Généralités Dur La Cellule Solaire Photovoltaique

‫الجـمهوريـة الجـزائـريـة الديمقـراطية الشعبيـة‬
‫وزارة التعلـيم العالـي والبحـث العـلمي‬

‫جامعة وهران للعلوم والتكنولوجيا محمد بوضياف‬
‫كلية الفيزياء‬
Faculté de Physique
Département de Physique Energétique
Spécialité : Physique Energétique et Energies Renouvelables
Mémoire
Présenté par :
Rahmani Ahmed Zakaria
Pour l’obtention du diplôme de Master en Physique

Intitulé
Etude de la passivation des défauts dans la cellule solaires au silicium

cristallin à haut rendement
Etude
Soutenu le 15/06/2023 devant le jury composé de
Qualité Nom et Prénom Grade Etb. d’origine

Président Baaj Salim MCA USTO-MB
Examinateur Benghabrit Siham MCB USTO-MB
Encadreur Ziani Nossair Professeur USTO-MB
Co-encadreur Lachachi Hanane MCB USTO-MB
Sommaire
Sommaire
Liste des figures
Liste des tables
Introduction générale
I.1 Introduction................................................................................................2
I.2 Rayonnement solaire..................................................................................2
I.3 L’effet photovoltaïque................................................................................3
I.4 La cellule solaire photovoltaïque...............................................................4
I. 4. 1. Définition........................................................................................4
I.4.2. Fonctionnement d'une cellule photovoltaïque...................................4
I.4.3 Caractéristiques électriques d’une cellule photovoltaïque...............5
I.4.4 Les différents rendements d’une cellule photovoltaïque...................7
I.4.3 Circuit électrique équivalent d'une cellule PV................................10
I.4.4 Techniques de fabrication d’une cellule photovoltaïque
conventionnelle en mc-Si.........................................................................10
I.5 Les pertes au niveau des cellules solaires classiques :..........................14
I.5.1 Les pertes physiques.......................................................................14
I.5.2 Les pertes technologiques...............................................................15
I.6 Les solutions pour optimiser le rendement : le cas des cellules en
silicium.........................................................................................................16
II.1 Les mécanismes de recombinaisons.....................................................17
B) Recombinaison radiative....................................................................18
II.2 Passivation des cellules solaires...........................................................23
II.1.1 passivation.........................................................................................23
II.1.2 Les types de défauts de surface et d’interface..............................23
II.1.3 Les matériaux de passivation.........................................................28

III.1 Introduction........................................................................................31
III.2 Description du Logiciel PC1D..........................................................31
III.2.1 Aperçu du logiciel......................................................................31
III.2.2 Les paramètres du dispositif (Device) :........................................33
III.2.3 Les paramètre des régions............................................................33
III.3 Le fonctionnement du logiciel PC1D.................................................34
III.4 Paramètre de la cellule simulé sur PC1D :.........................................35
III.5 Caractéristique optique des couches passivant :................................36
III.6.1 Caractéristique électrique des couches passivant d’une cellule
Non-texturisé :..........................................................................................37
texturisé :..................................................................................................40
Liste des figures
Chapitre I :
FIGURE I .1 : DIFFÉRENTS AIR MASSES ..................................................................................3
FIGURE I .2 : PRINCIPE DE 1'EFFET PHOTOVOLTAÏQUE ..........................................................3
FIGURE I .3 : JONCTION N/P ÉCLAIRÉE, CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ....................................4
FIGURE I .4 : STRUCTURE (GAUCHE) ET DIAGRAMME DE BANDE (DROITE) D’UNE CELLULE. 5
FIGURE I. 5. :CARACTÉRISTIQUE I(V) D’UNE CELLULE SOLAIRE EN OBSCURITÉ ET SOUS
ÉCLAIREMENT ................................................................................................................7
FIGURE I .6 : RENDEMENT QUANTIQUE EXTERNE D’UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE..........8
FIGURE I .7 : CIRCUIT ÉLECTRIQUE ÉQUIVALENT D'UNE CELLULE PV.................................10
FIGURE I. 8 : SCHÉMA RÉSUME LES DIFFÉRENTES ÉTAPES DE FABRICATION DE CELLULES
PHOTOVOLTAÏQUES INDUSTRIELLES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN (LES DIMENSIONS
NE SONT PAS RESPECTÉES)............................................................................................13
FIGURE I.9 : PRINCIPALES PERTES INTRINSÈQUES POUR UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE EN

SILICIUM. (1) PERTES DES PHOTONS DE GRANDES LONGUEURS D’ONDE. (2) PERTES
DUES À L’ÉNERGIE EXCÉDENTAIRE DES PHOTONS. L’INSERT ILLUSTRE LE PHÉNOMÈNE
DE THERMALISATION....................................................................................................14
Chapitre II :
FIGURE II. 1 :MÉCANISME DE RECOMBINAISONS RADIATIVES ............................................19
FIGURE II. 2 : MÉCANISME DE RECOMBINAISON SRH ........................................................20
FIGURE II .3 : CONTRIBUTION DES DIFFÉRENTS TYPES DE RECOMBINAISONS À LA DURÉE DE
VIE EFFECTIVE...............................................................................................................22
FIGURE II. 4 : REPRÉSENTATION SCHÉMATIQUE DU SILICIUM (100). LIAISONS PENDANTES
ET CONFIGURATION DES PIÈGES DE TYPE Pb 0 ET Pb 1................................................24

FIGURE II. 5 : REMPLISSAGE DES PIÈGES DE SURFACE AVEC LA POSITION DU NIVEAU DE
FERMI ET LA COURBURE DE BANDE..............................................................................25

FIGURE II. 6 : REPRÉSENTATION SCHÉMATIQUE DE LA DENSITÉ DE DÉFAUT D’INTERFACE
POUR DES PIÈGES DE TYPE Pb 0 (A) ET Pb 1 (B)...........................................................26
iii
FIGURE II. 7 : PASSIVATION CHIMIQUE EN COMBLANT LES LIAISONS PENDANTES AVEC DES
ÉLÉMENTS EXTÉRIEURS................................................................................................27
FIGURE II. 8 : DIFFÉRENTS MÉCANISMES DES PORTEURS MINORITAIRES À LA SURFACE.....28

FIGURE II. 9 : FENÊTRE AFFICHÉE AU DÉMARRAGE DU LOGICIEL DE SIMULATION PC1D . .33
Chapitre III :
FIGURE III. 1 : LA RÉFLECTIVITÉ SIMULÉE PAR PC1D POUR SCAR (SIN) ET DCAR (
Al 2 O3/SIN).................................................................................................................36
FIGURE III. 2 : LA RÉFLECTIVITÉ SIMULÉE PAR PC1D POUR SCAR (SIN) ET DCAR (SI O 2
/SIN).............................................................................................................................36
FIGURE III. 3 : LES CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES I=F(V) ET P=F(V) D’UNE SCAR (SIN)
NON- TEXTURISÉ...........................................................................................................38
FIGURE III. 4 : LES CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUE I=F(V) ET P=F(V) D’UNE DCAR (
Al 2 O3/SIN) NON-TEXTURISÉ.....................................................................................38
FIGURE III. 5 : LES CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUE I=F(V) ET P=F(V) D’UNE DCAR (SIO 2
/SIN ) NON- TEXTURISÉ................................................................................................39
FIGURE III. 6 : LES CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES I=F(V) ET P=F(V) D’UNE SCAR (SIN)
TEXTURISÉ....................................................................................................................40
FIGURE III. 7 : LES CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUE I=F(V) ET P=F(V) D’UNE DCAR (

Al 2 O3/SIN) TEXTURISÉ..............................................................................................41
FIGURE III. 8: LES CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUE I=F(V) ET P=F(V) D’UNE DCAR ( SI
O 2/SIN ) TEXTURISÉ...................................................................................................41
FIGURE III. 9: LA RÉFLECTIVITÉ SIMULÉE PAR PC1D POUR DCAR ( Al 2 O3/SIN) POUR
DIFFÉRENT ÉPAISSEUR..................................................................................................42
v
Liste des tables
Chapitre III :
TABLEAU III. 1: PARAMÈTRES DE LA STRUCTURE SIMULÉE.................................................35
TABLEAU III. 2 : LES PARAMÈTRES ÉLECTRIQUE DE LA CELLULE SOLAIRE CONVENTIONNEL
NON-TEXTURISÉ............................................................................................................39
TABLEAU III. 3 : LES PARAMÈTRES ÉLECTRIQUES DE LA CELLULE SOLAIRE
CONVENTIONNELLE TEXTURISÉE..................................................................................42
TABLEAU III. 4: OPTIMISATION DE L’ÉPAISSEUR DE LA DCAR ( Al 2 O3 /SIN)...................42
v
Remerciements
Tous d’abord je remercie ALLAH pour m’avoir donné la patience et le
courage pour mener ce travail jusqu’à la fin.
Je tiens à exprimer ma profonde gratitude envers le Professeur Ziani
Nossair, mon encadrant pour ses conseils et son aide pour avoir dirigé la
réalisation des expériences avec patience et efficacité.
Je tiens également à remercier Mme Lachachi Hanane, ma co-encadrante,
pour sa contribution et son accompagnement.
Mes remerciements s’adressent aussi aux membres de jury qui m’ont fait
l’honneur de participer à l’évaluation de ce travail.

