Travaux pratiques : Conception numérique

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Objectif du TP:
• Le but de ce TP est de se familiariser avec les notions de layout en
technologie CMOS.
• Pour cela on utilise un logiciel nommé MICROWIND. Celui-ci permet
de designer et de simuler des structures électroniques intégrées telles
que des portes logiques, des bascules ou bien encore des ASICS
(CAN, Générateur d’impulsions, …).
• Il est aussi possible de réaliser une extraction électrique du layout
dessiné afin d’en simuler le schéma.

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I. Familiarisation avec le logiciel Microwind
• Microwind est un logiciel qui permet de designer et de simuler des
structures électroniques intégrées telles que des portes logiques, des
bascules ou bien encore de petits ASICs (CAN, Générateur
d'impulsions,...).
• Le logiciel se présente comme montre la figure suivante :

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• Une barre de menu permettant de lancer différents outils de
simulation, d'analyse et de compilation .
• Une barre d'outils permettant l'accès a des raccourcis les plus
couramment utilisés.
• Un menu flottant proposant différent outils (sélection des couches,
simulation, ...) .
• Une feuille de travail sur laquelle seront dessinées (en vue de
dessus) les structures microélectroniques.

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 On définit la distance λ pour un procédé donné comme étant égale la moitié de
la technologie, ainsi la longueur minimal du canal d’un transistor est égal à 2λ.
 On identifie brièvement le rôle de chacun des masques suivants :
• nWell : Caissons dopés N ou P. Nous pouvons bénéficier pour le transistor
bipolaire du masque NWell utilisé pour le dopage du caisson et le contrôle de la
tension de seuil du transistor PMOS.
• Poly : poly silicium est utilisé pour les grilles et les connexions.
• Pselect : (régions ciblées pour l'implantation p) détermine les régions ciblées
pour l'implantation ionique p+.
• Nselect :(régions ciblées pour l'implantation n), détermine les régions ciblées
pour l'implantation ionique n+.

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• Metal1 : A une grande résistance (alliage à base de Tungstène en
général), mais une très bonne tenue mécanique. Il est utilisé pour les
connexions verticales. Elle sert aux interconnexions et au routage de VDD
et VSS.
• Metal2 : est utilisé pour les connexions horizontales. Il sert aux
interconnexions longues et aux rails VDD et VSS (faible résistivité).

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 1.1 Procédure
a) Dessin d'un transistor NMOS
1. Ouvrez le logiciel Microwind, La fenêtre principale du logiciel est la fenêtre de dessin de
masques. Par défaut, le logiciel dans un environnement de conception (échelle, couches,
règles de conception) correspondant à un procède CMOS 0.12 μm. Dans la fenêtre de
dessin, toute distance, largeur et longueur est un multiple entier de la distance fondamentale
λ , laquelle dépend du procédé.
2. Une palette vous offre un choix de couches codées par couleur. Initialement, la couche
sélectionnée (en rouge) est celle du polysilicium. En utilisant un clic continu du bouton de la
souris dans la fenêtre de dessin, créez un rectangle allongé de polysilicium comme ci-
dessous.
• Les dimensions exactes peuvent varier, mais le rectangle doit avoir au minimum une
largeur de 2 λ.

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3. Sélectionnez à présent la couche de diffusion n+. Dessinez une boîte plus large intersectant le
polysilicium comme ci-dessous. Vous avez crée un transistor; en effet, le logiciel interprète
correctement l'intersection polysilicium / diffusion n+ et apporte les modifications appropriées aux
divers masques. A l'aide du curseur, mesurez les dimensions de l'intersection (un clic donne les
coordonnées du curseur dans le bas de l'écran, en multiples de λ).

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b) Couches et procède
 Faites une coupe du transistor en cliquant sur Simulate  2D Vertical cross-section et en
tirant une ligne sur toute sa largeur comme ci-dessous. Déterminez l'épaisseur tox.

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 Fermez la fenêtre de coupe et affichez la structure tridimensionnelle du transistor en cliquant sur Simulate  Process
steps in 3D.
Sélectionnez les étapes du procède une-à-une à droite et observez la construction du transistor.

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II. Chapitre 1 : Portes de base

2.1 L'inverseur
a) Schéma et principe de fonctionnement

La logique CMOS utilise les deux types de transistors. La Figure 1 modélise le

fonctionnement de l'inverseur CMOS. Les deux états logiques correspondent respectivement à
l’état haut (tension la plus élevée Vdd) et l’état bas (tension la plus basse, soit Vss = 0).
Généralement, l’état haut correspond au 1 de l’algèbre de Boole et l’état bas au 0. L'état haut est
obtenu en sortie lorsque l'interrupteur de type p est fermé et l'interrupteur de type n est ouvert. Ceci
est obtenu, compte tenu du mode de fonctionnement des transistors n et p indiqué par la Figure 1,
lorsque l'entrée est à l'état bas. L'état bas est obtenu en sortie lorsque l'interrupteur n est fermé
et l'interrupteur p est ouvert (entrée à l'état haut). Les deux états haut et bas en sortie sont obtenus via
un interrupteur fermé. Ils correspondent donc exactement aux deux tensions Vdd et Vss= 0V fournies
par l'alimentation. On constate également qu'un seul interrupteur est fermé à la fois, ce qui signifie
qu'il n'y a pas de courant circulant entre les deux bornes de l'alimentation. Dans son principe, la
logique CMOS statique ne dissipe pas de puissance en statique, c'est‐à‐dire lorsque les signaux
d’entrée ne varient pas. La Figure 3 donne le schéma électrique de l'inverseur CMOS.

Figure 1 : Fonctionnement de l'inverseur CMOS

Figure 2 : Inverseur CMOS

 b) Dessin de masque de l'inverseur
L'implantation de l'inverseur CMOS est assez proche de son schéma électrique (Figure 2). Le
transistor MOS canal P est situé en haut, dans un caisson N tandis que le transistor MOS canal n est
situé en bas. L'alimentation VDD (5V) polarise le puit par l'intermédiaire d'un contact diffusion n-
métal. Comme les grilles sont communes, il suffit d'un rectangle de polysilicium pour le connecter
physiquement. La boite de polysilicium a une largeur minimale de 2 λ sur la diffusion n et la
diffusion p, an d'assurer une communication la plus rapide possible.

c) Travail demandé

1. Implanter le dessin de masque de l'inverseur CMOS dans l'environnement Microwind.

2. Lancer la simulation et vérifier le bon fonctionnement de l'inverseur selon sa table de vérité.
3. Mesurer le temps de monté, le temps de descente ainsi que le temps de réponse globale du system.