Simulation D'une Cellule Solaire Photovoltaque

UNIVERSITE KASDI MERBAH OUARGLA
Faculté des Sciences Appliquées

Département de Génie Electrique
Mémoire
MASTER ACADEMIQUE
Domaine : Sciences et technologies
Filière : Génie électrique
Spécialité : Matériaux électrotechnique
Présenté par :
MELOUAH MILOUD BAKHTI SAFIA
Thème:
Simulation d’une cellule solaire photovoltaïque à

base de Cu2ZnSn(S,Se)4
Soutenu publiquement
Le : 31/05/ 2016
Devant le jury :
M. Louazene Mohamed Lakhdar M. C. (B) Président UKM Ouargla
M. Ayad Nour El islam M. A. (A) Examinateur UKM Ouargla
M. Benmir Abdelkader M. A. (A) Encadreur UKM Ouargla
Année universitaire 2015/2016

Remerciements
Nous remercions ALLAH le tout puissant de nous avoir donné le
courage, la volonté, la santé et la patience de mener à terme ce
présent travail.
Nousexprime toute nos profonde gratitude, nos profonde

reconnaissance et nos sincères remerciements à
monsieurBENMIR Abdelkader, UKM Ouargla, pour nous
avoir encadrons tout le long de notre travail, qui par ses conseils
a été un guide précieux dans l’élaboration de ce mémoire.
Nous remercions chaleureusement les membres du jury pour

l'honneur qu'ils nous ont fait en acceptant d'évaluer notre travail.
De ma part, de mon côté moi, MELOUAH.M, je tiens a remercie

monsieur TAIEBI Djamel enseignent UKM Ouargla, pour les
services prestigieuse qui nous a été apportés.
‫اﻹﻫ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ــﺪاء‬
‫إﱃ ﻣ ﺒﻊ اﳊﻨﺎن ٔﱊ اﳊﺒ ﺔ‬
‫إﱃ روح ٔﰊ اﻟﻄﺎﻫﺮة ٔﺳﻜ ﻪ ﷲ واﺳﻊ ﺟ ﺎﺗﻪ‬
‫إﱃ ﲨﯿﻊ إﺧﻮﰐ و ٔﺧﻮاﰐ‬
‫إﱃ زوﺟﱵ و ٔﺑﻨﺎﰄ ‪،‬رﱘ ‪،‬ﶊﺪ ﻃﻪ ‪ ،‬ﻣﺮوان‪.‬‬
‫إﱃ ﰷﻓﺔ ﺎﺋ ﻣﻠﻮح‬
‫واﱃ ﲨﯿﻊ دﻓﻌﺔ ‪ 2016‬ﻫﻨﺪﺳﺔ ﻬﺮ ﺋﯿﺔ‬
‫ﻣﻠﻮح ﻣ ﻠﻮد‬
Dédicaces
Je dédie ce travail en signe de respect et de reconnaissance:
A mes parents.
A toute ma famille sans exception.
A tous mes amis (es).
A ceux qui ont m’aidé de loin ou de prés durant ma carrière.
BAKHTI SAFIA
Sommaire:
Introduction Générale
Chapitre I: Généralité sur les cellules photovoltaïques
I. 1. Introduction …………………………………………………………………… 3
I. 2. Le rayonnement solaire ………………………………………………………... 3
I . 3. Caractéristiques rayonnement solaire………………………………………….. 3
I. 3. 1. Masse d’air ………………………………………………………………. 3
I . 3. 2. Spectre de référence……………………………………………………... 4
I. 4. Semiconducteur………………………………………………………………… 5
I . 5. Différent types de dopage………………………………………………….….. 6
I . 5. 1. Semiconducteur dopé n……………...…………………………………… 6
I. 5. 2. Semiconducteur dopé p….……………...…..……………………..……… 6
I. 6. la jonction P-N...………………………………………………………………... 7
I . 7 . Cellule solaire photovoltaïque………………………………………………... 8
I . 7 . 1. Historique...…………………………..…………………………………... 8
I. 7. 2. Le photovoltaïque : principe de fonctionnement……………………….…. 8
I. 7. 3. Cellule solaire idéale………………………………………………………. 9
I. 7. 4. Cellule solaire réelle……..…………………………………………..…… 10
I . 8. Les différentes caractéristiques d’une cellule solaire………………….……… 11
a). Courant de court circuit c………………………………………………… 11
b). Tension de circuit ouvert …………………………………………….... 11
c). Réponse spectrale SR..……………….……………………………….……. 11
d). Puissance maximale ….……………………………………….……… 12
e). Facteur de forme FF ………………….……………………..……….....…. 12
f). Rendement de conversion …….………………………………………...... 12
I. 9 . Les différentes technologies des cellules photovoltaïques…………………… 13
I. 9. 1. première génération: Silicium cristallin (mono et poly)…………….…… 13
a. Silicium monocristallin……………………………………….…………….. 13
b. Silicium poly cristallin……………………………………………….……… 13
I. 9. 2. Deuxième génération: CdTe, CIS/ CIGS, silicium amorphe et
microcristallin………………….……………………………………………...……. 13
I. 9. 2. a. CdTe / CdS ……………..……………………………………..... 15
I. 9. 2 .b .Cu(In)Se2/Cu2ZnSnS4………………………………………..… 16
I
I. 9. 2. c. CZTS……………………...………………………………….… 17
I. 9. 3. Troisième génération Technologies photo-électro-chimiques (Dye Sensitised
Cell et Organic PV)……………………………………………………….18
I . 10. Conclusion…………………………………………………...…………….... 18
Chapitre II: Cellule solaire photovoltaïque à base de CZTSSe
II. 1. Introduction………………………………………………….………...….…. 20
II. 2. Les couches minces…………………………………………….…...……..…. 20
II. 2. 1. Définition d’une couche mince……………………………….…...….… 20
II. 2. 2. propriétés des couches minces……………………………………….… 20
II. 2. 3. Applications des couches minces……………………………..…….….. 21
II. 2. 4. Techniques de dépôt des couches minces………….………………….. 21
II. 2. 4. 1. Dépôt en phase vapeur physique (PVD)…………………….... 22
II. 2. 4. 1.1. L'évaporation thermique….………………………….…........ 22
II. 2. 4. 1. 2. Implantation d’ions……………………………………...….. 23
II. 2. 4. 1. 3. Ablation Laser………………………….………………….. 23
II. 2. 4. 1. 4. Epitaxie par jets moléculaires (MBE:Moléculaire Beam
Epitaxy)……………………………………………………………………..…....... 23
II. 2. 4. 1. 5. Pulvérisation cathodique
(Sputtering)…………………......... 24
II. 2. 4. 2. Dépôt en phase vapeur chimique (CVD)……………..…........... 24
II. 2. 4. 2.1. Spray pyrolyse……………………...……………………..….. 25
II. 2. 4. 2. 2. Voie sol-gel………………………………………………….. 25
II. 2. 5. méthodes de préparation de couches minces de Cu2–II–IV–S4……..... 25
1) Les approches à base de vide………………………………….…….… 25
2) Les approches non-vides…………………………………………..….… 25
II. 3. Hétérojonction…………………………………………………………..….... 26
II. 4. Les cellule solaire à base CZTS………………………………………..…...... 26
II. 5. Les propriétés de CZTS…………………………………………….……....… 26
II. 6. Propriétés électriques……………………………………………………...…. 28
II. 7. Propriétés optiques………..………………………………………………...... 30
II. 8. Fabrication d'une cellule à base de Cu2ZnSnS4…………………………...... 32
II. 8. 1. La couche absorbante………………………………………..………….. 34
II. 8. 2. La couche tampon……………………………………………….……... 34
II. 8. 3. La couche d'oxyde transparent conducteur (TCO)…………………….... 34
II
II. 10. Conclusion…………………………………………………………………... 34
Chapitre III: simulation d'une cellule solaire photovoltaïque à base de CZTSSe
III. 1. Introduction……………………………………………………….. ……… 36
III. 2. Modélisation d’une cellule solaire photovoltaïque………………………… 36
III. 3.Equations fondamentales dans les semi-conducteurs……………………….. 37
III.3.1. Equation de Poisson…………………………………………………… 37
III.3. 2. Equations de continuité…………………..…………………………..... 38
III.3. 3. Equations de transport……………………………..………………..…. 38
a). Diffusion………………………………………………………………. 39
b). Drift……………………………………………………….………...... 40
III. 4. Simulation des cellules solaires…………………………………………........ 41
III.4.1 simulation……………………………………………………………....... 41
III.4.2. logiciels de simulation …………………….…………………………..... 41
III. 5. Simulation par Logiciel SCAPS………………………….………………...... 41
III.5.1. Présentation…………………………………………………………….. 41
III.6.Utilisation de logiciel……………………………………………………….… 42
III.6.1. Paramètres de simulation……………………………………………….. 42
III.6.2. Action panel…………………………………………………………...... 42
a).Menu principal…………………………………………………………...42
b). Choix de la cellule…………………………………………………...... 43
c) les propriétés des couches……………………………………………... 44
d).Résultat de la simulation (Caractéristique I(V))……………………..... 45
III.7.Conclusion…………………………………………………………...………. 46
Chapitre IV: résultats et Discutions
IV. 1. Introduction………………………………………………………………… 48
IV. 2. Structure de la cellule étudiée……………………………….…………. 48
IV. 3. Propriétés des différentes couches…………………………….………... 48
IV. 4. Résultats et discussion……………………………………………...……. 49
)………………... 49
) ………..... 51
)…….….... 52
IV.5. conclusion………………………………………………………………..…… 54
III
Conclusion générale…………………………………………………………….….. 55
IV
Listes de figures page
Figure I.1 : Schéma descriptif de l’incidence solaire sur la terre…………………………...4
Figure I.2 représente : longueur d’onde μm………………………………………………..5
FigureI.3 : Représentation d'une jonction PN à l’équilibre thermodynamique……………7
Figure I.4: Exemples d’applications des cellules solaire……………………………………9
Figure 1.5:le principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque ………………….9
Figure I.6 : Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque réelle………………………11
Figure 1.7. : Les courbes I = f (V)……………………………………………………………12
Figure I.8 : Différent technologie des cellules photovoltaïques…………………………..13
Figure I .9 : Etape de fabrication des cellules………………………………………………..14
Figure I. 10: cellule mono cristalline et poly cristalline ………………………………….15
Figure I.11: modules verre-verre au Telluride de Cadmium, efficacité de 9 à 11%.........16
Figure II.1. Techniques de dépôt des couches minces……………………………………….21
Figure. II.2 : Structure Kasterite dans laquelle CZTS se cristallise. Elle est dérivée de la
structure sphalerite par dupliquer la cellule unitaire ………………………………………26
Figure. II.3: La variation de la résistivité en fonction du rapport Cu/ (Zn+Sn)…………….29
Figure. II.4: Spectre typique de transmittance d’une couche mince de CZTS . …….…30
Figure II.5 : Schéma représentatif d’une cellule solaire typique à base de Cu2ZnSnS4 …..32
Figure III.1. Panneau de démarrage de SCAPS, le panneau d’action ou principal...........43
Figure III.2. Définition de la structure d’une cellule solaire………………………………….44
Figure III.3 : paramètres d'une couche (l'absorbeur CZTS) d'une cellule……………………45
Figure III.4 : Panneau d’affichage des courbes I-V à l’obscurité et en éclairement………….46
Fig. IV .1: Schéma simplifié d’une cellule solaire en couches minces de CZTS………..48
IV
Fig. IV.2:effet de l'épaisseur du CZTS(WCZTS) …………………………………………50
Figure IV.3: Effet de l’énergie de gap de la couche CZTS ……………………………….52
Figure. IV.4: Effet de l'épaisseur du CdS (WCdS) ………………………………………..53
Listes des tableau
Tableau II.1 Les propriétés électriques des composes CZTSSe………………………....29
Tableau IV.1.: Les différents paramètres de simulation de la cellule……….….…….…49
WCZTS) sur les paramètres
de la cellule solaire…………………………………………………………………….…..49
EgCZTS) sur les paramètres
de la cellule solaire…………………………………………………………………………51
WCdS) sur les paramètres
de la cellule solaire…………………………………………………………………………52
V
Liste de symboles
: Energie.
E( ): Champ électrique.
: Largeur de la bande interdite (gap).
: Concentration des électrons et des trous respectivement
0, 0: Concentration des électrons et des trous à l’équilibre respectivement
n , : Densité de courant des électrons et des trous respectivement
: Densité de courant de saturation inverse
: Densité de courant de photo génération
: Densité de courant de sortie de la cellule
: Courant de court circuit
A, : Concentration des atomes accepteurs et des atomes sonneurs
respectivement
n , : Mobilité des électrons et des trous respectivement
n , : Constante de diffusion des électrons et des trous respectivement.
T: Température de la cellule
Q: Facteur de qualité
i: Concentration intrinsèque
n , : Vitesse de recombinaison des électrons et des tous à la surface
respectivement
, 0: Permittivité du vide, permittivité relative et permittivité totale
respectivement
s: Résistance série
sh: Résistance parallèle
q: Charge de l’électron
= /q: Potentiel thermodynamique
Vd : Potentiel de diffusion
: Tension de sortie de la cellule.
co: Tension de circuit ouvert
: Facteur de forme
: Réponse spectrale
η: Rendement de conversion
: Puissance maximale
W : Epaisseur de la couche CZTS
W : Epaisseur de la couche CdS
W : Epaisseur de la couche ZnO
VI
INTRODUCTION GENERALE
Introduction générale
Il semble clair que la consommation d'énergie dans le monde à l'heure actuelle va