Dédicace
Je dédie ce modeste travail
A mes parents, eux qui m’ont doté d’une éducation digne et saine.
Particulièrement à mon père D aho pour le gout à l’effort qui il a installé en
moi.
A ma mère Nadia qui s’est sacrifié pour faire de moi ce que je suis
maintenant.
A mes frères et mes sœurs
A mes amis : Idriss, Nasro, Adel

Sachant que les énergies fossiles (pétrole-gaz-charbon…..ect) sont à l’épuisement. de

nombreux scientifiques se consacrent à approfondir et améliorer la recherche dans le
domaine des énergies renouvelables vertes en particulier la cellule photovoltaïque
(panneau solaire). Bien que leur rendement reste toujours faible par rapport à l’énergie
fossile, dans ce contexte, la recherche se concentre sur les matériaux notamment le silicium
afin d'augmenter l'efficacité de conversion. Les procédés de fabrication standard des
cellules solaires sont particulièrement adaptés à l'utilisation du silicium de type p (p-Si).
Dans ces procédés, l'utilisation du dopage au phosphore (P) et de l'alliage aluminium-Si
(Al-Si) permet de capturer les impuretés métalliques présentes dans le matériau. De plus, la
couche antireflet (CAR) en nitrure de silicium hydrogéné (SiN:H) contribue à la
passivation en volume grâce à la présence d'hydrogène (H). Il est important de noter que
des rendements de conversion supérieurs à 18,0% sont actuellement obtenus en production
sur du silicium de type p purifié par voie métallurgique. En outre, la réduction de la
réflectivité de la face avant des cellules photovoltaïques en silicium cristallin ou
multicristallin, combinée à une bonne texturisation de la surface, joue un rôle crucial dans
le processus.
L’objectif de ce travail l’optimisation des couches antireflets et passivantes pour améliorer

un meilleur rendement.
Notre travail s’article autour de trois chapitres :
Le premier chapitre est consacré à une étude bibliographique sur la cellule solaire
photovoltaïque.
Le deuxième chapitre comporte le mécanisme de recombinaison et la passivation des

défauts
Le troisième chapitre est présenté le logiciel de simulation PC1D nous discuterons les
résultats obtenus.
Enfin, nous terminons par une conclusion générale.

Chapitre I : Généralités sur les cellules photovoltaïques
I.1 Introduction
Le soleil représente une source d'énergie inépuisable, ayant la capacité de couvrir plusieurs
milliers de fois notre consommation totale d'énergie. C'est pourquoi, depuis longtemps,
l'homme cherche à exploiter cette importante énergie solaire à travers le monde. Il est
arrivé à réaliser cet objectif grâce à l'utilisation de la technologie des cellules
photovoltaïques [1].
I.2 Rayonnement solaire
La distance de la terre au soleil est d'environ 150 millions de kilomètres et la vitesse de la

lumière est de 3×108 m/s, les rayons du soleil mettent donc environ 8 min à nous parvenir.
Le rayonnement reçu par la terre en incidence normale avoisine les 1400 W/m2 avant
d’aborder la couche atmosphérique.
Pour tenir compte de l'épaisseur d'atmosphère traversée par le rayonnement solaire incident
(Figure I.1), on introduit un coefficient appelé nombre de masse (AM) défini par :
AM=1⁄ cos(θ) (I-1)
Où θ est l’angle que fait le soleil avec son zénith. Par définition, AM0 correspond aux
conditions hors atmosphère.
Quand le soleil fait un angle de 48° par rapport au zénith, la lumière incidente est dite
AM1.5. Le nombre de masse d'air caractérise la puissance transportée par le rayonnement
solaire et de plus, sert de standard pour quantifier les performances de nouveaux dispositifs
photovoltaïques.
Les conditions standard de caractérisation sont définies par les normes IEC-60904 de
L’International Electrotechnical Commission (IEC) selon une distribution spectrale
AM1.5G global (somme des rayonnements directs et diffus), d’intensité 100 mW/cm2 et
pour une température de cellule de 25°C [2].
La Figure (I.1) montre les différents airs masses [2].

Figure I.1 : Différents air masses [2]
I.3 L’effet photovoltaïque
La conversion de la lumière en électricité, appelée effet photovoltaïque, a été découverte

par E. Becquerel en 1839, mais il faudra attendre près d'un siècle pour que les scientifiques
approfondissent et exploitent ce phénomène de la physique. Ainsi le choix des matériaux
utilisés pour concevoir des cellules PV se fait en fonction des propriétés physiques de
certains de leurs électrons susceptibles d’être libérés de leurs atomes, lorsqu’ils sont
excités par des photons provenant du spectre solaire et possédant une certaine quantité
d’énergie selon leurs longueurs d’onde. Une fois libérées, ces charges se déplacent dans le
matériau formant globalement un courant électrique de nature continu. La circulation de ce
courant donne alors naissance à une force électromotrice (FEM) aux bornes du semi-
conducteur correspondant ainsi au phénomène physique appelé effet photovoltaïque [3].
Figure I.2 : Principe de 1'effet photovoltaïque [4]

I.4 La cellule solaire photovoltaïque
I. 4. 1. Définition
C’est un composant électronique qui convertit l’énergie solaire en énergie électrique c’est-
à-dire il convertit le photon reçu en une tension électrique continue. Cela se fait à partir
d’un processus nommé « effet photo-électrique ». Cette cellule est, généralement, faite de
matériaux semi-conducteurs. Les cellules réunies forment le module ou le panneau
photovoltaïque. Elle peut être conçue à base d’une homojonction ou d’une hétérojonction
[5].
Figure I. 3 : Jonction n/p éclairée, cellule photovoltaïque [5]
I.4.2. Fonctionnement d'une cellule photovoltaïque
Une cellule photovoltaïque est un dispositif qui permet de transformer l’énergie solaire en
énergie électrique. Cette transformation est basée sur les trois mécanismes suivants :
 absorption des photons (dont l’énergie est supérieure au gap) par le matériau
constituant le dispositif.
 conversion de l’énergie du photon en énergie électrique, ce qui correspond à la
création de paires électron/trou dans le matériau semi-conducteur.
 collecte des particules générées dans le dispositif.
Le matériau constituant la cellule photovoltaïque doit donc posséder deux niveaux

d’énergie et être assez conducteur pour permettre l’écoulement du courant d’où l’intérêt
des semi-conducteurs pour l’industrie photovoltaïque.
Afin de collecter les particules générées, un champ électrique permettant de dissocier les
pairs électrons / troue créées est nécessaire. Pour cela on utilise le plus souvent une
jonction PN. D’autres structures, comme les hétérojonctions et les Schottky peuvent
également être utilisées.
Le fonctionnement des cellules photovoltaïques est illustré sur la figure I.4.
Figure I.4: Structure (gauche) et diagramme de bande (droite) d’une cellule

photovoltaïque. Les dimensions respectives des différentes zones ne sont pas
respectées [6]
Les photons incidents créent des porteurs dans les zones N et P et dans la zone de
charge d’espace. Les photo-porteurs auront un comportement différent suivant la
région :
 dans la zone N ou P, les porteurs minoritaires qui atteignent la zone de

charge d’espace sont “envoyés” par le champ électrique dans la zone P
(pour les trous) ou dans la zone N (pour les électrons) où ils seront
majoritaires. On aura une photo courant de diffusion.
 dans la zone de charge d’espace, les pairs électrons/ trou créées par les
photons incidents sont dissociées par le champ électrique : les électrons
vont aller vers la région N, les trous vers la région P. On aura une photo
courant de génération [6].
I.4.3 Caractéristiques électriques d’une cellule photovoltaïque
Le courant délivré sur une charge par une cellule photovoltaïque éclairée s’écrit [7]:
I (V) = I ph − I obsc (I-2)
Avec :
I ph: Densité de courante photo générée
I obsc : Densité de courant d’obscurité.
Pour une cellule photovoltaïque idéale, l’équation (I-2) peut être écrite de la forme
suivante:
qV
I (V) = I ph − I s (exp ( ) -1) (I-3)
kT
Avec :
I s : Courant de la maturation de la diode,
q : charge élémentaire,
k : constante de Boltzmann,
T: température.
Ainsi, dans une cellule photovoltaïque, deux courants s’opposent le courant d’éclairement
et un courant de diode appelé courant d’obscurité qui résulte de la polarisation du
composant.
La caractéristique d’une cellule on obscurité est identique à celle d’une diode (Voir figure
(I.5) [7].
A partir de la caractéristique I (V) de la cellule photovoltaïque, on déduit les paramètres

électriques propres à la cellule et notamment :
I cc: Le courant de court-circuit I cc d’une cellule photovoltaïque obtenu pour une tension
V=0, caractérise la quantité des paires électrons trous créés G qui traverse la jonction sans
être recombinées et ce entre les longueurs de diffusion des électrons et trous ( Ln et L p) :
I cc =q G ¿ + L p) (I-4)
V co : La tension de circuit ouvert, Sous obscurité (I=0), la cellule fournie un courant égal
au courant de court-circuit I cc pour une tension, appelée tension en circuit ouvertV co :
KT I cc
V co = ln ( +1) (I-5)
q Is
I m : courant à la puissance maximale de fonctionnement de la cellule photovoltaïque
V m: Tension à la puissance maximale de fonctionnement de la cellule photovoltaïque
FF : Le facteur de forme met en évidence non seulement l’efficacité d’une cellule

photovoltaïque mais aussi et surtout son vieillissement. Il est définit par le rapport de
la puissance maximale P M et de la valeur du produit I cc V co :
PM V I
m m
FF = I V ¿ V I (I-6)
cc co co cc
η : Le rendement de conversion (efficiency) exprime en pourcentage, désigne le

rendement de conversion en puissance. Il est défini comme étant le rapport entre la
puissance maximale délivrée par la cellule et la puissance lumineuse incidente Pinc :
V m I m FF V co I cc
η= = P S (I-7)
Pinc S inc
Figure I.5: Caractéristique I(V) d’une cellule solaire en obscurité et sous éclairement [7]
I.4.4 Les différents rendements d’une cellule photovoltaïque
Les photons incidents sur une cellule solaire ont une certaine probabilité d’être absorbés
puis de générer un pair électron-trou qui participe au courant I cc fournit par la cellule. Cette
probabilité est déterminée par la connaissance des rendements quantiques QE (efficacités
quantique). Ces efficacités sont le rendement quantique externe et interne [8].
I.4.4.1 Rendement quantique externe
Le rendement quantique externe, noté EQE (ou RQE), appelé aussi IPCE (Incident Photons
to Current conversion Effeciency), est le rendement d’électrons générés par photon
incident. Il est donné en fonction de la longueur d’onde dans la figure I.6.
Figure I.6 : Rendement quantique externe d’une cellule photovoltaïque
Le photo-courant mesuré, défini comme étant le nombre d’électrons collectés par unité de
temps et de surface est donné par la relation suivante:
I cc / s J cc
= (I-8)
q q
J cc est la densité de courant en A/cm 2.
L’intensité de la lumière monochromatique incidente exprimée comme étant le nombre de

