Vous êtes sur la page 1sur 12

Dpartement d'Electronique

Elves de deuxime anne

Travaux Dirigs dlectronique non linaire

Olivier BERNAL
Marc LESCURE

TD-Classe_Ampli.docx

TD Electronique Non-Linaire

INP-ENSEEIHT
Dpartement d'Electronique

TDn1 : Amplification classe AB


-

Amplificateur classe AB

Rsistance thermique et temprature de jonction

TDn2 : Redressement - filtrage


-

Chargeur de batteries daccumulateur

Redressement et filtrage double alternance dune alimentation secteur

TDn3 : Amplification classe C

INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire

TD Electronique Non-Linaire

INP-ENSEEIHT
Dpartement d'Electronique
Problme Ch. I

Amplificateur classe AB
La figure 1 reprsente un tage de sortie collecteur commun fonctionnant en classe
AB. Le circuit est aliment avec deux sources de tension :
- lune positive de f..m. E1 = +12V
- lautre ngative de f..m. E 2 = 12V .
Les transistors Q3 (PNP : 2N2907) et Q4 (NPN : 2N2222) sont des collecteurs
communs fonctionnant en classe A. Ils ont pour rle principal de prpolariser les transistors
Q1 et Q2 pour que ceux ci prsentent une faible distorsion de raccordement de la tension de
sortie vs(t) (classe AB). Q3 et Q4 prsentent des courants de saturation IS3 = IS4 = 10-14A.
Les rsistances de contre raction RE1 = RE2 = 1 sont positionnes sur les metteurs
de Q1 et Q2 ; ils garantissent une stabilit en temprature du point de fonctionnement au repos
des courants des collecteurs (IC1)0 et (IC2)0 des deux transistors de puissance.
Les transistors Q1-Q2 NPN-PNP complmentaires sont de type TIP41-TIP42 en
botier TO66 (note technique). Leurs courants de saturation des jonctions base metteur IS1 =
IS2 = 10-12A.
E1 = +12V

500

RE3
Q1

Q3

1
RE1
Vs(t)

E2 = -12V

Ve(t)

E1 = +12V

RL
RE2

Q4

500

Q2
RE4
E2 = -12V

Figure 1 : Les transistors Q3 et Q4 sont cbls en collecteurs communs en classe A ; leurs tensions base
metteur prpolarisent en classe AB ltage de puissance form par Q1 et Q2.
Le circuit BUF634 prsente une structure analogue

INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire

TD Electronique Non-Linaire

Question 1)
Au repos, cest dire lorsque ve(t) = 0, on admet que vs(t) = 0, et donc aucun courant ne
circule dans la rsistance de charge RL = 8.
Dterminer :
a) partir de la loi exponentielle : I C = I S exp(VBE u T )
les tensions VE3 et VE4 des metteurs de Q3 et Q4. En dduire la d.d.p. VB1VB2 entre les bases
de Q1 et Q2.
b) les tensions VBE1 et VBE2 et les courants (IC1)0 , (IC2)0 au repos.
Question 2)
Principe. On suppose que le circuit est correctement polaris et quon applique lentre un
signal sinusodal damplitude VeM = 2V. Dcrire le fonctionnement de ce circuit. En dduire
la forme de la tension de sortie vs(t). Quelle est la valeur du gain en tension :
a v = v e (t ) v s (t )
a) si : RE1 = RE2 = 0
b) si : RE1 = RE2 = 1
Question 3)
En rgime sinusodal permanent; le circuit fournit la rsistance de charge R L = 8 une
tension alternative de frquence f = 1kHz et damplitude VsM = 8V (cest dire 16Vcrte crte).
Dterminer :
a) la puissance dissipe dans la rsistance RL,
b) les intensits des courants crte IC1M , IC2M et moyens IC1moyen , IC2moyen qui
traversent Q1 et Q2. (On ngligera les valeurs des courants de repos).
c) la puissance lectrique fournie par chacune des deux alimentations via Q1 et Q2.
d) la puissance moyenne dissipe par Q1 et Q2.
e) le rendement nergtique de ltage Q1 et Q2 que lon comparera au rendement
maximum que peut fournir un circuit classe B.
Question 4)
Avec la condition de lintensit maximale du courant crte, il correspond les tensions
minimales entre collecteur et metteur de saturation VCEsat = 0,3V.
Pour la pleine puissance, avec un signal sinusodal, la limite de la distorsion harmonique
par crtage de la tension de sortie, dterminer :
a) la puissance moyenne maximale fournie la charge RL ,
b) la puissance dissipe par les transistors Q1 et Q2.

INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire

TD Electronique Non-Linaire

INP-ENSEEIHT
Dpartement d'Electronique
Problme Ch. I

Rsistance thermique et temprature de jonction


On se propose de dterminer la temprature TJ de jonction et celle TC de botier
des deux transistors de puissance Q1 et Q2 dun buffer metteur suiveur fonctionnent en
classe B (figure 1). Le circuit est aliment avec les sources de tension de f..m.
E1 = +12 V , E 2 = 12 V ; il fournit le maximum de puissance en rgime sinusodal permanent
une rsistance de charge R L = 8 . Les rsistances de contre raction sont RE1 = RE2 = 1.
A lintensit du courant crte maximum, il correspond les tensions minimales entre collecteur
et metteur VCEsat = 0,3V.
Les transistors Q1 et Q2 , sont de type TIP41-TIP42 en botier TO66 (note technique).
Le constructeur indique que la temprature maximale de jonction est TJ Maxi = +150C.
Dautre part,
a) si le botier du transistor est l'air libre, sans radiateur supplmentaire, avec une
temprature ambiante TA = +25C, la puissance maximale moyenne qu'il peut dissiper est
P1 Maxi = 2W.
b) si la temprature du botier TC du transistor est maintenue une temprature
constante gale celle de l'ambiante, TC = TA = +25C, la puissance dissipe maximale qui
correspondrait TJ Maxi = 150C est P2 Maxi = 65W.

E1 = +12V
RE3
Q1
Q3
RE1
Vs(t)

E2 = -12V

Ve(t)

E1 = +12V

RL
RE2

Q4
Q2
RE4
E2 = -12V

Figure 1 : Les transistors Q3 et Q4 sont cbls en collecteurs communs en classe A ;


leurs tensions base metteur prpolarisent en classe AB ltage de puissance form par Q1 et Q2.
Le circuit BUF634 prsente une structure analogue

INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire

TD Electronique Non-Linaire

Question 1)
Dterminer les valeurs des rsistances thermiques des transistors de puissance TIP41
et TIP42 :
a) jonction botier RJC
b) botier milieu ambiant RCA.
Question 2)
On admettra que les transistors Q1 et Q2 dissipent chacun une puissance moyenne P1
= P2 = 1W . Les botiers des transistors sont l'air libre, sans radiateur supplmentaire, avec
une temprature ambiante TA = +25C . Dterminer les tempratures TJ et TC
respectivement de la jonction et du botier.
Question 3)
Le botier de chacun des deux transistors est fix sur un radiateur de rsistance
thermique botier radiateur milieu ambiant RCRA = 7C/W . Dterminer les nouvelles
tempratures de jonction et du radiateur TR =TC lorsque Q1 et Q2 dissipent chacun une
puissance moyenne de 1W.(on supposera que la temprature du radiateur est identique celle
du botier).

INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire

TD Electronique Non-Linaire

INP-ENSEEIHT
Dpartement dElectronique
Problme Ch.II

Chargeur de batterie d'accumulateurs


La figure 1 reprsente le schma de principe dun chargeur de batterie qui effectue
un redressement simple alternance dune tension sinusodale. La rsistance R = rS + r + RS
reprsente, sous forme localise, l'ensemble des rsistances de la maille secondaire :
- rs est la rsistance vue du secondaire du transformateur, en supposant que Ve(t) est
fournie par une source parfaite de tension,
- r reprsente la rsistance interne de la batterie de f.e.m. nominale E = 12V,
-Rs prend en compte la rsistance srie localise de la diode D, avec RS = 0,01.
On donne la f.e.m. disponible au secondaire du transformateur :
Ve ( t ) = VeM cos(t )
avec lamplitude VeM = 24Vcrte
TX
Secteur
220 Veff

Batterie
Emini, EMaxi

Ve(t)

Figure 1 : Schma de principe du chargeur de batterie.


ID
ID

ID

RS

D
VD0

1/RS
VD
VD
0

VD0

Figure 2 : Modle linaris courant tension dune diode polarise en direct par un courant continu ID.
Caractristique courant tension correspondante

1) Quelle doit tre la valeur de la rsistance totale R du circuit secondaire afin que la valeur
moyenne du courant < I(t) > qui circule dans la diode et dans la batterie soit limite 6A, au
dbut de la charge, cest dire lorsque Emini = 12V ?
2) La f.e.m. de la batterie, en fin de charge, EMaxi = 13,2V. Quelle est la valeur moyenne de
l'intensit du courant dans la diode en fin de charge, en prenant la valeur de R dtermine
prcdemment ?
3) Dterminer les puissances en dbut de charge :
- Pbatterie fournie la batterie
- Pdiode dissipe dans la diode
- PR dissipe dans la rsistance
- Pe fournie par le transformateur
INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire

TD Electronique Non-Linaire

INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire

TD Electronique Non-Linaire

INP-ENSEEIHT
Dpartement dElectronique
Problme Ch.II

Redressement Filtrage double alternance


dune alimentation secteur
Le circuit reprsent par la figure 1 permet d'obtenir un redressement double
alternance et le filtrage de la tension alternative donne par le secondaire dun transformateur
abaisseur de tension.
- Le transformateur comprend n1 spires au primaire et n2 spires au secondaire. Le rapport de
transformation :
n
1 Vsec ondaire Ve (t )eff
n= 2 =
=
=
n1 20
Vprimaire
220 Veff
La tension disponible au secondaire du transformateur est donc de la forme :
Ve ( t ) = VeM cos(t )
avec une amplitude VeM et une frquence f = /2 = 50Hz.
- La rsistance R = 1k reprsente lutilisateur .
- Le condensateur C = 100F rduit londulation par filtrage.
- La rsistance r = 10 reprsente les pertes ohmiques du transformateur et la contribution
des rsistances srie RS des diodes qui sont conductrices.
- On prendra VD0 = 0,65V de tension de seuil des diffrentes diodes (figure 2)
n1

n2
D1

D2

C
R

secteur
220 Veff

Ve(t)