croître en raison de la croissance de la population mondiale et l'explosion du
développement industriel. Actuellement, la production d'énergie est principalement basée
sur les combustibles fossiles (pétrole, charbon et gaz naturel ....) qui ne sont pas
renouvelables, et qui sont des ressources de disponibilité limitée. Ainsi, il peut être la cause
de nombreux problèmes environnementaux tels que la pollution par production de gaz à
effet de serre.
Il est donc important de développer de nouvelles sources d'énergie alternatives qui

peuvent répondre à la demande croissante, et d'assurer le développement durable et la
préservation de l'environnement. L’énergie solaire est l’une des candidats les plus
promoteurs en tant que source d'énergie d’avenir. Cette énergie est une source inépuisable
et propre. Elle est de plus en plus considérée comme source énergétique qui peut couvrir
les besoins mondiaux en électricité. En effet, le rayonnement solaire peut être converti en
électricité grâce à des dispositifs appelés cellules solaires photovoltaïques. Les cellules
solaires photovoltaïques (PV) présentent beaucoup d’avantages. Elles sont élégantes, non
polluants, silencieux et sans pièces rotatives.
La production d’électricité solaire photovoltaïque augmente exponentielle depuis les

dernières décennies. Cette croissance est due à la diminution du prix du kWh qui passe par
une augmentation du rendement de conversion et une réduction des coûts de fabrication.
Pour cela, les technologies basées sur le dépôt de couches minces représentent un
challenge technologique dans lequel de nombreux chercheurs investissent massivement
dans la maitrise de cette technologie.
La technologie photovoltaïques à film mince d'aujourd'hui comprenant CuInGaSe2

(CIGS) et CdTe, s'appuie sur des éléments qui sont coûteux et rares (par exemple In, Ga,
Te) et sont toxiques (par exemple Cd). Par conséquent, il est nécessaire d'explorer de
nouveaux matériaux absorbeurs solaires constitués d’éléments respectueux de
l'environnement, moins cher et abondants sur la crotte terrestre. Parmi eux, le Cuivre-Zinc-
Étain Sulfure/Sélénium Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) est considéré comme le remplacement
le plus approprié du CIGS et CdTe.
Page 1
Afin d’améliorer les performances d’une cellule solaire photovoltaïque, il est

nécessaire de l’optimiser par simulation. L’optimisation par simulation, vu qu’elle suive un
modèle mathématique du système réel, elle a l’avantage d’être facile, ne coutant pas chère
et nous pouvons prédire les paramètres optimales qui contribuent à la fabrication d’une
cellule ayant les meilleurs performances.
Notre travail porte sur une optimisation par simulation à l’aide du logiciel SCAPS,
des paramètres physiques et géométriques des différentes couches d’une cellule solaire
photovoltaïque en couche mince à base de Cu2ZnSn(S,Se4) en vue d’améliorer les
performances de cette cellule.
Ce mémoire est organisé comme suit :
- Le premier chapitre : on fait rappel aux notions générales sur les cellules solaires
photovoltaïques.
- Le deuxième chapitre est consacré à la description des techniques les plus
sollicitées pour l’élaboration des couches minces en général et le CZTSSe en
particulier. On termine ce chapitre par une description des propriétés structurale,
optique et électrique du matériau CZTSe.
- Dans le troisième chapitre, nous présenterons les équations du modèle d’une cellule
solaire photovoltaïque et le l’outil de simulation SCAPS.
- Dans le dernier chapitre nous présentons et discutons les résultats obtenus
Page 2
Chapitre I
Généralité sur les cellules photovoltaïques
Chapitre I [ Généralités sur Les cellules solaires
photovoltaïques]
I. 1. Introduction
Dans ce chapitre on va citer quelques bases nécessaires dans le domaine

photovoltaïque. Nous aborderons ainsi en premier lieu quelques notions sur la source
d’énergie photovoltaïque. Nous allons décrire par la suite les semiconducteurs, la jonction
P-N et les cellules solaires et ses caractéristiques photovoltaïques et on terminer par une
description courte des différentes filières technologiques existantes.
I. 2. Rayonnement solaire
Sans le system solaire le soleil donne de façon contenue une énorme quantité d’énergie
radiante et la terre reçue une petite parte de cette énergie en moyenne, 1367 watts
atteignent chaque mètre carré de la couche atmosphérique externe.
En effet, en traversant les différentes couches de l’atmosphère, une partie de l’énergie

solaire s’attenue : certaines longueurs d’onde du spectre solaire sont absorbées par des
composants comme la couche d’ozone (absorption des rayons de l’UV jusqu’au visible) ou
comme la vapeur d’eau qui possède plusieurs raies dans le visible et dans l’infrarouge [1].
I . 3. Caractéristiques rayonnement solaire
I. 3. 1. Masse d’air
Pour tenir compte de la longueur effective parcourue à travers l’atmosphère terrestre

traversée par le rayonnement solaire direct, on introduit la notion de masse d’air (AMx)
(Figure I.1). Elle correspond à la perte de l’énergie solaire par l’absorption atmosphérique.
La masse d’air est exprimée comme un multiple du parcours traversé en un point au niveau
de la mer, le soleil étant directement à l’aplomb. [1]
Page 3
photovoltaïques]
Figure (I.1) : Schéma descriptif de l’incidence solaire sur la terre
En chaque point, la valeur de la masse d’air est donnée par l’Équation I-1 :
1Sinθ (I-1)
Où l’angle θ est l’élévation solaire, c’est-à-dire l’angle en radian entre le rayonnement
solaire et le plan horizontal. Le spectre solaire AM0, correspond à une masse d’aire nulle
pour un éclairement solaire au delà de l’atmosphère à incidence normale. Pour un ciel clair
avec le soleil à l’aplomb, on a le rayonnement de la masse d'air "1" (ou AM 1).
L’éclairement solaire arrivant sur la terre avec un angle de 48° est de 1000 W/m2 (soit 100
mW/cm2) avec une masse d’air AM1.5.
Le spectre solaire AM1.5 est composé de 3~4 % de lumière ultraviolette (< 390 nm),
de 45 % de lumière visible (390-750 nm) et de 52 % de lumière infrarouge [proche IR
(750-1400 nm) = 38 % et IR Lointain (> 1400 nm) = 14%] [1].
I . 3. 2. Spectre de référence
Hors atmosphère, l’amplitude et la distribution du spectre du rayonnement solaire

sont parfaitement définies. Il n’en est pas de même au niveau du sol ou en raison de
multiple paramètres atmosphériques, cette amplitude et cette distribution spectrale peuvent
varier. Il est donc nécessaire de définir un spectre de référence, qui puisse être adopté au
niveau international pour que des mesures comparatives soient possibles [2].
Le spectre représenté sur la figure I-2 donne en fonction de la longueur d’onde
l’irradiance spectrale, c'est-à-dire la puissance associée au rayonnement par tranche de
longueur d’onde et par unité de surface.
Page 4
photovoltaïques]
Ce spectre de référence correspond, à la traversée par le rayonnement d’une couche

atmosphérique de référence spectre AM1,5.
Figure (I.2) : Spectre solaire AM1.5
I. 4. Semiconducteur
Les semiconducteurs sont des éléments naturels. Sensibles à la lumière visible et

invisible (rayon ultra violet, infrarouge...).
Le semiconducteur est un matériau électriquement intermédiaire entre isolant et
conducteur. En effet, les valeurs usuelles de la conductivité (σ) des isolants sont comprises
entre 10-11 et 10-19 S/cm et celles des conducteurs entre 6.107 et 104 S/cm. Il existe pourtant
des corps qui ont une résistivité intermédiaire comprise entre 103 et 10-6 S/cm, on les
appelle des semiconducteurs [3]. On sait qu'au sein des structures cristallines de la matière,
les électrons ont des énergies distinctes qui appartiennent à certains ensembles de valeurs
appelées bandes d'énergies.
Les bandes de faible énergie correspondent à des électrons participant au maintien de
la structure cristalline, ce sont les électrons dits de valence. Les bandes de hautes énergies
correspondent à des électrons quasi "libres" de se détacher de la structure et qui par
conséquent peuvent participer à une conduction électrique. On distingue isolants et
conducteurs par la différence d'énergie qu'il existe entre ces bandes, appelée le "gap".
Dans les semiconducteurs, le gap assez faible permet à des porteurs de passer dans la
bande de conduction simplement grâce à leur énergie d'agitation thermique, ainsi le
Page 5
photovoltaïques]
semiconducteur "intrinsèque" en tant que mauvais conducteur ou mauvais isolant a lui une
conductivité qui augmente avec la température.
Les matériaux semiconducteurs naturels, dits "intrinsèques", sont : le Silicium (Si) et
le Germanium (Ge) [4].
I . 5. Différent types de dopage
Les semi conducteurs intrinsèques n'ont pas une grande utilité en tant que tels ; Ils
servent de base aux semi conducteurs dopés : on y rajoute des impuretés pour modifier leur
comportement. Il existe deux types de semi conducteurs extrinsèques [4]
I . 5. 1. Semiconducteur dopé n
Matériau dopé n est un semiconducteur dont la concentration en électrons est

largement supérieure à la concentration en trous. La concentration de donneurs sera donc
supérieure à la concentration d’accepteurs ( − > 0). Ce qui correspond à la définition
d’un semiconducteur dopé n.
À la température ambiante pratiquement, tous les donneurs sont ionisés et si la
concentration en atomes donneurs est, la densité de porteurs libres du semi-conducteur sera
n0 + ND (I.2)
Où est la densité d'électrons générés par le processus de rupture de liaisons de

covalence qui engendre des paires électrons-trous.
I. 5. 2. Semiconducteur dopé p
Il s’agit d’un semi-conducteur dont la concentration en trous est largement supérieure

à la concentration en électrons. La concentration d’accepteurs sera donc supérieure à la
concentration de donneurs ; ( NA − > 0 ).
De la même façon que pour le semiconducteur dopé p , la concentration en trous du

semiconducteur sera :
p0 + NA (I.3)
Page 6
photovoltaïques]
I. 6. Jonction P-N
Une jonction P-N est constituée de deux zones respectivement dopées P et N et

juxtaposées d'une façon que nous supposerons abrupte (figure I.3), c'est-à- dire que la
transition de la zone P à la zone N se fait brusquement. Lorsque l'on assemble les deux
régions, la différence de concentration entre les porteurs des régions P et N va provoquer la
circulation d'un courant de diffusion tendant à égaliser la concentration en porteurs d'une
région à l'autre. Les trous de la région P vont diffuser vers la région N laissant derrière eux
des atomes ionisés, qui constituent autant de charges négatives fixes. Il en est de même
pour les électrons de la région N qui diffusent vers la région P laissant derrière eux des
charges positives. Il apparaît aussi au niveau de la jonction une zone contenant des charges
fixes positives et négatives. Ces charges créent un champ électrique E qui s'oppose à la
diffusion des porteurs de façon à ce qu'un équilibre électrique s'établisse [5].
Figure (I.3) : Représentation d'une jonction PN à l’équilibre thermodynamique. [5]
Page 7
photovoltaïques]
Où : ρ : la densité volumique de charge.