photons de longueur d’onde par unité de temps et de surface :
φi / s Ee
= (I-9)
E photon h c / λ
φ i est le flux énergétique incident en watt et Ee l’éclairement à la surface en w/ cm.
I cc ( λ) h c hc J cc (λ)
EQE= * = * (I-10)
φi (λ) q λ q λ Ee
Et donc :
1,24 J cc (λ)
EQE= (I-11)
λ Ee (λ)
I.4.4.2 Réponse spectrale
La réponse spectrale de la cellule, notée R s(λ) est donnée par le rapport suivant :
J cc (λ)
R s(λ) = (I-12)
Ee (λ)
Elle représente la sensibilité de la cellule pour chaque longueur d’onde et elle est souvent
utilisée dans le marché de l’électronique comme caractéristique des photodiodes. Le
rendement quantique externe EQE, peut être ainsi exprimé comme suit :
1,24
EQE = R s(λ) (I-13)
λ
Par conséquent, d’après les définitions de ces paramètres, le rendement quantique externe
EQE dépend du coefficient d’absorption des matériaux utilisés, de l’énergie d’ionisation,
de la largeur de la ZCE et de l’efficacité de collecte. Il est mesuré en fonction de la
longueur d’onde de la source monochromatique.
I.4.4.3 Rendement quantique interne
Le rendement quantique interne est le rapport entre le nombre d’électrons dans le circuit
externe et le nombre des photons incidents. Dans ce cas, les photons incidents sont
considérés en soustrayant ceux perdus par réflexion à la surface de la cellule et absorption
incomplète. Cette grandeur s’appelle le rendement quantique interne RQI ou IQE (Internal
quantum effeciency).Elle est déduite à partir de la mesure du rendement quantique EQE et
de la réflectivité R (λ) tel que :
EQE( λ)
IQE = (I-14)
1−R( λ)
L’efficacité ou rendement η de la cellule est le rapport entre la densité de puissance

maximale qui peut être générée par la cellule et la densité de puissance de l’illumination
(Puissance incidente).
P max V I V J
η= = FF co cc = FF co cc (I-15)
φi φi φi
Sous les conditions standards d’irradiance AM1.5, le rendement est donné par :
V co I cc
η = FF (I-16)
φi
Ce Rendement maximal peut être optimisé en améliorant les trois termes se trouvant dans
le numérateur de l’équation I-16
I.4.3 Circuit électrique équivalent d'une cellule PV
Figure І.7: Circuit électrique équivalent d'une cellule PV
La résistance série R s est due à la résistivité électrique des différentes couches de la cellule
émetteur, base et contacts métalliques. Ce terme doit idéalement être le plus faible possible
pour limiter son influence sur le courant délivré par la cellule. La résistance parallèle ou de
court-circuit R p traduit quant à elle, la présence d’un courant de fuite à travers l’émetteur,
causé par un défaut. Ceci est le cas lorsque la diffusion des contacts métalliques à haute
température perce l’émetteur. Elle peut aussi être due à un court-circuit sur les bords de la
cellule. Cette valeur devra être la plus élevée possible [9].
I.4.4 Techniques de fabrication d’une cellule photovoltaïque conventionnelle

en mc-Si
Nous allons présenter le procédé conventionnel de fabrication des cellules photovoltaïques

en silicium multi-cristallin qui est un compromis entre le coût de production et le
rendement de conversion. Le processus de fabrication passe par cinq étapes principales
[8] :
I.4.4.1 Élaboration des lingots de Silicium Multicristallin
Il existe plusieurs procédés de production du silicium multi-cristallin, le procédé le plus

utilisé est le POLIX développé par PHOTOWATT où le lingot est obtenu par
cristallisation orientée dans un creuset fixe en graphite soumis à un écoulement de chaleur
unidirectionnel [10].
Figure I.8 : Schéma d’un four de croissance de lingot POLIX. Les photos montrent le
creuset avec (a) le matériau initial et (b) le lingot obtenu
I.4.4.2 Découpe
Le silicium se présente sous la forme de gros grains, allongés transversalement à la cellule.

Cela accorde aux porteurs minoritaires une longueur de diffusion élevée. Ces lingots sont
ensuite découpés en briques grâce à une scie à ruban, qui sont elles-mêmes sciées en
plaques minces à l’aide d’une scie à fil [10].
I.4.4.3 Traitement de surface et texturisation
L’étape de sciage entraîne des dommages en profondeur à la surface des wafers, de l’ordre
du rayon du fil de la scie. Un fort décapage à la soude retire la zone perturbée. Puis l’étape
de texturisation est entreprise sur les faces avant et arrière à l’aide d’une solution acide ou
basique, pour la formation des pyramides qui constitue des pièges pour le rayonnement
incident, augmentant ainsi l’absorption [10].
I.4.4.4 Formation de la jonction pn
Dans l’étape suivante, le substrat est placé dans un four de diffusion à environ 850°C
pendant 20 minutes dans un mélange gazeux de N 2 ,O2 , POCl 3 et P2 O5 . Un verre de
phosphore ( P2 O5 ) se forme sur tout le pourtour de la plaque, à partir duquel le phosphore
va diffuser sur une profondeur moyenne de 0.5 Ωm. On obtient donc une structure
n+/p/n+. On procède ensuite à la désoxydation, c’est-à dire l’élimination du verre
conducteur, par acide fluorhydrique (HF à 10%). Les substrats sont ensuite rincés à l’eau
désionisée [10].
I.4.4.5 Ouverture de la jonction
Les plaquettes sont superposées les unes sur les autres (~400 à la fois) et gravées
latéralement par plasma ou laser. L’émetteur n’est ainsi plus en contact avec la face arrière
de la cellule [10].
I.4.4.6 Couche antireflet et passivation de la face avant
Le nitrure de silicium hydrogéné (SiNx:H) est ensuite déposé par PECVD afin de faire
office de couche antireflet et de passivation. La couche de nitrure de silicium SiN joue le
rôle de barrière de diffusion contre les impuretés, réduisant le risque d’introduction
pendant les étapes ultérieures d’impuretés métalliques pouvant court-circuiter la jonction.
De plus, les contacts métalliques lors de leur recuit pénètrent moins profondément dans
l’émetteur. La technique PECVD permet d’obtenir des vitesses de dépôt relativement
élevées à basse température (< 400°C) [8].
Figure I.9 : Schéma résume les différentes étapes de fabrication de cellules

photovoltaïques industrielles en silicium multicristallin (les dimensions ne sont pas
respectées) [8]
I.4.4.7 Métallisation avant
Les contacts avant sont déposés par sérigraphie avec une pâte à l’argent au travers d’une
grille. Puis, ils sont séchés dans une étuve à air à 150°C pendant un quart d’heure [10].
I.4.4.8 Métallisation arrière
Une pâte en aluminium est ensuite déposée sur la quasi-totalité de la face arrière. De
même, le métal est séché dans une étuve à air à 150°C pendant un quart d’heure [10].
I.4.4.9 Co-firing
Formation des contacts, passivation du volume et de la face arrière, la cuisson simultanée

des contacts « co-firing » permet de combiner la formation des contacts avant (à travers le
SiN) et arrière (BSF), ainsi que les effets getter (Al) et passivation par hydrogénation
(SiNx:H). Elle se fait par cuisson rapide sous air à environ 800°C pendant quelques
secondes [10].
I.4.4.10 Soudures et test des cellules
Les rubans de connexion sont ensuite soudés à température ambiante sur les faces avant et
arrière. Finalement, les cellules sont testées et classées selon leurs performances [10].
I.5 Les pertes au niveau des cellules solaires classiques :
Les pertes dans les cellules solaires classiques, notamment celles à base de silicium
peuvent être classées en deux grandes parties : des pertes physiques et des pertes
technologiques. Les pertes physiques sont généralement liées aux propriétés des matériaux
utilisés, pour les limitations technologiques, elles sont induites par le processus de
fabrication. Des choix technologiques appropriés peuvent cependant avoir des
conséquences sur les limitations intrinsèques du matériau [11].
I.5.1 Les pertes physiques
Une cellule solaire est soumise à trois principaux types de pertes physiques:
 Les premières pertes se produisent quand les photons pénètrent dans la cellule,
certains n'arrivent pas à communiquer leur énergie aux électrons.
 Deuxième type de pertes : certains électrons n'ont pas assez d'énergie pour
parvenir au circuit extérieur, ils dissipent alors cette énergie sous forme de chaleur,
par un phénomène dit de « recombinaison ».
 Troisième type de pertes, les pertes résistives : le courant électrique qui circule
dans le semi-conducteur se transforme inévitablement, pour partie, en énergie
thermique, à cause de la résistance électrique du matériau (ce phénomène est aussi
connu sous le nom de pertes par effet Joule). Plus l'intensité lumineuse envoyée
vers la cellule est élevée, plus ces pertes résistives augmentent. À des intensités
lumineuses trop fortes, elles deviennent même tellement importantes qu'elles
entraînent la diminution du rendement de la cellule.
La Figure I.10 montre les principales pertes intrinsèques pour une cellule photovoltaïque
en silicium.
Figure I.10 : Principales pertes intrinsèques pour une cellule photovoltaïque en silicium.
(1) Pertes des photons de grandes longueurs d’onde. (2) Pertes dues à l’énergie
excédentaire des photons. L’insert illustre le phénomène de thermalisation
I.5.2 Les pertes technologiques
Parmi les pertes technologiques les plus importantes, on trouve :
 Les pertes par réflectivité, avant l'entrée de la lumière dans la cellule, une quantité
de photons sont réfléchis par la surface avant de la cellule. Le coefficient de
réflexion est voisin de 40% pour le silicium monocristallin poli optique. Une
texturisation et une couche antireflet permettent de réduire ce coefficient en
dessous de 5 % [Papet].
 Les pertes par ombrage, le dépôt des contacts métalliques nécessaires pour
collecter les charges photogénérés entraîne une zone d’ombrage sur la surface
exposée de la cellule en face avant.
 Les pertes des IR, à cause de la limite de l’épaisseur de la cellule, un certain
nombre de photons (photons infrarouges) travers la cellule sans être absorber.
 Durée de vie et rendement de collecte, Le rendement de collecte correspond au
rapport entre le nombre de porteurs de charge effectivement collectés et le nombre
total de charges photogénérés. Ce terme prend en compte les recombinaisons
électrons-trous en volume et en surface de la cellule. Il dépend directement de la
durée de vie des porteurs minoritaires (temps moyen entre la génération et la

