Université Sultan Moulay Slimane

Ecole Nationale des sciences Appliquées

Khouribga

Rapport TP :
Conception des circuits analogiques

Réalisé par :

* LAMKHANTER Youssef

* SAADALI Aymane
Encadré par :
 Mr. El Barbri
OBJECTIFS DU TP :

✓ Simulation et caractérisation du comportement

statique et dynamique des transistors
✓ Familiarisation avec le logiciel Microwind et
Pscpice
✓ Les étapes de fabrication d'un circuit intégré,
coupe et structure 3D
LES MANIPULATIONS :

• PARTIE A : CONCEPTION ET SIMULATION SOUS MICROWIND

1. Transistor MOS, procédés, caractérisation

• PARTIE B : CONCEPTION ET SIMULATION SOUS ORCAD-PSPICE

1. Initiation au logiciel Orcad-Pspice : simulation de

circuit électronique
2. Conception de circuit analogiques avec Pspice

• PARTIE A : CONCEPTION ET SIMULATION SOUS MICROWIND

TP N°1 : Transistors MOS, procédés,

Caractérisation

Description :
Ce TP veut une introduction au logiciel Microwind de même
qu’une initiation aux principes de base du dessin de masque. Ce
 logiciel permet de designer et de simuler et de structures
électroniques intégrées.
Il est aussi possible de réaliser une extraction électrique du
Layout dessiné afin d’en simuler le schéma.

A. Procédure : Réalisation d’un transistor :

Un transistor NMOS est réalisé par la méthode de la grille auto

alignée. Cette méthode permet de minimiser les capacités parasites
entre la grille, ledrain et la source. Pour cela on dépose toute la grille
en
polysilicium puis on implante la source et le drain en utilisant la grille
comme masque de diffusion. Cette méthode explique pourquoi
lorsque l’on regarde un lay-out, un transistor MOS se résume à
l’intersection de deux couches : le polysilidiffusion(N ou P).

• Dessin d'un transistor :

1- Ouvrons Microwind2 :
2- A partir de la palette on choisit le polysilicium et on crée un rectangle :

3- Sélectionnons à présent la couche de diffusion n+ :

 Pour des dimensions d’intersections qui sont égales à

• Couches et procédé :

4- Coupe du transistor 2D :
 Valeurs d'épaisseur de chaque matériau :

5- Structure 3D :

C. Caractéristiques statiques des transistors MOS :

6- On suit les étapes de :

File -> Colors ->White background
7- Le modèle de MOS de simulation du niveau 1 :

8- Le modèle de MOS de simulation du niveau3 :

 D. Caractéristiques dynamiques des transistors
MOS :
10)
On applique une horloge à la grille du nFET on ajoute une
Horloge au drain :
 Partie B : Conception et simulation sous ORCAD-PSPICE

TP N°1 : Initialisation au logiciel ORCAD/PSPICE :

simulation de circuits
électriques

Objectifs
 - Comprendre le principe et l’intérêt de la simulation électrique.
- Connaître les principales fonctionnalités de l’outil de simulation SPICE.
- Savoir créer un schéma électrique sous Orcad/ PSPICE.
- Savoir configurer les différentes simulations de Orcad/PSPICE.

Introduction :
SPICE (Simulator Program with Integrated Circuit Emphasis) est un simulateur électrique
standard qui permet l'analyse statique et transitoire des circuits linéaires et non linéaires.
Le logiciel ORCAD contient plusieurs outils dédiés à la simulation de circuits électroniques :

- Un outil de saisie de schéma électrique ou schéma capteur CIS.

- Un outil de simulation électrique PSPICE A/D.
- Un éditeur extracteur de paramètre de modèle PSPICE Model Editor.
- Un générateur de stimuli d’entrée PSPICE Stimulus Editor. - Un outil
d’optimisation PSPICE Optimizer.

Prise en main de l’outil de simulation

orcad/pspice :
Création d’un projet :
Saisie d’une schématique :
Avant de saisir la schématique, il convient de copier dans son projet l ’ensemble des
composants qui formeront le circuit. Ceux-ci sont inclus à l’intérieur de librairies
préexistantes fournies par le logiciel. La configuration de base de la version Lite donne
accès à un nombre limité de librairies, mais suffisant pour réaliser des circuits basiques. Les

librairies sont repérables par leur extension .olb. Les librairies que nous utiliserons sont les
suivantes :
• ource.olb : contient l’ensemble des sources de tension et de courant
• ourcstm.olb : source digitales et stimuli
• nalog.olb : contient les composants passifs
• val.olb : contient des composants standards du commerce
• special.olb : éléments supplémentaires influant sur la simulation
• On place d’abord les composants passifs : résistance R1 et capacité
C1, inclus dans la librairie Analog.olb. On donne les valeurs
suivantes aux composants : 100 Ω et 1 μF.
• On ajoute ensuite une source de tension, incluse dans la librairie
source.olb :

