TRANSISTOR A EFFET DE CHAMPS

I. Définition:
Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un
dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser
un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans
un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux
domaines d'applications, tels que l'électronique numérique.

II. Symbole:

III. Domaine d’Application:

La forte impédance d’entrée des TEC (plusieurs dizaines, voire centaines de mégohms)
associée à un faible bruit propre rend ces transistors particulièrement bien adaptés à
l’amplification des faibles signaux sous forte impédance. En commutation, ils présentent
 par rapport aux transistors bipolaires certains avantages, comme un gain en puissance
plus élevé et une impédance d’entrée aux faibles fréquences beaucoup plus forte, ce qui
permet de réaliser de grandes constantes de temps avec des capacités assez faibles
(réalisation de monostables ou d’astables).

IV. Principe de Fonctionnement:

Un transistor à effet de champ est un transistor unipolaire : son fonctionnement est basé
sur l'action d'un champ électrique sur un canal composé d'un seul type de porteurs de
charges mobiles. Ce canal est un semi-conducteur avec un excédent d'électrons
(dopage de type N), ou de trous (dopage de type P). La présence d'un champ électrique
peut autoriser la conduction électrique dans ce canal (transistor à enrichissement,
ou enhancement) ou la réduire (transistor à appauvrissement, ou déplétion).
Par rapport à un transistor bipolaire (NPN ou PNP), il présente l'intérêt d'avoir une grande
impédance d'entrée (supérieure au mégaohm), ce qui le rend intéressant dans certains montages
(étage d'entrée d'un radiorécepteur, détecteur d'électricité statique...). Plus précisément, cette
résistance d'entrée est la résistance de fuite de la jonction grille-source (GS) polarisée en inverse.
La capacité d'entrée du transistor est faible (quelques picofarads). Cette résistance d'entrée élevée
et cette faible capacité d'entrée donnent aux transistors à effet de champ des caractéristiques
proches de celles des tubes à vide.
En réception radio, l'intérêt des transistors à effet de champ est :

 une meilleure sélectivité des circuits associés ;

 un meilleur facteur de bruit (car la bande passante du circuit est réduite, du fait d'un
amortissement moindre).
C'est pourquoi on les trouve souvent dans les schémas de préamplificateurs d'entrée,
d'oscillateurs, de mélangeurs.

V. Caractéristiques Techniques:
Contrôle en tension.
Résistances Ron faible (plus forte que le Transistors bipolaires mais moins
dépendante du courant). 
Effet Early existant mais moins marqué que Transistors bipolaires.
Impédance d’entrée très forte (vue de la grille).
Pas de consommation en dehors de transitions en régime tout ou rien.
Peu de reproductibilité en composant discrets Vgs (th) =f(Vds, Id) varie d’un
rapport deux .