recombinaison d’un porteur et donc de leur longueur de diffusion L.
Les facteurs de pertes sont donc liés d’une part à des limitations propres au matériau et
d’autre part à la technologie d’élaboration de la cellule. Si sur ces derniers que se
portent la majorité des optimisations des cellules photovoltaïques.
I.6 Les solutions pour optimiser le rendement : le cas des cellules en

silicium
Plusieurs solutions ont été proposées pour réduire les différentes pertes dans les
cellules solaires [11] :
 Le dopage élevé de l'émetteur est utilisé pour limiter la résistance du contact

métal/semi-conducteur, ce qui facilite la connexion entre les contacts
métalliques et l'émetteur. Cela crée un champ électrique suffisant au niveau de
la zone de charge d'espace (ZCE).
 La passivation en surface et en volume vise à améliorer la qualité électronique
à la fois en surface et en volume du matériau en neutralisant les sites actifs qui
sont sources de recombinaisons. Deux mécanismes de passivation de surface
sont utilisés : la neutralisation des défauts d'interface et l'utilisation d'un champ
électrique pour la passivation par effet de champ.
 La texturisation de la surface est réalisée pour réduire la réflectivité de la
cellule solaire. Elle implique création d’une texture micrométrique, souvent
sous forme pyramidale, qui augmente la surface et induit des réflexions
multiples sur les facettes des pyramides. La texturisation permet ainsi de piéger
un maximum de lumière et réduire les pertes dues à la réflexion. Différentes
méthodes telles que des attaques chimiques, la texturisation mécanique, le
traitement au plasma ou au laser sont utilisées pour réaliser cette opération. Ces
méthodes permettent de réduire la réflectivité effective de la surface de 40% à
moins de 10%.
 L'utilisation d'une couche antireflet combinée à un réflecteur arrière optimisé,
en plus d'une bonne texturisation des surfaces avant et arrière de la cellule
solaire, contribue à réduire les pertes par réflexion. L'objectif est de minimiser
le coefficient de réflexion sur la face avant de la cellule en créant des
interférences destructives, tandis que sur la face arrière, on cherche à

augmenter le coefficient de réflexion en créant des interférences constructives.
Ces différentes techniques permettent d'améliorer l'efficacité globale des cellules solaires
en réduisant les pertes et en augmentant la capture de la lumière incidente.
Chapitre II : passivation des défauts de la cellule solaire
II.1 Les mécanismes de recombinaisons
De manière générale, lorsqu'une paire électron-trou est générée au sein d'un semi-
conducteur, cela se produit suite à un apport d'énergie provenant d'une particule
énergétique, d'un champ électrique puissant ou d'un photon. Ce dernier phénomène est
repose sur le principe de l’effet photovoltaïque. Une fois cette génération avancée, il existe
trois principaux phénomènes gérant la recombinaison en volume de cette paire électron-
trou: les recombinaisons radiatives, Auger et SRH (Schockley-Read-Hall). Dans le cas des
cellules solaires, il faut leur ajouter les recombinaisons survenant en surface du matériau.
La description de ces différentes sources de recombinaison et leur influence respective sur
la durée de vie effective des porteurs minoritaires, sous faible et forte injection, est
détaillée ci-dessous [12].
A) Génération et recombinaison de porteurs
Quand un semi-conducteur est exposé au rayon du soleil, une partie de ce

rayonnement est réfléchie. Afin de minimiser ces réflexions, plusieurs pistes sont
exploitées on cite la méthode de texturisation de surface et couche antireflet. L’autre
partie du rayonnement est absorbée par le dispositif. Cette absorption est conditionnée
par l'énergie de photon qui la constitue soit supérieure ou égale à celle de la bande
interdite du semi conducteur, apporte une énergie supplémentaire aux porteurs présents
dans le semi conducteur et leur permet de passer en bande de conduction, c’est le
phénomène de (photo-) génération. La quantité de porteur 𝑛 et 𝑝 présente à tout instant
est donnée par [12]:
n = n 0 +Δn p = p0+ Δp (II-1)
Oùn 0, p0 les concentrations de porteurs négatifs et positifs à l’équilibre. Δ𝑛, Δ𝑝 les

concentrations de porteurs en excès générés lors de l’éclairement.
La recombinaison est le phénomène inverse. Lorsque l’électron perd son énergie, il

créer un photon (principalement dans les matériaux à bande interdite directe
(l'échauffement de matériau), afin de retourner à la bande de valence. Le taux de
génération est appelé 𝐺 (cm−3 s−1 ¿ et le taux de recombinaison 𝑅 (cm−3 s−1 ¿. La durée
de vie des porteurs de charges, 𝜏 (𝑠) est définie comme le rapport entre la densité de
porteurs en excès, Δ𝑛 (cm−3 ¿et le taux de recombinaison :
Δn
τ = (II-2)
R
B) Recombinaison radiative
Cette recombinaison spontanée est le phénomène inverse de la génération par

illumination. Lors de la recombinaison de la paire électron-trou, un photon est émis
avec une énergie correspondant à la bande interdite du semi-conducteur. Puisque cette
recombinaison nécessite la présence simultanée d’un trou et d’un électron en vis-à-vis,
celle-ci est liée à la concentration de trous et d’électrons dans le matériau et à
l’intensité lumineuse. Dans le cas de silicium de type p, p0 = N dop etn 0=ni2 N dop. Sous
éclairage: n 0 ≪ ∆𝑛. N dop est la quantité de donneurs, N Ddans le cas d’un silicium de
type n, ou la quantité d’accepteurs N A dans le cas d’un type p. D’autre part, en
l’absence de pièges Δ𝑛 =Δ𝑝. Il vient alors l’expression de la recombinaison radiative
[12]:
𝑅𝑟𝑎d = 𝐵𝑛𝑝 = B (Δ𝑛) (𝑁dop + Δ𝑛) (II-3)
Avec 𝑅𝑟𝑎𝑑 le taux de recombinaison radiative et 𝐵 le coefficient de recombinaison

radiative qui est fonction de l’énergie du photon et de la température. A titre d'exemple,
pour le silicium cristallin à 300 K, 𝐵 = 4,73 x10−15 cm−3 s−1 . Le durée de vie radiative est
alors donnée par :
Δn Δn 1
τ rad= (II-4)
R rad B ( Δ n ) (N dop+ Δ n) B(N dop+ Δ n)
Cependant, ce type de recombinaison est négligeable dans le silicium. En effet, le silicium

étant un matériau à bande interdite indirecte, la recombinaison bande-à-bande fait
intervenir un photon ainsi qu’un phonon afin de conserver le vecteur d’onde. La présence
nécessaire des deux particules limite alors fortement la probabilité de recombinaison
spontanée. Alors que les recombinaisons radiatives sont négligeables dans le silicium, elles
sont prépondérantes dans des matériaux à bande interdite directe comme l'est une majorité
des composés III-V tels le GaAs, GaInAs….
Il existe une situation les recombinaisons radiatives peuvent jouer un rôle non négligeable
et même provoquer une régénération. Un photon émis lors de la recombinaison peut alors
contribuer à la génération d’une paire électron-trou en apportant son énergie. C’est le
phénomène de recyclage de photon. Il est de plus en plus pris en compte dans la
modélisation et la conception d'architectures optimisées pour les cellules solaires.
Figure II.1 : Mécanisme de recombinaisons radiatives [13]
C) Recombinaison SRH
Ce cas de recombinaison, aussi appelé recombinaison multi phonon, se produit en

présence de défauts dans le matériau semi-conducteur. Ces défauts induisent des
niveaux d’énergie parasites au sein de la bande interdite du semi-conducteur. Ces
niveaux d’énergie intermédiaires facilitent les recombinaisons en deux étapes des
paires électron-trou. Ils agissent comme des pièges pour les porteurs de charge,
capturant temporairement les porteurs avant de les relâcher dans la bande de valence.
Ces défauts proviennent d’imperfections dans la structure cristalline ou d’impuretés
(présence d’éléments étrangers). Ils sont quantifiés par la grandeur 𝑁𝑇 la densité de
pièges, 𝐸𝑇 leur niveau d’énergie dans la bande interdite ainsi que par le taux de
recombinaison R SRH étudié par Shockley Read and Hall pour un seul niveau
énergétique de défauts [12] :
pn−ni2
R SRH = (II-5)
τ p (n+ n1)+ τ n ( p+ p1)
0 0
Avec τ p et τ n les durées de vie effectives intrinsèques des trous et des électrons qui
0 0
dépendent de la section de capture des électrons et des trous, respectivement

σ netσ p, de la densité de pièges 𝑁𝑇, ainsi que de la vitesse thermique des porteurs de
chargesϑ th :
1 1
τp= τn = (II-6)
0
σ p ϑ th N T 0
σ n ϑ th N T
Et n1 , p1des grandeurs statistiques définies par :
E T −Ei E T− E i
n1 =ni e KT
p1=n i e KT (II-7)
Où N c et N ϑ sont respectivement les densités effectives d’état dans les bandes de

conduction et de valence, Ec et Eϑ leur énergie, et𝐸𝑇 le niveau d'énergie introduit par le
défaut. L’expression de la durée de vie par recombinaison SRH,τ SRH , est alors donnée
par:
( p ¿ ¿ 0+ p1 + Δ n)+ τ p (n 0+ n1+ Δn)