E: la courbe de champ électrique.
V : potentiel d’une jonction PN.
I . 7 . Cellule solaire photovoltaïque
I . 7 . 1. Historique
Quelques dates importantes dans l’histoire du photovoltaïque :
 1839 : Le physicien français EDMOND BEQUEREL découvre le processus de

l’utilisation de l’ensoleillement pour produire du courant électrique dans un
matériau solide : c’est l’effet photovoltaïque.
 1875 : WERNER VON SIEMENS expose devant l’académie des sciences de
Berlin un article sur l’effet photovoltaïque dans les semiconducteurs.
 1954 : Trois chercheurs américains mettent au point une cellule photovoltaïque à
haut rendement au moment où l’industrie spatiale cherche des solutions pour
alimenter ses satellites.
 1958 : une cellule avec un rendement de 9% est mise au point, les premiers
satellites alimentés par des cellules solaires sont envoyés dans l’espace.
 1973 : la première maison alimentée par des cellules photovoltaïque.
 1985 : la première voiture alimentée par énergie photovoltaïque en Australie.
I. 7. 2. Le photovoltaïque : principe de fonctionnement
La cellule solaire est un composant semiconducteur qui convertit l’éclairement

incident en puissance électrique. Le phénomène mis en jeu, l’effet photoélectrique,
consiste à l’apparition d’une différence de potentiel produite par la génération de porteurs
de charge par excitation lumineuse au voisinage d’une jonction.
La cellule solaire est une jonction P-N dont le fonctionnement est basé sur
l’absorption du flux lumineux solaire.
L’effet photovoltaïque utilisé dans les cellules solaires permet de convertir
directement l’énergie lumineuse des rayons solaires en électricité par le biais de la
production et du transport dans un matériau semiconducteur de charges électriques
positives et négatives sous l’effet de la lumière.
Page 8
photovoltaïques]
Des exemples d’applications des cellules solaires sont illustrés sur la Figure (I.4).
Figure (I.4): Exemples d’applications des cellules solaire:

(a) Construction, (b) Espace, (c) Centrale, (d) nomade
Figure (1.5):le principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque [ 6]
Page 9
photovoltaïques]
Le principe de l’effet photovoltaïque est le suivant:
1. Les "grains de lumière"- les photons - heurtent la surface du matériau photovoltaïque

disposé en cellules ou en couche mince ;
2. Ils transfèrent leur énergie aux électrons présents dans la matière, qui se mettent alors en
mouvement dans une direction particulière ;
3. Le courant électrique continu qui se crée est alors recueilli par des fils métalliques très
fins connectés les uns aux autres et acheminé à la cellule suivante.
I. 7. 3. Cellule solaire idéale
Si la caractéristique de la jonction est de la forme :

IS(e qVnkt −1) (I.4)
On peut admettre qu'en présence de lumière il y a apparition d'un photocourant

supplémentaire, Iph dont le sens est oppose au courant direct.
En branchant un circuit extérieur sur la cellule claire, on recueille ce courant. Le
courant sous lumière vaut [7] :
Iph−IS(e qVnkt −1) (I.5)
La tension V est donnée par :
nkT qLnIph ISIS−1 (I.6)
I. 7. 4. Cellule solaire réelle
La figure. (I.6) présente le schéma équivalent d’une cellule solaire réelle, où deux
résistances parasites sont introduits dans ce schéma, elles vont influer la caractéristique
I(V) de la cellule. La premier est la résistance série Rs, cette résistance est liée de
l'impédance des électrodes et de la base, il en résulte que la tension V aux bornes de la
cellule est différente de la tension aux bornes de la jonction.
La deuxième est la résistance shunt Rsh qui corresponde aux pertes dans la surface et
pertes dues aux défauts dans le matériau, il en résulte qu’une partie du courant sera
drivée par cette résistance et il ne pourra être délivré à la charge.
Page 10
photovoltaïques]
L'équation de la caractéristique I-V de la cellule photovoltaïque compte tenu des

résistances Rs et Ish s'écrit donc [7] :
V=Iph−Id− Ish (I.7)
I(V)=Iph−Is(eq(V+Rs.I)kT−1)−V+RsRsh (I.8)
Ish
Figure (I.6) : Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque réelle.
I . 8. Les différentes caractéristiques d’une cellule solaire
a). Courant de court circuit Isc
Le courant de court circuit est le courant débuté par la cellule sous éclairement en
court-circuitant la sortie. C'est-à-dire que : Isc = I(V = 0). Pour une cellule solaire idéale le
courant de court circuit est égal au courant photovoltaïque Iph.
b). Tension de circuit ouvert Vco
La tension de circuit ouvert est la différent de potentiel mesurée aux bornes de la

cellule lorsque la sortie est en circuit ouvert, C'est-à-dire : Vco =V (I =0) ;
Pour une cellule solaire idéale la tension de circuit ouvert est donné ;
kT qLnIph+IsIs−IVco kTqln(IphIs) (I. 9)
c). Réponse spectrale SR(λ)

Iph()qF(1−R()) (I.10)
d). Puissance maximale Pm
Page 11
photovoltaïques]
La puissance débitée par une cellule solaire est maximum quand le produit V.I est
maximum. Si Vm et Im sont la tension et le courant pour les quels on a ce maximum, la
puissance maximale est la surface du plus grand rectangle de coté Vm et Im qu’on peut
inscrire sous la courbe I(V) (Fig.1 .7).
Pm = Im.Vm (I.11)
e). Facteur de forme FF
Le facteur de forme indique à la qualité de cellule, il indice l’influence des pertes

par les deux résistances parasites Rs et Rsh . Le facteur de forme est le rapport de la
puissance maximale au produit IscVco [4].
PmIsc Vco (I.12)
Figure (1.7). : Les courbes I = f (V).
f). Rendement de conversion η
PmPi (I.13)
Où : Pi est la puissance incidente du rayonnement solaire au sol.
I. 9 . Les différentes technologies des cellules photovoltaïques
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photovoltaïques]
Cellules PV
Composites Silicium
Poly Amorphe(sliciu
Monocristallin cristallin(GdS, m aliag de cristallin
(GaAs) CdTe,GuLn siliciu
GaSe2 ect) SiGEe,SiC,etc)
Poly Monocristal
cristallin lin
Figure (I.8) : Différent technologie des cellules photovoltaïques
La technologie de cellules photovoltaïques est basée sur le choix du matériau

absorbant.
Sur le plan technologie et industriel, il existe plusieurs matériaux qui peuvent entrer dans
fabrication de ces cellules est le silicium(Si) sous ses diverses formes. Comme illustre sur
schéma (I.8).
I. 9. 1. Première génération: Silicium cristallin (mono et poly)
Les cellules cristallines se subdivisent en 2 catégories : mono- et poly- cristalline selon

le type de structure. Ces deux types de cellules proviennent de procédé de purification et de
solidification différents (processus Czochralski (Cz) et processus Siemens)
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photovoltaïques]
Figure I .9. Etape de fabrication des cellules : (1) minerai de Silicium – (2) raffinage (pour
augmenter la pureté) –(3) Silicium en fusion donnant des lingots (4) après solidification –
(5) wafer obtenu par sciage du lingot –(6) traitement de surface par procédés physico
chimiques et (7) cellule finie avec électrodes.
a. Silicium monocristallin
L’oxyde utilisé dans l’industrie photovoltaïque est le silane (SiH4). Son réalisation à
partir des plaquettes de silicium qui sont produites à partir des lingots de silicium fabriqués
selon le procédé de croissance Czochralski.[8]
Cette cellule a :
Les avantages : Semiconducteur intrinsèque, La meilleure efficacité (14-16 eV), longue

durée de vie des cellules, Rendement maximal de 24.7 et rendement des cellules
commerciales de 17-20 %.
Les inconvénients : gap: 1.1 eV inférieur au gap idéal (1.5 eV), nécessité d’une grande
pureté du silicium, (fabrication).
b. Silicium poly cristallin
Se présente comme une alternative au Si monocristallin. Il est généralement obtenu

par refonte des chutes de silicium de l’industrie de la microélectronique. Il caractéristique
a avantage de rendement d’une cellule: labo. 20.3%; commerciale : 10-12%.
Et inconvénients de gap: 1.1eV inférieur au gap idéal (1.5eV). [9]
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photovoltaïques]
Figure ( I. 10): cellule mono cristalline et poly cristalline .
I. 9. 2. Deuxième génération: CdTe, CIS/ CIGS, silicium amorphe et microcristallin
Cette génération de cellule repose sur la déposition de matériaux semi conducteurs

en couches minces (thin film). Ces matériaux sont déposés par des procédés tels que
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) sur un substrat. L’épaisseur de
la couche varie entre quelques nanomètres à des dizaines de micromètres. Parmi les
technologies en couches minces qui sont exploitées industriellement (production de
masse), on distingue : -CdTe : Cadmium Telluride (Telluride de cadmium) , CIS / CIGS :
Copper Indium Gallium Selenide ,Silicium en couche mince : silicium amorphe α-Si et
microcristallin. Les points intéressants de cette filière sont [10]:
 La faible quantité de matériau nécessaire à la fabrication.

 Les méthodes de fabrication sont moins onéreuses et permettent d’utilisation des
substrats flexibles.
I. 9. 2. a. CdTe / CdS [10]
Une cellule CdTe est constituée d’une couche de conducteur transparent sur un substrat
de verre sur laquelle on dépose une couche de CdS (sulfure de cadmium) de type n, puis
une couche de CdTe dopé p. les avantages de cette cellules sont :
 un gap de 1.45 eV (idéal).