• Amplitude de 1V, un offset de 0 V et une fréquence de 1 KHz , la

propriété AC à 1V.
Simulation d’un circuit :
Une fois la saisie de la schématique terminée, les simulations
électriques peuvent être configurées puis lancées. PSPICE offre
différents types de simulation :

- Simulation DC : le simulateur balaye les valeurs prises

par une variable qui est en général la tension ou le courant
continu.
- Simulation AC : l’ensemble des générateurs sont
supposés harmoniques (ou sinusoïdaux) et le simulateur
balaye un ensemble de fréquence. L’amplitude et la phase
des tensions
- Simulation TRAN : il s’agit d’une simulation transitoire,
seul le paramètre temps est balayé. Les tensions de chaque
noeud et les courants traversant chaque dispositif sont
calculés à chaque instant.
- Analyse paramétrique : il est possible de lancer les
simulations précédentes en modifiant un paramètre d’un
élément du modèle.

Lancement d’une simulation : filtre

passe bas :
Pour illustrer le lancement d’une simulation, on prend l’exemple
d’une simulation transitoire effectuée sur le filtre passe bas. Dès
qu’on souhaite lancer une nouvelle simulation, on commence par
définir un nouveau profil de simulation puis on le configure
Time Domain (Transient) = Régime transitoire.

Run to time ou TSTOP. Comme la fréquence du signal est de 1

KHz, on peut fixer temps de simulation à 10 ms. temps de début de
simulation : Start saving data after. Par défaut, 0 s.
 Netlist du circuit RC

Tracé des résultats de simulation :

Une fois la simulation effectuée, la fenêtre principale de l’outil
PSPICE A/D s’ouvre, avec une fenêtre de visualisation graphique
(plot) temporelle vide.

Ajout des courbes à l’aide de la commande Add Trace

Pour faire apparaître directement des résultats graphiques dès
l’ouverture de PSPICE A/D à la fin de la simulation, il est
nécessaire de placer des probes sur la schématique. Il s’agit de
probes de tension, de courant ou de puissance.
En relançant une simulation les profils de tension d’entrée et de
sortie s’afficheront automatiquement.

Il est possible d’ajouter une nouvelle fenêtre d’affichage graphique,

pour afficher un autre type de données par exemple
Simulation AC : fonction de transfert
 Analyse paramétrique :
Tracé d’une caractéristique de transistor :
Schéma réalisé sous OrCad Capture :
 Le paramètre est ici la valeur de la résistance de base.

Analyse continue :
Définissons les paramètres d’une analyse continue ;

Définissons les paramètres de l’analyse paramétrique :

 Résultats de simulation :

Le simulateur effectue les calculs (analyse continue ici) pour chacune des valeurs du paramètre.

Une fenêtre permet de choisir l’ensemble des résultats de simulation

 1. TP N°2 : Conception de circuit
analogiques avec Pspice

1-Caractéristiques d'un transistor NMOS :

On se propose de tracer des caractéristiques Ids= f (Vds) d'un

transistor NMOS.
On va créez un nouveau projet baptisé caract.

Le composant transistor NMOS se trouve dans la Library

BREAKOUT.
On Choisit MbreakN3.
On doit tout d’abord spécifier les valeurs des caractéristiques
du modèle que le logiciel va utiliser pour ce transistor. Pour le
modèle de Schichman et Hodges, il faut donc définir la tension
VTO, le Kp et les dimensions W et L.

Model Mbreakn NMOS VTO=0.7V KP=2e-5 TOX=1.264e-8

LAMBDA=0.03 GAMMA=0.8 PHI=0.5 IS=0
Spécification des dimensions :

Pour visualiser la caractéristique, il est nécessaire de faire

varier le potentiel VDS =V2 alors on utilise DC sweep
Réponse transitoire d’un inverseur NMOS avec résistance :
NMOS :

PMOS :
Application :

1. Réponse transitoire d’un

amplificateur inverseur NMOS avec
résistance :
Pour R=10
Pour R=100

2. Réponse transitoire d’un

amplificateur inverseur CMOS avec
charge active :
CONCLUSION
Les logiciels de MICROWIND et PSPICE permettent la
conception du jeu de masques qui permet lui-même la
fabrication d’un circuit intégré à partir d’un schéma
électrique. On parle alors de flot de conception. Dans ce TP
nous avons parcouru ce flot de conception à partir de la
description électrique d’un amplificateur jusqu’à la
réalisation de sa caractéristique et du LAYOUT pour le
transistor NMOS .