τ SRH = τ n 0
¿ (II-8)
0
n 0+ p 0+ Δn
Figure II.2 : Mécanisme de recombinaison SRH [13]
D) Recombinaison sous faible et forte injection

La durée de vie de porteurs de tous les expressions est lié au taux d’injection Δ𝑛 ;les
cellules solaire son liée par la puissance optique absorbé par la cellule. Pour
mieux appréhender l’impact de tous types de recombinaison et du taux
d’injection, il est important de faire la différence entre les deux cas : la haute
injection(HI) définie par la condition Δ𝑛 ≫ p0où le taux d’injection est très
supérieur à la concentration en porteurs majoritaires de charge à l’équilibre dans le
semi-conducteur. Quand Δ𝑛 ≪ p0 on peut définir la faible injection Il vient alors pour
le silicium de type p :
1 1
τ rad, HI = τ rad, FI = (II-8)
B Δn B p0
1 1
τ Auge r , HI = 2 τ Auge r , FI = 2 (II-9)
(C n+ C p ) Δ n (C p) p0
τ SRH , HI =τ p + τ n
0 0
τ SRH , FI =τ n 0 (II-10)
La simplification des équations permet de voir l’influence de chaque type de

recombinaison en fonction du taux d’injection. Ainsi sous forte injection, les
recombinaisons Auger et radiatives seront prédominantes. Sous faible taux d’injection,
ce sont les recombinaisons SRH qui domineront [12].
E) Durée de vie effective
L’ensemble des durées de vie permet de définir une durée de vie effective donnée par
la relation ci-dessous :
1 1 1
τ eff = + τ + τ (II-11)
τ rad Auge r SRH
La décomposition et l’impact de chaque type de recombinaison sont montrés sur la

Figure II.3.La durée de vie effective des porteurs de charges impacte l’efficacité d’une
cellule solaire: plus celle-ci sera longue, plus la probabilité de récolter un porteur photo
créé par les électrodes de contact sera importante, et augmentera ainsi le rendement de
la cellule [12].
Figure II.3: Contribution des différents types de recombinaisons à la durée de

vie effective
F) Recombinaisons de surface
La surface du silicium représente une zone particulière en termes de recombinaisons.

En effet, la forte discontinuité du réseau cristallin à cet endroit génère une densité
élevée de centres de recombinaison. L’essentiel de ces recombinaisons de surface est
de type SRH. En réécrivant l’expression 1.9par unité de surface pour un défaut simple
à la surface, il vient l’expression du taux de recombinaison en surface:
2
ns ps −ni
R S= n s+n p s+ p (II-12)
+ 1 1
Sp 0
Sn 0
Avec 𝑛𝑠 et 𝑝𝑠 les concentrations d’électrons et de trous à la surface du silicium

ainsi que Sn et S p , leur vitesse de recombinaison respective, par unité de surface,
0 0
définies à partir d’expressions identiques à celles données en (II-6) qui ne

diffèrent que par la valeur de la densité de pièges qui est ici celle en surface N Ts.
S p =σ p ϑ th N Ts
0
Sn =σ n ϑ th N Ts
0
(II-13)
De la même manière que la durée de vie a été définie en (II-2), la vitesse de

recombinaison en surface S (cm s−1 ¿ et donnée par [] :
R S=S Δ n s (II-14)
II.2 Passivation des cellules solaires
II.1.1 passivation
Dans le processus la fabrication de cellules photovoltaïques, une étape clé pour obtenir de
hauts rendements de conversion est l’étape de passivation qui consiste à augmenter la
collecte des porteurs photogénérés en améliorant leur durée de vie (ou leur longueur de
diffusion). La passivation consiste à améliorer les qualités électroniques du volume et
surtout de la surface du matériau en neutralisant les effets de ses défauts électriquement
actifs (recombinaison de surface) [14].
II.1.2 Les types de défauts de surface et d’interface
II.1.2.1 Liaisons pendantes et défauts cristallins
Lorsque l’on dépose une couche de passivation sur la surface du silicium, celle-ci devient
une interface et peut présenter de nouveaux types de défauts. Parmi les principaux défauts
de surface du silicium que ce soit avec ou sans passivation, on trouve les liaisons
pendantes qui sont créées par l'interruption du réseau cristallin. Pour un matériau orienté
(111), ce type de défaut ( Pb) est principalement attribué à des atomes de silicium trivalents
orientés dans la configuration [12]:
𝑆𝑖 ≡ Si3° (II-15)
Pour un matériau orienté (100), plus usuellement employé dans le domaine photovoltaïque,
ces défauts se répartissent plutôt sous deux contributions différentes dénotées 𝑃𝑏0 et 𝑃𝑏1
suivant leur configuration, comme illustré sur la Figure II.4. Alors que les défauts de type
Pb 0 peuvent être assimilés dans leur comportement aux Pb du silicium (111), les Pb 1
correspondraient plutôt à des configurations:
𝑆𝑖 ≡ Si2 O°(II-16)
Figure II.4 : Représentation schématique du silicium (100). Liaisons pendantes et

configuration des pièges de type Pb 0 et Pb 1
II.1.2.2 Comportement électrique des défauts
Le défaut de type Pb 0 est électriquement actif et possède deux niveaux d'énergie au sein du
gap du silicium. Il peut agir soit comme donneur soit comme accepteur; dans le premier
cas son niveau d'énergie se situe à environ 0,25 eV et dans le second cas à 0,85 eV au-
dessus de la bande de valence. Ceux de type donneur sont des pièges positifs qui
deviennent neutres lorsqu’ils sont remplis par un électron. Ceux de type accepteur sont des
pièges neutres qui deviennent négatifs lorsqu’ils sont remplis par un électron. Le terme
donneur vient du fait que le piège a donné un électron pour être positif, tandis que le terme
accepteur le fait qu’il ait capté un électron pour être négatif. Le remplissage de ces défauts
dépend de la courbure de bande en surface et du dopage du silicium, comme illustré sur la
Figure II.5 [12].
Figure II.5 : Remplissage des pièges de surface avec la position du niveau de Fermi et la
courbure de bande.
Comme le suggère la (Figure II.6), la position et répartition des états de charges de Pb 1

sont sensiblement différentes de celles-de Pb 0 . Plusieurs études ont tenté d’identifier
l’impact de Pb 1 par rapport à Pb 0 sur la durée de vie des porteurs de charges en surface.
Seulement, celui-ci est difficile à quantifier. Une étude explique que puisque Pb 1 n’impacte
pas les mesures C-V, celui-ci est électriquement neutre et ne possède pas de nature
amphotère. Cependant, une autre étude montre que Pb 1 se comporte de façon similaire à
Pb 0 mais les positions des niveaux donneur et accepteur sont tellement proches qu’il est
difficile de deviner sa nature amphotère (Figure II.6 (b)). De plus, la densité d’états
d’interface attribuée à Pb 0 est largement supérieure à celle liée à Pb 1, ce qui n'aide pas à leur
différenciation. En effet, une mesure expérimentale va renvoyer l'effet cumulé des densités
d’états d'interface, si Pb 1 ≪ 𝑃𝑏0 alors sa contribution va être noyée dans celle de Pb 0.
Figure II.6 : Représentation schématique de la densité de défaut d’interface pour des

pièges de type Pb 0 (a) et Pb 1 (b)
La surface du silicium cristallin représente une forte discontinuité dans le réseau ordonné
d’atomes et génère une densité importante de centre de recombinaisons. Ces zones
localisées de défauts agissent comme des siphons pour les porteurs de charge minoritaires.
Lorsqu’une zone se retrouve en déplétion de porteurs, elle attire les porteurs présents dans
les zones adjacentes ayant des concentrations plus élevées. Le taux de recombinaisons est
directement lié à la vitesse de recombinaison des porteurs en surface. Le paramètre de
vitesse de recombinaisons de surface est défini pour illustrer la quantité de défauts de
surface et leur impact sur les porteurs minoritaires de charge. La passivation de surface
permet alors de diminuer la vitesse de recombinaison de surface. On peut distinguer deux
grandes catégories : la passivation chimique et la passivation par effet de champ [12].
II.1.2.3 Passivation chimique
Elle est réalisée en formant une couche mince d’un matériau à large bande interdite sur la
surface du semi-conducteur de telle sorte que la plupart des liaisons pendantes soient
chimiquement liées à des atomes dans cette couche. Ce matériau peut être un diélectrique
tel que SiO2, sin X , Al2 O3, ou bien il peut s'agir d'un autre semi-conducteur, voire le même
semi-conducteur sous une forme structurale différente (par exemple du Si amorphe sur une
surface de Si cristallin) [14].
Certaines liaisons pendantes peuvent aussi être passivées par des atomes d'hydrogène,
provenant soit de la couche de passivation elle-même, soit lors d'un recuit sous atmosphère
d’hydrogène (Figure II.7). En utilisant ce type de procédé, la densité d'états d'interface peut
être réduite à des niveaux extrêmement faibles [14].
Figure II.7 : Passivation chimique en comblant les liaisons pendantes avec des éléments
extérieurs
II.1.2.4 Passivation par effet de champ
Consistant à réduire la concentration d'un type de porteurs à la surface, peut être obtenue
de plusieurs manières. Tout d'abord, il est possible de réduire la concentration de porteurs à
la surface en appliquant un champ qui repousse ce type de porteur. Ce champ peut être crée
des charges stables intégrées à l'intérieur d'une couche diélectrique de passivation. On
obtient alors des phénomènes d’accumulation ou d’inversion (exemple : la présence de
charges négatives à la surface) (Figure II.8) [14].
Figure II.8 : Différents mécanismes des porteurs minoritaires à la surface.
Une autre variante pour réduire la concentration d’un porteur peut être obtenue par la
formation d'une région fortement dopée à la surface du semi-conducteur, ce qui permet de
supprimer la concentration d'un type de porteur dû au changement de la teneur en élément
chimique. Une telle région dopée peut être formée par l'introduction d'atomes dopants (le
plus souvent du Bore, du Phosphore ou de l’aluminium dans le silicium) par diffusion
thermique, implantation ionique ou formation d’alliage [14].
Un exemple bien connu de cette approche est le champ électrique arrière (BSF pour Back
Surface Field), généralement obtenu grâce à la formation d’un alliage eutectique Al-Si lors
du recuit à haute température d’une couche mince d’Al déposée à l'arrière des cellules
solaires en silicium de type p classiques, couche qui sert de contacts métallique [14].
II.1.3 Les matériaux de passivation
Le choix du matériau pour la passivation de surface est influencé par plusieurs paramètres.
Son rôle principal est de réduire les effets de piégeage des défauts de surface en les
diminuant ou en repoussant efficacement les porteurs de charge de la surface. De plus, s'il
est déposé sur une surface exposée à un éclairement, il doit être transparent et avoir un
coefficient d'absorption minimal. Il doit également conserver ses propriétés lorsqu'il est
soumis à d'autres procédés de fabrication de la cellule solaire, notamment en résistant à des
températures pouvant atteindre 850°C lors de l'étape de "firing" des contacts, le cas échéant
[12].
Les matériaux tels que SiO2, Si N X et Al2 O3 répondent à ces conditions. Cependant, leur
domaine d'utilisation varie en fonction des besoins spécifiques de la cellule solaire.
a) Passivation SiO2 et Si N X
La première couche de passivation étudiée pour le silicium était le SiO2, qui pouvait être
obtenu par croissance thermique à haute température. Cependant, ces températures
pouvaient endommager le silicium et entraîner des coûts de fabrication élevés. Des
techniques de dépôt à basse température telles que la PECVD ont été explorées, mais les
propriétés de passivation obtenues n’étaient pas aussi bonnes que l'oxydation thermique
[12].
Le nitrure de silicium hydrogéné amorphe, a- Si N X :H ou Si N X , est aujourd'hui largement