104(cm)−1pour la lumière visible quelques μm suffisent à absorber plus de 90%
des photons qui ont une énergie supérieure à 1.45 eV.
 la pureté et préparation facile.
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photovoltaïques]
 tous les photons du spectre solaire ont une énergie plus petite que la liaison CdTe
(5.75eV), et cette forte i conduit à une grande stabilité chimique et thermique. Et
ses inconvénients sont caractérisés par :
 les films CdTe de type p ont une résistance électrique relativement élevée, ce qui
nuit aux rendements.
 sensibilité de la cellule à la vapeur d’eau?
 cadmium est un métal lourd donc polluant. protection des employés durant la
fabrication des cellules. Etude des impacts sur l’homme et l’environnement des
panneaux: actuellement aucun effet néfaste n'a été rapporté. recyclage en fin de
vie
 la quantité existante de cadmium est limitée.
Figure (I.11): modules verre-verre au Telluride de Cadmium, efficacité de 9 à 11%.
I. 9. 2 .b .Cu(In)Se2/Cu2ZnSnS4
Une cellule CIS (Di Séléniure de Cuivre Indium) est composée d’un monocristal
CuInSe2 de conductivité de type p sur lequel une couche mince de CdS de 5-10 μm
d’épaisseur est déposée. Ces cellules CIS peuvent être améliorées par les cellules CIGS
(Cu (In, Ga) Se2) [10].
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photovoltaïques]
Ce type a des avantages qui caractérisent :
 ajustement du gap en adaptant le rapport Atomique In/Ga optimisation de

l’absorption des spectres lumineux.
 le CIS a le meilleur coefficient d’absorption dans le domaine visible 99% des
photons, incidents sont absorbés dans le premier micron du matériau d’où la faible
épaisseur de la couche de CIS (1,5-2 μm)
 rendement : 19.2% [11]
 leur efficacité de conversion énergétique est la plus élevée à ce jour pour des
cellules photovoltaïques en couches minces : 12%.
Inconvénient :
 procédé de fabrication plus coûteux parmi les couches minces à cause de
l'utilisation des métaux rares comme l'indium
 Le Sélénium est toxique.
 le recyclage de ces matériaux.
I. 9. 2. c. CZTS [10]
Le film mince à base de Cu2ZnSnS4 (CZTS) comme absorbeur est très prometteur.
Ce film semiconducteur peut être obtenue en remplaçant la moitié des atomes d'indium
dans CuInS2 chalcopyrite par le zinc, et en remplaçant l'autre moitié avec de l'étain.
Avantages de CZTS :
 un gap de 1,5 eV.

 l'indice de réfraction est de 2,07.
104(cm)−1 .
 des éléments constitutifs de CIGS sont chers (In en Ga) et toxiques (Se). En
revanche CZTS est un matériau semiconducteur comprenant à base d'éléments
abondants et donc à faible coût et non-toxiques.
 une efficacité de conversion énergétique est de 6.77%.
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photovoltaïques]
I. 9. 3. Troisième génération Technologies photo-électro-chimiques (Dye Sensitised

Cell et Organic PV)
Les cellules photovoltaïques organiques sont des cellules photovoltaïques dont au

moins la couche active est constituée de molécules organiques. Il en existe principalement
deux types :
 Les cellules photovoltaïques organiques moléculaires.
 Les cellules photovoltaïques organiques en polymères.
Les cellules photovoltaïques organiques bénéficient du faible coût des

semiconducteurs organiques et des simplifications potentielles dans le processus de
fabrication.
I . 10. Conclusion
On an vu dans ce chapitre des notions théoriques sur le photovoltaïque et ses

applications sur les cellules solaires. On a décrit brièvement du principe de fonctionnement
d’une cellule photovoltaïque et ses différentes caractéristiques puis on a parlé de
l’historique des différentes technologies et les types des cellules solaires (1ère, 2ème et 3ème
génération).
Le développement technologique est en réalité un long processus qui s’élabore et
améliore à partir d’une suite des savoir faires, qu’à chaque génération ajoute sa
contribution aux acquis développés par ses prédécesseurs.
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photovoltaïques]
Bibliographie
[1] Hassina Derbal-Habak «Cellules solaires photovoltaïques plastique nanostructures».

UNIVERSITE D’ANGERS 2009 N° 929
[2] B.Equer « Energie solaire photovoltaïque », physique et technologie de la conversion
photovoltaïque, volume1, 2007.
[3]: «Physique et technologie des composants de puissance ». Luc LASNE université de
Bordeaux 1 DEPARTEMENT E.E.A www.creea.u-bordeaux.fr 2003.
[4] H. Mathieu. «Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques», Dunod,
Paris, 2009.
[5] : Benyoucef, B. « étude de la jonction pn d'un semi-conducteur a l'équilibre
thermodynamique ». Chikh-Bled Journal of Electron Devices, Vol. 5, 2007, pp. 122-126.
[6] Le photovoltaïque –Module 3 – Fonctionnement et Technologies Novembre 2010 page
3,4,5,6/10.
[7] S. M. Sze, « Physics of semiconductor Devices, second edition». Copyright. C.1981 by
john,Wiley and Son, Inc. Page 8
[8] http://www.bulletins-electroniques.com /rapports/smm06_054.htm.
[9] http://www.palais-decouverte.fr/fileadmin/fichiers/infos_sciences/revue/complements/
344_345_jan_fev_07/344_345_conversion_photovoltaique.pdf.
[10] M.Fassi Ramzi « Elaboration et caractérisation de couches absorbantes des cellules

solaires en couches minces à base de Cu2ZnSnS4».. Mémoire de Magister », 2010.
Université Mentouri de CONSTANTINE .2012.
[11] A.bouraiou, "Elaboration et Caractérisation des Couches Minces CuInSe2 par

Electrodéposition", thèse de doctorat, université Constantine, (2009).
Page 19
Chapitre II
Cellule solaire photovoltaïque à base de
CZTSSe
Chapitre II [ Cellule solaire photovoltaïque à base de
CZTSSe]
II. 1. Introduction
Parmi les différentes couches minces candidats de cellules solaires, Le Cu 2ZnSnS4

(CZTS) a été identifié comme un matériau à haut potentiel en termes d’énergie
photovoltaïque et bénéficiant de ressources naturelles importantes pour répondre à un
accroissement de la demande mondiale en énergie.
Ce chapitre est consacré essentiellement sur les notions des couches minces, les
différentes méthodes de dépôt des couches minces, et ensuite l'utilisation du matériau
CZTS dans une cellule photovoltaïque.
II. 2. Les couches minces
II. 2. 1. Définition d’une couche mince
Une couche mince est une fine pellicule d’un matériau déposé sur un autre matériau,
appelé "substrat". L’une des dimensions de cette couche est son épaisseur qui a été
fortement réduite de telle sorte qu’elle varie de quelques " nm "a quelques "μm"
(typiquement ce sont des couches de 10 … 100 nanomètres d'épaisseur). Cette faible
distance entre les deux surfaces limites entraîne est une perturbation de la majorité des
propriétés physiques, très souvent un tel petit nombre de couches atomiques possède des
propriétés d’un corps massif très différentes [1].
La différence essentielle entre le matériau à l'état massif et celui en couches minces
est liée au fait que dans l'état massif on néglige généralement, avec raison, le rôle des
limites dans les propriétés, tandis que dans une couche mince sont au contraire les effets
lies aux surfaces limites qui sont prépondérants. Il est assez évident que plus l'épaisseur
sera faible plus cet effet de bidimensionnelle sera important. En revanche, lorsque
l'épaisseur d'une couche mince dépassera un certain seuil l'effet d'épaisseur deviendra
minime et le matériau retrouvera les propriétés bien connues du matériau massif.
II. 2. 2. propriétés des couches minces
Une couche dite mince est un objet dont l’une des dimensions géométriques est très
faible Cela explique un rôle essentiel des interactions surfaciques dans l’établissement des
propriétés physiques de ces objets. D’ailleurs, c'est la raison principale pour laquelle les
propriétés physiques des couches minces diffèrent de manière significative de celles des
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CZTSSe]
corps massiques. L’aire totale des grains cristallins est supérieure à celle des deux faces
d’une couche mince.
En général, les couches minces utilisées dans les applications pratiques sont
polycristallines ; leur état est métastable, hors de l’équilibre et éloigné du minimum
énergique. D’un point de vue microscopique, elles se composent de grains cristallins
enrichis par des défauts qui sont séparés par des zones enrichies par des impuretés. Les
dimensions des grains cristallins sont du même ordre de grandeur que l’épaisseur de la
couche mince.
La microstructure des couches minces est extrêmement sensible aux propriétés
chimiques et physiques du matériau mis en jeu lors de sa croissance, ainsi que des
conditions physiques de dépôt à chaque étape d'évolution de la couche mince. En
particulier, les propriétés des couches minces sont très sensibles à la nature du substrat sur
lequel elle est formée. Cela explique, par exemple, le fait que des couches minces d'un
même matériau et d’une même épaisseur peuvent présenter des propriétés physiques
différentes sur des substrats de nature différente.
L’épaisseur de percolation, au-delà de laquelle les îlots coalescent et la couche
mince devient continue, varie essentiellement suivant la nature du matériau, la vitesse du
dépôt, la température du substrat, l’adhérence de sa surface.
II. 2. 3. Applications des couches minces
Les couches minces sont utilisées depuis des centaines d’année. L’émaillage
constitue un exemple de réalisation de couches. Elles sont utilisées dans des domaines
d’applications aussi variés que l’optique avec les couches réflectrices (miroirs) et
antireflets [2] ; l'électricité avec les couches conductrices métalliques, la mécanique avec
les couches abrasives ou résistantes à l’usure et la chimie avec les couches protectrices.
Les couches minces ont connu un essor industriel important au milieu du 20ème siècle,
majoritairement dans les applications optiques, puis microélectroniques.
II. 2. 4. Techniques de dépôt des couches minces
Pratiquement, il y a deux grandes méthodes de dépôt de films minces: la technique

de dépôt en phase vapeur chimique (CVD : Chemical Vapor Déposition) et de dépôt en
phase vapeur physique (PVD : Physical Vapor Déposition) . Les méthodes de dépôt
physiques sont en général utilisées en recherche, alors que les méthodes chimiques sont
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CZTSSe]
également utilisées industriellement, à cause de leur meilleur rendement et la qualité des

films obtenus.
La classification des méthodes est présentée sur le schéma de la figure II.1. [3]
Technique de dépôt des couches

minces
Dépôt physique Dépôt chimique
(PVD) (CVD)
Evaporation Pulvérisation Ablation Spray Sol gel

cathodique laser
MBE CVD
Sous vide pyrolys
e
Classique Laser Plasma

Magnétron Canon à
électron CVD CVD
Figure II.1. Techniques de dépôt des couches minces
II. 2. 4. 1. Dépôt en phase vapeur physique (PVD)
II. 2. 4. 1.1. L'évaporation thermique
Cette méthode consiste simplement à évaporer ou à sublimer le matériau à déposer

dans un creuset sous vide en le chauffant à haute température. Le matériau évaporé est
déposé par condensation sur le substrat à recouvrir. Il existe plusieurs méthodes pour
chauffer le matériau : à l’aide d’un filament réfracteur par effet Joule, par induction, et a
l’aide d’un faisceau d’électrons intense et énergétique.
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CZTSSe]
L’évaporation thermique est une méthode particulièrement appréciée car elle conduit
à l’élaboration de matériaux très purs et d’autant plus que la pression pendant le dépôt est
faible.
II. 2. 4. 1. 2. Implantation d’ions
C'est un procédé de haute énergie. Des espèces atomiques choisies sont ionisées puis
accélérées dans un champ électrique à des énergies allant de 10 à 1000 keV. La pénétration
des ions dans le matériau est de 1 à 2 μm. Les principaux avantages de cette technique sont
:
o Hautes températures non requises donc absence de distorsions thermiques ;
o Absence d'interface donc pas de problème de décohésion ;
o Espèces implantées finement dispersées ;
o Peut être suivi et contrôlé électriquement pendant tout le traitement.
II. 2. 4. 1. 3. Ablation Laser
Il s’agit d’une évaporation sous vide, l’énergie étant apportée par l’impact d’un
faisceau laser de forte intensité envoyé sur une cible constituée du matériau que l’on veut
déposer sur le substrat. Un avantage considérable est de pouvoir utiliser des cibles de très
petites dimensions, l’ablation se produisant sur une surface de quelques millimètres carrés.
En fait, le processus d’ablation-dépôt est plus complexe, puisqu’il se forme localement une
plume de plasma et que les particules éjectées ne sont pas en équilibre thermodynamique.
Cette méthode présente l’avantage de ne nécessiter aucune source thermique polluante a
l’intérieur de l’enceinte, c’est un avantage très significatif pour les dépôts effectues dans un
environnement ultravide.
II. 2. 4. 1. 4. Epitaxie par jets moléculaires (MBE:Moléculaire Beam Epitaxy)
La technique permet de réaliser des dépôts monocristallins et des homo-épitaxies

