODES, TRANSISTORS, CIRCUITS INTÉGRÉS: AOP,

MICROPROCESSEURS, …
• CES COMPOSANTS AGISSENT SUR LES COURANTS ET TENSIONS ÉLECTRIQUES

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ANALOGIQUE & NUMÉRIQUE

8
 NUMÉRIQUE

• ELECTRONIQUE NUMÉRIQUE

- VARIATION BINAIRE DES GRANDEURS ÉLECTRIQUES

• CODAGE DE L’INFORMATION

9
 ANALOGIQUE

• ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

- VARIATION CONTINUE DES GRANDEURS ÉLECTRIQUES

• INFORMATION : VALEURS INSTANTANÉES I(T) ET V(T)

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APPLICATIONS

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 Robotique

Multimédia Instrumentation

applications

Systèmes Communications
informatiques

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 • L’électronique : Un domaine en évolution exponentielle…

En 1947 : le premier transistor

En 1957 : le premier CI (Texas / Kilby)

13
En 1971 : le premier Processeur

4004 d’INTEL : 15/11/1971

(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits, 604 mots.)

14
le Pentium IV

42.106 TMOS
(taille d’un transistor: ~0,18m)

15
 Microprocesseurs Intel

•1971 : 4004 : 2250 transistors

•1978 : 8086 : 29 000 transistors
•1982 : 80286 275 000 transistors
•1989 : 80486 : 1,16 millions de transistors
•1993 : Pentium : 3,1 millions de transistors
•1995 : Pentium Pro : 5,5 millions de transistors
•1997 : Pentium II : 27 Millions de transistors
•2001 : Pentium 4 : 42 millions de transistors
•2004 : Pentium Extreme Edition : 169 millions de transistors
•2008 : Core i7 Bloomfield : 730 millions
•2012 : Core i7 Sandy Bridge : 2,27 milliards
•2014 : Core i7 Haswell : 2,6 milliards
16
 Carte graphique et Serveur

•Serveur : 2015 : Xeon (18 cœurs) : 5,6 milliards

•Carte graphique : 2016 : GP102 (Nvidia GTX Titan X) : 12 milliards

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La « loi » empirique de Moore…

18
et demain…
La nano-électronique

Transistor
25nm
(10nm possible)

19
Les technologies émergentes

Electronique sur plastique

Electronique moléculaire
Une molécule comme composant

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SEMI CONDUCTEURS

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 SEMI-CONDUCTEURS

• L'ATOME

22
 SEMI-CONDUCTEURS

• LA DERNIÈRE COUCHE, APPELÉE COUCHE DE VALENCE, DÉFINIT LES PROPRIÉTÉS CHIMIQUES ET

ÉLECTRIQUES DES ATOMES.

• ON PEUT DONC REPRÉSENTER UN ATOME PAR SA COUCHE DE VALENCE ET PAR UN CŒUR QUI
REGROUPE LE NOYAU ET LES COUCHES INTERNES

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 SEMI-CONDUCTEURS

• LA COUCHE DE VALENCE PEUT COMPORTER DE 1 À 8 ÉLECTRONS.

• POUR N = 8, LA COUCHE EST DITE SATURÉE (SAUF POUR LA PREMIÈRE COUCHE NSAT = 2).
• LES ATOMES AYANT 1 ÉLECTRON PÉRIPHÉRIQUE FORMENT LES MATÉRIAUX CONDUCTEURS.
• LES ATOMES AYANT 8 ÉLECTRONS PÉRIPHÉRIQUES FORMENT LES MATÉRIAUX ISOLANTS.
• LES ATOMES AYANT 4 ÉLECTRONS PÉRIPHÉRIQUES FORMENT LES MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS.

24
25
 SEMI-CONDUCTEURS
• LE CRISTAL
-UN SEMI-CONDUCTEUR EST UN CRISTAL DE RÉSISTIVITÉ COMPRISE ENTRE 10^-3 ET 10^10 Ω.CM
-LA RÉSISTIVITÉ D’UN SEMI CONDUCTEUR EST UNE FONCTION DÉCROISSANTE DE LA TEMPÉRATURE.
LORSQUE DES ATOMES AYANT 4 ÉLECTRONS PÉRIPHÉRIQUES S'ASSEMBLENT SOUS LA FORME D'UN
SOLIDE, ILS PEUVENT S'ORDONNER SELON UN MOTIF RÉGULIER APPELÉ CRISTAL.
DANS CE CRISTAL, CHAQUE ATOME PARTAGE SES ÉLECTRONS AVEC SES VOISINS.

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 SEMI-CONDUCTEURS

• CHAQUE ATOME « VOIT » AINSI HUIT ÉLECTRONS

PÉRIPHÉRIQUES.