utilisé comme couche de passivation pour le silicium. Il peut être déposé à basse
température par PECVD, et son indice de réfraction peut être contrôlé en ajustant les taux
d'azote et d'hydrogène, ce qui en fait une couche anti-réfléchissante efficace. En raison de
sa forte teneur en azote, Le Si N X présente également une stabilité chimique et thermique
élevée, ce qui en fait une bonne couche de protection. Bien que sa densité de défauts
d'interface avec le silicium soit supérieure à l'oxydation thermique, les charges fixes
induites sont d'un ordre de grandeur supérieur, ce qui conduit à une passivation plus
efficace par effet de champ [12].
Cependant, le dépôt de SiO2 ou de Si N X induit des charges positives à l'interface avec le

silicium de type p, ce qui peut créer un courant de court-circuit parasite et favoriser la
recombinaison spontanée des porteurs. Pour pallier ce problème, une encapsulation Si O2/
Si N X est couramment utilisée car elle présente moins de charges positives. Cela a conduit à
l'étude d'autres matériaux, tels que l' Al2 O3, en tant que couche de passivation pour le
silicium de type p [12].
Figure II.9 : Schéma explicatif de la passivation par effet de champ et du court-circuit

parasite.
b) Passivation par Al2 O3
Ainsi, la recherche s'est orientée vers un matériau capable d'introduire des charges
négatives en surface du silicium pour résoudre le problème de la couche d'inversion due
aux charges positives. L'oxyde d'aluminium, également connu sous le nom d'alumine (
Al2 O3), répond à ce critère. Sa capacité à se déposer à basse température, son indice
optique de 1,7 à 633 nm et sa forte densité de charges fixes négatives ont suscité un intérêt
croissant en tant que couche de passivation pour le silicium de type p [12].
c) Autres types de passivation: a-Si:H,….
Très récemment, le développement des cellules à hétérojonction a permis de gagner

plusieurs pourcents dans le rendement de conversion des cellules solaires silicium. Celles-
ci bénéficient d’une couche de passivation en silicium amorphe a-Si: H [12].
Chapitre III : Simulateur PC1D, Résultats et Discussions
III.1 Introduction
Dans ce chapitre, nous étudions la cellule photovoltaïque qui est simulée à l'aide du
programme PC1D. Ce logiciel permet de simuler différentes structures optiques en
fonction des données matériaux disponibles. Les résultats obtenus à partir des paramètres
de simulation sont très similaires à ceux obtenus expérimentalement. De plus, l'utilisation
de ce logiciel permet de gagner du temps et de réduire les coûts.
III.2 Description du Logiciel PC1D
PC1D est largement utilisé comme logiciel de simulation pour modéliser les cellules
solaires à couches minces. C'est un outil polyvalent et général qui permet de simuler des
dispositifs semi-conducteurs unidimensionnels tels que les diodes, les photodiodes et les
cellules photovoltaïques. Les structures de ces dispositifs peuvent être monocristallines,
polycristallines, amorphes ou une combinaison de celles-ci [15].
PC1D est un logiciel de simulation numérique largement reconnu dans le domaine de la

recherche photovoltaïque. Il a été développé à l'université de New South Wales à Sydney,
en Australie. Son utilisation est très pratique car il permet de simuler différentes structures
photovoltaïques. Le programme est écrit en langage Pascal et résout les équations non
linéaires dépendantes du temps pour le transport des électrons et des trous dans les
dispositifs semi-conducteurs, en particulier les cellules solaires.
Dans la suite, nous décrirons les différents composants de ce logiciel.
III.2.1 Aperçu du logiciel
La fenêtre du logiciel PC1D est présentée sur la figure. III.1. elle se divise en quatre parties
dont les trois premières sont utilisées pour la programmation où il faut introduire les
paramètres du dispositif, des régions et de l’excitation.
Les paramètres sont :
 W : La largeur (µm)

 L : La langueur (µm)
 C B: La concentration de la base (cm−3 )
 X e: L’épaisseur de l’émetteur (µm)

 C e: La concentration de l’émetteur (cm−3 )
 X BSF : L’épaisseur de BSF (µm)
 C BSF : La concentration de BSF (cm−3 )
La quatrième partie concerne les résultats de la simulation. Le programme ainsi utilisé

contient des fichiers bibliothèques avec les paramètres des semi-conducteurs cristallins
utilisés dans la technologie photovoltaïque notamment le GaAs, a-Si, AlGaAs, Si, InP et
Ge. Les fichiers du spectre solaire sont aussi disponible dans ce logiciel, essentiellement
ceux associés aux spectres AM0 et AM1.5. Certains paramètres variables des matériaux
sont saisis par la suite à partir des fichiers externes.
Figure III.1 : Fenêtre affichée au démarrage du logiciel de simulation PC1D [15]

III.2.2 Les paramètres du dispositif (Device) :
Cette partie renferme les paramètres essentiels du dispositif. On trouve [16] :
 Aire du dispositif : la surface du dispositif est très importante car elle influe sur le
photo-courant d’une manière appréciable. Dans notre simulation nous avons choisi
une surface de 1 cm².
 Texture en surface : une surface texturée est composée de micro pyramides dont
les bases sont enracinées en profondeur avec un certain angle facial. La
texturisation des surfaces donne lieu à une diminution importante des pertes du
rayonnement incident par réflexion.
 Charges électriques en surfaces avant et arrière : les deux faces du dispositif sont
considérées comme neutres, c.à.d. qu’il n’y a pas de barrière de potentielle aux
surfaces.
 Réflectance optique interne : elle traduit les réflexions dites diffuse ou spéculaire
du flux lumineux sur les surfaces avant et arrière du dispositif.
 L’effet des éléments qui peuvent court-circuiter le dispositif. Ils sont généralement
liés aux impuretés métalliques qui peuvent se diffuser en volume du dispositif lors
de son élaboration.
III.2.3 Les paramètre des régions
L’épaisseur de l’émetteur est relativement mince par rapport à la base. Dans le cas du
silicium elle varie sur un intervalle compris entre 0.1µm et 1µm [17].
Concernant le matériau utilisé, tous les paramètres qui le décrivent sont stockés dans des
fichiers d’extension (*.mat), ils sont fourni par la suite par le logiciel dans une disquette.
Les paramètres stockés dans un fichier sont donnés comme suit :
 La mobilité : le modèle utilisé est le modèle de Thuber et al 1981.

 La constante diélectrique. - L’énergie de gap (eV).
 La concentration intrinsèque (cm-3).
 L’indice de réfraction.
 Coefficient d’absorption : le modèle utilisé est celui de Rajkanan et al 1979.
 Absorption des porteurs libres : l’équation décrivant l’absorption des porteurs

libres
 Type et concentration de dopage étudiés sont de type n ou p, la concentration
maximale est de 10−19 cm−3 . Ce logiciel présent quatre profils de dopages : le
profil uniforme, le profil exponentiel, le profil gaussien et le profil erfc.
 Les recombinaisons en volume utilisent un modèle basé sur la statistique de Read
Shockley-Hall qui décrit les recombinaisons par pièges situées dans la bande de
valence.
 Les recombinaisons face avant et arrière.
III.3 Le fonctionnement du logiciel PC1D
Les données requises pour la configuration de la cellule solaire choisie, sont introduite
dans le simulateur PC1D. Ce dernier commence à s’exécuter en fournissant les données de
sorties.
Pour assurer le bon fonctionnement du logiciel PC1D, il est important de respecter

plusieurs critères [15]:
1. Le choix des plages de valeurs des différents paramètres doit être réalisable dans le
cadre de la technologie utilisée.
2. Pour des considérations numériques, les valeurs introduites doivent être comprises
dans des intervalles prédéfinis.
3. Afin d'obtenir une convergence rapide, il est essentiel de minimiser la taille des
éléments finis et de choisir un nombre approprié d'itérations.
4. Le bon choix des paramètres numériques.
5. Une initialisation convenable des différents paramètres de la simulation.
Ces critères sont essentiels pour chaque simulation, mais ils ne sont pas suffisants.
Plusieurs fichiers externes doivent également être inclus pour exécuter le programme.
Par exemple, les fichiers caractérisant chaque matériau, tels que le coefficient
d'absorption n (*.abs) et celui de l’indice de réfraction (*.inr).doivent être sélectionnés.
Le choix des fichiers d'excitation (*.exc) est également nécessaire avant l'exécution.
Ces fichiers spécifient l'étude à effectuer, que ce soit dans l'obscurité (dark-iv-exc) ou
sous illumination. Dans ce dernier cas, on trouve deux fichiers (one-sun.exc, scan-
qe.exc).
La sélection du fichier (one-sun.sxc) permet le calcul des caractéristiques (I-V, P-V),