(matériau A sur support A) à basse température (400-600°C pour Si). Les basses
températures d’épitaxie impliquent de travailler avec des vitesses lentes (quelques Å/s) afin
de laisser le temps aux atomes arrivant à la surface de migrer par diffusion de la surface
vers des sites cristallographiques. Pour obtenir des films purs, compte tenu de ces vitesses
lentes, il est donc nécessaire de travailler avec des vides très poussés, appelé UHV (Ultra-
10−10torr. Le principe de dépôt est d’évaporer le matériau que l’on veut déposer en le
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CZTSSe]
chauffant par effet Joule, par rayonnement (cellule Knudsen) ou par bombardement
électronique (canon à électrons). En outre, sous un UHV,
le libre parcours moyen parcouru par un atome est très grand, ce qui implique que les flux
d’atomes évaporés sont directionnels, les atomes se déplaçant en ligne droite sans aucun
choc avant de se déposer sur le substrat.
C’est pour cette raison qu’on parle de jets moléculaires ou atomiques. Un tel vide
impose de grosses contraintes (problème des frottements mécaniques sous UHV, dégazage,
transfert des échantillons) qui rend cette technique lourde et demandant un savoir-faire
important.
Néanmoins, cette technique permet de réaliser couramment des hétéro-épitaxies (dépôt
B sur un support A différent), compte tenu des faibles températures d’épitaxie qui
éliminent le mécanisme d’interdiffusion de A et B. De plus, elle présente l’avantage
d’utilisation des techniques d’analyses in situ afin d’obtenir des informations sur la
structure, la topographie et la composition de la couche durant la croissance.
II. 2. 4. 1. 5. Pulvérisation cathodique (Sputtering)
Le principe de base de la pulvérisation cathodique est de bombarder une cible

(cathode) à l’aide d’un gaz neutre (en général l’argon) afin de pulvériser les atomes
constituant la cible. Ces atomes pulvérisés vont alors se déposer sur le substrat qui joue le
rôle d’anode. Une tension de quelques KV appliquée entre l’anode et la cathode entraine
une décharge électrique dans le gaz sous basse pression (10 à 500 mtorr). En pulverization
cathodique, on distingue la pulvérisation simple et la pulvérisation réactive. Dans la
pulvérisation simple l’atmosphère de la décharge est chimiquement neutre c’est a dire on
utilise un gaz d’argon pur pour crée le plasma. Dans le cas de la pulvérisation cathodique
réactive l’atmosphère du plasma est réactive, c’est a dire on introduit un certain
pourcentage de gaz actif dans l’argon (de l’oxygène O2 ou de l’azote N2).
II. 2. 4. 2. Dépôt en phase vapeur chimique (CVD)
Le dépôt en phase vapeur chimique (CVD) est une méthode dans laquelle le ou les
constituants d’une phase gazeuse réagissent pour former un film solide dépose sur un
substrat. Les composés volatils du matériau à déposer sont éventuellement dilués dans un
gaz porteur et introduit dans l’enceinte où sont placés les substrats. Le film est obtenu par
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CZTSSe]
réaction chimique entre la phase vapeur et le substrat chauffé. La réaction chimique peut
être activée à l’aide d’un plasma. Cette méthode s’appelle CVD plasma ou (PECVD
Plasma Enhanced Vapor Déposition). Dans ce cas, il y a création en plus de particules
énergétiques.
Les avantages de ce procède sont la facilite d’obtenir un assez grand nombre
d’éléments ou de composés chimiques, et la bonne qualité des couches. Cependant, elles
sont souvent contaminées par des gaz très réactifs issus de la réaction chimique. De plus,
tous les matériaux ne peuvent être déposés par CVD.
II. 2. 4. 2.1. Spray pyrolyse
Le spray pyrolyse est une technique de dépôt utilisée pour préparer les films minces et
épais, Les revêtements en céramique et les poudres. A la différence de beaucoup d’autres
techniques de dépôt de films, le spray pyrolyse représente une méthode très simple et
relativement rentable. C’est une technique extrêmement facile pour la préparation de
couches de toute composition. La méthode a été utilisée pour le dépôt des films denses, et
la production de poudres, même des dépôts multicouches peuvent être facilement préparés
en utilisant cette technique.
II. 2. 4. 2. 2. Voie sol-gel
Le principe de base du procédé sol-gel (correspondent à l’abréviation de «solution

gélification ») est le suivant : une solution à base de précurseurs en phase liquide, se
transforme en un solide par un ensemble de réactions chimiques de type polymérisation à
température ambiante.
II. 2. 5. méthodes de préparation de couches minces de Cu2–II–IV–S4
Divers processus de fabrication des semi-conducteurs quaternaires Cu2–II–IV–S4 en

couches minces ont attiré l’attention des chercheurs, nous citons les différentes méthodes
suivantes :
1) Les approches à base de vide

 Techniques d’évaporation sous vide
 Pulvérisation cathodique (sputtering)
 Salinisation ou sulfuration
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CZTSSe]
2) Les approches non-vides
 L’électrodéposition
 Pulvérisation par pyrolyse
II. 3. Hétérojonction
Une hétérojonction est obtenue lorsque deux matériaux semi-conducteurs différents

sont associes. Sa réalisation s’effectue par croissance cristalline d’un matériau sur l’autre et
nécessite l’utilisation de semi-conducteurs ayant des propriétés cristallines voisines (la
taille des atomes doit notamment être assez proche).
Selon le type de dopage utilise pour les semi-conducteurs, deux hétérojonctions se
distinguent :
 Les premières sont les hétérojonctions isotypes, pour lesquelles les deux
semiconducteurs sont de même type de dopage.
 Les secondes sont les hétérojonctions anisotypes, pour lesquelles les deux
semiconducteurs sont dopés différemment.
II. 4. Les cellule solaire à base CZTS
Le cuivre, le zinc, l’étain, le soufre et le sélénium forment ensemble un matériau semi-

conducteur de choix, puisqu’il est fait d’éléments courants et non toxiques.
De nouvelles cellules sont déjà en cours de développement en prévision de la pénurie
probable d’indium. Cependant, remplacer les cellules au CIGS représente un véritable défi
tant cet absorbant est efficace. Une alternative exploitant le principe de la jonction p-n se
démarque néanmoins depuis la fin des années 2000: la cellule CZTS.
Cuivre-zinc-étain-soufre (CZTS) est un semi-conducteur avec d'excellentes propriétés
photovoltaïques tels que gap direct-bande, le coefficient d'absorption élevé, et possède une
énergie de bande optimale de 1.4 à 1.5 eV fortement souhaitée en matière photovoltaïque.
En autre, les cellules utilisent CZTS abondante (terres rares métaux libres) matériau
non toxique et peu coûteux. La disponibilité de cuivre, de zinc, de l'étain et du soufre sur la
croûte de notre terre sont de 50 ppm, 75 ppm, 2,2 ppm et 260 ppm respectivement. Pendant
ce temps, la disponibilité de l'indium est de 0,049 ppm sur la croûte de la terre qui est
relativement très faible par rapport au zinc et de l'étain [1].
II. 5. Les propriétés de CZTS

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CZTSSe]
Ce film semi-conducteur peut être obtenue par le remplacement de la moitié des

atomes d'indium dans le CuInS2 chalcopyrite avec du zinc, et par le remplacement de
l'autre moitié avec de l'étain, ce qui est préférable pour la réalisation d'une cellule solaire à
faible coût. Donc, quand CdS forme une hétérojonction avec CZTS, il doit être remplacé
par le sulfure de zinc (ZnS) parce que le ZnS accorde la bande interdite.
Le meilleur rendement est celui des cellules solaires CZTS pauvres en Cu et riches en
Zn favorisant la croissance d'autres phases au cours de la formation du film. En raison de la
faible proportion de Zn et la haute proportion de Cu la couche CZTS devient plus un
semiconducteur de type-p [4].
Le CZTS est dérivée de la structure de CIGS par la substitution isoélectronique de
deux In (ou Ga, respectivement) atomes par un Zn et un atome Sn. En conséquence, la
couche CZTS a des propriétés similaires à la couche de CIGS. Un avantage principal de ce
dispositif est que la structure standard des cellules solaires peut être adoptée. La structure
cristalline de CZTS est représentée sur Figure II.2 qui est connu comme la structure
kesterite et peut être extraite de la structure de sphalerite2 par dupliquer la cellule unitaire.
La structure de kesterite est la phase la plus stable de CZTS [5].
Fig. II.2 : Structure Kasterite dans laquelle CZTS se cristallise. Elle est dérivée de la
structure sphalerite par dupliquer la cellule unitaire [5].
Le CZTS (Cu2ZnSnS4) est très étroitement liée au CIGS, comme il est indiqué sur la
figure1. Pour l'essentiel, les éléments coûteux et peu abondantes d'indium et de gallium
Page 27
CZTSSe]
sont remplacés par un 50: 50 combinaison de Zn et Sn beaucoup moins cher.

Dans le même temps, Se est remplacé par S (abondant et pas cher), en raison de la largeur
de bande interdite de Cu2ZnSnS4 (1,45 eV). Il est plus proche de la valeur optimale du
composé de séléniure correspondant, qui possède une bande interdite plus étroite.
II. 6. Propriétés électriques
Les principales caractéristiques électriques des matériaux semi-conducteurs résultent

des déplacements des porteurs de charge sous l’effet d’un champ électrique, ou magnétique
(conductivité électrique, effet Hall, photoconductivité,…). Néanmoins, ces déplacements
sont gouvernés par les collisions des porteurs de charge avec les ions, les impuretés ou les
défauts du réseau cristallin. Le libre parcours moyen, qui caractérise la distance moyenne
parcouru par un électron entre deux chocs successifs, est un paramètre important
spécifique de l’état structural du matériau. Le comportement électrique dans les couches
minces polycristallines des semi-conducteurs dépend fortement des surfaces délimitant les
grains constituants la couche, car, ces joints de grains sont des zones de grandes densités
de défauts et d’impuretés. Ces zones forment des états énergétiques localisés, dans la
bande interdite, capables de capturer et d’immobiliser les porteurs de charge. Ainsi que,
l’accumulation de ces porteurs fait apparaitre des barrières de potentiel au niveau des joints
de grains. Cet effet devient important si la taille des grains est de moins d’un micron [1].
Le système CZTSSe a l'avantage de permettre le réglage de la bande interdite directe,

en faisant varier le rapport S: Se, de près de 1 eV pour le composé : séléniure pure à
environ 1.5 eV pour le matériau : sulfure pur (gamme très utile pour l'énergie solaire
terrestre).
D'après les calculs de structure de bande, la bande supérieure de valence dans
CZTSSe se compose des orbitales antiliantes de Cu 3d et S (Se) 3p (4p), tandis que le bas
de la bande de conduction se compose des orbitales antiliantes de Sn 5s et S (Se) 3p (4p).
Les propriétés électriques des composés CZTSSe sont présentées au tableau II.1.
Pour les films préparés à l'aide de diverses méthodes diverses, telles que la pulvérisation
cathodique, coévaporation et dépôt par spray ultrasonique. En général, ces films sont
préparés sur des substrats isolants pour empêcher la conduction parallèle dans les mesures
de Hall.
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CZTSSe]
Tableau II.1 Les propriétés électriques des composes CZTSSe
Tanaka et al, ont élaborés des couches minces à partir de poudre CZTS par la méthode
d’évaporation, le type de la conductivité à été déterminé par la méthode de la pointe
chaude. Ils ont trouvé que tous les films CZTS ont une conductivité de type p. De plus, ils
ont montré que pour le rapport de Zn/Sn =1.1 il y’a une diminution de la résistivité des
10−1 et 7.0×10−3 (Ωcm) avec l’augmentation du rapport Cu/ (Zn+Sn) (voir la figure
II.3).
Cependant, la résistivité pour les films Zn/Sn = 0.95 était presque indépendante avec
10−2(Ωcm). Ce qui suggère que les films riches en Sn et Cu ont une faible résistivité,
pour-cela ils ne sont pas convenables pour la fabrication des cellules solaires. Ce résultat a
été confirmé par le fait que le plus haut rendement de cellule solaire a été obtenu dans des
films CZTS ayant une composition pauvre en Cu et riche en Zn.
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CZTSSe]
Fig. II.3: La variation de la résistivité en fonction du rapport Cu/ (Zn+Sn) .
II. 7. Propriétés optiques
Le principe du processus d’absorption dans les semi-conducteurs dépend de l’énergie