Vs(t)

D3

D4

Figure 1 : Schma de principe du circuit de redressement double alternance. Le transformateur T isole


galvaniquement et abaisse la tension dlivre par le secteur. Les quatre diodes montes en pont
donnent un redressement des deux alternances de la tension sinusodale. Le condensateur C rduit
londulation rsiduelle. La rsistance R correspond au circuit dutilisation.

ID
1/RS
VD
0

VD0

Figure 2 : Caractristique courant tension dune diode polarise en direct par un courant continu ID.

INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire

TD Electronique Non-Linaire

10

Question 1)
Evaluer le fonctionnement du dispositif en crivant le trajet des courants :
a) pour lalternance positive de Ve(t)
b) pour lalternance ngative de Ve(t).
Question 2)
En labsence du condensateur de filtrage (C = 0), dterminer :
a) lamplitude fictive IM de lintensit du courant qui traverse la charge R.
b) la forme de la tension Vs(t)
c) langle douverture des diodes
d) la valeur moyennes de lintensit du courant < I > qui traverse R
e) la tension moyenne < Vs > aux bornes de R.
Question 3)
On place le condensateur de filtrage C = 100F. On se placera dans le cas o la constante de
temps = RC est grande devant la priode du signal Ve(t).
a) Reprsenter lallure de Vs(t) aux bornes de R.
b) Dterminer la valeur moyenne < Vs(t) > et londulation rsiduelle Vs (crte
crte).
c) Calculer la puissance moyenne dissipe par chaque diode.
Question 4)
Dterminer dans les pires cas :
a) lintensit crte du courant maximum de pire cas transitoire IMM que doivent
pouvoir supporter les diodes,
b) la tension maximale inverse que doivent supporter ces mmes diodes.
Question 5)
On intercale entre le circuit de redressement filtrage et la rsistance R un rgulateur de
tension. On fournit ce dernier la mme intensit (avec mmes < Vs > et Vs quen 3). Ce
rgulateur de tension offre un Rapport de Rjection dAlimentation RRA = 3000 (70dB). En
dduire londulation rsiduelle Vs rgul en sortie du rgulateur.

INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire

TD Electronique Non-Linaire

11

INP-ENSEEIHT
Dpartement dElectronique
Problme Ch. III

Amplificateur accord classe C


La figure 1 reprsente un amplificateur classe C metteur commun muni dune charge
rsistive. La source alternative Ve(t) telle que Ve(t) = VeM cos t fournit un signal alternatif
de forte amplitude la base du transistor. La source de tension continue EB reconstitue la
composante moyenne de lintensit du courant base et polarise le transistor en zone bloque
en imposant <Vbe> = -1V.
+Vcc

Rc
Vs(t)
Rg

Q1

1k
EB = 1V

Ve(t)

Figure 1 : schma de principe dun amplificateur classe C metteur commun muni dune charge
rsistive. La source de tension EB prpolarise la base du transistor pour ajuster langle douverture.

On donne :
-

Lamplitude de la tension dexcitation VeM = 2 V crte


La pulsation de la tension dexcitation = 2*1.6 106 rad.s-1
= 100
La tension de seuil du transistor VT = 0.6 V
Rg = 1 k
VCC = 20 V

Question 1 :
Expliquer le fonctionnement de base dun amplificateur classe C.
Question 2 :
Dterminer langle douverture ainsi que lamplitude fictive du courant dentre IbM.
Question 3 :
Donner les valeurs des composantes continues ou moyennes <Ib> et <Ic> et fondamentales
Ib1M et Ic1M des courants dentre et de sortie.
Question 4 :
INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire

TD Electronique Non-Linaire

12

Le transistor ne conduisant quune fraction de la priode, la forme de la tension de sortie nest


pas sinusodale. On remplace donc la rsistance de charge RC par un circuit accord RLC, C
tant un condensateur variable permettant dajuster la frquence propre du circuit RLC sur la
frquence du signal dentre (voir figure 2).
+Vcc
2
L
C
C2

Vs(t)

1
Q1

EB

Ve(t)

Figure 2 : Circuit haute frquence fonctionnant en classe C. Le condensateur variable C ajuste la frquence
propre du circuit bouchon accord L-R-C sur la frquence dlivre par le gnrateur Ve(t). Le condensateur C2
est un court-circuit dynamique dans le domaine des frquences utilises.

Donner les valeurs de R,L,C sachant que lon dsire tre accord la fondamentale du signal
dentre, avoir un facteur de qualit Q = 10 et avoir une amplitude de la tension utile de sortie
VsM = 14 V crte.
Question 5 :
Calculer la puissance de sortie Ps et le rendement de lamplificateur.

INP ENSEEIHT Electronique Non Linaire