• CHAQUE ATOME AYANT HUIT ÉLECTRONS SUR SA

COUCHE DE VALENCE,

• LE CRISTAL EST ISOLANT À TEMPÉRATURE

AMBIANTE.

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 SEMI-CONDUCTEURS

• LORSQUE LA TEMPÉRATURE AUGMENTE, ON APPORTE DE L'ÉNERGIE AU SEMI-CONDUCTEUR.

CERTAINS ÉLECTRONS PEUVENT ALORS UTILISER CETTE ÉNERGIE POUR AUGMENTER LEUR
VITESSE ET QUITTER LEUR ORBITE.

LE DÉPART DE L'ÉLECTRON CRÉE UN VIDE DANS LA COUCHE DE VALENCE APPELÉ « TROU ». CE

DERNIER SE COMPORTE COMME UNE CHARGE POSITIVE CAR LA PERTE D'UN ÉLECTRON
ENTRAÎNE L'APPARITION D'UN ION POSITIF.

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 SEMI-CONDUCTEURS

• LE NOMBRE D'ÉLECTRONS LIBRES ET DE

TROUS EST IDENTIQUE.
• LORSQUE QU'UN É- EST ATTIRÉ PAR UN ION
POSITIF, IL « TOMBE» DANS LE «TROU » :
C'EST LA RECOMBINAISON. L'ION POSITIF
DISPARAÎT.

29
SEMI-CONDUCTEURS

30
 SEMI-CONDUCTEURS
Lorsqu’une énergie suffisante est
fournie au semi conducteur sous forme
de chaleur ou de lumière , des électrons
de la bande de valence sautent à la
bande de conduction et deviennent
libres. Chacun des électrons migrateurs
laisse derrière lui une lacune appelée
trou dans la bande de valence. Ces
trous ainsi crées vont participer à leurs
tours à la conduction électrique.

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 SEMI-CONDUCTEUR INTRINSÈQUE

• LE SEMI-CONDUCTEUR INTRINSÈQUE C'EST UN SEMI-CONDUCTEUR PUR.

A TEMPÉRATURE AMBIANTE LE COURANT EST NUL
Lorsque la température augmente.
Le courant i dans le semi-conducteur correspond à la somme de deux
flux, celui des électrons dans un sens et celui des trous dans l'autre.
Les électrons et les trous sont appelés porteurs car ils « transportent »
des charges d'un endroit à un autre.

Pour obtenir un cristal conducteur à température ambiante, il

faut ajouter des porteurs libres. Ceci est obtenu par dopage.

32
 SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSÈQUE

• LE DOPAGE CONSISTE À INSÉRER DANS LE CRISTAL DES ATOMES :

• PENTAVALENTS (AYANT 5 ÉLECTRONS PÉRIPHÉRIQUES),
• TRIVALENTS (AYANT 3 ÉLECTRONS PÉRIPHÉRIQUES).

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 SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSÈQUE

• LE CRISTAL AINSI DOPÉ S’APPELLE SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSÈQUE, ON DISTINGUE DEUX TYPES:

*TYPE N:
DOPAGE PAR DES ATOMES ÉTRANGERS DE VALENCE 5.
LES PORTEURS MAJORITAIRES SONT LES ÉLECTRONS.
LES PORTEURS MINORITAIRES SONT LES TROUS.

*TYPE P:
DOPAGE PAR DES ATOMES ÉTRANGERS DE VALENCE 3.
LES PORTEURS MAJORITAIRES SONT LES TROUS.
LES PORTEURS MINORITAIRES SONT LES ÉLECTRONS.

34
 DOPAGE PAR ATOME PENTAVALENT

On peut donc considérer que l'atome dopant devient

un ion positif accompagné d'un électron libre.

35
 DOPAGE PAR ATOME PENTAVALENT
• A TEMPÉRATURE AMBIANTE, LES PORTEURS SONT DES ÉLECTRONS.

• LORSQUE LA TEMPÉRATURE AUGMENTE, IL Y GÉNÉRATION DE PAIRES

ÉLECTRONS-TROUS QUI S'AJOUTENT AUX PORTEURS PRÉCÉDENTS.
• LA MAJORITÉ DES PORTEURS SONT DES ÉLECTRONS (NÉGATIFS).
• LE SEMI-CONDUCTEUR DOPÉ PAR ATOME PENTAVALENT EST APPELÉ
SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE N.
• LES ÉLECTRONS SONT LES PORTEURS MAJORITAIRES.
• LES TROUS SONT LES PORTEURS MINORITAIRES

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 DOPAGE PAR ATOME TRIVALENT

On peut donc considérer l'atome dopant comme un ion négatif

accompagné d'une charge positive, le trou.

37
 DOPAGE PAR ATOME TRIVALENT

• A TEMPÉRATURE AMBIANTE, LES PORTEURS SONT DES TROUS.