ainsi que l'obtention du rendement η et du facteur de forme FF. Le fichier (scanqe.exc)
permet quant à lui le calcul de la réponse spectrale.
Il existe plusieurs spectres solaires standards, chacun spécifiant l'endroit de l'étude. Par
exemple, le spectre AM0 est utilisé pour les études spatiales, tandis que l'air masse
AM1.5 est couramment utilisé pour les applications terrestres. Le logiciel PC1D utilise
trois spectres différents (am0.spc, am1.5g.spc, am1.5.spc).
III.4 Paramètre de la cellule simulé sur PC1D :
Tableau III. 1: Paramètres de la structure simulée
Substrat W=200µm
( la surface de la cellule 1cm 2) L=2000µm
La Base Si-p W=200 µm
C B=2,34 1017 cm−3
Emetteur N +¿¿ X e=0,4µm
C e=1.e 20 cm−3
Profile ERFC
BSF P+¿¿ X BSF=0,5µm
C BSF =1,5e 20 cm−3
Profile Gaussien
III.5 Caractéristique optique des couches passivant :
Figure III. 1 : La réflectivité simulée par PC1D pour SCAR (SiN) et DCAR ( Al2 O3/SiN)
Figure III. 2 : La réflectivité simulée par PC1D pour SCAR (SiN) et DCAR (SiO2/SiN)
Interprétation :
Les deux figures montrent les réflectivités d’une simple couche anti reflet SCAR (SiN)
et d’une double couche anti reflet DCAR (A l 2 O 3 /SiN) et (SiO2/SiN). La réflectivité
effective de la SCAR (SiN) ( Reff =60,70%) et de la DCAR (Al 2 O 3 /SiN) ( Reff =31,50%)
et celle de (SiO2/SiN) ( Reff =29,78%).
La simple couche anti reflet (SCAR) donne une réflectivité de 60% ca veut dire qu’il
ya beaucoup de perte. Lorsqu’on ajoute une double couche anti reflet (DCAR) on aura
une diminution de réflectivité donc une meilleure absorption (moins de perte optique)
pour améliorer le rendement électrique.
Mon travail a été fait pour avoir un meilleur rendement électrique avec un meilleur
diélectrique
III.6.1 Caractéristique électrique des couches passivant d’une cellule Non-

texturisé :
Les caractéristiques I(V) sous illumination AM1.5 (100mW/cm²) sont représentées sur
les Figures III.3-4-5 pour les cellules solaires conventionnelles non-texturisées. Leurs
paramètres photovoltaïques sont rapportés dans le Tableau III.2
Figure III. 3 : Les caractéristiques électriques I=f(v) et p=f(v) d’une SCAR (SiN) non-
texturisé
Figure III. 4 : Les caractéristiques électrique I=f(v) et p=f(v) d’une DCAR ( Al2 O3/SiN)
non-texturisé
Figure III. 5 : Les caractéristiques électrique I=f(v) et p=f(v) d’une DCAR (SiO2/SiN )
non- texturisé
Tableau III. 2 : Les paramètres électrique de la cellule solaire conventionnel non-texturisé
Matériaux Indice I cc (A) V co (Volt) ⴄ
SiN n=2,05 -0,033 0,67 17,5%
Al2 O3/SiN n1 =1,63 -0,033 0,67 18,8%
n2 =2,05
SiO2/SiN n1 =1,47 -0,033 0,67 18,7%

n2 =2,05
n1 =1,5
n2 =2,2 -0,034 0,60 16,9 %
SiO2/SiN [18]
Les courbes montrent le caractère photovoltaïque des cellules étudiées. Si les tensions
V co , les courants de court-circuit ( I cc) des deux types cellules sont quasi-identiques, il y
a une petite différence au niveau de la valeur du rendement photovoltaïque. Ces
travaux de modélisation démontrent que l’optimisation numérique des couches est
toujours nécessaire pour obtenir des performances optimales. Ainsi, le rendement des
cellules texturisées a augmenté d’environ 1% après optimisation numérique de cette

dernière, ce qui permet de se rapprocher des performances photovoltaïques d’une
cellule de référence réalisée expérimentalement.

texturisé :
Les caractéristiques I(V) sous illumination AM1.5 (100mW/cm²) sont représentées sur
les Figures III.6-7-8 pour les cellules solaires conventionnelles texturisées. Leurs
paramètres photovoltaïques sont rapportés dans les Tableau III.3
Figure III. 6 : Les caractéristiques électriques I=f(v) et p=f(v) d’une SCAR (SiN) texturisé
Figure III. 7 : Les caractéristiques électrique I=f(v) et p=f(v) d’une DCAR ( Al2 O3/SiN)
texturisé
courant
0,01 puissance
0,00
-0,01
Icc(m A )
-0,02
-0,03
-0,04
-0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
V (volt)
Figure III. 8: Les caractéristiques électrique I=f(v) et p=f(v) d’une DCAR ( SiO2/SiN )
texturisé
Tableau III. 3 : Les paramètres électriques de la cellule solaire conventionnelle texturisée
Matériaux Indice I cc (A) V co (Volt) ⴄ
SiN n=2,05 -0,034 0,66 17.8%
Al2 O3/SiN n1 =1,63 -0,034 0,66 19,1%
n2 =2,05
SiO2/SiN n1 =1,47 -0,034 0,66 19%
n2 =2,05
Optimisation de l’épaisseur de la DCAR Al2 O3/SiN :

Variation de l’épaisseur des diélectriques Al2 O3 et SiN
Tableau III. 4: Optimisation de l’épaisseur de la DCAR ( Al2 O3/SiN)
L’épaisseur Reff (%) ⴄ (%)

Al2 O3/SiN (d=5 ; d=65) 33,55% 19,2%
Al2 O3/SiN (d=10 ; d=60) 31,50% 19,1%
Al2 O3/SiN (d=15 ; d=55) 28,99% 19%
Al2 O3/SiN (d=20 ; d=50) 24,89% 18,9%
Al2 O3/SiN (d=25 ; d=45) 22,97% 18,8%
Al2 O3/SiN (d=25 ; d=60) 27,95% 19,4%
Figure III. 9: La réflectivité simulée par PC1D pour DCAR ( Al2 O3/SiN) pour différent
épaisseur
La Figure III.9 et le tableau III.4 montrent l’influence des épaisseurs de SiN, et d’ Al2 O 3sur
la réflectivité moyenne de la surface. Une réduction de ces épaisseurs engendre des pertes
importantes par réflexion, les minimums des réflexions sont pour des épaisseurs assez
importantes. Mais le meilleur rendement électrique quand a obtenu pour une certaine
optimisation.
Conclusion générale
Conclusion générale
Notre travail qui consistait a simulé des cellules solaires a base de silicium avec le code
PC1D se focaliser sur les performances des cellules solaires au silicium type-p par le
dépôt d’empilement d’ Al2 O3/SiN, qui est une couche prometteuse pour l’obtention de
meilleures performances électriques.
Les résultats optiques pour différentes épaisseurs de diélectriques, confirment les

différents résultats prédits par nos simulations. Dans ce cas, l’utilisation de nos
programmes pour le calcul de différentes propriétés optiques peut être une bonne solution
pour gagner du temps et tester les différentes combinaisons des couches antireflets avant
de les réaliser. Nos résultats confirme que la cellule a double couche antireflet DCAR a
une bonne moyenne de réflectivité autour de 22% pour un meilleur rendement
photovoltaïque.
Les résultats électriques qui confirmaient le caractère photovoltaïque des cellules choisies
à savoir l’allure des fonctions I(V) et P(V) nous ont permit d’extraire les paramètres
photovoltaïques confirment ainsi le rendement avoisinant les 19% et qui en accord avec
ceux trouvés dans les travaux déjà publier.
Références
Référence :
[1] Boukari A.Ouleda Abd salam M. (2017). L’impact des énergies renouvelables sur
l’environnement. Mémoire de Master. Université d’Adrar. P18.
[2] Mahammedi M.Degle B. (2019).Simulation d’une cellule solaire photovoltaïque à base

d’hétérjonction de structure HIT : a-Si : H (n) / a-Si : H (i) / c-Si (p) .Mémoire de Master.
Université d’Ouargla. P3-4.
[3] Saouli S. (2018). Etude des caractéristiques courant tension d’une cellule de silicium.
Mémoire de Master. Université de Bordj Bou Arreridj. P28.
[4] Madoui Ch. Laidani L. (2022). Analyse approfondie des paramètres clés d’une cellule
solaire au silicium par simulation numérique. Mémoire de Master. Université de Bordj Bou
Arreridj. P 14.
[5] Kihali I. (2020). Etude et simulation des cellules solaires photovoltaïques à base de
silicium. Mémoire de Master. Université de Jijel. P5-6.
[6] Helali K. (2012). Modélisation d’une cellule photovoltaïque : Etude comparative.