des photons incidents et de la structure de bande du composé. Un semi-conducteur pur ne
peut absorber un photon d’énergie hυ et exciter un électron d’énergie E1 de la bande de
valence vers la bande de conduction que s’il existe un niveau d’énergie E2 tel que :
2– 1= (II.1)
L’énergie minimale du photon apte à réaliser cette transition est le seuil d’absorption
optique. Cependant, pour un semi-conducteur, on peut observer des transitions pour des
énergies inférieures lorsqu’il existe des états localisés dans la bande interdite. Les électrons
qui peuvent participer aux processus d’absorption sont :
 Les électrons fortement liés au réseau cristallin (électrons des couches profondes).
 Les électrons de valence.
 Les porteurs de charge libres (électrons ou trous) .
 Les électrons liés à des impuretés ou à des défauts du cristal.
L’interaction avec les électrons des couches profondes correspond à des énergies
élevées. Par contre, les trois autres mettent en jeu des valeurs plus faibles et concernent des
longueurs d’ondes allant de l’ultraviolet à l’infrarouge.
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CZTSSe]
Les films du CZTS ont une transparence optique faible (voir la figure II.4). Plusieurs
auteurs ont fait des études sur les propriétés optiques des films minces. Dans ce cas, nous
présentons ci-dessous quelques résultats de la littérature.
Fig. II.4: Spectre typique de transmittance d’une couche mince de CZTS
En théorie, le spectre d’absorption permet de découvrir toutes les transitions et

d’obtenir des informations sur la structure de bande du composé. Expérimentalement,
l’allure du spectre d’absorption est une caractéristique optique d’un matériau et évolue
avec la composition, les défauts et son état de cristallinité. La probabilité d’absorption du
photon détermine le coefficient d’absorption optique (hυ). L’énergie du gap est déterminée
par plusieurs techniques de caractérisation, à savoir les spectres de transmission et de
réflexion, l’éléctro-réflectance et la photoluminescence. L’ensemble de ces techniques a
montré que les transitions entre les bandes d’énergies peuvent être décrites par la relation
suivante [1] :
( − ) (II.2)
Où hυ est l’énergie du rayonnement incidente, A est une constante et n =1/2, 3/2 ou 2 selon
la nature de transition optique : transition directe permise, transition directe interdite et
transition indirecte permise respectivement.
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On constate que les couches minces de CZTS ont des bonnes propriétés optiques mais
elles sont toujours gouvernées par les conditions de préparation. Les principaux paramètres
influents sur la valeur du gap dans les structures kesterite sont:
 La température.
 L’épaisseur de la couche.
 La composition de la couche.
II. 8. Fabrication d'une cellule à base de Cu2ZnSnS4
Une cellule solaire est constituée d'un ensemble de couches minces semiconductrices
avec une épaisseur totale d’environ 5 μm (figure II.5). Le substrat de ce composant
électronique est en verre ou en ITO. La première étape de fabrication d'une cellule
photovoltaïque est le dépôt d'une couche de molybdène ou d’ITO de 1μm d'épaisseur,
généralement par la technique d'évaporation thermique ou par pulvérisation cathodique.
Cette couche constitue le contact ohmique arrière de la cellule ; elle assure l'adhésion entre
la couche active de la cellule (la couche absorbante) et le substrat.
La couche la plus importante dans la cellule photovoltaïque est la couche absorbante,
en l’occurrence Cu2ZnSnS4 dans notre cas, car elle est responsable de l'absorption des
rayonnements solaires ainsi que la génération des porteurs de charges (les électrons et les
trous).
Généralement il existe quatre couches principales dans une cellule solaire à couches
minces (figure II.6) en plus du substrat.
 Le substrat : généralement en verre, mais on peut utiliser des substrats flexibles ou

métalliques ;
 Le contact inférieur : c'est un contact ohmique, dans la plupart des cas c'est du Mo
ou de l'ITO ;
 La couche absorbante: avec une conduction type p, souvent en Cu2ZnSnS4 ;
 La couche tampon : avec une conduction de type n, souvent en CdS, ZnS, etc ;
 Une couche d'oxyde transparent conducteur: en ITO (Indium Tin Oxyde) ou
ZnO dopé en Al.
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CZTSSe]
Figure II.5 : Schéma représentatif d’une cellule solaire typique à base de Cu2ZnSnS4
II. 8. 1. La couche absorbante
Une couche absorbante doit être constituée d'un matériau à grand coefficient
d'absorption dans le domaine du visible, il est donc préférable que celui-ci ait une bande
interdite directe, dont la valeur soit de l'ordre de 1.4-1.6 eV. Sa conductivité doit être de
10−2(Ωcm)−1[1].
II. 8. 2. La couche tampon
La couche tampon est une couche située entre la couche absorbante et la couche
d'oxyde transparent conducteur (TCO). Si un contact couche absorbante/TCO est
directement réalisé, une jonction photovoltaïque peut exister, mais son rendement sera
limité par :
 L'inadaptation des bandes interdites ;

 Les courants de fuite dus à la présence de zones désordonnées aux joints de grains.
De ce fait, il est préférable d'introduire une fine couche, dite couche tampon, entre
ces deux composés afin d'optimiser les performances de la cellule. Cette couche doit avoir
les propriétés suivantes :
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 Une bande interdite intermédiaire permettant une transition souple entre celle du
semi-conducteur et celle du TCO, soit une valeur comprise entre 2.4 et 3.2 eV ;
 Une conductivité de type n pour former la jonction avec la couche absorbante qui
est, elle, de type p; de plus, afin d'éviter les effets de fuites de courant, sa
conductivité doit être plus faible que celle de la couche absorbante, soit de l'ordre
10−3(Ωcm)−1 ;
 Morphologiquement elle doit être très homogène pour éviter tout effet de court
circuit au niveau des joints de grains.
II. 8. 3. La couche d'oxyde transparent conducteur (TCO)
Cette couche doit être simultanément transparente et conductrice. Dans le domaine du

spectre solaire, la transmission des couches doit être supérieure à 80%. La conductivité de
10−3(Ωcm)−1. De telles propriétés sont obtenues en utilisant des couches minces de
SnO2, In2O3, de leur alliage ITO et de ZnO.
Leur transparence est liée à la valeur de leur bande interdite, tandis que leurs
propriétés électriques dépendent de la composition des couches et d'un éventuel dopage.
On dépose généralement une première couche non dopée de ZnO, puis une couche dopée
de ZnO:Al ou d'ITO. En effet, la couche de ZnO intrinsèque, donc non-conductrice, évite
toute fuite de courant entre la couche absorbante et le contact supérieur. Il a été montré que
cette couche pouvait être évitée si l'on déposait une couche tampon (CdS par exemple) plus
épaisse [7].
II. 10. Conclusion
Le CZTS est un semi-conducteur avec d'excellentes propriétés photovoltaïques tels

que gap direct-bande, le coefficient d'absorption élevé, et possède une énergie de bande
optimale de 1.4 à 1.5 ev fortement souhaitée en matière photovoltaïque.
Pratiquement, il y a deux grandes méthodes de dépôt de films minces sous vide : les
méthodes physiques PVD, telles que la pulvérisation, l’évaporation et les méthodes
chimiques CVD.
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CZTSSe]
Bibliographie
[1] Mme. D Ouarda. « Elaboration et caractérisation de couches absorbantes des cellules

solaires en couches minces à base de Cu2ZnSnS4». Thèse de doctorat. Université Mentouri
de CONSTANTINE 1.2013.
[2] Sarah MENAKH « Contribution à l'étude des propriétés de films ZnO». Mémoire de
Magister . 2010.
[3] M.Fassi Ramzi « Elaboration et caractérisation de couches absorbantes des cellules

solaires en couches minces à base de Cu2ZnSnS4. Mémoire de Magister ». 2010. Université
Mentouri de CONSTANTINE .2012.
[4] Hindawi Publishing Corporation. « A Review on Development Prospect of CZTS

Based Thin Film Solar Cells ». International Journal of Photoenergy. Volume 2014.
[5] Bernardini, G. P. ; Borrini, D. ; Caneschi, A. ; Benedetto, F. D. ; Gatteschi, D. ;

Ristori, S.Romanelli, M.: EPR and SQUID. « magnetometry study of Cu2FeSnS4
(stannite) and Cu2ZnSnS4 (kesterite). In: Physics and Chemistry of Minerals». S. 453 461
(2000).
[6] Hiyou Chen, Aron Walsh et al., 2011, « Compositional Dependence of Structural and
Electronic Properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 alloys for Thin Film Solar Cells ».
[7] Science Université de Nantes. [En ligne]. [Consulté le 15 Mai 2009]. Disponible sur:
http://www.sciences.univ-nantes.fr/physique/recherche/lamp/fr/photop/part3.pdf
Page 35
Chapitre III
Simulation d'une cellule solaire
photovoltaïque à base de CZTSSe
Chapitre III [ Simulation d’une cellule solaire photovoltaïque à base de
CZTSSe]
III. 1. Introduction
Quelque soit la structure d’une cellule solaire, une optimisation de ses paramètres est
nécessaire. Habituellement, les paramètres à optimiser sont les épaisseurs, les largeurs de
la bande interdite (gap) Eg et les niveaux de dopage des différents couches constituant la
cellule. L'optimisation da la cellule solaire comprend donc l'étude de l'influence de ces
paramètres sur le rendement afin d’obtenir une structure conduisant au rendement
maximum. Cette optimisation peut se faire soit expérimentalement ou soit par simulation.
L'optimisation expérimentale a l'avantage d'être réelle mais elle est fastidieuse,
ennuyeuse et coutant chère. En plus, nous n’avons pas accès à certain paramètres de la
cellule. Tandis que l'optimisation par simulation, vu qu’elle suive un modèle mathématique
du système réel. Elle présente les avantages suivants :
- Elle permet d’éviter la fabrication de plusieurs prototypes de cellules avec des

paramètres différents ;
- Elle est indépendante de la technologie utilisée (on peut donc faire varier
largement les paramètres) ;
- On peut séparer l’influence de chaque zone de la cellule dans le cas de paramètres
interdépendants (par exemple: mobilité, longueur de diffusion et durée de vie).
Dans ce chapitre, on va présenter les équations de base de modélisation utilisées par

le logiciel SCAPS, ainsi qu’une brève description de la méthode de simulation par ce
logiciel.
III. 2. Equations fondamentales dans les semiconducteurs
Des années de recherche dans la physique des dispositifs à la base des semi-
conducteurs ont conduit à la réalisation d’un modèle mathématique [1]. Ce modèle est
capable d’opérer dans quasiment n’importe quel dispositif à base de semiconducteurs. Il
consiste en un ensemble fondamental d’équations qui rassemblent le potentiel
électrostatique et les densités de porteurs de charge dans un domaine de simulation bien
précis. Ces équations, qui sont résolues via des logiciels spécifiques de simulation des
dispositifs à la base de semi-conducteurs, sont dérivées des équations de Maxwell. Elles
sont principalement : L’équation de Poisson, les équations de continuité et les équations de
transport. L’équation de Poisson lie les variations dans le potentiel électrostatique aux
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CZTSSe]
densités locales de charge. Les équations de continuité ou de transport décrivent le mode

par lequel les densités d’électrons et des trous se comportent en fonction des processus de
transport, de génération et de recombinaison.
Pour que les équations que nous allons présenter dans la suite de ce chapitre soient
résolues, une discrétisation a dû être réalisée afin de les appliquer à une grille d’éléments
finis utilisés pour représenter le domaine de simulation [2].
III. 2. 1. Equation de Poisson
L’équation de Poisson s’exprime par :