• LORSQUE LA TEMPÉRATURE AUGMENTE, IL Y GÉNÉRATION DE

PAIRES ÉLECTRONS-TROU QUI S'AJOUTENT AUX PORTEURS
PRÉCÉDENTS.
• LA MAJORITÉ DES PORTEURS SONT DES TROUS (POSITIFS). LE
SEMI-CONDUCTEUR DOPÉ PAR ATOME TRIVALENT EST APPELÉ
SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE P.
• LES TROUS SONT LES PORTEURS MAJORITAIRES.
• LES ÉLECTRONS SONT LES PORTEURS MINORITAIRES. 38
 CONDUCTION DANS SEMI-CONDUCTEUR

• DANS UN SEMI-CONDUCTEUR ON A UNE CONDUCTION ÉLECTRONIQUE PAR LES ÉLECTRONS

ET PAR LES TROUS.

39
 CONDUCTION DANS SEMI-CONDUCTEUR

• CAS D’UN SEMI-CONDUCTEUR INTRINSÈQUE

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CONDUCTION DANS SEMI-CONDUCTEUR

41
CONDUCTION DANS SEMI-CONDUCTEUR

42
 EFFET HALL

• ON CONSIDÈRE UN PARALLÉLÉPIPÈDE SEMI-CONDUCTEUR TRAVERSÉ PAR UN COURANT

ÉLECTRIQUE I (DIRECTION OY) ET SOUMIS À UN CHAMP MAGNÉTIQUE B (DIRECTION OZ)

43
 EFFET HALL

Si le barreau semi-conducteur et de type P

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 EFFET HALL

• ENTRE LES FACES (1)ET (2) ON PEUT RECUEILLIR UNE TENSION VH POSITIVE QU’ON APPELLE
TENSION DE HALL

45
 EFFET HALL

• Dans le cas d’un semi-conducteur type N

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SEMI-CONDUCTEURS

47
JONCTION PN

48
JONCTION PN NON POLARISÉE

49
 JONCTION PN NON POLARISÉE

• SOUS L’EFFET DE L’AGITATION THERMIQUES, ET DES DIFFÉRENCES DE CONCENTRATIONS DES

PORTEURS LIBRES (ÉLECTRONS ET TROUS), IL SE PRODUIT UNE DIFFUSION DE PORTEURS
MAJORITAIRES D’UNE ZONE À L’AUTRE:
TROUS DE LA ZONE P VERS LA ZONE N
ELECTRONS DE N VERS P
CE QUI DONNE NAISSANCE À UN COURANT DE DIFFUSION Id ORIENTÉ DE P VERS N.

50
 JONCTION PN NON POLARISÉE

• AU NIVEAU DE LA JONCTION, LES ÉLECTRONS LIBRES DE N PÉNÈTRENT DANS LA RÉGION P TRÈS

RICHE EN TROUS ET SE RECOMBINENT. DE MÊME LES TROUS DE P PÉNÈTRENT DANS LA RÉGION
N ET SE RECOMBINENT. IL EN RÉSULTENT UNE DISPARITION PRESQUE COMPLÈTE DE PORTEURS
LIBRES AU VOISINAGE DE LA JONCTION.

51
JONCTION PN NON POLARISÉE

52
APPLICATIONS DE LA DIODE

•TD1 + ISIS

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 APPLICATIONS DE LA DIODE
TD2 , EX1
• SOIT LE MONTAGE SUIVANT :
CALCULER LE COURANT MAXIMAL QUI TRAVERSE LA DIODE :
• CAS D’UNE DIODE IDÉALE
• CAS D’UNE DIODE AVEC Vs=0.7V

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REDRESSEMENT MONO-ALTERNANCE

𝑉𝑐 𝑚𝑜𝑦=0.45 Veff
Tension inverse maximale aux bornes de la diode
𝐼𝑉𝑖 𝑚𝑎𝑥𝐼 = 𝑉1𝑚𝑎𝑥

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 APPLICATIONS DE LA DIODE
TD2 , EX1
• DÉTERMINER N2/N1=0.5 DIODE IDÉALE V1=120V(eff)
1- LA TENSION CONTINUE DE CHARGE
2- LA TENSION INVERSE MAXIMALE
3- ON DISPOSE D’UN NOMBRE DE DIODES DONT
LES CARACTÉRISTIQUES SONT LES SUIVANTS
diode Imax Vdmax

1N914 50mA 20V

1N1183 35A 50V

1N4002 1A 100V

1N3070 100mA 175V 56

Quelle est parmi ces diodes celle qu’on peut utiliser?

 REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE

V’2=V2/2
Vc moy=0.9 V’2eff
IVi maxI=2 V’2max

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 APPLICATIONS DE LA DIODE
TD2 , EX3
• V1=120V(eff) N2/N1=1/4
• D1 ET D2 : IDÉALES
• DÉTERMINER :
1- TENSION MAXIMALE DE CHARGE
2- TENSION CONTINUE DE CHARGE
3- LE COURANT CONTINU DE CHARGE
4- LE COURANT MOYEN REDRESSÉ DANS CHAQUE DIODE

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 REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE

𝑉2
𝑉𝑐 𝑚𝑜𝑦 = 2 = 0.9𝑉2𝑒𝑓𝑓
𝑝𝑖
IVi maxI=V2max

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 APPLICATIONS DE LA DIODE
TD2 , EX4
• POUR N2/N1=1/3 V1=120V(eff)
• DÉTERMINER
1- TENSION CONTINUE DE CHARGE
2- LE COURANT CONTINUE DE CHARGE
3- LA TENSION INVERSE MAXIMALE AUX
BORNES DE CHAQUE DIODE
4- LE COURANT CONTINUE TRAVERSANT
CHAQUE DIODE
5- LES DIODES ONT UN Imax= 100mA ET Vdmax=100V CES DIODES CONVIENNENT-ELLES SI N2/N1=1/2
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TRANSISTOR BIPOLAIRE

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 Transistor bipolaire
• COMPOSANT ÉLECTRONIQUE ACTIF FONDAMENTAL

• UTILISÉ COMME INTERRUPTEUR COMMANDÉ ET POUR

L'AMPLIFICATION, STABILISATION UNE TENSION,
COMMUTATION, MODULER UN SIGNAL AINSI QUE DE
NOMBREUSES AUTRES UTILISATIONS

• DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À TROIS ÉLECTRODES ACTIVES

QUI PERMET LE CONTRÔLE GRÂCE À UNE ÉLECTRODE D'ENTRÉE
(BASE) D'UN COURANT OU D'UNE TENSION SUR L'UNE DES
ÉLECTRODES DE SORTIES (COLLECTEUR).

62
 TRANSISTOR BIPOLAIRE

• 2 TYPES , 3 ÉLECTRODES, 2 JONCTIONS

• SENS DES COURANTS IMPOSÉ

63
 Transistor bipolaire
ANALOGIQUE HYDRAULIQUE
• UN COURANT IB ASSEZ FAIBLE PERMET
L'OUVERTURE DU "ROBINET" (B), CE QUI
PROVOQUE VIA L'ÉMETTEUR (E)
L'ÉCOULEMENT D'UN FORT COURANT
IC EN PROVENANCE DU RÉSERVOIR
COLLECTEUR (C).

• LORSQUE LE "ROBINET" EST

COMPLÈTEMENT OUVERT, LE COURANT
IC EST MAXIMAL: IL EXISTE DONC UNE
LIMITE PHYSIQUE AU GAIN EN
COURANT. 64
 Transistor bipolaire

En général plus les transistors sont gros, plus ils pourront

dissiper une puissance importante, c'est à dire laisser
passer un courant et/ou une tension importante. (Puissance
= Courant * Tension).

65
 Transistor bipolaire

Symboles des transistors bipolaires:

▪Il faut retenir les noms des pattes. L'émetteur est toujours repéré
par la flèche. Le sens de la flèche indique le type de transistor.
▪Les deux types de transistors sont nécessaires et complémentaires.
Pour certaines applications, on peut utiliser indifféremment les deux
types; pour d'autres, on doit utiliser exclusivement un certain type
(notamment pour les amplificateurs audio de classe B).

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 Transistor bipolaire
Fonctionnement d’un Transistor bipolaire:

Sens des courants et tension pour un transistor PNP

Sens des courants et tension pour un transistor NPN

Voilà comment tester un transistor bipolaire. Ca permet de

reconnaître si le transistor est de type PNP ou NPN.

67
 Transistor bipolaire

Fonctionnement d’un Transistor bipolaire:

On peut différencier trois états pour le transistor: bloqué, passant, et saturé (le débit
est maximum).

▪ Première chose à savoir: Ic = ß x Ib.

Cela signifie que le courant pouvant circuler dans le collecteur du transistor est
proportionnel au courant circulant dans la base.
(ß est le gain du transistor. Il vaut de l'ordre de 200 pour les transistors de signal. Plus
les transistors sont "gros", plus ce gain est faible).

68
 Transistor bipolaire
Fonctionnement d’un Transistor bipolaire:
▪ Deuxième chose à savoir: Ic = Ie.

En effet, la formule exacte est Ie = Ic + Ib.

Mais comme ß est "grand", le courant de base est négligeable par rapport au courant
de collecteur.

Lorsque Ic < ß x Ib, le transistor est saturé, on a alors:

Vce = Vce_sat.

C'est également un paramètre constructeur qui dépend beaucoup du transistor. pour

les transistors de signal il vaut environ 0.2V.

69
EXERCICE 1 :

73
EXERCICE 2:

74
EXERCICE 3:

75