Mémoire de Master. Université de Tizi Ouzou. P32-33.
[7] Djeghbala A. (2013). Etude par simulation numérique de l’effet du dopage et des
épaisseurs sur les caractéristiques électriques d’une cellule solaire (p/n) en silicium.
Mémoire de Master. Université de Biskra. P 22-23.
[8] Bendala N. (2010). Optimisation des émetteurs sélectifs et passivables des cellules
solaires conventionnelles à base de mc-si. Mémoire de Magister. Université de Tlemcen.
P16-17-18-37.
[9] Abbad L. Djouadi S. (2021). Elaboration d’un code de calcul pour l’étude des cellules
solaires photovoltaïques à haut rendement application à la cellule à l’arseniure de gallium
(GaAs). Mémoire de Master. Université de Oum El Bouaghi. P23.
[10] Ziada Ch. Mahdjoubi Z. (2016). Étude de l’apport des couches antireflets et de la
texturisation aux performances des cellules solaires en silicium cristallin. Mémoire de
Master. Université d’Adrar. P20-21.
Références
[11] Sahouane N. (2016). Elaboration, modélisation et caractérisation des cellules solaires

de type IIIéme génération dotées de couches antireflets à indice graduel. Thèse de
Doctorat. Université de Tlemcen. P 25-26-27.
[12] Matthieu P. (2015). Etude de la passivation de surface du silicium cristallin type P par
dépôt de couches atomiques d'alumine pour application aux cellules solaires à haut
rendement. Thèse de Doctorat. L’école centrale de Lille. P 14-15-16-17.
[13] Laidouci A. (2022). Nouveaux absorbeurs POUR cellules solaires à haut rendement.
Thèse de doctorat. Université de Blida 1. P 45-46.
[14] Ibrahim Elmi O. (2017). Nouvelles structures de cellules solaires à base de silicium :
texturation, passivation et association de réseaux de nanostructures métalliques avec une
couche Down –Conversion. Thèse de Doctorat. Université de Lille 1. P 115-116-117.
[15] Ali Cherif M. (2016). Etude par simulation numérique d’une cellule solaire à base de
silicium par PC1D. Mémoire de Master. Université de Tiaret. P 49-51.
[16] Moknine Z. Rabhi Y. (2022). Sélection d’émetteurs pour cellules solaires efficaces en
silicium via des simulations PC1D. Mémoire de Master. Université de Bouira. P 36.
[17] Mekelleche S. (2015). Modélisation et Simulation de Nouveaux Matériaux Destinés à

la Production d’Energie Photovoltaïque. Mémoire de Master. Université de Tlemcen. P 67.
[18] S. Nordine, A. Zerga, et I. Bensefia, « Influence Of SIN x : H And SIO x Films On
Optical And Electrical Properties Of Antireflective Coatings For Silicon Solar Cells », Int.
J. Sci. Eng. Res., vol. 3, p. 7, juill. 2014.
Résumé
L'objectif de notre travail est d'améliorer les performances des cellules solaires à base de
silicium de type-p en utilisant un empilement d'Al₂O₃/SiN. À l'aide du code PC1D, nous
avons effectué des simulations pour évaluer les caractéristiques optiques et électriques de
ces cellules, en mettant l'accent sur l'optimisation des couches antireflets. Les résultats ont
montré qu'une cellule avec une double couche antireflet (DCAR) avait une réflectivité
moyenne de 22%, ce qui favorise un meilleur rendement photovoltaïque. De plus, les
résultats électriques ont également confirmé le caractère photovoltaïque des cellules, avec
un rendement avoisinant les 19%.
Mots clés : cellules solaires, silicium de type-p, empilement Al₂O₃/SiN, simulations,

caractéristiques optiques, caractéristiques électriques, couches antireflets, réflectivité,
rendement photovoltaïque.
Abstract
The objective of our work is to improve the performance of type-p silicon-based solar cells
using an Al₂O₃/SiN stack. Utilizing the PC1D code, we performed simulations to evaluate
the optical and electrical characteristics of these cells, with a focus on optimizing the
antireflection layers. The results demonstrated that a cell with a double antireflection layer
(DCAR) exhibited an average reflectivity of 22%, leading to enhanced photovoltaic
efficiency. Furthermore, the electrical results confirmed the photovoltaic nature of the
cells, achieving an efficiency close to 19%.
Keywords : solar cells, type-p silicon, Al₂O₃/SiN stack, simulations, optical

characteristics, electrical characteristics, antireflection layers, reflectivity, photovoltaic
efficiency.
‫ملخص‬
. ‫دس‬yy‫تخدام المك‬yy‫ باس‬p ‫وع‬yy‫يليكون من الن‬yy‫ة على الس‬yy‫ية القائم‬yy‫ا الشمس‬yy‫ين أداء الخالي‬yy‫و تحس‬yy‫ا ه‬yy‫دف من عملن‬yy‫اله‬
‫ مع‬،‫ أجرينا عمليات محاكاة لتقييم الخصائص البصرية والكهربائية لهذه الخاليا‬،PC1D ‫ باستخدام رمز‬Al₂O₃/SiN
( ‫اس‬yy‫ادة لالنعك‬yy‫ أظهرت النتائج أن الخلية ذات الطبقة المزدوجة المض‬.‫التركيز على تحسين الطبقات المضادة لالنعكاس‬
‫ة‬yy‫ائج الكهربائي‬yy‫دت النت‬yy‫ أك‬،‫ك‬yy‫افة إلى ذل‬yy‫ باإلض‬.‫ل‬yy‫وئية أفض‬yy‫اءة ض‬yy‫ مما يعزز كف‬،٪22 ‫) كان متوسط انعكاسها‬DCAR
.٪19 ‫ بكفاءة تبلغ حوالي‬،‫ضا الطابع الكهروضوئي للخاليا‬
ً ‫أي‬
‫الكلمات المفتاحية‪ : ‬الخاليا الشمسية‪ ،‬السيليكون من النوع ‪ ،p‬المكدس ‪ ،Al₂O₃/SiN‬المحاكاة‪ ،‬الخصائص البص‪yy‬رية‪،‬‬
‫الخصائص الكهربائية‪ ،‬الطبقات المضادة لالنعكاس ‪ ،‬االنعكاسية‪ ،‬الكفاءة الكهروضوئية‪.‬‬

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‫الجـمهوريـة الجـزائـريـة الديمقـراطية الشعبيـة‬

‫وزارة التعلـيم العالـي والبحـث العـلمي‬

Rahmani Ahmed Zakaria

Pour l’obtention du diplôme de Master en Physique

Etude de la passivation des défauts dans la cellule solaires au silicium

Soutenu le 15/06/2023 devant le jury composé de

Qualité Nom et Prénom Grade Etb. d’origine

II.1.3 Les matériaux de passivation.........................................................28

PHOTOVOLTAÏQUES INDUSTRIELLES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN (LES DIMENSIONS

NE SONT PAS RESPECTÉES)............................................................................................13

FIGURE I.9 : PRINCIPALES PERTES INTRINSÈQUES POUR UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE EN

FIGURE II. 4 : REPRÉSENTATION SCHÉMATIQUE DU SILICIUM (100). LIAISONS PENDANTES

ET CONFIGURATION DES PIÈGES DE TYPE Pb 0 ET Pb 1................................................24

FERMI ET LA COURBURE DE BANDE..............................................................................25

POUR DES PIÈGES DE TYPE Pb 0 (A) ET Pb 1 (B)...........................................................26

FIGURE II. 8 : DIFFÉRENTS MÉCANISMES DES PORTEURS MINORITAIRES À LA SURFACE.....28

FIGURE III. 7 : LES CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUE I=F(V) ET P=F(V) D’UNE DCAR (

TABLEAU III. 3 : LES PARAMÈTRES ÉLECTRIQUES DE LA CELLULE SOLAIRE

TABLEAU III. 4: OPTIMISATION DE L’ÉPAISSEUR DE LA DCAR ( Al 2 O3 /SIN)...................42

Tous d’abord je remercie ALLAH pour m’avoir donné la patience et le

courage pour mener ce travail jusqu’à la fin.

Je tiens à exprimer ma profonde gratitude envers le Professeur Ziani

réalisation des expériences avec patience et efficacité.

Je tiens également à remercier Mme Lachachi Hanane, ma co-encadrante,

pour sa contribution et son accompagnement.

l’honneur de participer à l’évaluation de ce travail.

Je dédie ce modeste travail

Particulièrement à mon père D aho pour le gout à l’effort qui il a installé en

A mes frères et mes sœurs

A mes amis : Idriss, Nasro, Adel

Sachant que les énergies fossiles (pétrole-gaz-charbon…..ect) sont à l’épuisement. de

L’objectif de ce travail l’optimisation des couches antireflets et passivantes pour améliorer

Notre travail s’article autour de trois chapitres :

Le deuxième chapitre comporte le mécanisme de recombinaison et la passivation des

Enfin, nous terminons par une conclusion générale.

I.2 Rayonnement solaire

La distance de la terre au soleil est d'environ 150 millions de kilomètres et la vitesse de la

AM=1⁄ cos(θ) (I-1)

La Figure (I.1) montre les différents airs masses [2].

Figure I.1 : Différents air masses [2]

I.3 L’effet photovoltaïque

La conversion de la lumière en électricité, appelée effet photovoltaïque, a été découverte

Figure I.2 : Principe de 1'effet photovoltaïque [4]

I.4 La cellule solaire photovoltaïque

Figure I. 3 : Jonction n/p éclairée, cellule photovoltaïque [5]

I.4.2. Fonctionnement d'une cellule photovoltaïque

Le matériau constituant la cellule photovoltaïque doit donc posséder deux niveaux

Le fonctionnement des cellules photovoltaïques est illustré sur la figure I.4.

Figure I.4: Structure (gauche) et diagramme de bande (droite) d’une cellule

 dans la zone N ou P, les porteurs minoritaires qui atteignent la zone de

I.4.3 Caractéristiques électriques d’une cellule photovoltaïque

I (V) = I ph − I obsc (I-2)

I ph: Densité de courante photo générée

I obsc : Densité de courant d’obscurité.

I s : Courant de la maturation de la diode,

A partir de la caractéristique I (V) de la cellule photovoltaïque, on déduit les paramètres

I m : courant à la puissance maximale de fonctionnement de la cellule photovoltaïque

V m: Tension à la puissance maximale de fonctionnement de la cellule photovoltaïque

FF : Le facteur de forme met en évidence non seulement l’efficacité d’une cellule

η : Le rendement de conversion (efficiency) exprime en pourcentage, désigne le

I.4.4 Les différents rendements d’une cellule photovoltaïque

I.4.4.1 Rendement quantique externe

Figure I.6 : Rendement quantique externe d’une cellule photovoltaïque