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Filire : GE Niveau 5me anne Anne 2014-2015

Prof : B. HAJJI

TD1 : lectronique numrique intgr

Exercice 1.

On suppose que l'inverseur CMOS reprsent par le schma de la gure

1 fonctionnant avec VDD = 5V , et qu'on a VT N = VT P = 1V , n Cox =
4p Cox = 1mA/V 2 et (W/L)n = (W/L)p = 1m/0.25m.

Figure 1  Schma de l'inverseur CMOS

1. Pourquoi toujours le transistor PMOS en haut attach l'alimentation

VDD et le transistor NMOS en bas reli VSS ?
2. Rappeler la caractristique statique de l'inverseur CMOS et expliquer
pourquoi la consommation statique est nulle.
3. Calculer les rsistances RDSN (rsistance quivalente du transistor NMOS
lorsqu'il conduit) et RDSP (rsistance quivalente du transistor PMOS
lorsqu'il conduit).
2

4. On connecte maintenant l'inverseur une capacit C = 10 pF, et que

l'entre de l'inverseur varie instantanment de 0 VDD et de VDD
0. En remplaant le transistor par sa rsistance quivalente, calculer le
temps tP LH ncessaire la sortie pour passer de 0 VDD /2 et le temps
tP HL ncessaire la sortie pour passer de VDD VDD /2.
5. Pourquoi les temps tP LH et tP HL sont-ils dirents ? que faut-il faire
pour avoir le mme temps de propagation.
6. Quelle est la puissance dissipe par l'inverseur lorsque il est connect
une capacit de 10 pF et fonctionnant la frquence de 100 MHZ.
7. Dessiner le dessin de masque de l'inverseur CMOS.
8. Noter les dirences essentielles existant entre les deux types de tran-
sistors PMOS et NMOS.
Exercice 2.

1. Faites le dessin de masque de la fonction porte NAND trois entres

2. Concevoir une porte logique statique qui implante la fonction suivante :

S = A.B + CDE + F

Exercice 3.

Soit le dessin de masque de la gure 2.

Figure 2 
1. Traduire ce dessin de masques en un schma quivalent base de tran-
sistors NMOS et PMOS.
2. Calculer la fonction logique Y ralise par ce circuit en fonction de A,
B et C
 3

3. Donner la table de vrit de la fonction logique Y

Exercice 4.

Soit le dessin de masque de la gure 3.

Figure 3 
1. Traduire ce dessin de masques en un schma quivalent base de tran-
sistors NMOS et PMOS.
2. Quelle est la fonction ralise par ce circuit
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Filire : GE Niveau 5me anne Anne 2014-2015

Prof : B. HAJJI

TD2 : lectronique numrique intgr

Questions de cours

1. Quelles sont les facteurs qui augmentent la consommation de puissance

dans une porte statique ?
2. Qu'est ce que le seuil d'un inverseur ?
3. Quelles couches peut-on relier avec un contact ?
4. Quelle est la fonction du masque appel passivation dans un circuit
intgr ?
Exercice 1.

1. Construisez la porte logique statique complexe qui correspond la table

de vrit suivante en considrant que les signaux ainsi que leurs inverses
sont disponibles :
A B C D Sortie
1 1 0 1 1
1 0 X 1 0
0 X 0 X 0
1 0 0 0 1
1 1 1 X 1
0 X 1 X 0
1 0 1 0 1
1 1 0 0 1
2. Calculer le dlai maximum pour le circuit de la gure 1.

Exercice 2.

1. Nommer 6 couches d'un procd de fabrication et donner l'ordre d'uti-

lisation des masques correspondants.
2

Figure 1 

Figure 2 
2. Si le nud du haut de la gure 2 est VDD , Quelle est la fonction ralise
par la cellule schmatise par la gure 2. Donner le schma au niveau
transistor de ce circuit.
.
 3

Exercice 3.

Soit le dessin de masque de la gure 3.

1. Donner le schma quivalent base de transistors NMOS et PMOS.
2. Complter la table de vrit suivante :

A B S1 S2
1 1
1 0
0 0
0 1
0 0

Table 1 
3. Quelle est la fonction ralise par ce circuit.

Figure 3