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Questions de cours Conception Numérique

1. Qui est Gordon E. Moore et pourquoi est il connu ?


Gordon Earle Moore, né le 3 janvier 1929 à San Francisco est un docteur en chimie et en physique, un
chef d'entreprise américain. Il est le cofondateur avec Robert Noyce et Andrew Grove de la société
Intel en 1968, premier fabricant mondial de microprocesseurs.
Le nombre de transistors des microprocesseurs sur une puce de silicium double tous les deux ans.

2. Peut-on prévoir l’évolution de la complexité d’un circuit intégré ? Justifier votre réponse
Le nombre de transistors des microprocesseurs sur une puce de silicium double tous les deux ans.

3. Qu’est ce que la conception descendante ?


La conception consiste à passer d’un niveau d’abstraction à un niveau plus bas
• en conservant la fonctionnalité
• en respectant certains objectifs décidées aux niveaux supérieurs:
surface, vitesse, consommation, testabilité, robustesse
• en respectant certaines contraintes physiques
• règles de dessin, délai, consommation, ... des composants
Dans la méthode de conception sûre et descendante CAPRI applicable aux circuits intégrés VLSI, on
analyse les spécifications initiales à la définition de l'architecture du circuit. La méthode proposée est
une méthode par affinements successifs de spécifications dans laquelle on distingue:
1) le choix des algorithmes;
2) le choix du chemin de données associé aux blocs fonctionnels;
3) le choix de la structure de la partie contrôle.

Les niveaux d'abstraction et la conception descendante :


Stochastique
Fonctionnelle
Transfert des registres
Portes logiques
Transistors
Masques

Indicateurs pour une conception efficace


Indicateurs
- Surface de silicium coût de fabrication
- Période d'horloge performance
- Temps de conception coût de conception et fenêtre de commercialisation
- Rendement de fabrication coût de fabrication
- Durée du test coût de fabrication
- Coût du boîtier et montage coût de fabrication
- Puissance dissipée coût d’utilisation
- Fiabilité coût d’utilisation

4. Citer les étapes de conception d’un circuit intégré (flot de conception)


4. Donner le flot de conception standard
5. Quel rôle joue la tension VGS dans un transistor MOS ?
La tension VGS (champ électrique vertical) si elle est supérieur à Vt (tension de seuil) repousse les
charges positives vers le bas et attire les charge négatives vers le haut qui s’accumulent sous la grille et
forment le canal. C’est comme ça que le transistor conduit.

6. Quel rôle joue la tension VDS dans un transistor MOS ?


La tension VDS (champ électrique horizontal) déplace les porteurs de charge entre drain et source ou
est crée le courant drain source.

7. Expliquer le phénomène de la saturation dans un transistor MOS

8. Citer les étapes (technologiques) de fabrication d’un transistor


- nettoyage du substrat,
- oxydation épaisse de masquage de dopage des source et drain,
- photolithogravure d'ouverture des source et drain,
- dopage au phosphore (diffusion ou implantation ionique),
- photolithogravure d'ouverture de la zone de canal,
- oxydation fine de l'oxyde de grille,
- ajustement de la tension de seuil par implantation ionique de Bore,
- photolithographie d'ouverture des contacts de source et de drain,
- dépôt d'aluminium,
- photolithogravure de l'aluminium,
- recuit final sous forming-gas pour améliorer les contacts.

9. Donner le schéma de principe d’un circuit CMOS (logique complémentaire)

10. Donner les 3 méthodes pour construire un réseau P à partir d’un réseau N
1 - Croiser les règles (ET - réseaux en série) (OU - réseaux en parallèle).
2 - Algèbre de Boole pour complémenter la fonction et procéder comme pour les N
3 - Méthode graphique pour tracer le dual du graphe N.

11. Par quel moyen peut-on minimiser les contacts dans un circuit ?
Aligner les Diffusions.

12. Par quel moyen peut-on minimiser les coudes dans un circuit ?
Aligner les grilles.

13. Donner l’expression de la capacité d’entrée d’un inverseur en fonction de capacité de grille
source
14. Donner l’expression de la capacité de sortie d’un inverseur non chargée, en fonction des
capacité de grille source diffusion

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