(III1)
Où représente le potentiel électrostatique.

la permittivité électrique ( = .,
r est la permittivité du vide et est la permittivité
relative du matériau).
est la densité volumique nette de charges libres.
Le champ électrique est donné par la relation :
(III.2)
III. 2. 2. Equations de continuité
Les équations de continuité décrivent la vitesse de variation en fonction du temps des

concentrations des porteurs. Les causes de la variation des concentrations des trous ou des
électrons sont :
 Les générations dues aux agents externes (qui sont souvent la création de paires
électron-trou) ;
 les générations-recombinaisons internes ;
 Les phénomènes de transport (par la présence des courants de conduction ou
diffusion). L’équation de continuité s’exprime par :
∂n∂t=1qdivJn+Gn−Rn (III.3)
∂p∂t=− 1qdivJp+Gp−Rp (III.4)
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CZTSSe]
Gn et Gp sont les taux de génération pour les électrons et les trous par des agents externes,
Rn et Rp sont respectivement les taux de recombinaisons (internes) pour les électrons et les
trous, Jn et Jp sont les densités des courants des électrons et des trous.
III. 2. 3. Equations de transport
Dans le cas des hypothèses de base des équations de la physique des semi-
conducteurs (le champ magnétique extérieur est nul, la température est uniforme dans toute
la structure) les causes de l’apparition des courants électriques sont le champ électrique et
le gradient des concentrations des porteurs de charge. Les courants déterminés par le
champ électrique s’appellent courant du champ ou courant de drift. Et les courants
déterminés par le gradient de concentration des porteurs s’appellent courant de diffusion.
Dans le cas hors équilibre thermodynamique, nous définissons deux quasi-niveaux de
Fermi, un pour les électrons et un pour les trous, ψ et, qui expriment la modification de la
probabilité d’occupation des états.
Ainsi les densités des courants des équations de continuité peuvent être approximées
à l’aide de la théorie de transport de Boltzmann par le modèle de drift-diffusion [3]
(modèle isothermique de transport). Dans ce modèle, les densités de courants sont
exprimées en fonction des quasi-niveaux de Fermi par les expressions :
Jn=− q nn n (III.5)
Jp=− q pp p (III.6)
Avec q est la charge électrique, n et p sont les mobilités des électrons et des trous. Les
expressions pour les concentrations des électrons et des trous sont :
nieExp[q( − n)kT ] (III.7)
nieExp[q( − p)kT ] (III.8)
Avec nie est la densité effective intrinsèque. En introduisant ces équations dans les
expressions de densité de courant, on obtient :
=qDn n−qn n ψ− nn (kTL ln nie) (III.9)
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=qDp p−qp p ψ+ pp (kTL ln nie) (III.10)
Avec Dn et Dp sont les coefficients d’Einstein qui ont pour expression :
= (III.11)
= (III.12)
a). Diffusion
Les courants de diffusion sont générés par l’existence d’une concentration non
uniforme des électrons ou des trous dans le semiconducteur. Il est nettement plus probable
qu’une charge d’une zone de concentration élevée se déplace vers une zone de basse
concentration que l’inverse. Ce phénomène de diffusion est décrit quantitativement par la
et le gradient de leur concentration C selon la relation :
=− . C (III.13)
Le facteur de proportionnalité D s’appelle coefficient de diffusion. En appliquant la

relation (III.13) pour les électrons (C = n, D = Dn) et les trous (C = p, D = Dp) nous
trouvons les densités des courants de diffusion :
=− = (III.14)
= = (III.15)
Qui représente en pratique le premier terme des équations (III.9) et (III.10).
Notons que le troisième terme des équations (III.9) et (III.10) est aussi un courant de
diffusion. Mais il est dû au gradient des densités effectives d’états nie.
b). Conduction
En présence d’un champ électrique le porteur de charge est accéléré entre deux
collisions aléatoires. La direction est donnée par le champ électrique et génère un
déplacement moyen avec une vitesse donnée par :
é :
=− (III.16)
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s :
=− (III.17)
Dans les mêmes conditions de champ, les vitesses des électrons sont plus grandes
que celle des trous. Donc nous avons beaucoup plus de chance de collecter des électrons
que des trous. Le courant de drift est donné par :
=− (III.18)
= (III.19)
Ainsi le courant de drift est représenté dans le second terme des équations (III.9) et
(III.10).
III. 3. Simulation des cellules solaires
III. 3. 1 Simulation
La simulation numérique désigne l'exécution d'un programme informatique sur

un ordinateur en vue de simuler un phénomène physique réel et complexe. Les simulations
numériques scientifiques reposent sur la mise en œuvre de modèles théoriques. Elles sont
donc une adaptation aux moyens numériques de la modélisation mathématique, et servent à
étudier le fonctionnement et les propriétés d’un système modélisé ainsi qu’à en prédire son
évolution.
Ces simulations permettent de limiter le risque et d'éviter le coût d'une série

d'épreuves réelles. Elles peuvent offrir un aperçu sur le développement d'un système trop
complexe pour le simuler avec des simples formules mathématiques [4].
III. 3. 2. Logiciel de simulation
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Plusieurs logiciels ont été écrits avec un but précis de modélisation des cellules
solaires. Ils ont différentes possibilités et limitations, mais les principes de base sont les
mêmes.
En principe, n'importe quel programme numérique capable de résoudre les équations

de base des semiconducteurs peut être employé pour modéliser les piles solaires à couches
minces.
Un certain nombre de ces logiciels de simulation ont été développées dans des
universités ou des instituts de recherche, et ceux-ci sont généralement disponibles sans
frais et sans soutien. Ce groupe de programmes comprend AMPS-1D, SCAPS-1D,
SimWindows, PC-1D, ADEPT-F, ASA, ASPIN ou AFORS-HET. Tous ces éléments sont
unidimensionnel et peut être utilisé pour évaluer directement ou indirectement les
performances des cellules solaires.
Certains contiennent également d'autres expériences telles que la capacité liée

caractérisation (SCAPS-1D, ASA, AFORS-HET). AMPS-1D, SCAPS-1D, ASA, et PC-1D
ont été comparés dans un article de revue de Burgelman et al. [5].
L'extension en deux ou trois dimensions, ce qui permet de simuler fluctuations

latérales dans les cellules solaires en couches minces polycristallin (par exemple, les
limites de grains), est plus difficile à atteindre et reste dans le domaine des logiciels
commerciaux, tels que APSYS, ATLAS 2D, DESSIS ou Medici.
Les équations de base sont l'équation de Poisson, reliant la charge au potentiel

électrostatique, et les équations de continuité pour les électrons et les trous. Cependant,
plusieurs options additionnelles doivent être réunies dans le programme quand on veut
simuler des piles solaires à couches minces. Il devrait être capable de prendre en compte la
présence de plusieurs couches dans la cellule; le phénomène de recombinaison à l’interface
des couches, introduit par les discontinuités dans les bandes d'énergie (Ec et Ev ). Il devrait
aussi, traiter correctement le problème de recombinaison et les centres de génération-
recombinaisons dans les états profonds dans le volume des couches. Il devrait être aussi
capable de calculer et simuler des mesures électro-optiques effectuées généralement sur les
piles solaires à couches minces, non seulement la caractéristique I(V), mais également la
réponse spectrale et les mesures de capacité C(V) et C(ƒ). En fin, il devrait fournir la
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CZTSSe]
convergence au moins pour les structures les plus communes des cellules à couches
minces. Toutes ces options sont mises en application dans le programme de simulation
SCAPS [6].
Pour cela on a utilisé un logiciel de simulation numérique unidimensionnel appelé

SCAPS-1D (Solar Cell Capacitance Simulator in one Dimension), développé au
laboratoire ELIS (Electronics and Information Systems) de l’université de Gent, Belgique
[6]. SCAPS est un logiciel à application sur Windows. Il a été développé pour simuler les
caractéristiques électriques des cellules solaires à hétérojonction et à couches minces. Il a
été extensivement, testé sur des cellules solaires à base de CdTe et Cu(In,Ga)Se2 par
M. Burgelman et al. Les résultats simulés et mesurés ont été en très bon accord [6].
Cependant, Plusieurs version ont amélioré ses capacités de façon à devenir

applicable pour des cellules solaires cristallines (Si et GaAs) et des cellules amorphes (a-Si
et de Si micro-morphe) [7].
Avec SCAPS, il est possible de simuler des structures constituées d’un nombre
définis de couches (jusqu’à 7 couches intermédiaires ainsi que les contactes avant et
arrière), avec des profils de dopage différents, et avec des distributions énergétiques des
niveaux donneurs ou accepteurs donnés, dans le volume et aux interfaces pour un spectre
de lumière arbitraire [7]. En effet, SCAPS possède une base de données contenant
plusieurs types de cellules solaires, fichier data, d’extension « def » dont on peut modifier
leurs différents paramètres (largeur, dopage…).
Le logiciel peut être téléchargé gratuitement du site [7] : http://scaps.elis.ugent.be/
III. 4. Utilisation du logiciel SCAPS
Afin de simuler et contrôler toutes les paramètres d’un dispositif photovoltaïque au

moyen du Logiciel SCAPS nous devons passer par trois grandes fenêtres :
- Fenêtre d’exécution (« action panel ») ;

- Fenêtre de conception de dispositif et la définition du problème (« Définition panel ») ;
- Fenêtre des résultats.
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a). Menu principal (Action panel)
Après le lancement du logiciel et l’ouverture de la fenêtre d’exécution on modifie les

paramètres : la température, la résistance série et parallèle et les paramètres d’illumination.
On peut à n’importe quel moment accéder aux deux autres fenêtres, fenêtre de
conception de dispositif et fenêtre des résultats comme le montre les figures ci-dessous.
Figure III.1. Panneau de démarrage de SCAPS, le panneau d’action ou principal.
b). Choix de la cellule
Quand on clique sur le bouton '' SET PROBLEME '' sur le panneau d'action le
panneau '' SOLAIRE DEFFINITION '' s'affichera. Ce dernier paramètre de créer ou
modifier les structures des cellules solaire et de les enregistrer ou de les charger a partir
d'autres fichiers (Figure III. 2).
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CZTSSe]
Figure III.2. Définition de la structure d’une cellule solaire.
c). Les propriétés des couches
La fenêtre représenté par la figure III.3 contient plusieurs paramètres comme énergie
de gap, permittivité électrique, l’affinité, dopage, type de dopage. Il faut noter que
l’utilisateur peut utiliser directement des valeurs standards dans les fichiers data du
logiciel.
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Figure III.3 : Paramètres d'une couche (absorbeur CZTS) d'une cellule.
d). Résultat de la simulation (Caractéristique I(V))
Exécuter la simulation « Calculate », noter les résultats de simulation ( ICC ,Vco ,FF, η )
dans la fenêtre « I-V panel », la caractéristique I-V…
On peut afficher et copier ces résultats sous forme de tableau en appuyant « show ».
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CZTSSe]
Figure III.4 : Panneau d’affichage des courbes I-V à l’obscurité et en éclairement.
III. 5. Conclusion
L’utilisation de logiciel Scapes est très pratique et très utilisable par la communauté
scientifique depuis sa mise en service. Les différentes étapes que nous avons décrit dans ce
paragraphe nous a permit de bien comprendre le fonctionnement du logiciel et de
l’exploiter par la suite dans notre simulation. Ainsi elle est nécessaire pour l’optimisation
des structures des dispositifs photovoltaïques.
Page 46
CZTSSe]
Bibliographies
[1] PINTO M. R, Conor S. Rafferty and Robert W. Dutton, "PSCES2 - Poisson and
continuity equation solver", Stanford Electronics Laboratory Technical Report, Stanford
University, September 1984.
[2] Y. MAROUF. Modélisation des cellules solaries en InGaN en utilisant Atlas Silvaco,
Mémoire de Magister. Université Med Khider Biskra, 2013.
[3] SELBERHERR, S. Analysis and simulation of semiconductor devices. Wien, New
York: Springer-Verlag, 1984. (s.d.).
[4] Wikipédia L’encyclopédie libre Simulation informatique, site :
https://fr.wikipedia.org/wiki/Simulation_informatique#cite_note-1
[5] Burgelman M, Verschraegen J, Degrave S, Nollet P. Prog Photovoltaics Res Appl
2004;12:143-153.
[6] M. Burgelman, P. Nollet, S. Degrave, Modelling polycrystalline semiconductor solar
cells, Thin Solid. Films, 361 (2000) 527-532.
[7] http://scaps.elis.ugent.be/
Page 47
Conclusion générale
Dans ce travail, nous avons fait une simulation d’une cellule solaire à base de
Cuivre-Zinc-Étain Sulfure/Sélénium (Cu2ZnSn(S,Se)4) ayant une structure
CdS(n) / CZTS(p).
L’utilisation de l’outil de simulation SCAPS nous a permet à travers la mesure de la

caractéristiques (J-V) de la cellule d’obtenir les différentes caractéristiques à savoir : le
courant de court-circuit Jsc, la tension de circuit ouvert Vco, le facteur de forme FF et le
rendement de conversion η.
Cette simulation, nous permet d’étudier l’influence de la géométrie de la cellule en

l’occurrence, les épaisseurs des deux couches CdS et Cu2ZnSn(S,Se)4 et les propriétés du
matériau à savoir le gap optique de la couche d'absorbeur sur les performances de la
cellule.
Les résultats obtenus ont montré que :
 L’augmentation de l’épaisseur de la couche tampon CdS ne fait que réduit les

performances de la cellule.
 Cependant, les performances de la cellule augmentent avec l’augmentation de
l’épaisseur de l’absorbeur CZTS.
 En revanche, l’élargissement du gap optique de la couche absorbeur réduit
l’absorption optique, qui se résume en la réduction de la densité du photocourant
alors que, la tension de circuit ouvert augmente. Le compromis entre ces deux
phénomènes donne une valeur optimale du gap optique EgCZTSopt = 1.5 eV.
Enfin, les paramètres optimaux qui donnent le meilleur rendement de la cellule sont les
suivants :
WCdSopt = 10 nm, WCZTSopt = 3 μm, EgCZTSopt = 1.5 eV.
Comme perspective, on souhaite réaliser et caractériser cette cellule

expérimentalement avec ces paramètres optimaux et faire une comparaison entre elles.
Page 55
Résumé :
Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours
aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus fort. A ce
titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à base de
Cu2ZnSn(S,Se)4 semble prometteur. Dans ce travail de modélisation et de simulation, nous utilisons
le logiciel SCAPS, pour étudier les performances des cellules solaires à base de Cu2ZnSn(S,Se)4
(CZTS). Nous évaluons dans un premier temps, le courant de court circuit JCC, la tension en circuit
ouvert VCO, le facteur de forme FF et le rendement électrique η pour une structure typique de
ZnO/CdS/CZTS. Par la suite nous nous intéressons au gap et à l’épaisseur de la couche (CZTS), et
l'épaisseur de CdS pour étudier l’influence de celles-ci sur les paramètres de sortie, surtout le
rendement électrique de la structure.
Mots Clés: Cellule solaire, photovoltaïque, couches minces, Cu2ZnSn(S,Se)4, simulation, SCAPS.
Abstract:
In the global context of the diversification of the use of the natural resources, the recourse to
renewable energies and in particular the solar photovoltaic one is done more and more loud. For this
reason, the development of a new generation of photovoltaic cells based on Cu2ZnSn(S,Se)4 seems
promising. In this work of modeling and simulation, we use the software SCAPS, to study the
performances of the solar cells based on Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTS). We evaluate initially, the current
of short-circuit ISC, the tension in open circuit VOC, the factor of form FF and the electrical efficiency
η for a typical structure of ZnO/CdS/CZTS. Thereafter we are interested by the gap and the thickness
of the layer (CZTS) and thickness of the CdS to investigate the influence of these on the output
parameters, especially the electrical efficiency of the structure
Keys Words: Solar cells, photovoltaic, thin films, Cu2ZnSn(S,Se)4, simulation, SCAPS.
:‫ﻣﻠﺨﺺ‬
‫اﻟﺮﺟﻮع إﻟﻰ اﻟﻄﺎﻗﺔ اﻟﻤﺘﺠﺪدة و ﺑﺸﻜﻞ ﺧﺎص اﻟﻄﺎﻗﺔ اﻟﺸﻤﺴﯿﺔ‬، ‫ﻓﻲ اﻟﺴﯿﺎق اﻟﻌﺎم ﻟﻼﺳﺘﺨﺪام اﻟﻤﺘﻨﻮع ﻟﻠﻤﻮارد اﻟﻄﺒﯿﻌﯿﺔ‬
.‫ ﺗﺒﺪو واﻋﺪة‬Cu2ZnSn(S,Se)4 ‫ ﻓﺈن ﺗﻄﻮﯾﺮ ﺟﯿﻞ ﺟﺪﯾﺪ ﻣﻦ اﻟﺨﻼﯾﺎ اﻟﻀﻮﺋﯿﺔ اﻟﻘﺎﺋﻤﺔ ﻋﻠﻰ أﺳﺎس‬،‫ و ﻟﮭﺬا‬.‫اﻟﻜﮭﺮوﺿﻮﺋﯿﺔ أﺻﺒﺢ أﻗﻮى‬
Cu2ZnSn(S,Se)4 ‫ ﻟﺪراﺳﺔ أداء اﻟﺨﻼﯾﺎ اﻟﺸﻤﺴﯿﺔ اﻟﻘﺎﺋﻤﺔ ﻋﻠﻰ اﺳﺎس‬, SCAPS -‫ ﻧﺴﺘﺨﺪم ﺑﺮﻧﺎﻣﺞ‬، ‫ﻓﻲ ھﺬه اﻟﻨﻤﺬﺟﺔ واﻟﻤﺤﺎﻛﺎة‬
η ‫ و اﻟﻤﺮدود اﻟﻜﮭﺮﺑﺎﺋﻲ‬، FF ‫ ﻋﺎﻣﻞ اﻟﺸﻜﻞ‬، Vco ‫ وﺗﻮﺗﺮ اﻟﺪارة اﻟﻤﻔﺘﻮﺣﺔ‬, Jsc ‫ ﺗﯿﺎر اﻟﺪارة اﻟﻘﺼﯿﺮة‬، ‫( ﻧﻘﯿﻢ ﻓﻲ اﻟﺒﺪاﯾﺔ‬CZTSSe)
‫ ﻟﺪراﺳﺔ ﺗﺄﺛﯿﺮھﺎ ﻋﻠﻰ‬. CdS ‫ وﺳﻤﻚ طﺒﻘﺔ‬، CZTS ‫وﻓﺠﻮة طﺒﻘﺔ‬، ‫ ﻧﮭﺘﻢ ﺑﻌﺪ ذﻟﻚ ﺑﺴﻤﻚ‬.CZTS/CdS/ ZnO ‫ﻟﻠﮭﯿﻜﻞ اﻟﻨﻤﻮذﺟﻲ‬
.‫ﺧﺼﺎﺋﺺ اﻟﺨﻠﯿﺔ اﻟﻀﻮﺋﯿﺔ ﺧﺎﺻﺔ اﻟﻤﺮدود‬
. SCAPS ‫ اﻟﻤﺤﺎﻛﺎاة‬، Cu2ZnSn(S,Se)4 ،‫ اﻷﻓﻼم اﻟﺮﻗﯿﻘﺔ‬، ‫ اﻟﻜﮭﺮوﺿﻮﺋﯿﺔ‬، ‫ اﻟﺨﻼﯾﺎ اﻟﺸﻤﺴﯿﺔ‬:‫ﻛﻠﻤﺎت ﻣﻔﺘﺎﺣﯿﮫ‬

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Simulation D'une Cellule Solaire Photovoltaque

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UNIVERSITE KASDI MERBAH OUARGLA

Faculté des Sciences Appliquées

Simulation d’une cellule solaire photovoltaïque à

Année universitaire 2015/2016

Nousexprime toute nos profonde gratitude, nos profonde

Nous remercions chaleureusement les membres du jury pour

De ma part, de mon côté moi, MELOUAH.M, je tiens a remercie

‫إﱃ ﻣ ﺒﻊ اﳊﻨﺎن ٔﱊ اﳊﺒ ﺔ‬

‫إﱃ روح ٔﰊ اﻟﻄﺎﻫﺮة ٔﺳﻜ ﻪ ﷲ واﺳﻊ ﺟ ﺎﺗﻪ‬

‫إﱃ ﲨﯿﻊ إﺧﻮﰐ و ٔﺧﻮاﰐ‬

‫إﱃ زوﺟﱵ و ٔﺑﻨﺎﰄ ‪،‬رﱘ ‪،‬ﶊﺪ ﻃﻪ ‪ ،‬ﻣﺮوان‪.‬‬

‫إﱃ ﰷﻓﺔ ﺎﺋ ﻣﻠﻮح‬

‫واﱃ ﲨﯿﻊ دﻓﻌﺔ ‪ 2016‬ﻫﻨﺪﺳﺔ ﻬﺮ ﺋﯿﺔ‬

Figure I.1 : Schéma descriptif de l’incidence solaire sur la terre…………………………...4

Figure I.2 représente : longueur d’onde μm………………………………………………..5

FigureI.3 : Représentation d'une jonction PN à l’équilibre thermodynamique……………7

Figure I.4: Exemples d’applications des cellules solaire……………………………………9

Figure 1.5:le principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque ………………….9

Figure I.6 : Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque réelle………………………11

Figure 1.7. : Les courbes I = f (V)……………………………………………………………12

Figure I.8 : Différent technologie des cellules photovoltaïques…………………………..13

Figure I .9 : Etape de fabrication des cellules………………………………………………..14

Figure I. 10: cellule mono cristalline et poly cristalline ………………………………….15

Figure I.11: modules verre-verre au Telluride de Cadmium, efficacité de 9 à 11%.........16

Figure II.1. Techniques de dépôt des couches minces……………………………………….21

Figure. II.3: La variation de la résistivité en fonction du rapport Cu/ (Zn+Sn)…………….29

Figure III.1. Panneau de démarrage de SCAPS, le panneau d’action ou principal...........43

Figure III.2. Définition de la structure d’une cellule solaire………………………………….44

Figure III.3 : paramètres d'une couche (l'absorbeur CZTS) d'une cellule……………………45

Figure III.4 : Panneau d’affichage des courbes I-V à l’obscurité et en éclairement………….46

Figure IV.3: Effet de l’énergie de gap de la couche CZTS ……………………………….52

Figure. IV.4: Effet de l'épaisseur du CdS (WCdS) ………………………………………..53

Listes des tableau

Tableau II.1 Les propriétés électriques des composes CZTSSe………………………....29

Tableau IV.1.: Les différents paramètres de simulation de la cellule……….….…….…49

WCZTS) sur les paramètres

EgCZTS) sur les paramètres

WCdS) sur les paramètres

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